「implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(32ページ目) - Weblio英語例文検索

In this skeleton reinforcing structure, the reinforcing wall 1 comprises a steel plate 2 which faces an existing wall 7 at a predetermined interval in between and where a plurality of studs 9 are implanted in an opposed surface, and concrete 8 which is infilled between the steel plate 2 and the existing wall 7.例文帳に追加

補強壁１は、既存壁７と所定の間隔をあけて対向し、且つ対向面に複数のスタッド９が植設された鋼板２と、当該鋼板２と既存壁７との間に充填されたコンクリート８から概略構成されている。 - 特許庁

The nail brush 10 comprises a brush body 16 composed of a first body part 12 and a second body part 14, a coupling part 18 for coupling the first and second body parts 12 and 14 together, and bristle tufts 20 implanted on the first and second body parts 12 and 14.例文帳に追加

ネイルブラシ１０は、第一ボディ部１２と第二ボディ部１４から成る本体１６と、第一ボディ部１２と第二ボディ部１４とを連結する連結部１８と、第一ボディ部１２及び第二ボディ部１４に植設された毛束２０とから構成される。 - 特許庁

Then, the flange part 38 of the first game nail 32 whose nail main body part 36 is inserted through the through hole 12a from the rear side of the front plate 12 is insert-held by the front plate 12 and the rear plate 14, thereby the game nail 32 is implanted to the game panel 10.例文帳に追加

そして、表板１２の裏側から釘本体部３６を貫通孔１２ａに挿通した第１遊技釘３２のフランジ部３８が、表板１２と裏板１４とで挟持されることで、該遊技釘３２が遊技盤１０に植設される。 - 特許庁

The rotating light 1 comprises a light-emitting device 2 having a circular substrate 11 where a plurality of light-emitting diodes 10 forming a light-emitting surface f are implanted; and a support cylinder 3 placed on the light-emitting device 2 made of transparent materials.例文帳に追加

本発明の回転灯１は、発光面ｆを形成する複数の発光ダイオード１０が植設された円形基板１１を具備する発光装置２と、その発光装置２に載置された透明材料からなる支持円筒３とを備えている。 - 特許庁

A method for producing a Boletopsis leucomelas-derived lectin, which has an activity to inhibit malignant cell proliferation and an activity to lead apoptosis into malignant cells to kill them and provides marcobiotic effects, by intra-abdominal medication, to a mouse having malignant cells implanted thereinto, is provided.例文帳に追加

癌細胞増殖抑制活性をもち、癌細胞にアポトーシスを誘導して死滅させる活性をもち、がん細胞を移植したマウスへの腹腔内投与によって、マウスに延命効果をもたらすクロカワ由来のレクチンを製造する方法を提供する。 - 特許庁

The kidney cells attach to the small-scale matrix material and are implanted into a natural human kidney.例文帳に追加

ミニマトリックス材料及び腎臓細胞を含む、天然腎臓の増強のための移植用材料であって、腎臓細胞はミニマトリックス材料に付着しており、そして移植用材料がヒトの天然腎臓に移植されることを特徴とする、移植用材料が提供される。 - 特許庁

The electron implanting layer includes a compound with the basic skeleton represented by Generic Formula (1) or (2), and using the compound with the basic skeleton represented by Generic Formula (1) or (2) for the electron implanting layer can obtain the light emitting element with the practical stability configured such that electrons are smoothly implanted and a current flows more easily.例文帳に追加

一般式（１）又は（２）に示す基本骨格を有する化合物を電子注入層に使用することにより、電子の注入が円滑であり、電流がより流れやすく安定性の向上した発光素子が得られるようになる。 - 特許庁

A second impurity peak at the location deeper than a first impurity peak as the impurity peak of impurity implanted region for adjusting the threshold voltage, exists in the region held by the source regions and drain regions of the FET's 20, 30.例文帳に追加

各ＦＥＴ２０，３０のソース領域とドレイン領域とで挟まれた領域には、閾値電圧調整用の不純物注入領域の不純物ピークである第１の不純物ピークよりも深い位置に現れる第２の不純物ピークが存在している。 - 特許庁

Then, an opening 12d is formed on the ONO film 12, and arsenic ions are implanted from the formed opening 12d to the semiconductor substrate 11 to form an n-type diffusion layer 14 at the lower part of each opening 12d of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

続いて、ＯＮＯ膜１２に開口部を１２ｄを形成し、形成した開口部１２ｄから半導体基板１１に砒素イオンを注入することにより、半導体基板１１の各開口部１２ｄの下側部分にｎ型拡散層１４を形成する。 - 特許庁

The anodic oxidation coating is thus provided on the surface of the implantation material backing 1, whereby when the magnesium alloy as the implantation material backing 1 is implanted in a living body, corrosion can be restrained to produce the effect of improving the corrosion resistance of the implantation material.例文帳に追加

移植材基材１表面に陽極酸化皮膜を有することで、移植材基材１であるマグネシウム合金を生体内に移植した際の腐食を抑制できるため、移植材の耐食性を向上させる効果を奏する。 - 特許庁

Implants 38, 40 for repairing soft tissue injuries include at least one channel for receiving a soft tissue graft 44 (e.g., a tendon, ligament or other soft tissue) to be implanted in a patient.例文帳に追加

軟部組織の損傷を修復するためのインプラント３８、４０が提供され、このインプラント３８、４０は、患者に移植されるべき軟部組織移植片４４（例えば、腱、靱帯または他の軟部組織）を受容するための少なくとも１つのチャネルを備える。 - 特許庁

The periphery of a piezoelectric monocrystal substrate is fixed by a fixing tool, hydrogen ions are then implanted to form an ion implantation layer in the piezoelectric monocrystal layer, and an insulating film is formed thereafter on any other surface of the piezoelectric monocrystal substrate than the portions fixed by the fixing tool.例文帳に追加

圧電単結晶基板の周囲を固定治具で固定後に、水素イオンを注入して圧電単結晶基板内にイオン注入層を形成後に、圧電単結晶基板表面を固定治具で固定していた部分以外に絶縁膜を形成する。 - 特許庁

The support surface of the stud has such size and shape that as the stud is implanted, the support surface of another implant component is complemented or extended to protect an inborn joint cartilage from wear due to the kneepan component.例文帳に追加

スタッドの支承面は、スタッドを植え込むと、他のインプラントコンポーネントの支承面を補完しまたは延長させて生まれつきの関節軟骨を膝蓋骨コンポーネントに起因する摩耗から保護することができるような寸法および形状を有する。 - 特許庁

Two species are implanted of which one is adapted to form defects and the other is adapted to occupy those defects, and the detachment is made at a temperature lower than that for which detachment could be obtained with solely the dose of the first species.例文帳に追加

２つの種が注入され、その一方は欠陥を形成するようになされ、他方はこれらの欠陥を占有するようになされ、上記分離が、上記第１の種の用量単独で分離が起こると予想される温度より低い温度で行われる。 - 特許庁

To allow a surgeon to select an optimal material of an acetabular cup assembly to be implanted in a specific site for implantation, its position and direction before or during operation so that operation may be made easy and less costly.例文帳に追加

本発明は外科医に、特定の移植部位に移植する股臼カップアセンブリに対する最適な材料、位置および方向を、手術が容易であり費用がかからない方法で、手術前または手術中に選択する可能性を提供する。 - 特許庁

Indium ions and arsenic ions which are implanted are activated, by which an extension high-concentration impurity diffusion layer 105 possessed of a shallow junction, a pocket impurity diffusion layer 106, and a high- concentration impurity diffusion layer 104 possessed of a deep junction are formed.例文帳に追加

注入されたインジウムイオン及びヒ素イオンを活性化することにより、浅い接合を持つエクステンション高濃度不純物拡散層１０５、ポケット不純物拡散層１０６及び深い接合を持つ高濃度不純物拡散層１０４を形成する。 - 特許庁

To prevent electromagnetic compatibility when a person using various kinds of implanted type devices passes through a gate, to prevent an influence onto health, to eliminate manhours for winding a coil, to compactify a size, and to minimize labors in conveyance and installation.例文帳に追加

植込み型の各種装置を利用している人のゲートを通過する時の電磁干渉を防止して健康への影響を防止し、コイルを巻く工数が不要とし、小型化を実現し、搬送および設置の面における労力を最小限にすること。 - 特許庁

The seal 20 is formed with an annular formed part obtained by injection molding of a pin- point gate formula in which molding material of thermoplastic resin is implanted into a cavity 53 of a metal mold by injection through a pin-point gate 60.例文帳に追加

本シール２０は、熱可塑性樹脂の成形材料３０をピンポイントゲート６０を介して金型５０のキャビティー５３内に射出注入するようにしたピンポイントゲート方式の射出成形によって得られる環状成形品をもって構成される。 - 特許庁

This catheter is provided with a high frequency energizing electrode, which transmits a high frequency power between itself and an opposite electrode disposed on the body surface and is implanted or inserted in the body, and energized with a high frequency at a frequency of 100 MHz or more.例文帳に追加

体表面に配設される対極との間で高周波電力を伝送可能な体内に埋設あるいは挿入された高周波通電用電極をもつカテーテルにおいて、１００ＭＨｚ以上の周波数により高周波通電を行う。 - 特許庁

Thereafter, by using the gate electrode 4 as the mask, arsenic is ion-implanted on the semiconductor substrate 1 under conditions of a dose of 5×10^11/cm^2, implantation energy of 5 keV and implantation angle of 0°, to form an n-type surface LDD region 6.例文帳に追加

その後、ゲート電極４をマスクにして半導体基板１に、砒素をドーズ量５×１０^１１／ｃｍ^２、注入エネルギー５ｋｅＶ、注入角度０°の条件でイオン注入を行い、ｎ型表面ＬＤＤ領域６を形成する。 - 特許庁

A resist film is patterned on a region α, where the edges 10A, 20A, and 34A are superposed on each other prior to implantation of impurity ions, by which impurity ions are blocked from being implanted into the region α, and charges are restrained from accumulating.例文帳に追加

そして、この各エッジ部１０Ａ、２０Ａ、３４Ａが重なり合った領域αに、不純物イオン注入に先立って、レジスト膜５０をパターニングし、この領域αに対する不純物イオンの注入を阻止し、電荷の蓄積を抑制する。 - 特許庁

An N-type impurity having a high concentration is ion-implanted to a P-type region 11 with a field oxide film 12 formed on the P-type region 11 having a low impurity concentration as an implantation mask, and an N-type region 14 having a high impurity concentration is formed.例文帳に追加

低不純物濃度のＰ型領域１１上に形成されたフィールド酸化膜１２を注入マスクとして、Ｐ型領域１１に高濃度のＮ型不純物をイオン注入し、高不純物濃度のＮ型領域１４を形成する。 - 特許庁

Therefore, the molding does not cause opening of the pile 10 of the electrostatically implanted hair on the top face 5 of the protruded parts 3, superimposition of the hair in which the hairs are opposed in a mutually oblique state or partial deterioration of the appearance and touch feeling.例文帳に追加

従って、凸部３の頂面５における静電植毛のパイル１０が目開きを起こしたり、或いは互いに斜め状態で向かい合った重なり状態になることはなく、外観性及び触感性が部分的に低下することはない。 - 特許庁

To enhance positional accuracy of impurity implanted regions to contrive a high integration of the regions and also to reduce the number of processes in the manufacturing method of a semiconductor device to contrive reduction of the cost of manufacturing of the device by forming regions of different ion implantation depths in one process.例文帳に追加

イオン注入の深さが異なる不純物注入領域を１回の工程で行うことのよって、不純物注入領域間の位置精度を高めて高集積化を図るとともに、工程数を削減して製造コストの低減を図る。 - 特許庁

An oxide layer 12 is grown on a board 10 and patterned using a first resist as a mask, a tunnel part 24 is etched to expose a part of the board 10 located under the tunnel part 24, an ion-implanted region 18 is formed inside the board 10 by implantation of nitrogen ions, and then the resist is removed.例文帳に追加

基板１０上に酸化物層１２を成長させ第１レジストでパターニングしてトンネル部２４をエッチングして基板を露呈し、窒素イオンを注入して基板１０にイオン注入領域１８を形成した後レジストを除去する。 - 特許庁

The collision preventing device is provided with at least one molding body 11 and the molding body is implanted in an upper surface 21 on the periphery of a lens holding part 12 holding the objective lens 4 and at least a top part of the molding body is coated with a buffering coating film.例文帳に追加

衝突防止装置は、少なくとも１個の成形体１１を備え、成形体は、対物レンズ４を保持するレンズ保持部１２の周辺部上面２１に植立され、成形体の少なくとも頭頂部には緩衝用塗膜が塗布されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a SIMOX (Separation by Implanted Oxygen) wafer minimizing the particles generation due to mismatch of a silicon wafer edge with a wafer holder caused by deformation of a wafer holding pin upon manufacturing the SIMOX wafer by an MLD (Modified Low Dose) method.例文帳に追加

ＭＬＤ法によるＳＩＭＯＸウェーハの製造に際し、ウェーハ保持ピンの変形に起因したシリコンウェーハのエッジとウェーハ保持具との不整合が原因で発生するパーティクルを極力低減したＳＩＭＯＸウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

Because the nitride layer 12a is provided in the vicinity of the Si boundary face of SiO2 of the BOX 12, it is possible to suppress the boron atoms implanted into the body by heat treatment from moving into the BOX when the SOI transistor is manufactured using the SOI substrate 10.例文帳に追加

ＢＯＸ１２のＳｉＯ２のＳｉ界面近傍に窒化層１２ａを設けたので、このＳＯＩ基板１０を用いてＳ０Ｉトランジスタを作成する際の、熱処理によるボディ部に打ち込まれたボロン原子のＢＯＸ中への移動を抑制できる。 - 特許庁

Plasma is generated from the vapor of an electrically conductive molten solution by discharge in which the molten liquid is used as a cathode, and ions in the plasma are implanted into a work to be processed by applying negative high voltage pulses on the work to be processed which is placed in the plasma.例文帳に追加

導電性の融液を陰極とした放電によって、融液の蒸気からプラズマを発生させ、プラズマ中においた被処理物に負の高電圧パルスを印加することによってプラズマ中のイオンを被処理物に注入する。 - 特許庁

The plasma along a part of the object W is generated by the plasma source 32 while moving the object W to the plasma source 32, and the ion of equal quantity is accelerated to and implanted in the surface of the object W from the generated plasma.例文帳に追加

基体Ｗとプラズマ源３２とを相対的に移動させながら、プラズマ源３２によって基体Ｗの一部分を取り囲む放電プラズマを生成し、等量のイオンを生成プラズマから基体Ｗの表面に向かって加速し、注入する。 - 特許庁

The peak impurity concentration of the high concentration ion implanted layer 6 for extension is set to such a one that is very close to the solution limit concentration of a first RTA treatment, but not exceeding it.例文帳に追加

このとき、高濃度エクステンション用イオン注入層６の不純物ピーク濃度が、第１のＲＴＡ処理の固溶限界濃度を超えない濃度で、かつ、第１のＲＴＡ処理温度における固溶限界濃度に近似した濃度になるようにする。 - 特許庁

Then, the gate electrode 4, a part positioned by the gate electrode 4 of the lamination film, and the side wall 5a, are used as a mask, and ions are implanted, thus forming source drains 6p and 6n in an element active area and removing the side wall 5a.例文帳に追加

その後、ゲート電極４、積層膜のゲート電極４の側方に位置する部分及びサイドウォール５ａをマスクとしてイオン注入を行うことにより、素子活性領域内にソース・ドレイン６ｐ及び６ｎを形成し、サイドウォール５ａを除去する。 - 特許庁

The cells of human uterus myoma and/or a piece of human uterus myoma tissue are implanted into a nonhuman immune deficit animal with deleted functional T- and B-cells and destroyed or deleted IL-2Rγ gene, together with a gelatinous substrate including extracellular matrix components.例文帳に追加

ヒト子宮筋腫細胞及び／又はヒト子宮筋腫組織片を、細胞外マトリックス成分を含むゲル状基質と共に、機能的なT細胞及びB細胞を欠失し、かつIL-2Rγ遺伝子を破壊又は欠失した免疫不全非ヒト動物に移植する。 - 特許庁

Accordingly, ions to be implanted reach an exposed surface, where ends of a silicon layer 13 and the embedded insulation layer 17 are exposed without being interrupted by the resist 18, and the parasitic channel suppression ion implantation can be performed efficiently.例文帳に追加

したがって、イオン注入されるイオンが、レジスト１８に邪魔されることなく、シリコン層１３と埋め込み絶縁層１７の端部の一部が露出した露出面に到達し、寄生チャンネル抑制イオン注入を効率的に行うことができる。 - 特許庁

To provide an environment-friendly artificial lawn ground with superior impact absorptivity and texture and feeling or the like more approximate to a natural lawn preventing movement of particles filled in gaps of pile implanted in a base material.例文帳に追加

本発明は、基材に植毛したパイルの隙間に充填した粒状物の移動を防止し、衝撃吸収性に優れ、かつ、環境に優しく風合い、感触等をより天然芝生に近似の人工芝生グランドを提供せんとするものである。 - 特許庁

To provide improvements to an implant, a system and a method using a passive electrical conductor which routes an electrical current to either an external device or an implanted electrical device, to multiple target body tissues, and to selective target body tissues.例文帳に追加

本発明は、外部デバイスかまたは埋込み電気デバイスのいずれかに、複数の標的体内組織に、そして選択的な標的体内組織に電流を通す受動導体を使用する、インプラント、システムおよび方法に対する改良を提供する。 - 特許庁

While ions are being implanted, when the measured result of the vacuum gage 109 is lower than the prescribed value, the work station 111 issues an order to a beam controller 112 so as to control a power supply relating to the operation of an ion source 101 for example lower than usual.例文帳に追加

イオン注入中、真空計１０９の測定結果が上記所定の値を下回ったとき、ワークステーション１１１はビームコントローラ１１２に対し、例えばイオン源１０１の動作に関わる電源を通常より低く制御するよう命令を出す。 - 特許庁

A silicon layer 10B of conductivity type opposite to that of a bulk is provided on the surface of a silicon substrate 100, and a hydrogen ion is implanted to prescribed depth L at a surface region via the silicon layer 10B to form a hydrogen ion implantation layer 11.例文帳に追加

シリコン基板１００の表面にバルクの導電型とは反対の導電型のシリコン層１０Ｂを設け、表面領域の所定の深さ（Ｌ）にシリコン層１０Ｂを介して水素イオンを注入して水素イオン注入層１１を形成する。 - 特許庁

A silicon oxide film is formed on the surface of a silicon substrate 101, ions are implanted in a region on the lower layer side than the silicon oxide film, and then heat treatment is performed to form an underlying layer 102 made of single crystal silicon subjected to the ion implantation.例文帳に追加

シリコン基板１０１の表面にシリコン酸化膜を形成し、その後、前記シリコン酸化膜よりも下層側の領域にイオン注入を行い、次いで熱処理して、イオン注入された単結晶のシリコンからなる下地層１０２を形成する。 - 特許庁

When the oxygen ions 16 are implanted, divided into a plurality of number of times, the periphery of the mask oxide film 23 is removed by etching or, is padded for enlargement between the previous oxygen ion implantation process and the subsequent oxygen ion implantation process.例文帳に追加

酸素イオン１６の注入が複数回に分けて行われる場合には、先の酸素イオン注入工程と後の酸素イオン注入工程との間にマスク酸化膜２３の周縁をエッチング除去するか或いは肉盛りをして拡大させても良い。 - 特許庁

After an AlN buffer layer 12 and a GaN layer 13 are grown sequentially on a sapphire substrate 11 by MOVPE, Si ions are implanted into an ion implantation region 14 centering the vicinity of interface between the sapphire substrate 11 and the growth layer.例文帳に追加

サファイア基板１１上にＡｌＮ緩衝層１２とＧａＮ層１３をＭＯＶＰＥ法により順次成長させた後、サファイア基板１１と成長層との界面付近を中心としたイオン注入領域１４にＳｉのイオン注入を行う。 - 特許庁

By use of an FT-IR device from IR waveforms prior to hydrogen ions implanted into the semiconductor substrate, the IR waveform of an FZ crystal semiconductor substrate is acquired by a difference spectrum method (an FZ crystal corrected IR waveform prior to implantation of the hydrogen ions).例文帳に追加

ＦＴ−ＩＲ装置を利用し、半導体基板に水素イオンが注入される前のＩＲ波形からＦＺ結晶半導体基板のＩＲ波形を差スペクトル法により求める（水素イオン注入前のＦＺ結晶補正ＩＲ波形）。 - 特許庁

A resist pattern 14 covering over the gate electrode 13 to one flank of the gate electrode 13 is formed, and arsenic ions are implanted on the surface layer of the semiconductor wafer 11 with an ion implantation masked by the resist pattern 14 and the gate electrode 13.例文帳に追加

ゲート電極１３上からゲート電極１３の一側方にかけてを覆うレジストパターン１４を形成し、レジストパターン１４及びゲート電極１３をマスクに用いたイオン注入によって、半導体基板１１の表面層にヒ素イオンを導入する。 - 特許庁

In this regard, a large quantity of hydrogen ions are implanted into the gate electrode 15 and the gate insulation film 14 serving as a mask by implanting ions, produced by plasma decomposing hydrogen diluted gas of phosphorus, while accelerating using an ion doping method without separating mass.例文帳に追加

このとき、イオンドーピング法を用い、燐の水素希釈ガスをプラズマ分解したイオンを、質量分離を行わずに加速して注入することにより、マスクとなるゲート電極１５とゲート絶縁膜１４中に多量の水素イオンが注入される。 - 特許庁

Nitrogen ion or silicon ion is implanted into the surface of the glass plate in a depth of 10 nm to 10μm from the surface in the implantation amount of 1×10^12-1×10^18 ions/cm^2.例文帳に追加

ガラス板の表面に窒素イオンまたはケイ素イオンをイオン注入法で、表面から１０ｎｍ〜１０μｍの範囲の深さに、１×１０^１２ｉｏｎｓ／ｃｍ^２〜１×１０^１８ｉｏｎｓ／ｃｍ^２の範囲のイオン注入量を注入する。 - 特許庁