「implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(36ページ目) - Weblio英語例文検索

Since, after formation of an irregular pattern on the surface of a thermoplastic resin sheet 1 before molding, hair is electrostatically implanted only to the top face 5 of the protruded parts 3 of the pattern, subsequent three-dimensional molding produces deformation e.g. expanded and contracted parts, only in thin recessed parts 4.例文帳に追加

成形前の熱可塑性樹脂シート１の表面に凹凸模様を形成し、その凹凸模様の凸部３の頂面５だけに静電植毛を施すようにしたため、その後に３次元形状に成形しても、伸延部や収縮部等の変形が生じるのは、厚さの小さい凹部４だけである。 - 特許庁

To provide a vocalization aid allowing a user to easily carry the device without being implanted into the body of the user, without requiring the pain or burden on the body caused by a surgical operation and without learning the difficult esophageal speech method, and to vocalize the sound similar to the voice of a healthy person by using vibrating air.例文帳に追加

体内に埋め込むのではなく、手軽に携帯して使用でき、手術による苦痛や体への負担、困難な食道発声法の習得も不要であり、しかも振動空気を利用することにより健常者に近い音の発声が可能となる発声補助装置を提供せんとする。 - 特許庁

This simple ladder is composed of a freely bendable fastening string-like body 1 fixed to a scaffold bolt B implanted in an electric pole D and wound on an outer peripheral surface of the electric pole D, and a plurality of footrest members 2 detachably installed in the fastening string-like body 1 and placing feet when climbing the electric pole D.例文帳に追加

電柱Ｄに植設された足場ボルトＢに掛止して該電柱Ｄの外周面に巻装される屈曲自在な締付紐状体１と、締付紐状体１に着脱自在に取着され前記電柱Ｄに登るとき足を載せる複数の足掛部材２とからなる。 - 特許庁

The surface of the implant is coated with hydroxyapatite for prompt fixation after implanted in a living body, which is provided by laser ablation in steam or steam containing gas so as to coat surfaces of gaps of the applied parts for enlarging the superficial area.例文帳に追加

このインプラント表面には生体内に埋入後の定着を早期化するためのハイドロキシアパタイトを水蒸気または水蒸気含有のガス中でレーザーアブレーションによりコーティングし、表面積拡大のための取付け部材の間隙内部表面にまでコーティングを及ぼすようにした。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device, which can remove a deteriorated layer formed by annealing for activating impurities ion-implanted to a silicon carbide substrate, with high productivity and without degrading characteristics of the silicon carbide semiconductor device.例文帳に追加

炭化珪素基板にイオン注入された不純物を活性化するためのアニールを行う際に形成された変質層を、高い生産性で、かつ、炭化珪素半導体装置の特性の劣化を招くことなく除去することが可能な炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A low-temperature long-time heat treatment which is the first heat treatment for activating the impurity implanted into gate electrodes 20, 21 is performed so that boron diffusion occurs along crystal grain boundaries though boron is scarcely diffused into polysilicon crystal grains.例文帳に追加

ゲート電極２０，２１に注入された不純物の活性化のための第１の熱処理として、ポリシリコンの各結晶粒内へのボロンの拡散はほとんど生じることがなく、かつ、結晶粒界におけるボロンの拡散が生じるような低温長時間の熱処理を行なう。 - 特許庁

When the recording area separation type magnetic recording medium which relatively reduces the ratio of ferromagnetic material by ion implantation is manufactured, by etching an ion implantation portion in advance, the height after the ion implantation is made relatively lower than a portion where ion is not implanted.例文帳に追加

イオン注入により強磁性材料の元素比率を相対的に低くする記録領域分離型の磁気記録媒体の作製時に、あらかじめイオン注入部分をエッチングしておくことで、イオン注入後の高さを非注入部分と比べて相対的に低くする。 - 特許庁

This porous Si having the gradient is formed by first implanting a (p-type or n-type) dopant into a substrate containing Si, activating this dopant using an activating annealing step, and then anodizing this implanted and activated dopant region in a solution containing HF.例文帳に追加

この勾配のある多孔質Ｓｉは、まずＳｉ含有基板に（ｐ型またはｎ型の）ドーパントを注入し、活性化アニール・ステップを使用してこのドーパントを活性化し、次にこの注入され活性化されたドーパント領域をＨＦ含有溶液中で陽極酸化することによって形成される。 - 特許庁

In this medical implant used for brachytherapy or other medical treatment wherein radioactive ions are preferably implanted into a silicon-based material, radioactive xenon ions are used as the radioactive ions, and the radioactive ions are doped into a silicon substrate by the controlled method in an ion implantation process.例文帳に追加

好ましくはシリコン・ベースまたは放射性イオンを移植された、ブラキテラピーまたは他の医療処置に使用する医療インプラントにおいて、放射性イオンとしては放射性キセノン・イオンを使用し、イオン移植工程は、制御された方法で放射性イオンをシリコン基体にドーピングするものである。 - 特許庁

Phosphorus 15 is ion-implanted in a P substrate using, as a mask, the silicon nitride films 11, 11a as the mask pattern which has an aperture 11b corresponding to a deep N well forming region and a silicon nitride film 11a like an island corresponding to an IP well forming region 6 within the aperture 11b (a).例文帳に追加

ディープＮウエル形成領域に対応して開口部１１ｂをもち、その開口部１１ｂ内にＩＰウエル形成領域６に対応して島状のシリコン窒化膜１１ａをもつマスクパターンとしてのシリコン窒化膜１１，１１ａをマスクにしてＰ基板１にリン１５をイオン注入する（ａ）。 - 特許庁

The electrode 1 using the electroconductive diamond particles has a base 2 made of a non-conductive material; and has the electroconductive diamond particles 3 which are implanted in the base 2 and fixed by it, and of which at least one part of the surface is exposed to the outside of the base 2, to form wetted portions 3a and 3b.例文帳に追加

導電性ダイヤモンド粒子を用いた電極１は、非導電性材料からなる支持体２と、この支持体２に埋め込んで固定され、表面の少なくとも一部が前記支持体２の外部に露出して接液部分３ａ、３ｂとなる導電性ダイヤモンド粒子３とを有している。 - 特許庁

When As is implanted into a silicon substrate 10 having a native oxide film 11, an amorphous region 10a is formed and the amorphous region 10a is divided into a high concentration oxygen region 10aa having oxygen concentration of critical level or above, and a low concentration oxygen region 10ab having oxygen concentration lower than the critical level.例文帳に追加

自然酸化膜１１を有するシリコン基板１０にＡｓを注入すると、アモルファス領域１０ａが形成され、アモルファス領域１０ａは、酸素濃度が臨界値以上の高濃度酸素領域１０aaと、酸素濃度が臨界値よりも低い低濃度酸素領域１０abとに分かれる。 - 特許庁

Since a guard layer 4 is formed between the auxiliary recording layer 5 and the magnetic recording layer 3, when the non-magnetic section 9 of the auxiliary recording layer 5 is formed by ion implantation, the diffusion of implanted ions in the magnetic recording layer 3 is prevented and the magnetic recording medium having high recording density can be manufactured.例文帳に追加

さらに、記録補助層５と磁気記録層３の間にガード層４を設けたので、記録補助層５の非磁性部９をイオン注入により形成する際に、注入されたイオンが磁気記録層３に拡散するのを防ぎ、高記録密度の磁気記録媒体を製造することができる。 - 特許庁

A spacer film 112 is formed on the side wall of the gate electrode, and impurities of a second conductivity-type are implanted into the surface layer parts of the first and second regions, with the use of the gate electrodes and spacer film as masks for second activation treatment and to form a second impurity diffusion region 110.例文帳に追加

ゲート電極の側壁上にスペーサ膜１１２を形成し、次いでゲート電極とスペーサ膜とをマスクとして第１領域と第２領域の表層部とに第２導電型の不純物を注入し第２の活性化処理を行い第２の不純物拡散領域１１０を形成する。 - 特許庁

To provide a gardening container cover and a planter cover each formed so as to enable water supply to plants implanted in a gardening container without depending on surplus parts while improving a beautiful view as part of indoor decoration, and to enable visually check of a proper amount of water supply from the outside.例文帳に追加

室内装飾の一部として美観を高めつつ、園芸容器に植え込んだ植物への給水を余分な部品に依存することなく行い得るとともに当該給水の適正な量を外部から視認し得るように構成した園芸容器用カバー及びプランター用カバーを提供する。 - 特許庁

In a denture implanting process S57, dentures are successively implanted in the solder bank in such a state that the dental tooth form tray holding the jaw impression member and the solder bank is mounted on the articulator and the dentures for the upper jaw and the dentures for the lower jaw are successively adjusted using the articulator so as to be properly bitten each other.例文帳に追加

Ｓ５７は、人工歯植設工程で、顎印象部材とロウ堤とを保持した歯科用歯型トレイを、咬合器に装着した状態で、ロウ堤に人工歯を順次植設し、咬合器を用い、上顎用人工歯と下顎用人工歯とが、適切な咬み合わせとなるよう、順次調整を行う。 - 特許庁

A prescribed section 3a of the floating gates 3 is provided in extended form in the prescribed width, the ions implanted on both sides in the width direction of the prescribed section 3a are diffused, they are coupled under the prescribed section 3a, and a tunnel region is formed.例文帳に追加

そして、フローティングゲート３の所定部位３ａが所定幅で延設されるようにし、イオン注入後の拡散工程において、所定部位３ａの幅方向両側に注入されたイオンが拡散し、所定部位３ａ下において連結され、トンネル領域が形成されるようにする。 - 特許庁

After forming a thick gate insulating film 9 and a gate insulating film 11 thinner than the film 9, a gate electrode material is deposited and a p-type impurity is ion-implanted to portions on which body areas are to be formed under the gate insulating film 9 to form the p-type impurity area 15.例文帳に追加

厚いゲート絶縁膜９及びこれよりも薄いゲート絶縁膜１１を形成した後、ゲート電極材料を堆積し、ゲート絶縁膜９下のボディ領域の形成予定部位にｐ型不純物をイオン注入してｐ型不純物領域１５を形成する。 - 特許庁

When a base diffusion layer 12 for a bipolar type transistor 10 formed to the semiconductor device 1 is formed, acceleration energy and a dosage are changed to a prearranged region as a base diffusion layer 12 for an n-type epitaxial layer 13, and impurity ions are implanted at a plurality of times.例文帳に追加

半導体装置１に備わるバイポーラ型トランジスタ１０のベース拡散層１２を形成する際に、Ｎ型エピタキシャル層１３のベース拡散層１２となるべく予め定められる領域に対して、加速エネルギとドーズ量とを変化させ、複数回に分けて不純物イオンを注入する。 - 特許庁

Instead of an implanted heavy body and heat cycle, the invented process forms the transistor heavy body by etching a trench into the body region and filling the heavy body trench with a high conductivity material such as metal that makes contact to both the source and the body region.例文帳に追加

高量注入および熱サイクルの代わりに、トレンチを基体領域にエッチングして、その高重基体トレンチをその基体およびソース領域の双方にコンタクトを形成する金属のような高導電材料で充填することによってトランジスタの高重基体を形成する。 - 特許庁

ECR equipment 12 is used to generate the multivalent ions of Fe, and an ion-separation electromagnet 20 is used to separate and select multivalent ions of desired valency from among various valence-different Fe multivalent ions generated so that they may be implanted into an Si substrate 22 to form a β-FeSi_2.例文帳に追加

ＥＣＲ装置１２を用いてＦｅの多価イオンを生成し、生成された価数の異なる種々のＦｅ多価イオンの中から、イオン分別電磁石２０を用いて所望の価数の多価イオンを分別してＳｉ基板２２中に注入し、β−ＦｅＳｉ_２を形成する。 - 特許庁

Next, the surface of the resist layer 14a is entirely removed by ashing to expose a base silicon layer 13a in a main pattern area 5, and ions are implanted into the entire surface of the resist layer 14a to dope only the main pattern area 5 in the base silicon layer 13a.例文帳に追加

次いで、レジスト層１４ａの表面をアッシングにより全体的に除去してメインパターン領域５で下地シリコン層１３ａを露出し、レジスト層１４ａの全面にイオン注入することにより、下地シリコン層１３ａにおけるメインパターン領域５のみがドーピングされる。 - 特許庁

In the field-effect transistor, electric charges can be implanted into an interface between the gate insulating layer 1 and organic semiconductor layer 2 by applying the pressure acting in its surface direction (in a horizontal direction) to the gate insulating layer 1, so that a current between a drain electrode 3 and a source electrode 4 is controlled.例文帳に追加

電界効果トランジスタは、ゲート絶縁層１にその面方向（水平方向）に作用する圧力を印加することによりゲート絶縁層１と有機半導体層２との界面に電荷を注入することができるので、これによってドレイン電極３及びソース電極４間の電流が制御される。 - 特許庁

A support member for horizontally supporting the printed board to be engaged with the connecting pins implanted perpendicularly to a plurality of the bobbin parts in which a primary side winding and a secondary side winding of the boosting transformer are wound and connected by winding both ends of the respective windings, is formed integrally with a bobbin.例文帳に追加

昇圧トランスの一次側巻線及び二次側巻線の巻回される複数のボビン部分に立植され、各巻線の両端部を巻付けて接続するようにした各接続ピンに嵌合するプリント基板を各接続ピンに対して水平に支持する支持部材をボビンに一体的に形成したことを特徴としている。 - 特許庁

By applying shock from outside after the bonding process, Si-Si bonds inside the ion implanted layer 11 are cut to automatically peel off a single crystal silicon thin film along the crystal plane at a position corresponding to the predetermined depth (average ion implantation depth L) near the surface of the single crystal Si substrate 10.例文帳に追加

このような接合工程の後、外部から衝撃を加えることでイオン注入層１１内でのＳｉ−Ｓｉ結合を切り、単結晶Ｓｉ基板１０の表面近傍の所定の深さ（平均イオン注入深さＬ）に相当する位置の結晶面に沿って単結晶シリコン薄膜を機械的に剥離する。 - 特許庁

To provide a finally sterilized osteogenic device capable of producing a bone in a place where the device is implanted in a mammal animal, a general process of finally sterilizing the osteogenic device without deteriorating the bioactivity and/or organic compatibility of the device, and a method of inducing the bone formation using the finally sterilized device.例文帳に追加

哺乳動物に移植した場合、その位置に骨を生成し得る最終滅菌骨原性デバイス、デバイスの生物活性および／または生体適合性を損なわずに骨原性デバイスを最終滅菌する一般的プロセス、また、本発明の最終滅菌デバイスを用いて骨形成を誘導する方法、を提供する。 - 特許庁

Photolithography is used to form a resist mask RM3 having an opening on an NMOS region on a silicon substrate 101, N_2 (nitrogen) ions of dose of 1×10^15/cm^2 are implanted therefrom at an acceleration voltage of 15 kV, thereby introducing a nitrogen into the silicon substrate 101 of the NMOS region.例文帳に追加

フォトリソグラフィーを用いて、シリコン基板１０１上にＮＭＯＳ領域に開口部を有するレジストマスクＲＭ３を形成し、その上から１５ｋＶの加速電圧で、ドーズ量１×１０^15／ｃｍ^2のＮ_2（窒素）イオンをイオン注入して、ＮＭＯＳ領域のシリコン基板１０１内に窒素を導入する。 - 特許庁

The straight movement of the straight moving member 3 moves cam pins 3a and 3a implanted to the straight moving member 3 straight in a longitudinal direction, moves straight the positions of helical cam grooves 1a and 1a into which the cam pins 3a and 3a are fitted loosely, and rotates the opening and closing member 1 with a shaft supported by bearing members 2 and 2 as a center.例文帳に追加

直線移動部材３が直線移動すると、直線移動部材３に植設されたカムピン３ａ，３ａが左右方向に直線移動され、カムピン３ａ，３ａが遊嵌する螺旋状のカム溝１ａ，１ａの位置が直線移動し、開閉部材１は軸受部材２，２に支持された軸を中心に回転する。 - 特許庁

To provide a toothbrush which improves directions of implanted bristles to a bristle implanting base and lengths of the brisltes, a tip shape of the bristle implanting base, and a shape of a brush body, and can make tips of the bristles surely and easily contact with tooth faces in the middle of the growing of "6-age carnassial teeth" and "12-age carnassial teeth".例文帳に追加

植毛台への植毛の方向や植毛長さ、植毛台の先端部形状、さらにブラシ本体の形状を改良して、「６歳臼歯」や「１２歳臼歯」の生え途中の歯面に対しても、毛先の接触を確実且つ容易に行うことができる歯ブラシを提供することを目的とする。 - 特許庁

In this stud tire, after the stud pin 5 is implanted in the tread face 1 of the tread rubber layer 6 of a vulcanized tire, for example when the stud pin 5 is made of a magnetic metal, heat is generated in the stud pin 5 by heating the stud pin 5 by electromagnetic induction heating, so as to heat the peripheral rubber part 6X by the heats of the heated stud pin 5.例文帳に追加

このようなスタッドタイヤは、加硫済タイヤのトレッドゴム層６の踏面１にスタッドピン５を植設した後、例えば、スタッドピン５を磁性金属から構成した場合には、電磁誘導加熱によりスタッドピン５を加熱することによりスタッドピン５を発熱させ、発熱したスタッドピン５の熱により周囲ゴム部６Ｘを加熱する。 - 特許庁

Then, as shown in Figure 2 (a), N-type impurity ions are implanted with an accelerating energy using the same photoresist layer 116 as a mask, so as to penetrate through the first polysilicon layer 115b and the first oxide film 113 but not to penetrate through the second oxide film 114, and the lower electrode 118 of a capacitive element is formed.例文帳に追加

次に、図２（ａ）に示すように、同一のホトレジスト層１１６をマスクとして、第１のポリシリコン層１１５ｂ及び第１の酸化膜１１３を貫通し、第２の酸化膜１１４を貫通しないような加速エネルギーで、ｎ型不純物をイオン注入し、容量素子の下部電極１１８を形成する。 - 特許庁

Toothbrushes are formed which have tufts implanted radially in tips of two rotary shafts, two right and left toothbrushes are arranged closely so that tips of tufts of both the brushes cross each other, and base ends of the rotary shafts are coupled to a motor built in a handle part to rotate the toothbrushes in directions opposite to each other.例文帳に追加

2本の回転軸の先端部に放射状に植毛した歯ブラシを形成して、両方のブラシの毛先が交差するように歯ブラシを左右２本接近して配置すると共に、前記回転軸の基端部をハンドル部に内蔵したモータに連結して、前記歯ブラシを両者逆方向に回転する。 - 特許庁

In the mold for molding the magnesium alloy which is made by successively stacking a carbon implanted layer which is made by implanting carbon ion and a diamond-like carbon layer on a base material composed of a cemented carbide, an alloy which contains WC (tungsten carbide) having the average particle diameter of 0.3-2.6 μm as a hard phase is adopted as the cemented carbide for composing the base material.例文帳に追加

超硬合金からなる基材に、カーボンイオンが注入されてなるＣ注入層と、ダイヤモンドライクカーボン層とが順次積層されてなるマグネシウム合金成形用金型において、前記基材を構成する超硬合金として、平均粒径0.3〜2.6μmのWC（タングステンカーバイト）を硬質相として含有するものを採用する。 - 特許庁

When a toothbrush body is molded with a thermoplastic synthetic resin, all holes of bristles are vertically formed in an implant surface, and the center bristle rows are shaven to a half those of a usual toothbrush, and long bristles are implanted in the outer rows, and the bristle of the outer row is covered with a correction cap to be inclined inward, and treated by heating at 90°C.例文帳に追加

歯ブラシ躯体を熱可塑性合成樹脂により成型する際に、全植毛孔を植毛面に垂直に設け、中央列植毛は通常の歯ブラシの半分位に刈り、外側列に長く植毛し、外側列ブリッスルを内側に傾ける匡整キャップを被せ、９０℃位で加熱処理する。 - 特許庁

A low-temperature InN buffer layer 2 is deposited on a substrate 1 having a clean surface (0001) employing MBE, and an InN layer 3 with crystal growing axis slanted by several degrees with respect to the normal line direction of the substrate 1 is grown on the buffer layer 2 while the ion is implanted into the InN layer 3 from the normal line direction of the substrate 1.例文帳に追加

ＭＢＥを用いて清浄な（０００１）表面を持つ基板１上に低温ＩｎＮバッファ層２を堆積し、このバッファ層２の上に結晶成長軸が基板１の法線方向に対し数度だけ傾いたＩｎＮ層３を成長させ、このＩｎＮ層３に基板１の法線方向からイオン注入する。 - 特許庁

The prosthetic element includes an anchoring cavity (8), which has a tapered shape to be thinned from a side connected to a guide means (5) toward the outer surface of the prosthetic element, and the opening of the anchoring cavity (8) is sharpened at a terminal outer circumference (8a) to act as a small cutting device for cutting implanted fibers when removing the element.例文帳に追加

固定用キャビティ（８）がガイド手段（５）に接続される側から人工器官素子の外面側へ向け先細りとなるテーパ形状を有し、該固定用キャビティ（８）の開口が末端外周（８ａ）で尖っており、それによって素子除去時に内殖した繊維を切断する小型の切断装置として作用するよう構成されている。 - 特許庁

An entire back surface of a substrate 1 having a loop-engaging element 3 implanted on one entire planar surface is provided with an adhesive layer 5 or a double-sided adhesive tape 7, and a release paper 9 is affixed to an outside surface of the adhesive layer 5 or of the double-sided adhesive tape 7 to form a female mating planar fastener member of the mating planar fastener members.例文帳に追加

面ファスナー組部材は、一方の面全面にループ係合素子３を植設した基材１の裏面全面に接着剤層５または両面粘着テープ７を配備し、この接着剤層５または両面粘着テープ７の外面側に、剥離紙９を貼着して雌型の面ファスナー組部材を形成する。 - 特許庁

In this method of manufacturing this semiconductor device for implanting ions into an SOI layer to control a threshold voltage of an MOSFET, the threshold voltage control ions are implanted in a concentration distribution wherein the concentration peak value thereof is positioned in the 10% range of the SOI layer thickness centering the 1/2 depth position of the SOI layer.例文帳に追加

本発明は，ＳＯＩ層にイオンを注入してＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧を制御する半導体装置の製造方法であって，しきい値電圧制御イオンを，その濃度ピーク値がＳＯＩ層の１／２深さ位置を中心としてＳＯＩ層厚さの１０％範囲内に位置するような濃度分布で注入する。 - 特許庁

In an SIMOX substrate where an oxide ion is implanted to a silicon mono-crystal substrate, and high temperature heat treatment is carried out to form an embedded oxide layer and a surface silicon layer, the density of the through-displacement failure of an SOI layer is set so as to be 100 pieces/cm^2.例文帳に追加

シリコン単結晶基板に酸素イオンを注入し、その後高温熱処理を施すことにより、埋め込み酸化層および表面シリコン層を形成するＳＩＭＯＸ基板において、ＳＯＩ層の貫通転位欠陥の密度が１００個／ｃｍ^2 未満であることを特徴とするＳＩＭＯＸ基板である。 - 特許庁

The amount of ion implanted to the wafer 16 is measured by a beam detection section 20.例文帳に追加

ビーム検出部２０によりウェハ１６へのイオン注入量が計測されると共に、静電スキャン制御部１４Ｂでは、計測されたイオン注入量をもとにして、図４（Ｃ）に示したように、領域ａ_1 〜ｄ_1 のそれぞれの領域内部ではイオンビームの走査速度が一定になるよう制御する一方、異なる領域ａ_1 〜ｄ_1 間では走査速度が変化するように制御する。 - 特許庁

After two silicon wafers for the active layer and a support layer are laminated, the wafer for the active layer is turned into a thin film to manufacture the laminated wafer, wherein nitrogen ions are implanted from a surface of the wafer for the active layer prior to the lamination, and a nitride layer is formed in the wafer for the active layer.例文帳に追加

活性層用および支持層用の２枚のシリコンウェーハを貼り合わせたのち、活性層用ウェーハを薄膜化して貼り合わせウェーハを製造するに際し、 上記貼り合わせに先立ち、活性層用ウェーハの表面から窒素イオンを注入し、該活性層用ウェーハの内部に窒化層を形成する。 - 特許庁

In an illustrated embodiment, the antenna, the pressure sensor and (or) the connector are air-tightly sealed by the catheter and (or) a film to inhibit the pressure sensor and the connector from coming into contact with a fluid, whereby the catheter can be permanently implanted or used over a long period of time.例文帳に追加

例示の実施形態では、アンテナ、圧力センサおよび（または）コネクタは、アンテナ、圧力センサおよびコネクタが流体に接触するのを阻止するよう例えばカテーテルおよび（または）被膜によって気密封止され、それによりカテーテルを永続的に植え込みまたは長期にわたって使用できるようになっている。 - 特許庁

While the surface of the semiconductor wafer W is held at a nearly constant processing temperature T2, even a position a little deeper than the surface is raised in temperature to some extent, so the activation of implanted ions and the recovery of an introduced defect are both achieved without thermally damaging the semiconductor wafer W.例文帳に追加

半導体ウェハーＷの表面温度を概ね一定の処理温度Ｔ２に維持しつつも、表面よりやや深い位置をもある程度昇温することができるため、半導体ウェハーＷに熱的なダメージを与えることなく、注入されたイオンの活性化および導入された欠陥の回復の双方を行うことができる。 - 特許庁

N-type impurities are implanted with high consentration into n-type high-concentration impurity regions 37c, 38c of NMOS thin-film transistors having LDD structures, via contact holes 45, 46 respectively for connections of their source-drain electrodes which are formed in an interlayer and gate insulation films 44, 40 provided on the regions 37c, 38c.例文帳に追加

ＬＤＤ構造のＮＭＯＳ薄膜トランジスタのｎ型不純物高濃度領域３７ｃ、３８ｃには、その上に設けられた層間絶縁膜４４およびゲート絶縁膜４０に形成されたソース・ドレイン電極接続用のコンタクトホール４５、４６を介してｎ型不純物が高濃度に注入される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can fully maintain activity of ions implanted in a well region at the formation of this region and minimizes the damages on a semiconductor substrate in the process of the ion implantation and suppresses the TED phenomenon to ions in the well region.例文帳に追加

ウェル領域形成の際にこの領域に注入されたイオンの活性化を最大限維持し、前記イオン注入工程の際に半導体基板の損傷を最小化するとともに、ウェル領域のイオンに発生するＴＥＤ現象を抑制することを可能にする半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁