「implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(36ページ目) - Weblio英語例文検索

The silicon layer is doped with ions at an angle based on the height of a second field effect transistor adjacent to the first one so that ions of a predetermined type, which have concentration that is the same as that of a portion adjacent to the channel region of the silicon layer and is not equal to zero, are implanted into one portion of the channel region.例文帳に追加

シリコン層は、シリコン層のチャネル領域に隣接する部分と同じゼロでない濃度の特定のタイプのイオンがチャネル領域の一部に注入されるように、第１電界効果型トランジスタに隣接する第２電界効果型トランジスタの高さに基づいた角度でイオンをドープされている。 - 特許庁

Flanges 4 having a terminal board 6 to which pin terminals 5 are implanted are respectively formed to both ends of a hollow type winding trunk 3, and an internal leg 7 consisting of a molding core is inserted into the hollow winding trunk 3 of a coil bobbin 1 in which the coil 2 is wound to the external circumference of the winding trunk 3.例文帳に追加

中空状の巻胴部３の両端にピン端子５が植設された端子台６を有するフランジ４がそれぞれ形成され、かつ前記巻胴部３の外周にコイル２が巻装されたコイルボビン１の中空状の巻胴部３内に成形コアからなる中足７を挿入する。 - 特許庁

To provide a minute medical material which inhibits foreign body reaction in a living body and prolongs the half-life in the blood when implanted in the living body or administered into the blood and is provided with a treatment for continuously releasing a substance such as a drug.例文帳に追加

微小医療材料を生体内に埋入或いは血液中に投与した場合に、生体内での異物反応を抑制し、血液中での半減期を長くし、医薬などの物質を持続的に放出するための処理を施した微小医療材料を提供する。 - 特許庁

The surface of the implant is coated with hydroxyapatite for prompt fixation after implanted in a living body, which is provided by laser ablation in steam or steam containing gas so as to coat surfaces of gaps of the applied parts for enlarging the superficial area.例文帳に追加

このインプラント表面には生体内に埋入後の定着を早期化するためのハイドロキシアパタイトを水蒸気または水蒸気含有のガス中でレーザーアブレーションによりコーティングし、表面積拡大のための取付け部材の間隙内部表面にまでコーティングを及ぼすようにした。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device, which can remove a deteriorated layer formed by annealing for activating impurities ion-implanted to a silicon carbide substrate, with high productivity and without degrading characteristics of the silicon carbide semiconductor device.例文帳に追加

炭化珪素基板にイオン注入された不純物を活性化するためのアニールを行う際に形成された変質層を、高い生産性で、かつ、炭化珪素半導体装置の特性の劣化を招くことなく除去することが可能な炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A low-temperature long-time heat treatment which is the first heat treatment for activating the impurity implanted into gate electrodes 20, 21 is performed so that boron diffusion occurs along crystal grain boundaries though boron is scarcely diffused into polysilicon crystal grains.例文帳に追加

ゲート電極２０，２１に注入された不純物の活性化のための第１の熱処理として、ポリシリコンの各結晶粒内へのボロンの拡散はほとんど生じることがなく、かつ、結晶粒界におけるボロンの拡散が生じるような低温長時間の熱処理を行なう。 - 特許庁

This porous Si having the gradient is formed by first implanting a (p-type or n-type) dopant into a substrate containing Si, activating this dopant using an activating annealing step, and then anodizing this implanted and activated dopant region in a solution containing HF.例文帳に追加

この勾配のある多孔質Ｓｉは、まずＳｉ含有基板に（ｐ型またはｎ型の）ドーパントを注入し、活性化アニール・ステップを使用してこのドーパントを活性化し、次にこの注入され活性化されたドーパント領域をＨＦ含有溶液中で陽極酸化することによって形成される。 - 特許庁

When the recording area separation type magnetic recording medium which relatively reduces the ratio of ferromagnetic material by ion implantation is manufactured, by etching an ion implantation portion in advance, the height after the ion implantation is made relatively lower than a portion where ion is not implanted.例文帳に追加

イオン注入により強磁性材料の元素比率を相対的に低くする記録領域分離型の磁気記録媒体の作製時に、あらかじめイオン注入部分をエッチングしておくことで、イオン注入後の高さを非注入部分と比べて相対的に低くする。 - 特許庁

In this medical implant used for brachytherapy or other medical treatment wherein radioactive ions are preferably implanted into a silicon-based material, radioactive xenon ions are used as the radioactive ions, and the radioactive ions are doped into a silicon substrate by the controlled method in an ion implantation process.例文帳に追加

好ましくはシリコン・ベースまたは放射性イオンを移植された、ブラキテラピーまたは他の医療処置に使用する医療インプラントにおいて、放射性イオンとしては放射性キセノン・イオンを使用し、イオン移植工程は、制御された方法で放射性イオンをシリコン基体にドーピングするものである。 - 特許庁

When As is implanted into a silicon substrate 10 having a native oxide film 11, an amorphous region 10a is formed and the amorphous region 10a is divided into a high concentration oxygen region 10aa having oxygen concentration of critical level or above, and a low concentration oxygen region 10ab having oxygen concentration lower than the critical level.例文帳に追加

自然酸化膜１１を有するシリコン基板１０にＡｓを注入すると、アモルファス領域１０ａが形成され、アモルファス領域１０ａは、酸素濃度が臨界値以上の高濃度酸素領域１０aaと、酸素濃度が臨界値よりも低い低濃度酸素領域１０abとに分かれる。 - 特許庁

Since a guard layer 4 is formed between the auxiliary recording layer 5 and the magnetic recording layer 3, when the non-magnetic section 9 of the auxiliary recording layer 5 is formed by ion implantation, the diffusion of implanted ions in the magnetic recording layer 3 is prevented and the magnetic recording medium having high recording density can be manufactured.例文帳に追加

さらに、記録補助層５と磁気記録層３の間にガード層４を設けたので、記録補助層５の非磁性部９をイオン注入により形成する際に、注入されたイオンが磁気記録層３に拡散するのを防ぎ、高記録密度の磁気記録媒体を製造することができる。 - 特許庁

A spacer film 112 is formed on the side wall of the gate electrode, and impurities of a second conductivity-type are implanted into the surface layer parts of the first and second regions, with the use of the gate electrodes and spacer film as masks for second activation treatment and to form a second impurity diffusion region 110.例文帳に追加

ゲート電極の側壁上にスペーサ膜１１２を形成し、次いでゲート電極とスペーサ膜とをマスクとして第１領域と第２領域の表層部とに第２導電型の不純物を注入し第２の活性化処理を行い第２の不純物拡散領域１１０を形成する。 - 特許庁

To provide a gardening container cover and a planter cover each formed so as to enable water supply to plants implanted in a gardening container without depending on surplus parts while improving a beautiful view as part of indoor decoration, and to enable visually check of a proper amount of water supply from the outside.例文帳に追加

室内装飾の一部として美観を高めつつ、園芸容器に植え込んだ植物への給水を余分な部品に依存することなく行い得るとともに当該給水の適正な量を外部から視認し得るように構成した園芸容器用カバー及びプランター用カバーを提供する。 - 特許庁

Phosphorus 15 is ion-implanted in a P substrate using, as a mask, the silicon nitride films 11, 11a as the mask pattern which has an aperture 11b corresponding to a deep N well forming region and a silicon nitride film 11a like an island corresponding to an IP well forming region 6 within the aperture 11b (a).例文帳に追加

ディープＮウエル形成領域に対応して開口部１１ｂをもち、その開口部１１ｂ内にＩＰウエル形成領域６に対応して島状のシリコン窒化膜１１ａをもつマスクパターンとしてのシリコン窒化膜１１，１１ａをマスクにしてＰ基板１にリン１５をイオン注入する（ａ）。 - 特許庁

The electrode 1 using the electroconductive diamond particles has a base 2 made of a non-conductive material; and has the electroconductive diamond particles 3 which are implanted in the base 2 and fixed by it, and of which at least one part of the surface is exposed to the outside of the base 2, to form wetted portions 3a and 3b.例文帳に追加

導電性ダイヤモンド粒子を用いた電極１は、非導電性材料からなる支持体２と、この支持体２に埋め込んで固定され、表面の少なくとも一部が前記支持体２の外部に露出して接液部分３ａ、３ｂとなる導電性ダイヤモンド粒子３とを有している。 - 特許庁

In a denture implanting process S57, dentures are successively implanted in the solder bank in such a state that the dental tooth form tray holding the jaw impression member and the solder bank is mounted on the articulator and the dentures for the upper jaw and the dentures for the lower jaw are successively adjusted using the articulator so as to be properly bitten each other.例文帳に追加

Ｓ５７は、人工歯植設工程で、顎印象部材とロウ堤とを保持した歯科用歯型トレイを、咬合器に装着した状態で、ロウ堤に人工歯を順次植設し、咬合器を用い、上顎用人工歯と下顎用人工歯とが、適切な咬み合わせとなるよう、順次調整を行う。 - 特許庁

A prescribed section 3a of the floating gates 3 is provided in extended form in the prescribed width, the ions implanted on both sides in the width direction of the prescribed section 3a are diffused, they are coupled under the prescribed section 3a, and a tunnel region is formed.例文帳に追加

そして、フローティングゲート３の所定部位３ａが所定幅で延設されるようにし、イオン注入後の拡散工程において、所定部位３ａの幅方向両側に注入されたイオンが拡散し、所定部位３ａ下において連結され、トンネル領域が形成されるようにする。 - 特許庁

After forming a thick gate insulating film 9 and a gate insulating film 11 thinner than the film 9, a gate electrode material is deposited and a p-type impurity is ion-implanted to portions on which body areas are to be formed under the gate insulating film 9 to form the p-type impurity area 15.例文帳に追加

厚いゲート絶縁膜９及びこれよりも薄いゲート絶縁膜１１を形成した後、ゲート電極材料を堆積し、ゲート絶縁膜９下のボディ領域の形成予定部位にｐ型不純物をイオン注入してｐ型不純物領域１５を形成する。 - 特許庁

When a base diffusion layer 12 for a bipolar type transistor 10 formed to the semiconductor device 1 is formed, acceleration energy and a dosage are changed to a prearranged region as a base diffusion layer 12 for an n-type epitaxial layer 13, and impurity ions are implanted at a plurality of times.例文帳に追加

半導体装置１に備わるバイポーラ型トランジスタ１０のベース拡散層１２を形成する際に、Ｎ型エピタキシャル層１３のベース拡散層１２となるべく予め定められる領域に対して、加速エネルギとドーズ量とを変化させ、複数回に分けて不純物イオンを注入する。 - 特許庁

Instead of an implanted heavy body and heat cycle, the invented process forms the transistor heavy body by etching a trench into the body region and filling the heavy body trench with a high conductivity material such as metal that makes contact to both the source and the body region.例文帳に追加

高量注入および熱サイクルの代わりに、トレンチを基体領域にエッチングして、その高重基体トレンチをその基体およびソース領域の双方にコンタクトを形成する金属のような高導電材料で充填することによってトランジスタの高重基体を形成する。 - 特許庁

ECR equipment 12 is used to generate the multivalent ions of Fe, and an ion-separation electromagnet 20 is used to separate and select multivalent ions of desired valency from among various valence-different Fe multivalent ions generated so that they may be implanted into an Si substrate 22 to form a β-FeSi_2.例文帳に追加

ＥＣＲ装置１２を用いてＦｅの多価イオンを生成し、生成された価数の異なる種々のＦｅ多価イオンの中から、イオン分別電磁石２０を用いて所望の価数の多価イオンを分別してＳｉ基板２２中に注入し、β−ＦｅＳｉ_２を形成する。 - 特許庁

Next, the surface of the resist layer 14a is entirely removed by ashing to expose a base silicon layer 13a in a main pattern area 5, and ions are implanted into the entire surface of the resist layer 14a to dope only the main pattern area 5 in the base silicon layer 13a.例文帳に追加

次いで、レジスト層１４ａの表面をアッシングにより全体的に除去してメインパターン領域５で下地シリコン層１３ａを露出し、レジスト層１４ａの全面にイオン注入することにより、下地シリコン層１３ａにおけるメインパターン領域５のみがドーピングされる。 - 特許庁

In the method of manufacturing the laminated wafer by laminating a wafer for active layer to wafer for support layer and then thinning the wafer for active layer, a terrace grinding for forming a terrace portion is carried out prior to a step of exposing the oxygen ion implanted layer while leaving an oxide film on a terrace portion of the wafer for support layer.例文帳に追加

活性層用ウェーハと支持層用ウェーハを貼り合わせたのち、活性層用ウェーハを薄膜化することからなる貼り合わせウェーハの製造方法において、 酸素イオン注入層を露出させる工程に先立ち、テラスを形成するためのテラス研磨を行い、その際、支持層用ウェーハ上テラス部の酸化膜を残存させる。 - 特許庁

In a semiconductor integrated circuit device which includes an inverter circuit composed of a pMOS transistor and an n MOS transistor Q2, the threshold voltage of the transistor Q2 is made lower than the threshold of the transistor Q1 by setting the dosage of implanted ions to the units of elements and executing a multi-Vth process.例文帳に追加

ｐＭＯＳトランジスタＱ１とｎＭＯＳトランジスタＱ２で構成されるインバータ回路１を含む半導体集積回路装置において、注入イオンのドーズ量を素子単位に設定してマルチＶｔｈプロセスを実行することにより、トランジスタＱ２のしきい値電圧をトランジスタＱ１のしきい値電圧よりも低くする。 - 特許庁

A computer read out medium in another embodiment is implanted with the program constituted so as to execute receiving of the command about the battery status of a plurality of imaging systems to a computer and setting of the schedule of inspection and recharging at least partially based on the received command.例文帳に追加

別の態様におけるコンピュータ読み取り可能媒体は、コンピュータに対して複数の撮像システムの電池ステータスに関する指示を受け取ること、並びにこの受け取った指示に少なくとも部分的に基づいて検査及び再充電をスケジュール設定すること、を実行させるように構成したプログラムの移植を受けている。 - 特許庁

The method for patterning on the surface of the rock wool board comprises the steps of forming the stripe-like grooves 2 on the surface of the rock wool board 1 by cutting, and thereafter continuously pressing the stripe-like rugged part by the patterning roll 5 having the pins 4 of different diameters and protruding lengths and implanted thereto to form the rugged pattern 6.例文帳に追加

ロックウール基板１の表面にストライプ状の凹溝２を切削加工で形成し、その後でストライプ状の凹凸部に直径、突出長さの異なるピン４を植設した模様付けロール５で連続的に押圧して凹凸模様６を形成することを特徴とするロックウールボードの表面模様付け方法にある。 - 特許庁

A sheet-like brush plate 20 equipped with a sheet-like brush 19 made of synthetic fibers or cloth, which is densely covered with countless short piloerection 19a turning upward a, is attached to the anterior suction opening 13 and a brush body 23 implanted with comparatively hard and long brush 22 is attached in the bottom suction opening 18.例文帳に追加

前側吸込口１３には無数の短い立毛１９ａを上方向ａに伏倒して密生させた合成繊維製もしくは布製の面状ブラシ１９を備えた面状ブラシ板２０を取り付け、底側吸込口１８には比較的硬くて長いブラシ２２を植設したブラシ台２３を取り付けている。 - 特許庁

To provide a toothbrush implanted with needle-like bristles manufacturable in a simple process reducing a fraction defective, and a toothbrush manufacturing method using defective bristles failing in adjusting the length for manufacturing the toothbrush, more firmly fixing the bristles for the toothbrush to the toothbrush, and freely adjusting an implanting bristle pattern and the quantity of bristles.例文帳に追加

製造工程が簡単で不良率が減少された針状毛が植毛された歯ブラシと、長さ調節に失敗した不良毛を歯ブラシの製造に利用でき、歯ブラシ用毛を歯ブラシに一層堅固に固定でき、植毛される毛のパターンと毛の数量を自由に調節できる歯ブラシの製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, even when the carcass cord 24 is fed from a wire feeding device 12 while rotating around the axis, slackness of tension in the constant length carcass cord 24A can be prevented, and the constant length carcass cord 24A can be reliably fed (implanted) in an annular body 72 as the next step.例文帳に追加

従って、線材送出装置１２よりカーカスコード２４が軸周りに回転しながら送出される場合であっても、定長カーカスコード２４Ａのテンションの緩みを防止することができるので、これにより次工程としての円環状体７２に確実に定長カーカスコード２４Ａを供給する（植え込む）ことが可能となる。 - 特許庁

While the surface of the semiconductor wafer W is held at a nearly constant processing temperature T2, even a position a little deeper than the surface is raised in temperature to some extent, so the activation of implanted ions and the recovery of an introduced defect are both achieved without thermally damaging the semiconductor wafer W.例文帳に追加

半導体ウェハーＷの表面温度を概ね一定の処理温度Ｔ２に維持しつつも、表面よりやや深い位置をもある程度昇温することができるため、半導体ウェハーＷに熱的なダメージを与えることなく、注入されたイオンの活性化および導入された欠陥の回復の双方を行うことができる。 - 特許庁

In an SIMOX substrate where an oxide ion is implanted to a silicon mono-crystal substrate, and high temperature heat treatment is carried out to form an embedded oxide layer and a surface silicon layer, the density of the through-displacement failure of an SOI layer is set so as to be 100 pieces/cm^2.例文帳に追加

シリコン単結晶基板に酸素イオンを注入し、その後高温熱処理を施すことにより、埋め込み酸化層および表面シリコン層を形成するＳＩＭＯＸ基板において、ＳＯＩ層の貫通転位欠陥の密度が１００個／ｃｍ^2 未満であることを特徴とするＳＩＭＯＸ基板である。 - 特許庁

After two silicon wafers for the active layer and a support layer are laminated, the wafer for the active layer is turned into a thin film to manufacture the laminated wafer, wherein nitrogen ions are implanted from a surface of the wafer for the active layer prior to the lamination, and a nitride layer is formed in the wafer for the active layer.例文帳に追加

活性層用および支持層用の２枚のシリコンウェーハを貼り合わせたのち、活性層用ウェーハを薄膜化して貼り合わせウェーハを製造するに際し、 上記貼り合わせに先立ち、活性層用ウェーハの表面から窒素イオンを注入し、該活性層用ウェーハの内部に窒化層を形成する。 - 特許庁

In an illustrated embodiment, the antenna, the pressure sensor and (or) the connector are air-tightly sealed by the catheter and (or) a film to inhibit the pressure sensor and the connector from coming into contact with a fluid, whereby the catheter can be permanently implanted or used over a long period of time.例文帳に追加

例示の実施形態では、アンテナ、圧力センサおよび（または）コネクタは、アンテナ、圧力センサおよびコネクタが流体に接触するのを阻止するよう例えばカテーテルおよび（または）被膜によって気密封止され、それによりカテーテルを永続的に植え込みまたは長期にわたって使用できるようになっている。 - 特許庁

The amount of ion implanted to the wafer 16 is measured by a beam detection section 20.例文帳に追加

ビーム検出部２０によりウェハ１６へのイオン注入量が計測されると共に、静電スキャン制御部１４Ｂでは、計測されたイオン注入量をもとにして、図４（Ｃ）に示したように、領域ａ_1 〜ｄ_1 のそれぞれの領域内部ではイオンビームの走査速度が一定になるよう制御する一方、異なる領域ａ_1 〜ｄ_1 間では走査速度が変化するように制御する。 - 特許庁

N-type impurities are implanted with high consentration into n-type high-concentration impurity regions 37c, 38c of NMOS thin-film transistors having LDD structures, via contact holes 45, 46 respectively for connections of their source-drain electrodes which are formed in an interlayer and gate insulation films 44, 40 provided on the regions 37c, 38c.例文帳に追加

ＬＤＤ構造のＮＭＯＳ薄膜トランジスタのｎ型不純物高濃度領域３７ｃ、３８ｃには、その上に設けられた層間絶縁膜４４およびゲート絶縁膜４０に形成されたソース・ドレイン電極接続用のコンタクトホール４５、４６を介してｎ型不純物が高濃度に注入される。 - 特許庁

In the field-effect transistor, electric charges can be implanted into an interface between the gate insulating layer 1 and organic semiconductor layer 2 by applying the pressure acting in its surface direction (in a horizontal direction) to the gate insulating layer 1, so that a current between a drain electrode 3 and a source electrode 4 is controlled.例文帳に追加

電界効果トランジスタは、ゲート絶縁層１にその面方向（水平方向）に作用する圧力を印加することによりゲート絶縁層１と有機半導体層２との界面に電荷を注入することができるので、これによってドレイン電極３及びソース電極４間の電流が制御される。 - 特許庁

A support member for horizontally supporting the printed board to be engaged with the connecting pins implanted perpendicularly to a plurality of the bobbin parts in which a primary side winding and a secondary side winding of the boosting transformer are wound and connected by winding both ends of the respective windings, is formed integrally with a bobbin.例文帳に追加

昇圧トランスの一次側巻線及び二次側巻線の巻回される複数のボビン部分に立植され、各巻線の両端部を巻付けて接続するようにした各接続ピンに嵌合するプリント基板を各接続ピンに対して水平に支持する支持部材をボビンに一体的に形成したことを特徴としている。 - 特許庁

Photolithography is used to form a resist mask RM3 having an opening on an NMOS region on a silicon substrate 101, N_2 (nitrogen) ions of dose of 1×10^15/cm^2 are implanted therefrom at an acceleration voltage of 15 kV, thereby introducing a nitrogen into the silicon substrate 101 of the NMOS region.例文帳に追加

フォトリソグラフィーを用いて、シリコン基板１０１上にＮＭＯＳ領域に開口部を有するレジストマスクＲＭ３を形成し、その上から１５ｋＶの加速電圧で、ドーズ量１×１０^15／ｃｍ^2のＮ_2（窒素）イオンをイオン注入して、ＮＭＯＳ領域のシリコン基板１０１内に窒素を導入する。 - 特許庁

To provide a finally sterilized osteogenic device capable of producing a bone in a place where the device is implanted in a mammal animal, a general process of finally sterilizing the osteogenic device without deteriorating the bioactivity and/or organic compatibility of the device, and a method of inducing the bone formation using the finally sterilized device.例文帳に追加

哺乳動物に移植した場合、その位置に骨を生成し得る最終滅菌骨原性デバイス、デバイスの生物活性および／または生体適合性を損なわずに骨原性デバイスを最終滅菌する一般的プロセス、また、本発明の最終滅菌デバイスを用いて骨形成を誘導する方法、を提供する。 - 特許庁

By applying shock from outside after the bonding process, Si-Si bonds inside the ion implanted layer 11 are cut to automatically peel off a single crystal silicon thin film along the crystal plane at a position corresponding to the predetermined depth (average ion implantation depth L) near the surface of the single crystal Si substrate 10.例文帳に追加

このような接合工程の後、外部から衝撃を加えることでイオン注入層１１内でのＳｉ−Ｓｉ結合を切り、単結晶Ｓｉ基板１０の表面近傍の所定の深さ（平均イオン注入深さＬ）に相当する位置の結晶面に沿って単結晶シリコン薄膜を機械的に剥離する。 - 特許庁

The straight movement of the straight moving member 3 moves cam pins 3a and 3a implanted to the straight moving member 3 straight in a longitudinal direction, moves straight the positions of helical cam grooves 1a and 1a into which the cam pins 3a and 3a are fitted loosely, and rotates the opening and closing member 1 with a shaft supported by bearing members 2 and 2 as a center.例文帳に追加

直線移動部材３が直線移動すると、直線移動部材３に植設されたカムピン３ａ，３ａが左右方向に直線移動され、カムピン３ａ，３ａが遊嵌する螺旋状のカム溝１ａ，１ａの位置が直線移動し、開閉部材１は軸受部材２，２に支持された軸を中心に回転する。 - 特許庁

To provide a toothbrush which improves directions of implanted bristles to a bristle implanting base and lengths of the brisltes, a tip shape of the bristle implanting base, and a shape of a brush body, and can make tips of the bristles surely and easily contact with tooth faces in the middle of the growing of "6-age carnassial teeth" and "12-age carnassial teeth".例文帳に追加

植毛台への植毛の方向や植毛長さ、植毛台の先端部形状、さらにブラシ本体の形状を改良して、「６歳臼歯」や「１２歳臼歯」の生え途中の歯面に対しても、毛先の接触を確実且つ容易に行うことができる歯ブラシを提供することを目的とする。 - 特許庁

In this stud tire, after the stud pin 5 is implanted in the tread face 1 of the tread rubber layer 6 of a vulcanized tire, for example when the stud pin 5 is made of a magnetic metal, heat is generated in the stud pin 5 by heating the stud pin 5 by electromagnetic induction heating, so as to heat the peripheral rubber part 6X by the heats of the heated stud pin 5.例文帳に追加

このようなスタッドタイヤは、加硫済タイヤのトレッドゴム層６の踏面１にスタッドピン５を植設した後、例えば、スタッドピン５を磁性金属から構成した場合には、電磁誘導加熱によりスタッドピン５を加熱することによりスタッドピン５を発熱させ、発熱したスタッドピン５の熱により周囲ゴム部６Ｘを加熱する。 - 特許庁

Boron ion 5 is implanted selectively to a region for isolation region formation via a thermal silicon oxide film on a P-type semiconductor substrate 1, boron 6 is added to an epitaxial layer 2, a silicon oxide film 10 of a low temperature is formed on the semiconductor substrate 1, and an isolation region 8 is formed by drive-in diffusion.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１上の熱シリコン酸化膜を介して分離領域形成用の領域に選択的にボロンイオン５を注入しエピタキシャル層２にボロン６を添加し、半導体基板１上に低温のシリコン酸化膜１０を形成し、ドライブイン拡散をして分離領域８を形成する。 - 特許庁

A steel end plate larger than an outer diameter of an outer shell steel pipe is welded and fixed to the head part side of a steel pipe concrete composite pile according to a central position of the outer shell steel pipe, and plural joining deformed studs are implanted on the same circumferential position as a thickness central position of the outer shell steel pipe of the steel end plate.例文帳に追加

鋼管コンクリート複合杭の頭部側に外殻鋼管の外径より大きい鋼製端板を該外殻鋼管の中心位置と合わせて溶接固着してあり、該鋼製端板の該外殻鋼管肉厚中心位置と同一円周位置上に複数本の接合用異形スタッドを植設してある。 - 特許庁