「implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

A vacuum cleaner has an auxiliary suction body 4 composed of an inner pipe 41 being a ventilating passage, a nozzle body 42, a brush body 43 having bristle bundles implanted along one edge of a cylindrical body and a pipe cover 44 for covering an outside surface of the inner pipe 41.例文帳に追加

本発明の電気掃除機は、通風路となる内パイプ４１とノズル体４２と筒体の一端縁に沿って毛束が植設されたブラシ体４３と内パイプ４１の外側面を覆うパイプカバー４４とから成る補助吸込み体４を備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is high breakdown voltage MOSFET, formed on an SOI substrate and which will not cause leakage current to flow in the boundary face of a low concentration region and an implanted oxidized film by the potential difference of the low concentration region and a support substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板に形成した高耐圧ＭＯＳＦＥＴであって、低濃度領域と支持基板との電位差によって、低濃度領域と埋め込み酸化膜の境界面を流れるリーク電流を発生させない半導体装置を提供する。 - 特許庁

This anchor bolt for construction is formed by being integrally equipped with a plate material spacer 2 of setting a dimension in the direction along the width direction of the base concrete k in the same dimension as a width dimension of the base concrete, in a bolt body 1 implanted in the base concrete k.例文帳に追加

基礎コンクリートｋに植設されるボルト本体１に、基礎コンクリートｋの幅方向に沿う方向の寸法が基礎コンクリートｋの幅寸法と同寸法に設定される板材製のスペーサ２が一体的に装備されて成る建築用アンカーボルト。 - 特許庁

The disengagement preventive pins 18 are formed of a metal member, and are respectively implanted between the thread parts of the male helicoid screw 13, and their parts projected outside are fitted to and comes into slidable contact with the root part of the female helicoid screw 12 which is the other side to be screwed with.例文帳に追加

これら外れ防止ピン１８は、金属部材により形成され、雄ヘリコイドネジ１３の山部と山部との間にそれぞれ植設されており、外側に突出される部分は、螺合相手の雌ヘリコイドネジ１２の谷部に嵌合し摺接される。 - 特許庁

To solve the problems that a method for creating a seaweed bed by waiting for the seaweed to be naturally implanted in an artificial fish bank sunk in the sea and to grow, or by transplanting spores is uncertain and requires times and a high cost, and the resultant seaweed bed receives bite injury.例文帳に追加

海中に沈めた人工漁礁に海藻が自然着床して成長するのを待ったり、胞子を移植したりして藻場を造成する藻場造成方法は、不確実で時間もかかり、高いコストが掛かり、貝による食害も受ける。 - 特許庁

An impurity 12, which determines the etching rate on the surface of a metal film 11 which is an etched film on a wafer 10 that is formed in a film-forming process, is ion-implanted in advance, in an impurity implantation process before the etching process.例文帳に追加

成膜工程にて形成されるウェハ１０上の被エッチング膜である金属膜１１の表面に対するエッチングレートを律速するような不純物１２を、エッチング工程前の不純物注入工程にて予めイオン注入しておくようにする。 - 特許庁

The artificial turf material 5a is implanted in the sheet material 5b formed of a rubber or a synthetic resin, and a through hole 5c for water permeation is perforated in the sheet material 5b for a section corresponding to a section between the artificial turf materials 5a adjacent to each other.例文帳に追加

人工芝材５ａは、ゴムまたは合成樹脂で形成されたシート材５ｂに植設されており、隣接する人工芝材５ａの間に相当する部分のシート材５ｂにはそれぞれ透水用の貫通孔５ｃが開設されている。 - 特許庁

In this toothbrush, a construction material of the bristles for the toothbrush is a polyester resin; the whole length of the bristle is 13 to 18 mm; a taper is formed on one end in a length of 4 to 8 mm; and the taper unformed needle-like bristles are implanted in the other end.例文帳に追加

本発明の歯ブラシは、歯ブラシ用毛の材質はポリエステル系樹脂であり、全体の長さが13〜18mmであり、一端には4〜8mmの長さでテーパーが形成されて他端にはテーパーが形成されなかった針状毛が植毛されることを特徴とする。 - 特許庁

A cell such as osteoblast or a tissue easily infiltrates and is absorbed in the porous sintered compact and then, the porous sintered compact easily replaces the bone or the tooth and is implanted into the tissue without remaining after healing to be remarkably useful as the hard tissue reconstruction material.例文帳に追加

従って、この多孔質焼結体は、骨芽細胞などの細胞や組織が侵入しまた吸収し易く、骨や歯などに置換されやすく組織内に埋入し治癒後に残留することがなく、硬組織再建材料として極めて有用な生体材料である。 - 特許庁

The filtering is a system that utilizes optimized high pass or band pass filtering to provide accurate detection of changes in the ST segment of an electrogram as detected by an implanted cardiosaver system, the ST segment changes are indicative of coronary ischemia.例文帳に追加

本発明は、最適化された高域又は帯域フィルタリングを利用して、埋め込み型の心臓救済器システムにより検知された電気記録図のＳＴセグメントの変化の正確な検知を提供するシステムであり、そのＳＴセグメントの変化は冠動脈虚血を表す。 - 特許庁

In the high load transmission belt 1 wherein the protecting layer 10 for protecting the center belt 3 from abrasion between the block and it and shearing force is arranged on at least one surface of the center belt 3, the protecting layer 10 comprises a layer wherein short fibers are implanted.例文帳に追加

センターベルト３の少なくとも片面にセンターベルト３をブロックとの間の摩耗や剪断力から守る保護層１０を配置した高負荷伝動ベルト１において、保護層１０としては短繊維を植毛した層からなる保護層１０を用いてなる。 - 特許庁

A granular material layer is formed by being filled with the elastic granular material in which a calcium carbonate and a titanium oxide are mixed into a thermoplastic elastomer and has an absolute specific gravity of 1 or larger and a solar reflectance of 60% or higher among the implanted turf piles of the artificial turf.例文帳に追加

人工芝生の植設された芝糸間に、熱可塑性エラストマーに炭酸カルシウム及び酸化チタンを配合し、かつ真比重が１以上であって日射反射率が６０％以上である弾性粒状体を充填して粒状体層を設ける。 - 特許庁

The planar rope 1 is formed into a rectangular flat plate shape by alternately and closely folding a long rope in a longitudinal direction, and the seeds of germ cells 3a or the like fall on the surface of the rope from the seaweed 3 placed near the rope and are implanted on the surface.例文帳に追加

面状ロープ体１は、長尺のロープを長手方向に対して交互に密接状態となるように折り返すことにより矩形の平板状に形成され、その近くに置かれた海藻３から生殖細胞３ａ等の種が表面に落下して着生する。 - 特許庁

At least one kind of element selected among hydrogen, fluorine, and chlorine is ionized and implanted into a silicon film 12 formed on a glass substrate 11, so that an unpaired combined hand of silicon in the silicon film 12 is neutralized to lower a level in the silicon film 12.例文帳に追加

ガラス基板１１上に形成された珪素膜１２に水素、フッ素、塩素から選ばれた少なくとも１種類の元素をイオン化して注入することにより、珪素膜１２内の珪素の不対結合手を中和し、珪素膜１２内における準位を低下させる。 - 特許庁

The thickness of a hydrogen-bubble forming region is reduced because a laminated wafer 30, in which hydrogen ions are implanted to a wafer 10 for an active layer, is treated thermally while moving the wafer 30 to a heater 52 in parallel with the surface of the wafer 10.例文帳に追加

活性層用ウェーハ１０に水素がイオン注入された貼り合わせウェーハ３０を、活性層用ウェーハ１０の表面と平行に、加熱ヒータ５２に対して貼り合わせウェーハ３０を移動させながら熱処理するので、水素バブル形成領域の厚さが小さくなる。 - 特許庁

To provide an RFID tag for biological implantation having improved communication performances without applying a great stress even when subcutaneously implanted in a small-sized animal and to provide an inserting tool body for implanting the RFID tag for the biological implantation in the living body of the small-sized animal.例文帳に追加

小型動物の皮下に植え込んでも大きなストレスを与えることなく、通信性能を向上させた生体植込用ＲＦＩＤタグと、この生体植込用ＲＦＩＤタグを小型動物の生体に植え込むための挿入冶具体とを提供する。 - 特許庁

Then, the gate electrode 106 composed of a high-concentration n-type Ga_aIn_1-aN gate electrode 106a which has a smaller band gap than the second nitride semiconductor has and in which an n-type impurity is positively implanted, and an electrode 106b for gate voltage transmission.例文帳に追加

そして、ゲート電極１０６を、第２の窒化物半導体よりも小さなバンドギャップを有するｎ型不純物が積極的に注入された高濃度ｎ型Ｇａ_aＩｎ_1-aＮゲート電極１０６ａ、ゲート電圧伝送用電極１０６ｂによって構成する。 - 特許庁

In a configuration wherein a trench 4 is formed on a silicon substrate 1 and is filled with a SOG film 6, the SOG film 6 is lowered away to become deeper than a high-concentration impurity region 1b after ions are implanted to form the high-concentration impurity region 1b for formation of the LDD structure.例文帳に追加

シリコン基板１にトレンチ４を形成してＳＯＧ膜６を埋め込む構成で、ＬＤＤ構造形成のための高濃度不純物領域１ｂを形成するためのイオン注入をしてから、ＳＯＧ膜６をそれよりも深くなるように落とし込む。 - 特許庁

A contact 12b serving as a second contact is implanted in the upper surface of the connection base 13 in the vicinity of the rear end of the contact 12a, it is formed bent frontward and toward the plug inserting opening 21 side in its upper part, and is tilted so as to make the distance from the connection base 13 small.例文帳に追加

第２のコンタクトたるコンタクト１２ｂは、コンタクト１２ａの後端付近で接続基板１３の上面に植設され、その上方でプラグ挿入口２１側に向かって前方に極性され接続基板１３との距離を小さくするように傾斜する。 - 特許庁

In the shaft part 30, a harness 40 routed from the vehicle body to the mirror body 20 is inserted into a through-hole 33 composed of a shaft holder 31 fixed to the mirror base 11 and a shaft 32 to be implanted and arranged along a center axis of the shaft 32.例文帳に追加

シャフト部３０は、ミラーベース１１に固定されるシャフトホルダー３１と、植設されるシャフト３２とからなるとともに、シャフト３２の中心軸に沿って設けられた貫通孔３３に、車両側からミラー本体２０へ引き回されるハーネス４０が挿入されている。 - 特許庁

At least a part of the dielectric (3) which is directly contacted with the fully silicided electrode (4) includes a stopping material for substantially preventing the workfunction modulating element from being implanted into the dielectric (3) and/or diffusing towards the dielectric (3).例文帳に追加

完全にシリサイド化された電極と直接接触する誘電体（３）の少なくとも一部は、仕事関数変調元素が誘電体（３）中に注入され、および／または誘電体（３）に向かって拡散するのを実質的に防止するストップ金属を含む。 - 特許庁

A p-type clad layer 15 and a p-side contact layer 16 are formed sequentially on an active layer 14, which are selectively ion-implanted with a material as that lowering the refractive index to form a low refractive-index region 17.例文帳に追加

活性層１４上にｐ型クラッド層１５およびｐ側コンタクト層１６を順次形成し、このｐ型クラッド層１５、ｐ側コンタクト層１６に、その屈折率を減少させる材料を選択的にイオン注入することにより低屈折率領域１７を形成する。 - 特許庁

The field-effect transistor can have a semiconductor substrate surface prevented from being made amorphous in a region where a heavily-doped impurity is ion-implanted even in such a case by providing a buffer film 41 over parts constituting the source region and drain region.例文帳に追加

本発明の電界効果型トランジスタは、ソース領域およびドレイン領域を構成する部分の上部に緩衝膜を設けることで、高濃度不純物のイオン注入を行っても、この領域の半導体基板表面がアモルファス化することを防ぐことができる。 - 特許庁

B ion is directly implanted at high energy on the main surface side of a semiconductor substrate 1 in the direction of crystal axis of the semiconductor substrate 1 to cause ion channeling, by way of a specified resist pattern 3 to form a peak part in impurity concentration of a p-type well 4.例文帳に追加

Ｐ型ウェル４の不純物濃度のピーク部分を形成するために所定のレジストパターン３を介して、半導体基板１の主面側に直に高エネルギーでＢイオンをイオンチャネリングを起こすように半導体基板１の結晶軸の方向にイオン注入する。 - 特許庁

In wiring possessing a silicide film on silicon, to which impurity ions are implanted in a semiconductor device, the problem is solved by keeping the oxygen concentration in the silicon at 1×10^18/cm^3 or lower.例文帳に追加

本願発明の発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、半導体装置において、不純物イオンが注入されたシリコン上に、シリサイド膜を有する配線において、前記シリコンの酸素濃度が１×１０^18／ｃｍ^3以下とすることにより上記問題を解決した。 - 特許庁

Thereafter, a resist 10 covering the SRAM forming region AreaS is formed, and then impurities are ion-implanted using the gate electrode 6b and the offset spacer 9b as masks into the logic forming region AreaL, thereby forming a logic n-type extension region 11.例文帳に追加

その後、ＳＲＡＭ部形成領域ＡｒｅａＳを覆うレジスト１０を形成した後、ロジック部形成領域ＡｒｅａＬにゲート電極６ｂ及びオフセットスペーサ９ｂをマスクにして不純物をイオン注入してロジック用ｎ型エクステンション領域１１を形成する。 - 特許庁

The rotating brush 10 includes: a core body 11 which becomes the rotation axis; and the first base parts 12A which are provided in a plural number at certain intervals in the rotation direction Y on the outer surface of the core body 11, and in which two kinds of brush bristles 14 and 15 whose bristles are different in hardness are implanted.例文帳に追加

回転ブラシ１０は、回転軸となる芯体１１と、芯体１１の外表面において回転方向Ｙに間隔を隔てて複数設けられ、硬さの異なる２種類のブラシ毛１４、１５が植立された第１基部１２Ａとを含んでいる。 - 特許庁

A high-resistance forming region in the well region 11, having a risk of being implanted with an N-type impurity in a gate electrode 9 longer direction extended line, is a high-resistance forming region A2, that is narrower than a conventional high resistance forming region A1.例文帳に追加

ゲート電極９の長手方向延長線上においてＮ型の不純物が注入される恐れのあるウェル領域１１である高抵抗形成領域を、従来の高抵抗形成領域Ａ１より狭い高抵抗形成領域Ａ２とすることができる。 - 特許庁

The resistance-element regions 8, 8 are made of the ion-implanted polysilicon film 3 with a predetermined impurity, and the outer peripheral edge of each of them is separated inward from the outer peripheral edge of the polysilicon film 3 by a distance corresponding to the dimesional variation generated when forming the polysilicon film 3 by etching.例文帳に追加

抵抗素子領域８，８，…は、ポリシリコン膜３に所定の不純物がイオン注入されてなり、その外縁が、ポリシリコン膜３の外縁から、ポリシリコン膜３をエッチングで形成する際の寸法のバラツキに応じた距離だけ内側に隔てられている。 - 特許庁

To provide a boosting transformer for a high-voltage generator for igniting a burner, capable of being accurately mounted on a printed board at connecting pins implanted perpendicularly to a bobbin part at the time of assembling the transformer without inclining and executing later assembling without any fault.例文帳に追加

昇圧トランスの組立て時にそれぞれのボビン部分に立植された接続ピンに対してプリント基板を傾くことなく正確に装着でき、その後の組み付けを何の支障なしに実施できるバーナー点火用高圧発生装置における昇圧トランスを提供する。 - 特許庁

In the inspection method, arsenic is implanted to an oxide film in a set dosage first, the oxide film is recovered and analyzed by an ICP-MS, the quantity (the quantity of an implantation) of actually driven arsenic is detected, and a relationship is obtained between the dosage and the quantity of the implantation.例文帳に追加

本検査方法においては、まず、設定したドーズ量で酸化膜に砒素を注入し、この酸化膜を回収しＩＣＰ−ＭＳにより分析して実際に打ち込まれた砒素の量（注入量）を検出し、ドーズ量と注入量との関係を求める。 - 特許庁

The method of manufacturing semiconductor device includes the steps of forming two impurity implanting regions in a semiconductor substrate (S20), forming a cap film on the impurity implanted region (S40), and heat-treating with the cap film formed (S50).例文帳に追加

半導体装置の製造方法では、半導体基板に２つの不純物注入領域を形成する注入工程（Ｓ２０）、不純物注入領域上にキャップ膜を形成する工程（Ｓ４０）、キャップ膜が形成された状態で、熱処理工程（Ｓ５０）を実施する。 - 特許庁

Diatomic nitrogen or nitrogen atoms, or both are implanted into a substrate except for a stack with a maximum energy of 10 keV or less for the diatomic nitrogen and a maximum energy of 5 keV or less for the nitrogen atoms at a temperature equal to or lower than 1,000°C for 30 minutes or less.例文帳に追加

２窒素原子または窒素原子あるいはその両方を、２窒素原子は最大エネルギー１０ｋｅＶ以下、窒素原子は最大エネルギー５ｋｅＶ以下で、かつ１０００℃以下の温度と３０分以下の時間で、スタックを除く基板内に注入する。 - 特許庁

As a result, the disk 24 is tilted in a prescribed direction while keeping the incident angle of the ion beam 28, and the ion beam 28 is made to impinge on the semiconductor wafer 22 from different directions, so that ions are continuously implanted into the semiconductor wafers 22.例文帳に追加

これにより、ディスク２４をイオンビーム２８の入射角度を保持しつつ所定の方向に傾斜させて、半導体ウエハ２２に対して複数方向からイオンビーム２８を入射させて、半導体ウエハ２２へのイオン注入工程を連続的に行えるようにした。 - 特許庁

In addition to a method for delivering chemical therapeutic agents or bioactive substances to the tissue or organ of a mammal by means of a selective and protective diffusion mechanism through the surgically implanted device, a method for achieving sealability of the device is also provided.例文帳に追加

外科的に移殖された装置を介して選択的かつ保護的拡散機構により哺乳動物の臓器または組織に化学療法剤または生物活性物質を送達する新規方法に加えて、この装置の封鎖性を達成する方法も開示する。 - 特許庁

Then, since the region formed of a P-type impurity diffused layer 6 is covered with the photoresist, the N-type impurity is not implanted, a photolithographic step can be reduced, and the impurity concentration of the layer 6 sufficient to take the contact is obtained.例文帳に追加

このとき、Ｐ型不純物拡散層６が形成される領域はフォトレジストで覆われているためＮ型不純物は注入されず、フォトリソグラフィ工程を削減できるとともに、コンタクトを取るのに十分なＰ型不純物拡散層６の不純物濃度を得られる。 - 特許庁

An electric-field control plate 22 with an edge 23 in a form inclined to the surface of a base material 21 is placed in parallel with the surface of the base material 21, and ions are implanted to the surface of the base material 21 by applying a bias voltage to ions in a plasma.例文帳に追加

基材２１の表面に、それに対して傾斜した形状の縁２３を持つ電界制御板２２を前記表面に対して平行に載置し、プラズマ中のイオンにバイアス電圧を印加することによりイオンを基材２１の表面に入射させる。 - 特許庁

Further, the slip-preventing chip is provided, which has a chip body 23 fitted in a groove 20 provided on a tread pattern of a tire 18, the chip body 23 having a slip-preventing body implanted therein, which consists either of the slip-preventing component for the automobile tire described above.例文帳に追加

さらに、タイヤ１８のトレッドパターン１９に配設される溝２０にチップ本体２３が嵌着され、該チップ本体２３に滑り止め体が植設された防滑チップにおいて、滑り止め体が前記各自動車タイヤ用防滑要素から成る防滑チップも提供される。 - 特許庁

A silicide-diffused layer or a silicon dioxide-coated layer is formed on the surface of a metal for the incinerator by maintaining the metal material to be treated, which has a mixed slurry of silicon and silicon dioxide applied thereto or implanted therein, in an inert gas at a predetermined, elevated temperature.例文帳に追加

ケイ素・二酸化ケイ素混合スラリーを塗布又は埋没させた被処理金属材料を、不活性ガス中で所定高温度に保持することにより、焼却炉用金属の表層に、ケイ化物の拡散層又は二酸化ケイ素のコーティング層を形成させる。 - 特許庁

The protrusion 110 includes: a surface treatment layer 120 in which surface treatment for improving adhesiveness of an adhesive is applied for an outer side surface of the protrusion 110 in the tread width direction; and a bristle fiber part 140 having multiple bristle fibers 141 implanted into the surface treatment layer 120 using the adhesive.例文帳に追加

凸部110は、凸部110のトレッド幅方向外側面に対して接着剤の付着性を向上させる表面処理が施された表面処理層120と、表面処理層120に接着剤を用いて、複数の毛状繊維141が植毛された毛状繊維部140とを有する。 - 特許庁

An electron emitting part of the surface conduction type electron emitters is formed by a dot pattern of the solution, the element electrodes are constituted by a rectangular pattern or a combination of the rectangular patterns, and a corner part of the rectangular pattern is implanted to cover it with the dot pattern.例文帳に追加

表面伝導型電子放出素子の電子放出部が溶液のドットパターンによって形成され、素子電極が矩形パターンまたは矩形パターンの組み合わせによって構成されるとともに、矩形パターンのコーナー部をドットパターンによって被覆するように打ち込む。 - 特許庁

Further, the IGBT 10 has an insulating film 32a which is in contact with a side surface of a gate insulating film 32 between the emitter regions 25 and suppresses diffusion electrons implanted from the emitter regions 25 in a length direction along the side surface of the gate insulating film 32.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１０はさらに、エミッタ領域２５間のゲート絶縁膜３２の側面に接しており、エミッタ領域２５から注入される電子が、ゲート絶縁膜３２の側面に沿って長手方向に拡散するのを抑制する絶縁部３２ａを備えている。 - 特許庁

If this liquid medium is implanted with a vaginal specimen and then cultured for a given period of time, an evident red-yellow color change occurs depending on the initial cell number of lactobacillus contained in the vaginal specimen, therefore enabling bacterial vaginosis to be diagnosed easily and objectively.例文帳に追加

当該液体培地に膣検体を植付けて一定時間培養すれば、膣検体に含まれる乳酸菌の初期菌数に依存して赤色〜黄色の明瞭な色変化が生じるため、容易に客観的な細菌性膣症の診断をすることができる。 - 特許庁

The tufted carpet is given excellent flame-retardance corresponding to combustion tests for various purposes by impregnating a basic fabric 2 with flame retardant in advance in the processing of the tufted carpet, before piles 3 are implanted in the basic fabric 2 and a liner layer 5 is stacked on the rear surface.例文帳に追加

タフテッドカーペットを製造する工程、基布２にパイル３を植設、及び裏面に裏貼層５を積層する前に、基布２に予め難燃剤を含浸させることにより、タフテッドカーペットに優れた、各種用途の燃焼試験に対応した難燃性を付与する。 - 特許庁

In such a constitution, the current implanted end (18) for avoiding the rapid change in the equivalent refractive index of the waveguide by the active layer (3) is provided, thereby making feasible of reducing the intensity modulation of a spectrum by avoiding the reflection on this end (18).例文帳に追加

活性層（３）で形成される導波路の等価屈折率が電流注入部（１４）の先端部で急激な変化をしないような電流注入端部（１８）を設け、この端面での反射を少なくしてスペクトルの強度変調を防ぐものである。 - 特許庁