「implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

In the production process of the semiconductor device, a base 1 having a p-type semiconductor region 2 with nitrogen implanted in the upper face thereof is prepared, and a gate insulating film 5 and a gate electrode 6 are laminated in order sequentially on the base 1.例文帳に追加

本発明の一実施形態における半導体装置の製造方法は、窒素が上面内に注入されたｐ型の半導体領域２を有する下地１を準備し、この下地１上にゲート絶縁膜５およびゲート電極６をこの順で積層して形成する。 - 特許庁

In the blade structure for a turbine rotor in which a plurality of blades 11 having shrouds 12 on their ends, are radially implanted around a rotary shaft, a piece 22 is interposed between the neighboring shrouds 12 combined to form an annular shape, and fixed to one of them by welding.例文帳に追加

先端部にシュラウド１２を有する複数の翼１１を回転軸の周りに放射状に植設して構成されるタービンロータの翼構造において、隣り合うものどうし組み合わされて環状をなすシュラウド１２間に、ピース２２を介装し、一方のシュラウド１２に溶接により固定した。 - 特許庁

In the partial denture structured such that an artificial tooth for covering the partial loss of a natural tooth is implanted to a dental plate, a part to implant the artificial tooth is formed of a hard synthetic resin, and a part to surround the remaining natural tooth is formed of a rubber-like elastic synthetic resin.例文帳に追加

天然歯の部分欠損を填補する人工歯を義歯床に植設した構造の部分床義歯において、人工歯を植設する部分は硬質合成樹脂で形成し、残存する天然歯を取り巻く部分はゴム状弾性を有する弾性合成樹脂で形成する。 - 特許庁

The surface part 3 of an n-type semiconductor substrate 2, including an overflow barrier layer 4, is removed at least by the thickness of an impurity contamination region 31 before formation of a high resistance semiconductor region 5, after the removal of an implanted oxide film 30 of the surface part 3 of the n-type semiconductor substrate 2.例文帳に追加

ｎ型半導体基板２の表面部３のインプラ酸化膜３０の除去後、高抵抗半導体領域５の形成前に、オーバーフローバリア層４を含むｎ型半導体基板２の表面部３を不純物汚染領域３１の厚さ以上の厚さ除去する。 - 特許庁

Since, after formation of an irregular pattern on the surface of a thermoplastic resin sheet 1 before molding, hair is electrostatically implanted only to the top face 5 of the protruded parts 3 of the pattern, subsequent three-dimensional molding produces deformation e.g. expanded and contracted parts, only in thin recessed parts 4.例文帳に追加

成形前の熱可塑性樹脂シート１の表面に凹凸模様を形成し、その凹凸模様の凸部３の頂面５だけに静電植毛を施すようにしたため、その後に３次元形状に成形しても、伸延部や収縮部等の変形が生じるのは、厚さの小さい凹部４だけである。 - 特許庁

To provide a vocalization aid allowing a user to easily carry the device without being implanted into the body of the user, without requiring the pain or burden on the body caused by a surgical operation and without learning the difficult esophageal speech method, and to vocalize the sound similar to the voice of a healthy person by using vibrating air.例文帳に追加

体内に埋め込むのではなく、手軽に携帯して使用でき、手術による苦痛や体への負担、困難な食道発声法の習得も不要であり、しかも振動空気を利用することにより健常者に近い音の発声が可能となる発声補助装置を提供せんとする。 - 特許庁

This simple ladder is composed of a freely bendable fastening string-like body 1 fixed to a scaffold bolt B implanted in an electric pole D and wound on an outer peripheral surface of the electric pole D, and a plurality of footrest members 2 detachably installed in the fastening string-like body 1 and placing feet when climbing the electric pole D.例文帳に追加

電柱Ｄに植設された足場ボルトＢに掛止して該電柱Ｄの外周面に巻装される屈曲自在な締付紐状体１と、締付紐状体１に着脱自在に取着され前記電柱Ｄに登るとき足を載せる複数の足掛部材２とからなる。 - 特許庁

An artificial object, which contains a tissue body formation-promoting component at least at a part of the surface, and is provided with a tissue body formation-promoting component-containing layer for discharging the tissue body formation-promoting component, is implanted in a living body, and the tissue body is formed around the artifact.例文帳に追加

表面の少なくとも一部に組織体形成促進成分を含有し、組織体形成促進成分を放出させる組織体形成促進成分含有層が設けられている人工物を生体内へ埋入し、該人工物の周辺に組織体を形成させる。 - 特許庁

The cultivation bed 40 is made of a cultivation tank 72, and an implanting panel 73 engaged with an upper part of the cultivation tank 72, forming a flow pass 76 of a nutritious liquid A, and putting the cultivation plant P into an implanted state by exposing plant roots P' toward the flow pass 76.例文帳に追加

栽培ベッド４０は、栽培槽７２と、栽培槽７２の上部に嵌着され養液Ａの流路７６を形成するとともに、流路７６に向けて植物根Ｐ’が露出するようにして栽培植物Ｐを植付状態とする植付パネル７３と、から構成されている。 - 特許庁

A field oxide film 2, isolating the active region of a MOSFET is formed in a region on the surface of a p-type silicon substrate 1, a gate electrode is formed via a gate oxide film, ions are implanted into an arsenic ion implantation layer 5, and the substrate 1 is subjected to heat treatment to form a n-type diffused layer 6.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１上の表面の領域にＭＯＳＦＥＴの活性領域を分離するフィールド酸化膜２を形成し、ゲート酸化膜を介してゲート電極を形成し、ヒ素イオン注入層５にイオン注入し熱処理を行いｎ型拡散層６を形成する。 - 特許庁

The brushless motor includes a stator 10 having a power supplying flexible wiring board 13 mounted with a plurality of drive coils C_1 to C_4 on the stator plate 11 of magnetic material on which a support shaft 12 is implanted, and a rotor having a magnet in face opposition to the drive coils C_1 to C_4 and rotating around the support shaft 12.例文帳に追加

ブラシレスモータは、支軸１２を植設した磁性材のステータ板１１上で複数個の駆動コイルＣ_１〜Ｃ_４を搭載した給電用フレキシブル配線基板１３を持つステータ１０と、駆動コイルＣ_１〜Ｃ_４に面対向するマグネットを持ち支軸１２を回転中心とするロータとを備える。 - 特許庁

In an implantation process for manufacturing CMOS structure provided with an ESD (ESD HVnMOS), an (n) well area is covered with a mask, P-well is implanted to form a p-well.例文帳に追加

静電気放電（ＥＳＤ）による劣化に対処する保護装置としての応用のための横型ｎｐｎトランジスタの大電流能力は、アバランシェを起こしているｐｎ接合からウエハの裏面コンタクト（１０）へ流れるコレクタ電流が通る材料の電気抵抗値を調節することによって改善される。 - 特許庁

The wig comprises a water-absorbing net 6 implanted with natural or artificial hairs 3, water-absorbing fibers 4 situated on the underside of the net 6 and functioning to absorb sweat secreted on the head, and a microporous mesh skin 5 situated on the top of the net 6 and functioning to transpire sweat.例文帳に追加

人毛もしくは人工毛からなる毛髪３を植設した吸水性のネット６と、ネット６の下部に位置して頭部に分泌した汗を吸収する吸水性繊維４と、ネット６の上部に位置して汗を蒸散する微細孔を有するメッシュスキン５とを備える構成とする。 - 特許庁

A wafer support (clamp ring) 133 for retaining and supporting the peripheral edge of the wafer has one or more cuts, i.e., empty regions OPN1, OPN2, into which ions are implanted to form monitor regions for evaluation while ion implanting is being conducted into element regions of the wafer.例文帳に追加

ウェハの支持部（クランプリング）１３３は、ウェハの周縁部を押えつけて支持するものであるが、一箇所以上の切れ目、すなわち空き領域ＯＰＮ１，ＯＰＮ２が設けられ、ウェハの素子領域におけるイオン注入時、同じくイオン注入がなされ、評価用のモニタ領域となる。 - 特許庁

In a garbage treatment apparatus comprising a treatment tank having a garbage throwing inlet in an upper part and equipped with a rotating driving shaft in which a plurality of stirring claws are implanted is hung over, an auxiliary stirring shaft approximately parallel to the rotating driving shaft is fixed at a distance from the rotating driving shaft in the rotating driving shaft.例文帳に追加

生ゴミの投入口を上部に備える処理槽に、複数本の撹拌爪が植設された回転駆動軸を懸架した生ゴミの処理装置において、回転駆動軸と略平行な撹拌補助軸を、回転駆動軸から離隔した位置で、回転駆動軸に対して固定する。 - 特許庁

The stirring blade members 24 are formed by providing stirring blades 24-2 to the leading ends of the supports 24-1 implanted in a rotary shaft and the leading ends of the stirring blades are constituted as sludge scrape-up surfaces coming into slide contact with the tips of the projections and the side surfaces of the stirring blades are constituted as sludge stirring surfaces.例文帳に追加

撹拌羽根部材２４は回転軸に植設された支柱２４−１の先端に撹拌ブレード２４−２を備え、撹拌ブレードの先端は突起の先端に摺接する汚泥掻取り面として構成され、撹拌ブレードの側面は汚泥撹拌面として構成されている。 - 特許庁

When activating from a semiconductor surface layer into which an impurity is implanted to an internal layer, laser beams are irradiated at an energy density which does not fuse the surface layer to activate the surface layer side.例文帳に追加

不純物が注入された半導体表層から内層にかけて活性化する際に、前記表層が溶融しないエネルギー密度でレーザ光を照射して該表層側を活性化し、その後、前記表層が溶融しない、より高いエネルギー密度でレーザ光を照射して前記内層側を活性化する。 - 特許庁

To provide a pump usable as a heating element cooling pump, a blood transporting means, a reagent dispenser and a pump implanted in a living organism, which can be reduced in size and weight and which can be driven with such a low voltage as several voltages without emitting any sound.例文帳に追加

本発明の目的は、発熱素子の冷却用ポンプ、血液搬送手段、試薬ディスペンサー、並びに生体内埋め込みポンプに使用可能なポンプであって、しかも小型化が可能であり、軽量で、数Ｖ程度の低電圧で駆動し、しかも無音で駆動することができるポンプを提供することである。 - 特許庁

Thus, it is realized to form the deep source/drain regions prior to the shallow source/drain regions, and to control an overlap of the impurities ion-implanted into the shallow source/drain regions created through the gate pattern line width gradually reducing with the second spacer for offsetting.例文帳に追加

これにより、深いソース/ドレーン領域を浅いソース/ドレーン領域より先に形成することと同時に前記オフセット用第２スペーサにより次第に縮まるゲートパターン線幅により発生する浅いソース/ドレーン領域にイオン注入される不純物の重畳を抑制できる。 - 特許庁

To provide a two agent-type semiconductor substrate cleaning agent which can efficiently peel impurity bonded to a surface of a semiconductor substrate, especially impurity such as resist which is io-implanted without damaging a gate insulating film and the substrate and which is excellent in safety.例文帳に追加

本発明は、ゲート絶縁膜や基板などを損傷させることなく、半導体基板表面に付着した不純物、特に、イオン注入されたレジストなどの付着物を効率よく剥離でき、安全性により優れた２剤型半導体基板用洗浄剤を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a cleaning method of a semiconductor substrate with more excellent safety capable of efficiently removing impurities attached to the semiconductor substrate surface, in particular, an ion-implanted resist and the like without damaging gate insulating films, the substrate and the like.例文帳に追加

本発明は、ゲート絶縁膜や基板などを損傷させることなく、半導体基板表面に付着した不純物、特に、イオン注入されたレジストなどの付着物を効率よく剥離でき、安全性により優れた半導体基板の洗浄方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

When the same impurities are implanted with different implanting energy, the projection range and dispersion in the semiconductor region 32 are extracted so as to decrease with a reduction in implanting energy, and skewness and kurtosis are extracted so as to increase with a reduction in implanting energy.例文帳に追加

同一不純物が異なる注入エネルギーで注入された場合、半導体領域での投影飛程と分散は注入エネルギーの減少に伴って減少するように抽出され、歪度と尖度は注入エネルギーの減少に伴って増加するように抽出される。 - 特許庁

To provide a semiconductor module which can prevent occurrence of poor insulation because the distance along the insulation surface between an electrode terminal and a metal base plate even when bubbles are generated or mixed in the area near the electrode terminal when the gel state insulator is implanted.例文帳に追加

ゲル状絶縁物を注入する際に電極端子近傍に気泡が発生ないし混入した場合でも、電極端子と金属ベース板との間の絶縁沿面距離が短くなって絶縁不良が起こるのを防止することができる半導体モジュールを提供する。 - 特許庁

To provide an iron ion implantation method and an iron ion implantation quantity control device for reliably forming a target iron coat on the inner surface of a cooling pipe by appropriately adjusting the concentration and implantation time of iron ion implanted into cooling water flowing in a condenser cooling pipe.例文帳に追加

復水器冷却管を流れる冷却水へ注入する鉄イオンの濃度と注入時間を適切に調節して、冷却管の内面に目標の鉄皮膜を確実に形成することができる鉄イオン注入方法及び鉄イオン注入量制御装置を提供する。 - 特許庁

Subsequently, impurities are implanted in the semiconductor layer 2 using a gate electrode 9 formed by providing second conductive parts 8 on the opposite sides of the gate electrodes 4 and 5 of second shape as an impurity implantation mask thus forming an overlap region 6 beneath the second conductive part 8.例文帳に追加

その後、上記第２の形状のゲート電極４，５の両側部に第２の導電部８を設けることにより形成したゲート電極９を不純物注入マスクとし、半導体層２に対して不純物を注入して、上記第２の導電部８の下方にオーバーラップ領域６を形成する。 - 特許庁

In an ion implanter 10 in which ions are extracted from a plasma P formed in a vacuum chamber 1 via a grid electrode 6 and in which the ions are implanted into a substrate W, a voltage applying means to alternately supply positive ions and electrons in the plasma to the substrate via the grid electrode 6 is installed.例文帳に追加

真空チャンバ１内で形成したプラズマＰからグリッド電極６を介してイオンを引き出し、基板Ｗへ当該イオンを注入するイオン注入装置１０において、グリッド電極６を介してプラズマ中の正イオンと電子を基板へ交互に供給する電圧印加手段を設ける。 - 特許庁

Further, an electrode formation region of the potential reduction layer 14 deposited is selectively implanted with phosphorus ion, and the potential reduction layer 14 doped with phosphorus is subjected to a heat treatment at a temperature of about 1,000 °C to activate an n-type dopant doped.例文帳に追加

続いて、堆積したポテンシャル低減層１４の電極形成領域に対して燐イオンを選択的にイオン注入し、燐が注入されたポテンシャル低減層１４に対して約１０００℃の温度で熱処理を施して、注入されたｎ型のドーパントを活性化する。 - 特許庁

A method of reducing crystal defect of simox wafer includes: a first step of implanting ions from a surface of a wafer into a silicon layer 13 of a range of set depth from the BOX layer 12; and a second step of heating the wafer obtained in the first step to restore the crystallinity of a portion where the ions are implanted.例文帳に追加

ウェーハの表面からＢＯＸ層１２よりも設定深さの範囲のシリコン層１３までイオンを注入する第１の工程と、第１の工程で得られたウェーハを加熱してイオンが注入された部位の結晶性を回復させる第２の工程とを含む。 - 特許庁

This method for diffusing impurities comprises forming an n-type impurity region by ion-implanting nitrogen ions into a semiconductor substrate in a dose amount of 3×1013 cm^-2 or less and by subjecting the nitrogen ions implanted semiconductor substrate to an annealing treatment at a temperature of from 410°C or more to 500°C or less.例文帳に追加

窒素イオンを３×１０１３ｃｍ−２以下のドーズ量で半導体基板にイオン注入し、窒素イオンが打ち込まれた半導体基板を４１０℃以上５００℃以下のいずれかの温度でアニール処理してｎ型不純物領域を形成する不純物拡散方法とする。 - 特許庁

To prevent a joint between the terminal lead wire of a coil and a pin terminal implanted in a coil bobbin from protruding outside the mounting surface of the coil bobbin on a printed board or the like and from rising from the printed board or being tilted after being mounted when the terminal lead wire is twined around the pin terminal for connection.例文帳に追加

コイル用ボビンに植設されたピン端子に、コイル端末リード線を巻きつけて接続する際に、接続部がコイル用ボビンのプリント基板などへの実装面より外側に突出して、実装した後にプリント基板から浮き上がったり、傾いたりしないようにすること。 - 特許庁

A thermal oxidation process is carried out in a dry atmosphere, whereby a silicon oxide film 161 of thickness 3 nm is formed on the surface of the first region 11a of the silicon board 11, and a silicon oxide film 171 of thickness 6 nm is formed on the surface of a second region 11b of the silicon board 11 where no nitrogen ions are implanted.例文帳に追加

乾燥雰囲気中で熱酸化を行い、第１の領域１１ａのシリコン基板１１の表面には厚さ３ｎｍのシリコン酸化膜１６_1 が形成され、窒素イオンが注入されていない第２の領域１１ｂには厚さ６ｎｍのシリコン酸化膜１７_1 が形成される。 - 特許庁

In between the bottom face 40 of the rigid member 31 and the bottom 22 of the sash body 21, a brush-like member 50 formed of a center shaft part 51 made of a wire extending in the longitudinal direction of the sash 20 and bristles 52 radically implanted in the center axial part 51 are provided.例文帳に追加

硬質部材３１の底面部４０とサッシ本体２１の底部２２の間には、セッティングブロック２３の設置されている部位を除いて、サッシ２０の長手方向に延びる針金製の中心軸部５１と、中心軸部５１に放射状に植設された毛５２とから成るブラシ状部材５０を備える。 - 特許庁

An anchor bolt 2 is implanted and fixed into a concrete slope 1, a tabular foamed material 3 placed on the concrete slope face 1 and a stepped block 4 made of concrete are clamped and fixed by the anchor bolt 2, and a decorative member such as stone, tiles or the like is stuck on the stepped block 4.例文帳に追加

コンクリートスロープ１上にアンカーボルト２を植設固定し、コンクリートスロープ１上に載置した板状の発泡材３及びコンクリート製の段型ブロック４を前記アンカーボルト２で締着固定し、そして段型ブロック４に石材、タイル等の装飾部材を貼着するようにした。 - 特許庁

This clothing worn over the chest part of the patient using the pace-maker is provided by using a magnetic shielding cloth material 11 at least a part covering from the front surface side of the chest part where the pace-maker is implanted subcutaneously in the vicinity of heart of the patient, over to the rear surface side of the back of the patient.例文帳に追加

ペースメーカを使用する患者の胸部に着用される衣服であって、少なくとも、患者の心臓近傍の皮下にペースメーカが埋め込まれている胸の正面側から背中の背面側にかけて覆う部分に磁気シールド布材１１が使用されている。 - 特許庁

To form a lightly-doped source/drain region by self-matching and to prevent implanted ions from being passed through a channel region in the production of an MOS-type semiconductor device for forming the lightly-doped source/drain region of deep junction, in order to acquire high-withstand voltage characteristics.例文帳に追加

高耐圧特性を得るために、深ジャンクションの低不純物濃度ソース・ドレイン領域を形成するＭＯＳ型半導体装置の製造において、低不純物濃度ソース・ドレイン領域を自己整合法にて形成すると共に注入イオンがチャネル領域へ突き抜けることのないようにする。 - 特許庁

In addition, when the B ions are implanted into an undoped silicon film in a p-channel MISFET formation area so as to convert it into a p-type silicon film 9p, the concentration of B of the p-type silicon film 9p adjacent to the boundary with a gate insulating film 8 is controlled to 2×10^20 atoms/cm^3 or less.例文帳に追加

また、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ形成領域のアンドープシリコン膜にＢをイオン注入してｐ型シリコン膜９ｐに変換する際、ゲート絶縁膜８との界面近傍におけるｐ型シリコン膜９ｐのＢ濃度を２×１０^２０atom/cm^３以下に制御する。 - 特許庁

As means for mounting the piezoelectric element, having a piezoelectric material layer and an electrode provided on at least one surface thereof, on the surface of the object, on which detection or suppression is to be performed of vibration, a plurality of pins are used that are implanted in the object so as to cross the material layer in its thickness direction.例文帳に追加

圧電材の層とその少なくとも一方の面に設けられた電極とを有する圧電素子を振動の検出または抑制が施されるべき物体の表面に取付ける手段として、圧電材層をその厚み方向に横切って物体に植設された複数個のピンが使用される。 - 特許庁

On the basis of the overflow ball integration value counted by this overflow ball counting means 104 or overflow rate found at a prescribed timing by an overflow rate measuring means 150, it is effectively utilized as information for adjusting nails implanted on the game area 20 of the game machine or varying game on the game machine.例文帳に追加

このオーバーフロー球計数手段104で計数したオーバーフロー球積算値またはオーバーフロー率測定手段150により所定タイミングで求めたオーバーフロー率に基づき、遊技機の遊技領域20に植設された釘などの調整または遊技機の遊技に変化を与えるための情報として活用する。 - 特許庁

In an artificial lawn 7 wherein piles 9 are implanted on a base cloth 8 at predetermined clearances, a width Wc of the base cloth 8, which protrudes outwardly from a pile 9a located on an outermost end in its width direction, is set below the half of a clearance Wa in a width direction between piles.例文帳に追加

人工芝は、基布８上に所定間隔でパイル９が植設された人工芝７において、幅方向最外端に位置するパイル９ａから外側に食み出た基布８ａの幅Ｗｃをパイル相互間の幅方向間隙Ｗａの半分以下に設定する。 - 特許庁

To provide a type of medicine mentioned at the beginning which makes it possible to apply a membrane type artificial lung for supporting the lung not only for a short period of time but also for the middle period or a long period of time while avoiding side effects as much as possible, also which makes it possible to apply an implanted lung assisting system based on the membrane type lung.例文帳に追加

できるだけ副作用を避けつつ、短期間のみならず、中期間、また長期間の肺の支持のための膜型肺の適用を可能ならしめ、かつ、膜型肺に基づいた植え込み型肺補助システムの適用を可能ならしめる冒頭に述べたタイプの薬剤を提供する。 - 特許庁

Also, the ions, having polarity opposite to that of the impurity ions composing an n-type well 4, are implanted to form a first channel region 5a in the edge part of a gate electrode 7p and a second channel region 13, which gives influence only on a shallow region of a p--type semiconductor region 9.例文帳に追加

また、ｎ型ウェル４を構成する不純物イオンとは逆の極性を持つイオンをイオン注入にて打ち込み、ゲート電極７ｐの端部の第１チャネル領域５ａおよびｐ^-型半導体領域９の浅い領域のみに影響を与える第２チャネル領域１３を形成する。 - 特許庁

After a passivation film 6 is formed and a contact hole c for taking out an electrode are formed, the depression type transistor side is coated with a resist material r, impurity ions are implanted into the enhancement type transistor side using the gate electrode 5e as a mask, and thus an n-type source region 7 and a drain region 8 are formed.例文帳に追加

パッシベーション膜６を成膜し、電極取り出し用コンタクトホールｃを形成した後、デプレッション型トランジスタ側をレジスト材ｒで被覆し、ゲート電極５ｅをマスクにしてエンハンスメント型トランジスタ側に不純物イオンを打ち込み、ｎ型のソース領域７とドレイン領域８を形成する。 - 特許庁

When the advance direction of implanted impurities is approximately in parallel with a channel ring direction, energy loss caused by elastic collision is estimated to be smaller, and further, when the impurities penetrate more deeply into crystal and the energy is lower than 80 eV, the energy loss caused by the elastic collision is estimated to be zero.例文帳に追加

注入された不純物の進行方向がチャンネリング方向と略平行な場合、弾性衝突によるエネルギー損失を小さく見積もり、さらに、結晶奥深くまで進入してエネルギーが80eVよりも小さくなった場合、非弾性衝突によるエネルギー損失をゼロとする。 - 特許庁

The amount that the iron ions are implanted into the surface Si layer of the SOI substrate meets a composition ratio of about 1:2 for the ratio of Fe to Si in the surface layer, and preferably the heat treatment temperature is not less than 900°C and is less than 1100°C and the time of the treatment is not less than one minute and is less than ten minutes.例文帳に追加

ＳＯＩ基板の表面Ｓｉ層への鉄イオンの注入量が、表面層のＦｅとＳｉの比が約１：２の組成比を満たす量であり、熱処理温度は、９００℃以上１１００℃未満で、処理時間は１分以上１０分未満であるのが好ましい。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for plasma ion implantation which avoids a phenomenon in that the fall of the voltage of the high voltage pulse applied to a base material is damped by the load impedance of the base material, and in which generation of damages such as sputtering on the base material is prevented, the plasma ion is correctly implanted, and the diversified kinds of plasma are applied to.例文帳に追加

基材に印加する高電圧パルスの電圧の立ち下がりが、基材の負荷インピーダンスのために減衰する現象を回避して、基材にスパッタリングなどの損傷が生ずるのを防止し、プラズマイオンの的確な注入と、多様なプラズマ種への対応を図る。 - 特許庁