「implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, when a high-concentration impurity region 15 to serve as a lower electrode of the high-precision capacitor is formed by ion implantation of an impurity in the semiconductor substrate 10, the impurity is additionally implanted in the lower electrode 13b of the high-breakdown-voltage capacitor to increase an impurity concentration of the lower electrode 13b.例文帳に追加

その後、半導体基板１０に不純物をイオン注入して高精度キャパシタの下部電極となる高濃度不純物領域１５を形成する際に、高耐圧キャパシタの下部電極１３ｂに不純物を追加注入し、下部電極１３ｂの不純物濃度を向上させる。 - 特許庁

This method includes the steps of regulating the figure of the molding tool 120 to have a predetermined mold surface 122, then applying an attenuating coating 124 to the predetermined mold surface 122 and removing the attenuating coating 124 while leaving the predetermined mold surface 122 with metal ions implanted therein.例文帳に追加

この方法は、所定の成型面１２２を有するように成型ツール１２０を形状規定、減衰コーティング１２４を所定の成型面１２２に塗布、および金属イオンが内部に注入された所定の成型面１２２を残して減衰コーティング１２４を除去の各ステップを含む。 - 特許庁

At oxygen ion implanting steps in manufacture of a SIMOX wafer, a path is formed inside or on a back surface of a wafer holding means, and oxygen ions are implanted while heating an outer peripheral portion of a wafer that is in contact with the wafer holding means by flowing a heated fluid through this path.例文帳に追加

ＳＩＭＯＸウェーハ製造における酸素イオン注入工程において、ウェーハ保持手段の内部又は裏面に通路を形成し、この通路に加熱流体を流して前記ウェーハ保持手段と接触する前記ウェーハの外周部を加熱しながら酸素イオン注入する。 - 特許庁

To provide a solid electrolytic capacitor in which a dielectric layer, a solid electrolyte layer, and a cathode lead-out layer are successively formed outside an anode member provided with an anode lead pin implanted upright at its one edge, where a reduction in ESR(equivalent series resistance) and a reduction in LC(leakage current) are set compatible with each other.例文帳に追加

一端に陽極リードピンが植立された陽極部材の外側に、誘電体層、固体電解質層及び陰極引出し層を順次形成した固体電解コンデンサにおいて、ＥＳＲ（等価直列抵抗）の低減とＬＣ（漏れ電流）の低減とを両立させる。 - 特許庁

When the same impurity is implanted in different implantation energy, projection range and dispersion are extracted under the condition that these are reduced with reduction of the implantation energy and a degree of strain, a degree of sharpness, and a weighting coefficient are extracted under the condition that these are increased with reduction of the implantation energy.例文帳に追加

同一不純物が異なる注入エネルギーで注入された場合、投影飛程と分散は注入エネルギーの減少につれて減少する条件下で抽出され、歪度と尖度、及び重み付け係数は注入エネルギーの減少につれて増加する条件下で抽出される。 - 特許庁

When a partially damaged sound-insulation board is repaired, a repair position including a damaged section is cut off in a fixed shape, and a repair member being fabricated in the same shape as the form of the damaged section and having the same material as the acoustical board is implanted and joined to a space formed by cutting off.例文帳に追加

局部的に破損している吸音板を補修するに当り、破損部を含む補修箇所を一定形状に切除し、切除により形成された空所に、その形状と同形状に成形加工された、該吸音板と同じ材質の補修部材を移植して接合させる。 - 特許庁

Al ions are implanted into an N-type 6H-SiC, the N-type 6H-SiC is irradiated with a single pulse or a few pulses of a KrF laser beam which is 248 nm in wavelength and oscillates for one psec or below, by which N-type 6H-SiC recovers from damage caused by implantation of ions without melting SiC crystals.例文帳に追加

ｎ型６Ｈ−ＳｉＣにＡｌイオンを注入した後、波長２４８ｎｍのＫｒＦレーザを発振時間が１μ秒以下の１または複数のパルスとして照射し、ＳｉＣ結晶を溶融させずにイオン注入による照射損傷を回復させる。 - 特許庁

To provide an iron ion implantation method and an iron ion implantation quantity control device for reliably forming a target iron coat on the inner surface of a cooling pipe by appropriately adjusting the concentration and implantation time of iron ion implanted into cooling water flowing in a condenser cooling pipe.例文帳に追加

復水器冷却管を流れる冷却水へ注入する鉄イオンの濃度と注入時間を適切に調節して、冷却管の内面に目標の鉄皮膜を確実に形成することができる鉄イオン注入方法及び鉄イオン注入量制御装置を提供する。 - 特許庁

Subsequently, impurities are implanted in the semiconductor layer 2 using a gate electrode 9 formed by providing second conductive parts 8 on the opposite sides of the gate electrodes 4 and 5 of second shape as an impurity implantation mask thus forming an overlap region 6 beneath the second conductive part 8.例文帳に追加

その後、上記第２の形状のゲート電極４，５の両側部に第２の導電部８を設けることにより形成したゲート電極９を不純物注入マスクとし、半導体層２に対して不純物を注入して、上記第２の導電部８の下方にオーバーラップ領域６を形成する。 - 特許庁

In an ion implanter 10 in which ions are extracted from a plasma P formed in a vacuum chamber 1 via a grid electrode 6 and in which the ions are implanted into a substrate W, a voltage applying means to alternately supply positive ions and electrons in the plasma to the substrate via the grid electrode 6 is installed.例文帳に追加

真空チャンバ１内で形成したプラズマＰからグリッド電極６を介してイオンを引き出し、基板Ｗへ当該イオンを注入するイオン注入装置１０において、グリッド電極６を介してプラズマ中の正イオンと電子を基板へ交互に供給する電圧印加手段を設ける。 - 特許庁

Further, an electrode formation region of the potential reduction layer 14 deposited is selectively implanted with phosphorus ion, and the potential reduction layer 14 doped with phosphorus is subjected to a heat treatment at a temperature of about 1,000 °C to activate an n-type dopant doped.例文帳に追加

続いて、堆積したポテンシャル低減層１４の電極形成領域に対して燐イオンを選択的にイオン注入し、燐が注入されたポテンシャル低減層１４に対して約１０００℃の温度で熱処理を施して、注入されたｎ型のドーパントを活性化する。 - 特許庁

In order to form the impurity diffusion regions, trenches embedded with a conductive film 10 are formed in parts of the base region, and then an impurity having the same conductivity type as that of the base region are ion-implanted into the side walls and bottoms of the trenches in a lower concentration than that of the base region and then are diffused.例文帳に追加

ベース領域の一部に導電膜１０が埋め込まれたトレンチを形成し、その側壁及び底部にベース領域と同じ導電型の不純物をベース領域の不純物濃度より低濃度にイオン注入し、拡散して前記不純物拡散領域が形成される。 - 特許庁

The silicon layer is doped with ions at an angle based on the height of a second field effect transistor adjacent to the first one so that ions of a predetermined type, which have concentration that is the same as that of a portion adjacent to the channel region of the silicon layer and is not equal to zero, are implanted into one portion of the channel region.例文帳に追加

シリコン層は、シリコン層のチャネル領域に隣接する部分と同じゼロでない濃度の特定のタイプのイオンがチャネル領域の一部に注入されるように、第１電界効果型トランジスタに隣接する第２電界効果型トランジスタの高さに基づいた角度でイオンをドープされている。 - 特許庁

Flanges 4 having a terminal board 6 to which pin terminals 5 are implanted are respectively formed to both ends of a hollow type winding trunk 3, and an internal leg 7 consisting of a molding core is inserted into the hollow winding trunk 3 of a coil bobbin 1 in which the coil 2 is wound to the external circumference of the winding trunk 3.例文帳に追加

中空状の巻胴部３の両端にピン端子５が植設された端子台６を有するフランジ４がそれぞれ形成され、かつ前記巻胴部３の外周にコイル２が巻装されたコイルボビン１の中空状の巻胴部３内に成形コアからなる中足７を挿入する。 - 特許庁

To provide a minute medical material which inhibits foreign body reaction in a living body and prolongs the half-life in the blood when implanted in the living body or administered into the blood and is provided with a treatment for continuously releasing a substance such as a drug.例文帳に追加

微小医療材料を生体内に埋入或いは血液中に投与した場合に、生体内での異物反応を抑制し、血液中での半減期を長くし、医薬などの物質を持続的に放出するための処理を施した微小医療材料を提供する。 - 特許庁

To provide an organic EL device which can be efficiently increased in blue color purity and luminance, by using a material into which electric charges can be easily implanted and which has a large energy gap for a light-emitting layer, and improving the multilayered structure of the device.例文帳に追加

電荷の注入が容易でエネルギーギャップが大きい物質を有機電界発素子の発光層に用いるとともに、有機電界発光素子の積層構造を改良することによって、効率良く高い青色の純度と高い輝度を可能にする有機電界発光素子を提供する。 - 特許庁

Further, the amount of the electric charges implanted into the interface between the gate insulating layer 1 and organic semiconductor layer 2 varies according to the pressure applied to the gate insulating layer 1 at this time, so the current between the drain electrode 3 and source electrode 4 varies according to the pressure applied to the gate insulating layer 1.例文帳に追加

しかも、このときゲート絶縁層１に印加される圧力に応じて、ゲート絶縁層１と有機半導体層２との界面に注入される電荷の量が変化するため、ゲート絶縁層１に印加される圧力に応じてドレイン電極３及びソース電極４間の電流が変化する。 - 特許庁

A mask oxide film 19 is partially formed on the surface of a substrate 12 which has been composed of silicon monocrystal, oxygen ions 16 are implanted on the substrate surface via the mask oxide film 19, and then this substrate is annealed to form an embedded oxide film 13 in the inside of the substrate.例文帳に追加

シリコン単結晶からなる基板１２の表面に部分的にマスク酸化膜１９を形成した後に、マスク酸化膜１９を介して基板の表面に酸素イオン１６を注入し、更にこの基板をアニール処理して基板の内部に埋込み酸化膜１３を形成する。 - 特許庁

Ions, having polarity opposite to that of the impurity ions composing a p-type well 3, are implanted to form a first channel region 5b in the edge part of a gate electrode 7n and a second channel region 12, which gives influence only on the shallow region of an n--type semiconductor region 8.例文帳に追加

ｐ型ウェル３を構成する不純物イオンとは逆の極性を持つイオンをイオン注入にて打ち込み、ゲート電極７ｎの端部の第１チャネル領域５ｂおよびｎ^-型半導体領域８の浅い領域のみに影響を与える第２チャネル領域１２を形成する。 - 特許庁

Ions are implanted in the resist by 1×10^14 to 5×10^15 pieces/cm^2, the irradiation amount of the ultraviolet light in the irradiation step is at least 1,800 mJ/cm^2, and the alkali solution heated up to ≥60°C is used for the removing step.例文帳に追加

レジストには、１×１０^１４〜５×１０^１５個／ｃｍ^２のイオンが注入されており、前記照射工程における紫外光の照射量を少なくとも１８００ｍＪ／ｃｍ^２とし、前記除去工程では、６０℃以上に加熱された前記アルカリ溶液を用いる。 - 特許庁

Then, the region RN-1, Where ion is implanted under the condition, is shielded with a mask, and related to the remaining CN, with a mask for exposure in-between, an ion-implantation process is performed with a region 44 under conditions which compensates for the ion-implantation conditions to the remaining region.例文帳に追加

以後、前記適合した条件でイオン注入された領域ＲＮ−１はマスクで遮断して、残り領域ＣＮは露出させるためのマスクを介在して前記残り領域に対するイオン注入条件を補償する条件で領域４４にイオン注入工程を遂行する。 - 特許庁

When an element 21, a Hall element, is formed on a slope 16a having a large step, an n-type impurity ion is implanted on the whole surface of the substrate 12 from an oblique direction in parallel with or having a sharp angle β° with the slope 16a by the use of the oblique ion implantation.例文帳に追加

段差の大きな斜面１６ａ上にホール素子であるエレメント２１を形成する際に、斜めイオン注入法を用い、斜面１６ａに対して平行か又は鋭角の角度β゜を成すように斜め方向から、基板１２全面にＮ形不純物イオンを注入する。 - 特許庁

The toothbrush comprises a bristle 1 or a bristle bundle 2 folded into two and implanted in at least a hole 4 formed on the bristled surface of the head portion thereof and fixed therein by an adhesive 5 or by a retaining member 6 and the adhesive 5.例文帳に追加

ヘッド部植毛面３に形成された少なくとも１つの植毛穴４に刷毛１もしくは刷毛束２が２つ折りに植毛された歯ブラシにおいて、刷毛１もしくは刷毛束２を接着剤５、もしくは抜け止め部材６と接着剤５によって植毛穴４内に固定した。 - 特許庁

Thus, a voltage amplitude value which is combined with the frequency is selected so that a current amplitude value of the current which is actually implanted with the frequency matches to a current amplitude value which is obtained by simulation of a circuit for measurement including the voltage source model 20 and the transmission line.例文帳に追加

このために、周波数と組み合わせる電圧振幅値は、その周波数で実際に注入される電流の電流振幅値と、電圧源モデル２０と伝送線を含む測定用回路のシミュレーションにより得られるその電流振幅値とが一致するように選択される。 - 特許庁

The proximal end is configured to attach to an external energy source 2960 that provides the activation energy, and the proximal end is configured to be located outside the patient's body while the distal end is coupled to the adjustable cardiac implant piece that is implanted in the patient's heart.例文帳に追加

前記近位端は、前記活性化エネルギーを供給する外部エネルギー源２９６０に取り付けられており、この近位端は、前記遠位端に患者の心臓に植え込まれた調節可能心臓植え込み片と連結されている間、患者の体外に位置付けられるように構成されている。 - 特許庁

Next, all ions (arrow Ion-2) generated from a doping gas comprising pure hydrogen are implanted into a low-concentration region (604a) by an energy of about 20 keV to a level within a range of 1×10^14/cm^2 to 1×10^15/cm^2 as a dose level of H^+ ion.例文帳に追加

次に、純水素からなるドーピングガスから発生するすべてのイオン（矢印Ｉｏｎ−２）を低濃度領域（６０４ａ）に対して約２０ｋｅＶのエネルギーでＨ^+イオンのドーズ量として１×１０^14／ｃｍ^2 から１×１０^15／ｃｍ^2までの範囲になるように打ち込む。 - 特許庁

In the blade structure for a turbine rotor in which a plurality of blades 11 having shrouds 12 on their ends, are radially implanted around a rotary shaft, a piece 22 is interposed between the neighboring shrouds 12 combined to form an annular shape, and fixed to one of them by welding.例文帳に追加

先端部にシュラウド１２を有する複数の翼１１を回転軸の周りに放射状に植設して構成されるタービンロータの翼構造において、隣り合うものどうし組み合わされて環状をなすシュラウド１２間に、ピース２２を介装し、一方のシュラウド１２に溶接により固定した。 - 特許庁

In the partial denture structured such that an artificial tooth for covering the partial loss of a natural tooth is implanted to a dental plate, a part to implant the artificial tooth is formed of a hard synthetic resin, and a part to surround the remaining natural tooth is formed of a rubber-like elastic synthetic resin.例文帳に追加

天然歯の部分欠損を填補する人工歯を義歯床に植設した構造の部分床義歯において、人工歯を植設する部分は硬質合成樹脂で形成し、残存する天然歯を取り巻く部分はゴム状弾性を有する弾性合成樹脂で形成する。 - 特許庁

The cultivation bed 40 is made of a cultivation tank 72, and an implanting panel 73 engaged with an upper part of the cultivation tank 72, forming a flow pass 76 of a nutritious liquid A, and putting the cultivation plant P into an implanted state by exposing plant roots P' toward the flow pass 76.例文帳に追加

栽培ベッド４０は、栽培槽７２と、栽培槽７２の上部に嵌着され養液Ａの流路７６を形成するとともに、流路７６に向けて植物根Ｐ’が露出するようにして栽培植物Ｐを植付状態とする植付パネル７３と、から構成されている。 - 特許庁

An artificial object, which contains a tissue body formation-promoting component at least at a part of the surface, and is provided with a tissue body formation-promoting component-containing layer for discharging the tissue body formation-promoting component, is implanted in a living body, and the tissue body is formed around the artifact.例文帳に追加

表面の少なくとも一部に組織体形成促進成分を含有し、組織体形成促進成分を放出させる組織体形成促進成分含有層が設けられている人工物を生体内へ埋入し、該人工物の周辺に組織体を形成させる。 - 特許庁

A field oxide film 2, isolating the active region of a MOSFET is formed in a region on the surface of a p-type silicon substrate 1, a gate electrode is formed via a gate oxide film, ions are implanted into an arsenic ion implantation layer 5, and the substrate 1 is subjected to heat treatment to form a n-type diffused layer 6.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１上の表面の領域にＭＯＳＦＥＴの活性領域を分離するフィールド酸化膜２を形成し、ゲート酸化膜を介してゲート電極を形成し、ヒ素イオン注入層５にイオン注入し熱処理を行いｎ型拡散層６を形成する。 - 特許庁

The brushless motor includes a stator 10 having a power supplying flexible wiring board 13 mounted with a plurality of drive coils C_1 to C_4 on the stator plate 11 of magnetic material on which a support shaft 12 is implanted, and a rotor having a magnet in face opposition to the drive coils C_1 to C_4 and rotating around the support shaft 12.例文帳に追加

ブラシレスモータは、支軸１２を植設した磁性材のステータ板１１上で複数個の駆動コイルＣ_１〜Ｃ_４を搭載した給電用フレキシブル配線基板１３を持つステータ１０と、駆動コイルＣ_１〜Ｃ_４に面対向するマグネットを持ち支軸１２を回転中心とするロータとを備える。 - 特許庁

The wig comprises a water-absorbing net 6 implanted with natural or artificial hairs 3, water-absorbing fibers 4 situated on the underside of the net 6 and functioning to absorb sweat secreted on the head, and a microporous mesh skin 5 situated on the top of the net 6 and functioning to transpire sweat.例文帳に追加

人毛もしくは人工毛からなる毛髪３を植設した吸水性のネット６と、ネット６の下部に位置して頭部に分泌した汗を吸収する吸水性繊維４と、ネット６の上部に位置して汗を蒸散する微細孔を有するメッシュスキン５とを備える構成とする。 - 特許庁

A wafer support (clamp ring) 133 for retaining and supporting the peripheral edge of the wafer has one or more cuts, i.e., empty regions OPN1, OPN2, into which ions are implanted to form monitor regions for evaluation while ion implanting is being conducted into element regions of the wafer.例文帳に追加

ウェハの支持部（クランプリング）１３３は、ウェハの周縁部を押えつけて支持するものであるが、一箇所以上の切れ目、すなわち空き領域ＯＰＮ１，ＯＰＮ２が設けられ、ウェハの素子領域におけるイオン注入時、同じくイオン注入がなされ、評価用のモニタ領域となる。 - 特許庁

In an implantation process for manufacturing CMOS structure provided with an ESD (ESD HVnMOS), an (n) well area is covered with a mask, P-well is implanted to form a p-well.例文帳に追加

静電気放電（ＥＳＤ）による劣化に対処する保護装置としての応用のための横型ｎｐｎトランジスタの大電流能力は、アバランシェを起こしているｐｎ接合からウエハの裏面コンタクト（１０）へ流れるコレクタ電流が通る材料の電気抵抗値を調節することによって改善される。 - 特許庁

As means for mounting the piezoelectric element, having a piezoelectric material layer and an electrode provided on at least one surface thereof, on the surface of the object, on which detection or suppression is to be performed of vibration, a plurality of pins are used that are implanted in the object so as to cross the material layer in its thickness direction.例文帳に追加

圧電材の層とその少なくとも一方の面に設けられた電極とを有する圧電素子を振動の検出または抑制が施されるべき物体の表面に取付ける手段として、圧電材層をその厚み方向に横切って物体に植設された複数個のピンが使用される。 - 特許庁

On the basis of the overflow ball integration value counted by this overflow ball counting means 104 or overflow rate found at a prescribed timing by an overflow rate measuring means 150, it is effectively utilized as information for adjusting nails implanted on the game area 20 of the game machine or varying game on the game machine.例文帳に追加

このオーバーフロー球計数手段104で計数したオーバーフロー球積算値またはオーバーフロー率測定手段150により所定タイミングで求めたオーバーフロー率に基づき、遊技機の遊技領域20に植設された釘などの調整または遊技機の遊技に変化を与えるための情報として活用する。 - 特許庁

In an artificial lawn 7 wherein piles 9 are implanted on a base cloth 8 at predetermined clearances, a width Wc of the base cloth 8, which protrudes outwardly from a pile 9a located on an outermost end in its width direction, is set below the half of a clearance Wa in a width direction between piles.例文帳に追加

人工芝は、基布８上に所定間隔でパイル９が植設された人工芝７において、幅方向最外端に位置するパイル９ａから外側に食み出た基布８ａの幅Ｗｃをパイル相互間の幅方向間隙Ｗａの半分以下に設定する。 - 特許庁

To provide a type of medicine mentioned at the beginning which makes it possible to apply a membrane type artificial lung for supporting the lung not only for a short period of time but also for the middle period or a long period of time while avoiding side effects as much as possible, also which makes it possible to apply an implanted lung assisting system based on the membrane type lung.例文帳に追加

できるだけ副作用を避けつつ、短期間のみならず、中期間、また長期間の肺の支持のための膜型肺の適用を可能ならしめ、かつ、膜型肺に基づいた植え込み型肺補助システムの適用を可能ならしめる冒頭に述べたタイプの薬剤を提供する。 - 特許庁

A method of reducing crystal defect of simox wafer includes: a first step of implanting ions from a surface of a wafer into a silicon layer 13 of a range of set depth from the BOX layer 12; and a second step of heating the wafer obtained in the first step to restore the crystallinity of a portion where the ions are implanted.例文帳に追加

ウェーハの表面からＢＯＸ層１２よりも設定深さの範囲のシリコン層１３までイオンを注入する第１の工程と、第１の工程で得られたウェーハを加熱してイオンが注入された部位の結晶性を回復させる第２の工程とを含む。 - 特許庁

This method for diffusing impurities comprises forming an n-type impurity region by ion-implanting nitrogen ions into a semiconductor substrate in a dose amount of 3×1013 cm^-2 or less and by subjecting the nitrogen ions implanted semiconductor substrate to an annealing treatment at a temperature of from 410°C or more to 500°C or less.例文帳に追加

窒素イオンを３×１０１３ｃｍ−２以下のドーズ量で半導体基板にイオン注入し、窒素イオンが打ち込まれた半導体基板を４１０℃以上５００℃以下のいずれかの温度でアニール処理してｎ型不純物領域を形成する不純物拡散方法とする。 - 特許庁

The tile carpet comprises piles 3 implanted in a base fabric 2 and is cut to prescribed dimensions.例文帳に追加

基布２にパイル３が植設され且つ所定寸法に裁断されたタイルカーペットであって、端部に生じる基布露出部分Ａに前記パイルの影が映った状態で、前記基布露出部分Ａの基布表面の明るさとパイル表面の明るさがほぼ等しくなるように構成されているタイルカーペットを提供する。 - 特許庁

To prevent a joint between the terminal lead wire of a coil and a pin terminal implanted in a coil bobbin from protruding outside the mounting surface of the coil bobbin on a printed board or the like and from rising from the printed board or being tilted after being mounted when the terminal lead wire is twined around the pin terminal for connection.例文帳に追加

コイル用ボビンに植設されたピン端子に、コイル端末リード線を巻きつけて接続する際に、接続部がコイル用ボビンのプリント基板などへの実装面より外側に突出して、実装した後にプリント基板から浮き上がったり、傾いたりしないようにすること。 - 特許庁

A thermal oxidation process is carried out in a dry atmosphere, whereby a silicon oxide film 161 of thickness 3 nm is formed on the surface of the first region 11a of the silicon board 11, and a silicon oxide film 171 of thickness 6 nm is formed on the surface of a second region 11b of the silicon board 11 where no nitrogen ions are implanted.例文帳に追加

乾燥雰囲気中で熱酸化を行い、第１の領域１１ａのシリコン基板１１の表面には厚さ３ｎｍのシリコン酸化膜１６_1 が形成され、窒素イオンが注入されていない第２の領域１１ｂには厚さ６ｎｍのシリコン酸化膜１７_1 が形成される。 - 特許庁

In between the bottom face 40 of the rigid member 31 and the bottom 22 of the sash body 21, a brush-like member 50 formed of a center shaft part 51 made of a wire extending in the longitudinal direction of the sash 20 and bristles 52 radically implanted in the center axial part 51 are provided.例文帳に追加

硬質部材３１の底面部４０とサッシ本体２１の底部２２の間には、セッティングブロック２３の設置されている部位を除いて、サッシ２０の長手方向に延びる針金製の中心軸部５１と、中心軸部５１に放射状に植設された毛５２とから成るブラシ状部材５０を備える。 - 特許庁