「implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(38ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, YAG laser is irradiated by the double pulse method in the implantation side so as to electrically activate the phosphorus implanted in the semiconductor substrate 1, and therewith to recover the crystal defects in the region from the irradiated plane by the laser ray to the depth corresponding to 5-30% of the whole thickness of the thinned wafer, thus making it a soft recovery.例文帳に追加

次いで、その注入面にダブルパルス法でＹＡＧレーザを照射し、半導体基板１の中に注入されたリンを電気的に活性化させるとともに、レーザ光の照射面から、薄板化されたウェハー全体の厚さの５〜３０％に相当する深さまでの領域の結晶欠陥を回復させて、ソフトリカバリーとする。 - 特許庁

To provide a device for intersomatic stabilization implanted with mini-invasive approach, inserted between two consecutive vertebras and designed to keep a predetermined space between them in the intersomatic stabilization device suitable for intervertebral reorganization in denatured discopathy and verterbral stable simultaneous restoration.例文帳に追加

変性椎間板症の状態で椎間の再構築及び脊椎安定性の同時修復に適した体内安定化装置に関し、２連続椎骨の間に挿入され、それらの間における所定の間隔を維持するように設計される微侵襲性アプローチでインプラント可能な体内安定化のための装置を提供する。 - 特許庁

Implanted catheters are locked with a solution comprising a lower alcohol, typically ethanol, propanol, or butanol, most preferably isopropanol, and an additive, the additive comprising an anti-microbial, typically taurolidine or triclosan, or an anti-coagulant, typically riboflavin, sodium citrate, ethylene diamine tetraacetic acid, or citric acid.例文帳に追加

挿入カテーテルが、低級アルコール、典型的にはエタノール、プロパノール、またはブタノール、最も好ましくはイソプロパノールと、添加剤とを含む溶液を用いてロックされ、添加剤は、抗菌剤、典型的にはタウロリジンおよびトリクロサン、または抗凝固剤、典型的にはリボフラビン、クエン酸ナトリウム、エチレンジアミンテトラ酢酸、およびクエン酸を含む。 - 特許庁

To provide a prosthesis structure that is highly reliable and soft, and can move from folded position where it can be implanted in artery to expanded position where functioning within artery, with simple and totally safe method for instance, and can be held at this expanded position with completely safe method.例文帳に追加

非常に信頼性が高く柔軟であると共に、たとえば容易で完全に安全な方法で、動脈に植え込むことができる折り畳み位置から、動脈内で機能する展開位置へ移動することができ、完全に安全な方法でこの展開位置に保持されることができるプロテーゼ構造体を提供すること。 - 特許庁

In the process for fabricating a semiconductor device by forming a shallow trench isolation (STI) 12 on a silicon substrate 11 and forming a gate insulation film covering the corner part of the STI 12 in a region isolated by the STI 12, fluorine ions are implanted into a gate electrode 15 and diffused to the gate insulation film 14.例文帳に追加

シリコン基板１１上にシャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）１２を形成し、このＳＴＩ１２で分離された領域にＳＴＩ１２のコーナー部を覆うゲート絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法であって、ゲート電極１５にフッ素イオンを注入し、該フッ素イオンをゲート絶縁膜１４に拡散させる。 - 特許庁

A p^+-type base region 108, n^+-type emitter region 109, a gate insulating film 110, a gate electrode film 111, an interlayer insulating film 112, p^+-type collector layer 113, and an emitter electrode film 114, are formed on an implanted substrate 102 on which n^--type drift layer 106 and n^+-type buffer layer 107 are formed.例文帳に追加

Ｎ^−型ドリフト層１０６及びＮ^＋型バッファ層１０７を形成した注入基板１０２に、Ｐ^＋型ベース領域１０８及びＮ^＋型エミッタ領域１０９、ゲート絶縁膜１１０、ゲート電極膜１１１、層間絶縁膜１１２、Ｐ^＋型コレクタ層１１３、エミッタ電極膜１１４を形成する。 - 特許庁

Then, as shown in Figure 2 (a), P-type impurity ions are implanted with an accelerating energy using the same photoresist layer 116 as a mask so as to penetrate through the first polysilicon layer 115b and the first oxide film 113 but not to penetrate through the second oxide film 114, by which a P-type resistive layer 118 of prescribed resistance is formed.例文帳に追加

次に、図２（ａ）に示すように、同一のホトレジスト層１１６をマスクとして、第１のポリシリコン層１１５ｂ及び第１の酸化膜１１３を貫通し、第２の酸化膜１１４を貫通しないような加速エネルギーで、ｐ型不純物をイオン注入し、所望の抵抗値のP型抵抗層１１８を形成する。 - 特許庁

In the implantation process, the impurity is implanted in at least one of the first conductivity type region and the second conductivity type region so that the first conductivity type region and the shared contact plug come into ohmic-contact with each other and the second conductivity type region and the shared contact plug come into ohmic-contact with each other.例文帳に追加

前記注入工程では、前記第１導電型領域と前記シェアードコンタクトプラグとがオーミック接触し、かつ前記第２導電型領域と前記シェアードコンタクトプラグとがオーミック接触するように、前記第１導電型領域および前記第２導電型領域の少なくとも一方に対して不純物を注入する。 - 特許庁

In the garbage disposal device comprising a rotary shaft with implanted stirring claws suspended in the treatment tank having a garbage charging aperture opened at the top, a fluid inlet and a fluid outlet are provided at both end parts of the hollow rotary shaft and a high-temperature fluid is circulated in the rotary shaft to heat the garbage stored in the treatment tank.例文帳に追加

生ゴミの投入口を上部に備える処理槽に、撹拌爪の植設された回転軸を懸架した生ゴミの処理装置において、回転軸を中空にして、その両端部に流体の入口と出口とを設け、高温の流体を回転軸の内部に流通させて、処理槽に収容された生ゴミを加熱する。 - 特許庁

After a process, in which a cobalt silicide film 8 which covers a source/drain diffusion layer region 7 as well as a gate electrode 4 of a polycrystal silicon is formed, there are provided process where an impurity ion is implanted in the region between the source/drain diffusion layer region and a channel region, which is thermally processed to form an SD extension 61.例文帳に追加

多結晶シリコンのゲート電極４及びソース・ドレイン拡散層領域を７覆うコバルトシリサイド膜８を形成する工程の後に、ソース・ドレイン拡散層領域とチャネル領域との間の領域に不純物イオンを注入してこれを熱処理してＳＤエクステンション６１を形成する工程を備える。 - 特許庁

In this composite underground wall, the stud 10 is implanted in a surface of a steel frame 3 being a core material of SMW 1 as a cast-in-place pile underground wall, and a reinforced concrete wall 2 is formed on its front side, and their cast-in-place pile underground wall and the reinforced concrete wall are integrated via the stud.例文帳に追加

本発明の合成地下壁は、柱列式地下壁としてのＳＭＷ１の芯材である鉄骨３の表面に上記のスタッド１０を植設し、その前面側に鉄筋コンクリート壁２を形成して、それら柱列式地下壁と鉄筋コンクリート壁とをスタッドを介して一体化したものである。 - 特許庁

Also, as the manufacturing method, the surface of the substrate including Si is irradiated with converged Ga ions or In ions, the Ga ions or In ions are implanted while shaving the surface of the substrate, a layer including the Ga or In is formed on the surface of the substrate, and dry etching is performed using the layer including the Ga or In as an etching mask.例文帳に追加

また、その製造方法として、前記Ｓｉを含む基板の表面に集束したＧａイオン又はＩｎイオンを照射して、該基板の表面を削りながらＧａイオン又はＩｎイオンを注入し、該基板の表面にＧａ又はＩｎを含む層を形成し、これをエッチングマスクとしてドライエッチングする方法を構成する。 - 特許庁

The system has a high frequency quadrupole accelerator 7 which accelerates ion beams 10a generated by an ion source and after the ion beams 10a accelerated by the quadrupole accelerator 7 are implanted to a substrate 11, the thin film is separated from the substrate 11 by generating a hydrogen layer in the substrate by heating the substrate 11.例文帳に追加

イオン源により生成されたイオンビーム１０ａを加速する高周波４重極加速器７を有し、高周波４重極加速器７によって加速されたイオンビーム１０ａを基板１１に注入した後、基板１１を加熱することにより基板内部に水素層を形成させて薄膜を基板から剥離させる。 - 特許庁

A memory cell is formed of a single MOS transistor, wherein an ion implantation stop film 7 is formed outside the channel region of the MOS transistor, and code ions are implanted into the channel region of a prescribed MOS transistor by the use of an ion implantation mask that includes the ion implantation stop film 7 to set the MOS transistor at a prescribed threshold value.例文帳に追加

１個のＭＯＳトランジスタで構成されるメモリセルにおいて、ＭＯＳトランジスタのチャネル領域外にイオン注入阻止膜が形成され、このイオン注入阻止膜を含むイオン注入マスクでもって所定のＭＯＳトランジスタのチャネル領域にコードイオン注入がなされ所定のトランジスタしきい値に設定される。 - 特許庁

However, since the electrons es2 of reverse spin implanted into the semiconductor SM each have electric charges, the potential of the semiconductor SM deteriorates, the thickness of a potential barrier PB formed based on a Schottky contact SJ between the source S and the semiconductor SM increases and electrons hardly flows from the source S to the semiconductor SM.例文帳に追加

しかしながら、半導体ＳＭ内への注入された逆向きスピンの電子ｅｓ２は、電荷を有しているので、半導体ＳＭの電位が低下し、ソースＳと半導体ＳＭとの間のショットキ接触ＳＪによって形成されたポテンシャル障壁ＰＢの厚みが増加し、ソースＳから半導体ＳＭ内に電子が流れ込みにくくなる。 - 特許庁

The standard sample is produced by steps of: forming an ion implantation layer 2 by ion-implanting In or Ga to a silicon substrate 1; and forming a redistribution layer 4 by accumulating ion-implanted In or Ga in a neighborhood of the surface of the silicon substrate 1 by irradiating the silicon substrate 1 with an oxygen ion 3.例文帳に追加

本標準試料は、シリコン基板１にＩｎ又はＧａをイオン注入してイオン注入層２を形成する工程と、シリコン基板１に酸素イオン３を照射して、イオン注入された前記Ｉｎ又はＧａをシリコン基板１の表面近傍に集積させて再分布層４を形成する工程とを有することで製造される。 - 特許庁

To provide: a method of manufacturing a film, which can largely change the implanted ion amount at the boundaries between the areas covered by the masks preventing ion implantation and other areas; a magnetic recording medium including the magnetic films made by the manufacturing method; and an information recording apparatus using such a magnetic recording medium.例文帳に追加

イオン注入を阻害するマスクで覆われている箇所と他の箇所との境界でのイオン注入量の分布において高い急峻さが得られる膜製造方法と、その膜製造方法を利用して磁性材料の膜が形成された磁気記憶媒体と、そのような磁気記憶媒体が搭載された情報記憶装置とを提供する。 - 特許庁

When forming a sensor region by n-type ion implantation onto a silicon substrate and then providing an HAD structure by p-type ion implantation onto a surface of the sensor region, the step of p-type ion implantation is divided into multiple times and before or after sidewall formation of a transfer gate electrode, a p-type ion is implanted into the gate electrode by self-alignment with an approximately half concentration.例文帳に追加

シリコン基板にｎ型イオン注入でセンサ領域を形成後、センサ領域の表面にｐ型イオンを注入してＨＡＤ化を行う際に、ｐ型のイオン注入の工程を複数回に分け、転送ゲート電極のサイドウォール形成前後に、それぞれ約半分程度の濃度でｐ型イオンをゲート電極にセルフアラインで注入する。 - 特許庁

A gate insulating film 4 is formed so as to extend from the interior of the trench 8 to the surface of the p-base 2 of the semiconductor substrate by a thermal process, and also impurity ions of high concentration implanted to the front layer of the p-base 2 and the bottom part of the trench 8 are activated to form a source region 3 and a well region 10 at the same time.例文帳に追加

そして、熱処理によってトレンチ８内部から半導体基板のｐベース２表面にまで延在するようにゲート絶縁膜４を形成するとともに、ｐベース２の表層およびトレンチ８底部に注入された高濃度の不純物イオンを活性化させてソース領域３およびウェル領域１０を同時に形成するものである。 - 特許庁

To unnecessitate the change of a program for the operation of a hierarchical directory, which is required in a conventional manner, when the program which is operated in a computer system having the hierarchical directory and which includes API using the hierarchical directory is implanted onto a computer not having the hierarchical directory, and moreover, to operate even an existing file by the similar API.例文帳に追加

階層ディレクトリを持つ計算機システム上で動作する、階層ディレクトリを使用するＡＰＩを含むプログラムを、階層ディレクトリを持たない計算機上に移植する場合、従来必要であった階層ディレクトリを操作する箇所のプログラムの変更を不要にし、さらに、既存のファイルについても同様なＡＰＩで操作可能とすることを目的とする。 - 特許庁

In this washing brush 1, a fluid is supplied to a brush body 5 implanted with a number of brush bristles 7 on the outer surface thereof from inside, the brush body 5 is rotated by the fluid, and the fluid is discharged to the outer surface of the brush body 5 through a fluid passage 6 formed in the brush body 5.例文帳に追加

この発明の洗浄用ブラシ１は、外表面に多数のブラシ毛７…を植毛したブラシ本体５に内側から流体を供給し、その流体でブラシ本体５を回転させるとともに、その流体をブラシ本体５に形成した流体通路６を介してブラシ本体５の外表面に排出するようにした、ことを特徴としている。 - 特許庁

The semiconductor crystal 10 and a second substrate 30 are laminated to each other, and shock is applied from the outside in this state to separate the density region 12 of the semiconductor crystal 10 along the implanted layer 13, and an uppermost surface layer 12b of the density region 12 is transferred (peeled) onto the second substrate 30.例文帳に追加

窒化物系半導体結晶１０と第２の基板３０とを貼り合わせ、この状態で外部から衝撃を付与して水素イオン注入層１３に沿って窒化物系半導体結晶１０の低転位密度領域１２を分離して低転位密度領域１２の表層部１２ｂを第２の基板３０上に転写（剥離）する。 - 特許庁

To provide a method for patterning on the surface of a rock wool board which can be continuously produced with a novel surface appearance, capable of forming stripe-like grooves on a surface of the rock wool board and thereafter continuously forming a rugged pattern by a patterning roll having pins implanted to a stripe-like rugged part or a patterning roll having protruding parts.例文帳に追加

ロックウール基板の表面にストライプ状の凹溝を切削加工で形成し、その後でストライプ状の凹凸部にピンを植設した模様付けロールや突起部を有する模様付けロールで連続的に凹凸模様を形成することができる新規表面外観を有する連続的に生産可能なロックウールボードの表面模様付け方法を提供することにある。 - 特許庁

A trench is formed in the major surface of a semiconductor substrate, impurities are implanted into the bottom of the trench, an insulating film is formed at least on the inner surface of the trench, a conductive film is formed on the entire surface of the semiconductor substrate including the interior of the trench, and then the conductive film is patterned corresponding to the trench thus forming a semiconductor device having a trench structure.例文帳に追加

半導体基板の主面にトレンチを形成し、トレンチの底部に不純物を注入し、少なくとも前記トレンチの内表面に絶縁膜を形成し、前記トレンチの内部を含む半導体基板の全面に導電膜を形成し、導電膜を前記トレンチに対応してパターニングして、トレンチ構造を有する半導体装置を形成する。 - 特許庁

Since the lateral extent of the implanted boron becomes broader as the range becomes longer, the concentration and width of the area 3a are made uniform in the vertical direction by controlling the width of the boron ion emitting area, so that the area becomes narrower as the acceleration energy becomes higher and the range of boron becomes longer.例文帳に追加

また、Ｐ^+型シリコンインゴットにコリメートされた中性子線を選択的に照射することにより、中性子線の入射方向に沿ってＰ^+型シリコンインゴット中に一様な幅と濃度を有するＮ^+型導電性領域を形成することにより、高精度なスーパージャンクションを備える低損失電力用半導体装置の製造方法を提供することができる。 - 特許庁

Because the particles of a film material composed essentially of ZnO and containing compounds of group III elements, such as Al2O3, are ionized with high efficiency and implanted in a film by optimum kinetic energy, the surface migration of the group III impurity elements, such as Al, can be accelerated and the dispersion of the impurity elements can be performed more uniformly as compared with that by the other methods.例文帳に追加

ＺｎＯを主成分としＡｌ_２Ｏ_３等の３族元素を含有する膜材料粒子が高効率でイオン化し、膜中に最適な運動エネルギーで打ち込まれるので、Ａｌ等の３族不純物元素の表面マイグレーションが促進され、他の方法に比べてより均一に不純物元素を分散させることできる。 - 特許庁

Therefore, the hair bundles implanted in the implant holes look slightly loose and widened on the head surface, with their tips mingling with each other, thus showing less space between adjacent hair bundles compared with those in conventional brushes.例文帳に追加

このような構成のブラシとした場合、隔壁の高さがヘッド部表面よりも低いため、植毛孔に植毛された毛束が若干外側に拡がった状態となり、隔壁を隔てて隣り合う植毛孔に植毛された毛束同士の毛束先端がお互いに交わって重なった状態となり、従来のように隣り合う毛束同士の間に隙間が生じることがなくなる。 - 特許庁

In the method of forming the metal silicide layer by which the metal silicide layer is formed by allowing a silicon-containing layer and a metal layer formed on its top to react with each other, impurities of an amount which suppresses spreading of metal are implanted to the silicon-containing layer to form the metal silicide layer at the top of the silicon-containing layer.例文帳に追加

本発明では、シリコン含有層とその上部に形成した金属層を反応させることによって金属シリサイド層を形成する金属シリサイド層の形成方法において、前記シリコン含有層に金属の拡散を抑制する量の不純物を注入することによって前記シリコン含有層の上部に金属シリサイド層を形成することにした。 - 特許庁

The semiconductor wafer W includes a thin film formed on a rear face of a surface to which the ion is implanted, and a first cleaning solution that can etch the thin film is fed only to the rear face by a first cleaning solution feeding means 20, and simultaneously a ultrasonic wave is applied to the first cleaning solution.例文帳に追加

本発明は、イオン注入された面の裏面に薄膜が形成されている半導体ウェハＷの前記裏面のみに対し、前記薄膜をエッチングすることのできる第１の洗浄液を第１の洗浄液供給手段２０によって供給し、同時に第１の洗浄液に超音波を印加することを特徴としている。 - 特許庁

The humeral portion of the shoulder joint prosthesis includes a certain diaphysial part constituted to be fixed in the certain humerus, a certain metaphyseal part constituted to be removably implanted in the metaphysis of the humerus, and a certain connecting mechanism which removably connects these two parts.例文帳に追加

本発明の肩関節プロテーゼの上腕骨部分は一定の上腕骨内に固定するように構成されている一定の骨幹部品、上記上腕骨の骨幹端部内に除去可能に移植するように構成されている一定の骨幹端部品、およびこれら２個の部品を除去可能に係合するための一定の係合機構を備えている。 - 特許庁

While a semiconductor wafer W in which a carbon thin film 12 is formed on a surface of a silicon substrate 11 implanted with impurities is preheated, its surface is supplied with an oxygen gas more at a peripheral edge portion than at a center portion to perform processing such that a film thickness of the carbon thin film 12 decreases from the center portion to the peripheral edge portion.例文帳に追加

不純物が注入されたシリコン基板１１の表面に炭素の薄膜１２を形成してなる半導体ウェハーＷを予備加熱しつつ、その表面に中心部よりも周縁部に多量の酸素ガスを供給することによって、炭素の薄膜１２の膜厚が中心部から周縁部に向けて薄くなるような加工を行う。 - 特許庁

To provide a medicine for a transplant patient to which an immunosuppressant is administered for a long time, wherein the medicine inhibits gradual fibrosing of an implanted organ to induce organ dysfunction, and to provide an immunological tolerance acquiring agent for a patient to acquire immunological tolerance to organ rejection when the patient, who is a recipient, is provided with an organ from a donor.例文帳に追加

免疫抑制剤を長期投与している臓器移植患者において、移植臓器が漸次線維化し、臓器不全を誘発するのを抑制する薬剤、及び臓器を提供するドナーの臓器を患者であるレシピエントに提供した時に、臓器拒絶反応に対する免疫寛容を患者が獲得し得る免疫寛容獲得剤に関する - 特許庁

The electrostimulator to be implanted inside the living body through a tubular lead-in tool includes: a stimulation circuit block including the stimulation electrode for stimulating nerves or muscles in the living body and an electronic circuit which is electrically connected to the stimulation electrode and applies a stimulation signal to the stimulation electrode; and a cuttable support body arranged at one end of the stimulation circuit block.例文帳に追加

管状導入具を介して生体内に植え込まれる電気刺激装置であって、生体内の神経または筋肉を刺激する刺激電極と、該刺激電極と電気的に接続されて刺激信号を刺激電極に印加する電子回路とを有する刺激回路ブロックと、該刺激回路ブロックの一端に配置された切断可能な支持体と、を有する。 - 特許庁

A fur brush comprises a first conductive thread having a conductive structure with resistance increasing by use and a second conductive thread having a conductive structure with little resistance by use or with resistance decreasing by use, and the plurality of first and second conductive threads are implanted on a base material, respectively.例文帳に追加

使用によって抵抗が上昇する導電構造を有する第一の導電糸と、使用による抵抗の変化が少ないか又は使用によって抵抗が減少する導電構造を有する第二の導電糸とからなり、当該第一及び第二の導電糸が、それぞれ複数本基材に植設されてなることを特徴している。 - 特許庁

The manufacturing method of the SiC semiconductor device includes a process in which a dopant is ion-implanted on at least a part of the surface of SiC monocrystal, a process in which an Si film is formed on the surface of the SiC monocrystal after ion implantation, and a process in which the SiC monocrystal on which the Si film is formed is heated at the melting temperature of the Si film or higher.例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶の表面の少なくとも一部にドーパントをイオン注入する工程と、イオン注入後のＳｉＣ単結晶の表面上にＳｉ膜を形成する工程と、Ｓｉ膜が形成されたＳｉＣ単結晶をＳｉ膜の溶融温度以上の温度に加熱する工程と、を含む、ＳｉＣ半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

The light absorption plate is constituted in such a manner that black short fibers are implanted in high density via an adhesive layer on one surface of a synthetic resin or metal made flat plate having a desired shape to form a flocked surface and the light absorption plate exhibits light absorption function, thereby the light absorption plate absorbs the light emitted on the flocked surface to prevent reflection.例文帳に追加

光吸収板は、合成樹脂或いは金属から成る所望形状の平板の一方面に、接着剤層を介在して黒色短繊維を静電植毛法によって濃密度に植毛して植毛面を形成し、光吸収機能を発揮するように構成することで、植毛面に照射される光を吸収して反射を防止する。 - 特許庁

Further, a state of energization between a measuring electrode 7a and an implanted electrode 15 embedded in the impervious sheet 3a in order to detect breakage of a sheet body 16 comprised of the impervious sheet 3a and having water-sealing performance is measured by a corrosion resistance measuring box 10 and the measuring result is supervised by using a supervision box 11.例文帳に追加

そして、この遮水シート３ａを構成する遮水性を有するシート体１６の破損を検知するために、測定用電極７ａと遮水シート３ａ内に埋設された埋込電極１５との間の通電状態が耐食性測定ボックス１０により測定され、この測定結果が監視用ボックス１１を用いて監視される。 - 特許庁

Respective products of the weight of each blade in the arrangement around the turbine disk D with a sine function and a cosine function in the arrangement of the blades are found, base end parts of the blades implanted in positions 1, 13, 25, 37 in the direction X and direction Y are corrected on the basis of the sum total of the respective products to counteract a vector V of residual unbalance.例文帳に追加

そして、タービンディスクＤの周回りの配置における各ブレードの重量とそのブレードの配置における正弦関数、余弦関数とのそれぞれ積を求め、各積の総和によってＸ方向およびＹ方向の位置１、１３、２５、３７に植え込まれるブレードの基端部を修正して残留アンバランスのベクトルＶを打消す。 - 特許庁

When the SiO_2 film 102 and a Zr implantation layer 103 are annealed subsequently, Zr ions implanted into the Zr implantation layer 103 are diffused and the SiO_2 film 102 and the Zr implantation layer 103 are entirely varied to produce a dielectric film 106 of Zr-Si-O (silicate) having a high dielectric constant.例文帳に追加

その後、ＳｉＯ_2 膜１０２及びＺｒ注入層１０３のアニール処理を行なうことにより、Ｚｒ注入層１０３内において注入されたＺｒが拡散して、ＳｉＯ_2 膜１０２及びＺｒ注入層１０３全体が、Ｚｒ−Ｓｉ−Ｏ（シリケート）からなる比誘電率の高い高誘電体膜１０６に変化する。 - 特許庁

Therefore, by performing ion implantation using a mask 180 in a second ion implantation process, an impurity ion is implanted into a region including the defective portion where the width of the offset region 114 is enlarged, to form the hole storage region 113 including a protruding region 113A to the transfer electrode 160A, 160B sides.例文帳に追加

そこで、第２のイオン注入工程によってマスク１８０を用いたイオン注入を行うことにより、オフセット領域１１４の幅が大きくなった欠損部分を含む領域に不純物イオンを注入し、転送電極１６０Ａ、１６０Ｂ側へのはみ出し領域１１３Ａを有する正孔蓄積領域１１３を形成する。 - 特許庁

The toothbrush has bristles 2 bunched in sets 1 each with a melted, swelling base implanted in a head implantation surface via a thermal fusion or in-mold process.例文帳に追加

複数本の刷毛を束ねた毛束の基端部を溶融して肥大を形成し、該肥大部をヘッド部植毛面に熱融着法またはインモールド法によって植毛した歯ブラシにおいて、前記植毛された毛束のうち、少なくとも一部の毛束１について、毛束１を構成する刷毛２の本数が２本以上、かつ、２０本以内であって、下記の数式（１）を満足する本数Ｙに設定する。 - 特許庁

The method includes a step of forming a trench in a semiconductor substrate, a step of carrying out ion implantation process for preventing impurities implanted in order to adjust a threshold voltage from diffusing, a step of carrying out ion implantation process using an inert gas in the fluorine (F) series in the trench, and a step of forming an element isolation film for trench embedding.例文帳に追加

半導体基板内にトレンチを形成する段階、しきい値電圧の調節のために注入された不純物の拡散防止のイオン注入工程を実施する段階、トレンチ内にフルオリン(Fluorine; F)系列の不活性ガスを用いたイオン注入工程を実施する段階、およびトレンチを埋め込む素子分離膜を形成する段階を含む。 - 特許庁

It is considered that ions do not reach a region 26 just under the edge 23 at a glance because the edge 23 of the electric-field control plate 22 is overhung, but ions creeps and are implanted in the region 26 by a deformation so that an equipotential surface is pulled actually to the underside of the electric-field control plate 22 along the edge 23.例文帳に追加

電界制御板２２の縁２３がオーバーハングしているため、一見すると縁２３の直下の領域２６にはイオンが到達しないようにも思われるが、実際には縁２３に沿って電界制御板２２の下面側に等電位面が引き込まれるように変形することにより、領域２６にイオンが回り込んで入射する。 - 特許庁

The impurities are made by electroplating copper after copper seed is deposited on inside the holding place and ion is implanted, or by electrodepositing the copper composition including the impurities and diffusing the impurities inside the copper seed layer after the copper layer is deposited, or by implanting dopant ion after the deposition of a barrier layer and then depositing the copper seed layer.例文帳に追加

不純物は、銅シード層を収容箇所内に付着してイオン注入してから銅を電気メッキすること、銅シード層の付着後に、不純物を含む銅組成を電着し不純物を銅シード層内に拡散すること、又はバリア層の付着後にドーパント・イオンを注入し、次いで銅シード層を付着することにより行われる。 - 特許庁

This simple pencil 1 has a lead 3 implanted at the lower part of a main body barrel 2, on the upper surface 6 of which a barrel body 7 is fitted upright and a return protrusion 8 jutting out in the barrel diametral direction of the barrel body 7.例文帳に追加

簡易鉛筆１は、本体軸部２の下部に鉛筆芯３を植設した簡易鉛筆であって、本体軸部２の上面６に軸体７を立設し、軸体７に軸径方向外向きに突出した返し突起８を設け、消しゴム４の下面１０に形成した竪穴１１に軸体７および返し突起８を挿入して消しゴム４を本体軸部２に固定したものである。 - 特許庁