「implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(38ページ目) - Weblio英語例文検索

With a pin threading plate 35 corresponding to a type of a printed board P set in frame wiring 41, and this frame wiring 41 position-fixed to a movable shoot 20 and fixable shoot 21 of a positioning section; back-up pins 30 are implanted to a back-up base 31 through multiple threading holes set up in the pin threading plate 35.例文帳に追加

プリント基板Ｐの種類に対応したピン挿通用板体３５を支持枠体４１にセットし、この支持枠体４１を位置決め部の可動シュート２０及び固定シュート２１に位置決め固定した状態で、ピン挿通用板体３５に開設された複数の挿通孔を介してバックアップピン３０をバックアップベース３１に植設する。 - 特許庁

To provide a device for intersomatic stabilization implanted with mini-invasive approach, inserted between two consecutive vertebras and designed to keep a predetermined space between them in the intersomatic stabilization device suitable for intervertebral reorganization in denatured discopathy and verterbral stable simultaneous restoration.例文帳に追加

変性椎間板症の状態で椎間の再構築及び脊椎安定性の同時修復に適した体内安定化装置に関し、２連続椎骨の間に挿入され、それらの間における所定の間隔を維持するように設計される微侵襲性アプローチでインプラント可能な体内安定化のための装置を提供する。 - 特許庁

Implanted catheters are locked with a solution comprising a lower alcohol, typically ethanol, propanol, or butanol, most preferably isopropanol, and an additive, the additive comprising an anti-microbial, typically taurolidine or triclosan, or an anti-coagulant, typically riboflavin, sodium citrate, ethylene diamine tetraacetic acid, or citric acid.例文帳に追加

挿入カテーテルが、低級アルコール、典型的にはエタノール、プロパノール、またはブタノール、最も好ましくはイソプロパノールと、添加剤とを含む溶液を用いてロックされ、添加剤は、抗菌剤、典型的にはタウロリジンおよびトリクロサン、または抗凝固剤、典型的にはリボフラビン、クエン酸ナトリウム、エチレンジアミンテトラ酢酸、およびクエン酸を含む。 - 特許庁

To provide a prosthesis structure that is highly reliable and soft, and can move from folded position where it can be implanted in artery to expanded position where functioning within artery, with simple and totally safe method for instance, and can be held at this expanded position with completely safe method.例文帳に追加

非常に信頼性が高く柔軟であると共に、たとえば容易で完全に安全な方法で、動脈に植え込むことができる折り畳み位置から、動脈内で機能する展開位置へ移動することができ、完全に安全な方法でこの展開位置に保持されることができるプロテーゼ構造体を提供すること。 - 特許庁

In the process for fabricating a semiconductor device by forming a shallow trench isolation (STI) 12 on a silicon substrate 11 and forming a gate insulation film covering the corner part of the STI 12 in a region isolated by the STI 12, fluorine ions are implanted into a gate electrode 15 and diffused to the gate insulation film 14.例文帳に追加

シリコン基板１１上にシャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）１２を形成し、このＳＴＩ１２で分離された領域にＳＴＩ１２のコーナー部を覆うゲート絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法であって、ゲート電極１５にフッ素イオンを注入し、該フッ素イオンをゲート絶縁膜１４に拡散させる。 - 特許庁

A p^+-type base region 108, n^+-type emitter region 109, a gate insulating film 110, a gate electrode film 111, an interlayer insulating film 112, p^+-type collector layer 113, and an emitter electrode film 114, are formed on an implanted substrate 102 on which n^--type drift layer 106 and n^+-type buffer layer 107 are formed.例文帳に追加

Ｎ^−型ドリフト層１０６及びＮ^＋型バッファ層１０７を形成した注入基板１０２に、Ｐ^＋型ベース領域１０８及びＮ^＋型エミッタ領域１０９、ゲート絶縁膜１１０、ゲート電極膜１１１、層間絶縁膜１１２、Ｐ^＋型コレクタ層１１３、エミッタ電極膜１１４を形成する。 - 特許庁

Then, as shown in Figure 2 (a), P-type impurity ions are implanted with an accelerating energy using the same photoresist layer 116 as a mask so as to penetrate through the first polysilicon layer 115b and the first oxide film 113 but not to penetrate through the second oxide film 114, by which a P-type resistive layer 118 of prescribed resistance is formed.例文帳に追加

次に、図２（ａ）に示すように、同一のホトレジスト層１１６をマスクとして、第１のポリシリコン層１１５ｂ及び第１の酸化膜１１３を貫通し、第２の酸化膜１１４を貫通しないような加速エネルギーで、ｐ型不純物をイオン注入し、所望の抵抗値のP型抵抗層１１８を形成する。 - 特許庁

In the implantation process, the impurity is implanted in at least one of the first conductivity type region and the second conductivity type region so that the first conductivity type region and the shared contact plug come into ohmic-contact with each other and the second conductivity type region and the shared contact plug come into ohmic-contact with each other.例文帳に追加

前記注入工程では、前記第１導電型領域と前記シェアードコンタクトプラグとがオーミック接触し、かつ前記第２導電型領域と前記シェアードコンタクトプラグとがオーミック接触するように、前記第１導電型領域および前記第２導電型領域の少なくとも一方に対して不純物を注入する。 - 特許庁

In the garbage disposal device comprising a rotary shaft with implanted stirring claws suspended in the treatment tank having a garbage charging aperture opened at the top, a fluid inlet and a fluid outlet are provided at both end parts of the hollow rotary shaft and a high-temperature fluid is circulated in the rotary shaft to heat the garbage stored in the treatment tank.例文帳に追加

生ゴミの投入口を上部に備える処理槽に、撹拌爪の植設された回転軸を懸架した生ゴミの処理装置において、回転軸を中空にして、その両端部に流体の入口と出口とを設け、高温の流体を回転軸の内部に流通させて、処理槽に収容された生ゴミを加熱する。 - 特許庁

After a process, in which a cobalt silicide film 8 which covers a source/drain diffusion layer region 7 as well as a gate electrode 4 of a polycrystal silicon is formed, there are provided process where an impurity ion is implanted in the region between the source/drain diffusion layer region and a channel region, which is thermally processed to form an SD extension 61.例文帳に追加

多結晶シリコンのゲート電極４及びソース・ドレイン拡散層領域を７覆うコバルトシリサイド膜８を形成する工程の後に、ソース・ドレイン拡散層領域とチャネル領域との間の領域に不純物イオンを注入してこれを熱処理してＳＤエクステンション６１を形成する工程を備える。 - 特許庁

In this composite underground wall, the stud 10 is implanted in a surface of a steel frame 3 being a core material of SMW 1 as a cast-in-place pile underground wall, and a reinforced concrete wall 2 is formed on its front side, and their cast-in-place pile underground wall and the reinforced concrete wall are integrated via the stud.例文帳に追加

本発明の合成地下壁は、柱列式地下壁としてのＳＭＷ１の芯材である鉄骨３の表面に上記のスタッド１０を植設し、その前面側に鉄筋コンクリート壁２を形成して、それら柱列式地下壁と鉄筋コンクリート壁とをスタッドを介して一体化したものである。 - 特許庁

Also, as the manufacturing method, the surface of the substrate including Si is irradiated with converged Ga ions or In ions, the Ga ions or In ions are implanted while shaving the surface of the substrate, a layer including the Ga or In is formed on the surface of the substrate, and dry etching is performed using the layer including the Ga or In as an etching mask.例文帳に追加

また、その製造方法として、前記Ｓｉを含む基板の表面に集束したＧａイオン又はＩｎイオンを照射して、該基板の表面を削りながらＧａイオン又はＩｎイオンを注入し、該基板の表面にＧａ又はＩｎを含む層を形成し、これをエッチングマスクとしてドライエッチングする方法を構成する。 - 特許庁

The system has a high frequency quadrupole accelerator 7 which accelerates ion beams 10a generated by an ion source and after the ion beams 10a accelerated by the quadrupole accelerator 7 are implanted to a substrate 11, the thin film is separated from the substrate 11 by generating a hydrogen layer in the substrate by heating the substrate 11.例文帳に追加

イオン源により生成されたイオンビーム１０ａを加速する高周波４重極加速器７を有し、高周波４重極加速器７によって加速されたイオンビーム１０ａを基板１１に注入した後、基板１１を加熱することにより基板内部に水素層を形成させて薄膜を基板から剥離させる。 - 特許庁

A memory cell is formed of a single MOS transistor, wherein an ion implantation stop film 7 is formed outside the channel region of the MOS transistor, and code ions are implanted into the channel region of a prescribed MOS transistor by the use of an ion implantation mask that includes the ion implantation stop film 7 to set the MOS transistor at a prescribed threshold value.例文帳に追加

１個のＭＯＳトランジスタで構成されるメモリセルにおいて、ＭＯＳトランジスタのチャネル領域外にイオン注入阻止膜が形成され、このイオン注入阻止膜を含むイオン注入マスクでもって所定のＭＯＳトランジスタのチャネル領域にコードイオン注入がなされ所定のトランジスタしきい値に設定される。 - 特許庁

When the SiO_2 film 102 and a Zr implantation layer 103 are annealed subsequently, Zr ions implanted into the Zr implantation layer 103 are diffused and the SiO_2 film 102 and the Zr implantation layer 103 are entirely varied to produce a dielectric film 106 of Zr-Si-O (silicate) having a high dielectric constant.例文帳に追加

その後、ＳｉＯ_2 膜１０２及びＺｒ注入層１０３のアニール処理を行なうことにより、Ｚｒ注入層１０３内において注入されたＺｒが拡散して、ＳｉＯ_2 膜１０２及びＺｒ注入層１０３全体が、Ｚｒ−Ｓｉ−Ｏ（シリケート）からなる比誘電率の高い高誘電体膜１０６に変化する。 - 特許庁

Therefore, by performing ion implantation using a mask 180 in a second ion implantation process, an impurity ion is implanted into a region including the defective portion where the width of the offset region 114 is enlarged, to form the hole storage region 113 including a protruding region 113A to the transfer electrode 160A, 160B sides.例文帳に追加

そこで、第２のイオン注入工程によってマスク１８０を用いたイオン注入を行うことにより、オフセット領域１１４の幅が大きくなった欠損部分を含む領域に不純物イオンを注入し、転送電極１６０Ａ、１６０Ｂ側へのはみ出し領域１１３Ａを有する正孔蓄積領域１１３を形成する。 - 特許庁

The toothbrush has bristles 2 bunched in sets 1 each with a melted, swelling base implanted in a head implantation surface via a thermal fusion or in-mold process.例文帳に追加

複数本の刷毛を束ねた毛束の基端部を溶融して肥大を形成し、該肥大部をヘッド部植毛面に熱融着法またはインモールド法によって植毛した歯ブラシにおいて、前記植毛された毛束のうち、少なくとも一部の毛束１について、毛束１を構成する刷毛２の本数が２本以上、かつ、２０本以内であって、下記の数式（１）を満足する本数Ｙに設定する。 - 特許庁

In the method of forming the metal silicide layer by which the metal silicide layer is formed by allowing a silicon-containing layer and a metal layer formed on its top to react with each other, impurities of an amount which suppresses spreading of metal are implanted to the silicon-containing layer to form the metal silicide layer at the top of the silicon-containing layer.例文帳に追加

本発明では、シリコン含有層とその上部に形成した金属層を反応させることによって金属シリサイド層を形成する金属シリサイド層の形成方法において、前記シリコン含有層に金属の拡散を抑制する量の不純物を注入することによって前記シリコン含有層の上部に金属シリサイド層を形成することにした。 - 特許庁

The semiconductor wafer W includes a thin film formed on a rear face of a surface to which the ion is implanted, and a first cleaning solution that can etch the thin film is fed only to the rear face by a first cleaning solution feeding means 20, and simultaneously a ultrasonic wave is applied to the first cleaning solution.例文帳に追加

本発明は、イオン注入された面の裏面に薄膜が形成されている半導体ウェハＷの前記裏面のみに対し、前記薄膜をエッチングすることのできる第１の洗浄液を第１の洗浄液供給手段２０によって供給し、同時に第１の洗浄液に超音波を印加することを特徴としている。 - 特許庁

However, since the electrons es2 of reverse spin implanted into the semiconductor SM each have electric charges, the potential of the semiconductor SM deteriorates, the thickness of a potential barrier PB formed based on a Schottky contact SJ between the source S and the semiconductor SM increases and electrons hardly flows from the source S to the semiconductor SM.例文帳に追加

しかしながら、半導体ＳＭ内への注入された逆向きスピンの電子ｅｓ２は、電荷を有しているので、半導体ＳＭの電位が低下し、ソースＳと半導体ＳＭとの間のショットキ接触ＳＪによって形成されたポテンシャル障壁ＰＢの厚みが増加し、ソースＳから半導体ＳＭ内に電子が流れ込みにくくなる。 - 特許庁

To provide: a method of manufacturing a film, which can largely change the implanted ion amount at the boundaries between the areas covered by the masks preventing ion implantation and other areas; a magnetic recording medium including the magnetic films made by the manufacturing method; and an information recording apparatus using such a magnetic recording medium.例文帳に追加

イオン注入を阻害するマスクで覆われている箇所と他の箇所との境界でのイオン注入量の分布において高い急峻さが得られる膜製造方法と、その膜製造方法を利用して磁性材料の膜が形成された磁気記憶媒体と、そのような磁気記憶媒体が搭載された情報記憶装置とを提供する。 - 特許庁

When forming a sensor region by n-type ion implantation onto a silicon substrate and then providing an HAD structure by p-type ion implantation onto a surface of the sensor region, the step of p-type ion implantation is divided into multiple times and before or after sidewall formation of a transfer gate electrode, a p-type ion is implanted into the gate electrode by self-alignment with an approximately half concentration.例文帳に追加

シリコン基板にｎ型イオン注入でセンサ領域を形成後、センサ領域の表面にｐ型イオンを注入してＨＡＤ化を行う際に、ｐ型のイオン注入の工程を複数回に分け、転送ゲート電極のサイドウォール形成前後に、それぞれ約半分程度の濃度でｐ型イオンをゲート電極にセルフアラインで注入する。 - 特許庁

A gate insulating film 4 is formed so as to extend from the interior of the trench 8 to the surface of the p-base 2 of the semiconductor substrate by a thermal process, and also impurity ions of high concentration implanted to the front layer of the p-base 2 and the bottom part of the trench 8 are activated to form a source region 3 and a well region 10 at the same time.例文帳に追加

そして、熱処理によってトレンチ８内部から半導体基板のｐベース２表面にまで延在するようにゲート絶縁膜４を形成するとともに、ｐベース２の表層およびトレンチ８底部に注入された高濃度の不純物イオンを活性化させてソース領域３およびウェル領域１０を同時に形成するものである。 - 特許庁

The light absorption plate is constituted in such a manner that black short fibers are implanted in high density via an adhesive layer on one surface of a synthetic resin or metal made flat plate having a desired shape to form a flocked surface and the light absorption plate exhibits light absorption function, thereby the light absorption plate absorbs the light emitted on the flocked surface to prevent reflection.例文帳に追加

光吸収板は、合成樹脂或いは金属から成る所望形状の平板の一方面に、接着剤層を介在して黒色短繊維を静電植毛法によって濃密度に植毛して植毛面を形成し、光吸収機能を発揮するように構成することで、植毛面に照射される光を吸収して反射を防止する。 - 特許庁

While a semiconductor wafer W in which a carbon thin film 12 is formed on a surface of a silicon substrate 11 implanted with impurities is preheated, its surface is supplied with an oxygen gas more at a peripheral edge portion than at a center portion to perform processing such that a film thickness of the carbon thin film 12 decreases from the center portion to the peripheral edge portion.例文帳に追加

不純物が注入されたシリコン基板１１の表面に炭素の薄膜１２を形成してなる半導体ウェハーＷを予備加熱しつつ、その表面に中心部よりも周縁部に多量の酸素ガスを供給することによって、炭素の薄膜１２の膜厚が中心部から周縁部に向けて薄くなるような加工を行う。 - 特許庁

To provide a medicine for a transplant patient to which an immunosuppressant is administered for a long time, wherein the medicine inhibits gradual fibrosing of an implanted organ to induce organ dysfunction, and to provide an immunological tolerance acquiring agent for a patient to acquire immunological tolerance to organ rejection when the patient, who is a recipient, is provided with an organ from a donor.例文帳に追加

免疫抑制剤を長期投与している臓器移植患者において、移植臓器が漸次線維化し、臓器不全を誘発するのを抑制する薬剤、及び臓器を提供するドナーの臓器を患者であるレシピエントに提供した時に、臓器拒絶反応に対する免疫寛容を患者が獲得し得る免疫寛容獲得剤に関する - 特許庁

The electrostimulator to be implanted inside the living body through a tubular lead-in tool includes: a stimulation circuit block including the stimulation electrode for stimulating nerves or muscles in the living body and an electronic circuit which is electrically connected to the stimulation electrode and applies a stimulation signal to the stimulation electrode; and a cuttable support body arranged at one end of the stimulation circuit block.例文帳に追加

管状導入具を介して生体内に植え込まれる電気刺激装置であって、生体内の神経または筋肉を刺激する刺激電極と、該刺激電極と電気的に接続されて刺激信号を刺激電極に印加する電子回路とを有する刺激回路ブロックと、該刺激回路ブロックの一端に配置された切断可能な支持体と、を有する。 - 特許庁

A fur brush comprises a first conductive thread having a conductive structure with resistance increasing by use and a second conductive thread having a conductive structure with little resistance by use or with resistance decreasing by use, and the plurality of first and second conductive threads are implanted on a base material, respectively.例文帳に追加

使用によって抵抗が上昇する導電構造を有する第一の導電糸と、使用による抵抗の変化が少ないか又は使用によって抵抗が減少する導電構造を有する第二の導電糸とからなり、当該第一及び第二の導電糸が、それぞれ複数本基材に植設されてなることを特徴している。 - 特許庁

The method includes a step of forming a trench in a semiconductor substrate, a step of carrying out ion implantation process for preventing impurities implanted in order to adjust a threshold voltage from diffusing, a step of carrying out ion implantation process using an inert gas in the fluorine (F) series in the trench, and a step of forming an element isolation film for trench embedding.例文帳に追加

半導体基板内にトレンチを形成する段階、しきい値電圧の調節のために注入された不純物の拡散防止のイオン注入工程を実施する段階、トレンチ内にフルオリン(Fluorine; F)系列の不活性ガスを用いたイオン注入工程を実施する段階、およびトレンチを埋め込む素子分離膜を形成する段階を含む。 - 特許庁

This seeding machine has such a scheme as to comprises continuously seeding seeds S on seedbed soil F in several nursery boxes 30 linearly arranged, having a member 15 implanted with a brush 14 between supports 13 set at right and left side walls 12 and at a nearer part than a fall position P and adjusting the lower end of the brush 14 to the upper rim of the nursery box 30.例文帳に追加

複数の育苗箱３０を直線状に並べ、その育苗箱３０の床土Ｆに連続して種子Ｓを播く播種機において、その左右の側板１２に設けた支持具１３間に、種子Ｓの下降位置Ｐより後方部分で、ブラシ１４を植設した桁１５を架設し、ブラシ１４の下端を育苗箱３０の上縁に合致させる。 - 特許庁

In this dental implant for implanting a body section of an implant into a bone and projecting a head section of the implant onto the bone, the implant implanted into the bone includes a shape flattening the shape of the root of a natural tooth via a neck region, and includes a through-hole having a size smaller than the external shape of the body section of the implant, at its central part.例文帳に追加

本発明の歯科用インプラントは、骨内にインプラントのボディ部を植立し、骨上にインプントのヘッド部を突出させる歯科用インプラントで、骨内に植立するインプラントは頚部を介して天然歯の形態を扁平にしたような形状を有し、その中央部にはインプラントのボディ部の外形を小さくした形の貫通孔を設ける。 - 特許庁

It is considered that ions do not reach a region 26 just under the edge 23 at a glance because the edge 23 of the electric-field control plate 22 is overhung, but ions creeps and are implanted in the region 26 by a deformation so that an equipotential surface is pulled actually to the underside of the electric-field control plate 22 along the edge 23.例文帳に追加

電界制御板２２の縁２３がオーバーハングしているため、一見すると縁２３の直下の領域２６にはイオンが到達しないようにも思われるが、実際には縁２３に沿って電界制御板２２の下面側に等電位面が引き込まれるように変形することにより、領域２６にイオンが回り込んで入射する。 - 特許庁

This simple pencil 1 has a lead 3 implanted at the lower part of a main body barrel 2, on the upper surface 6 of which a barrel body 7 is fitted upright and a return protrusion 8 jutting out in the barrel diametral direction of the barrel body 7.例文帳に追加

簡易鉛筆１は、本体軸部２の下部に鉛筆芯３を植設した簡易鉛筆であって、本体軸部２の上面６に軸体７を立設し、軸体７に軸径方向外向きに突出した返し突起８を設け、消しゴム４の下面１０に形成した竪穴１１に軸体７および返し突起８を挿入して消しゴム４を本体軸部２に固定したものである。 - 特許庁

The impurities are made by electroplating copper after copper seed is deposited on inside the holding place and ion is implanted, or by electrodepositing the copper composition including the impurities and diffusing the impurities inside the copper seed layer after the copper layer is deposited, or by implanting dopant ion after the deposition of a barrier layer and then depositing the copper seed layer.例文帳に追加

不純物は、銅シード層を収容箇所内に付着してイオン注入してから銅を電気メッキすること、銅シード層の付着後に、不純物を含む銅組成を電着し不純物を銅シード層内に拡散すること、又はバリア層の付着後にドーパント・イオンを注入し、次いで銅シード層を付着することにより行われる。 - 特許庁

Both ends of a wire 11 pressed through one end of a transplanted ligament 5 are fixed to a screw 12, the screw 12 is screwed into a screw hole 13 formed in the tibia 1, and the other end of the implanted ligament 5 is passed sequentially through bone holes 2 and 4 formed in the tibia 1 and the femur 3, respectively and fixed to the femur 3.例文帳に追加

移植靭帯５の一端に挿通されたワイヤ１２の両端をスクリュー１１に固定し、スクリュー１１を脛骨１に形成されたネジ孔１４に螺着し、移植靭帯５の他端を脛骨１及び大腿骨３にそれぞれ形成された骨孔２、４に順次挿通し、移植靭帯５の他端を大腿骨３に固定する。 - 特許庁

Since the lateral extent of the implanted boron becomes broader as the range becomes longer, the concentration and width of the area 3a are made uniform in the vertical direction by controlling the width of the boron ion emitting area, so that the area becomes narrower as the acceleration energy becomes higher and the range of boron becomes longer.例文帳に追加

また、Ｐ^+型シリコンインゴットにコリメートされた中性子線を選択的に照射することにより、中性子線の入射方向に沿ってＰ^+型シリコンインゴット中に一様な幅と濃度を有するＮ^+型導電性領域を形成することにより、高精度なスーパージャンクションを備える低損失電力用半導体装置の製造方法を提供することができる。 - 特許庁

A trench is formed in the major surface of a semiconductor substrate, impurities are implanted into the bottom of the trench, an insulating film is formed at least on the inner surface of the trench, a conductive film is formed on the entire surface of the semiconductor substrate including the interior of the trench, and then the conductive film is patterned corresponding to the trench thus forming a semiconductor device having a trench structure.例文帳に追加

半導体基板の主面にトレンチを形成し、トレンチの底部に不純物を注入し、少なくとも前記トレンチの内表面に絶縁膜を形成し、前記トレンチの内部を含む半導体基板の全面に導電膜を形成し、導電膜を前記トレンチに対応してパターニングして、トレンチ構造を有する半導体装置を形成する。 - 特許庁

Therefore, the hair bundles implanted in the implant holes look slightly loose and widened on the head surface, with their tips mingling with each other, thus showing less space between adjacent hair bundles compared with those in conventional brushes.例文帳に追加

このような構成のブラシとした場合、隔壁の高さがヘッド部表面よりも低いため、植毛孔に植毛された毛束が若干外側に拡がった状態となり、隔壁を隔てて隣り合う植毛孔に植毛された毛束同士の毛束先端がお互いに交わって重なった状態となり、従来のように隣り合う毛束同士の間に隙間が生じることがなくなる。 - 特許庁

The humeral portion of the shoulder joint prosthesis includes a certain diaphysial part constituted to be fixed in the certain humerus, a certain metaphyseal part constituted to be removably implanted in the metaphysis of the humerus, and a certain connecting mechanism which removably connects these two parts.例文帳に追加

本発明の肩関節プロテーゼの上腕骨部分は一定の上腕骨内に固定するように構成されている一定の骨幹部品、上記上腕骨の骨幹端部内に除去可能に移植するように構成されている一定の骨幹端部品、およびこれら２個の部品を除去可能に係合するための一定の係合機構を備えている。 - 特許庁

Alternatively, a silicon oxide of having a thickness becoming a gap is formed by thermal oxidation on a silicon wafer where impurities are implanted heavily to the diaphragm substrate 1 on the side being bonded to the electrode substrate 2 and then it is patterned into a desired shape before being bonded to the electrode substrate 2.例文帳に追加

第２実施例）振動板基板１に半導体基板の電極基板２の接合面側に高濃度の不純物が注入されたシリコンウエハを用いて、このシリコンウエハに熱酸化によってギャップとなる厚さのシリコン酸化膜を形勢した後、接合面側のシリコン酸化膜を所望の形状にパターニングして電極基板２と接合した。 - 特許庁

The catheter for delivering a self-expanding prosthesis implanted in a vessel, includes the outer shaft, and an inner shaft axially movable relative to the outer shaft, wherein part of the inner surface of the outer shaft has a low sliding resistance so that the inner shaft is readily axially moved.例文帳に追加

脈管内に留置される自己拡張型プロテーゼを送達する搬送用カテーテルであって、アウターシャフトと、アウターシャフトに対し軸方向に移動可能なインナーシャフトで構成され、アウターシャフトの内面の一部は、インナーシャフトが容易に軸方向に移動することが可能な低い滑り抵抗を持つことを特徴とする自己拡張型プロテーゼ搬送用カテーテルを提供する。 - 特許庁

In the in vivo medial device (heart rhythm managing device) 100 for medical care which is implanted in vivo or inserted into the celom to detect the biomedical information, a magnetic field mode antenna element (loop element) 101 with a less worsened efficiency in vivo as compared with the electric field mode antenna element is provided for the communication with the wireless communication devices outside the living body.例文帳に追加

生体内に植え込み、または体腔内に挿入して、生体情報の検出、医療を行うための生体内医療装置（心臓律動管理装置）１００において、生体外無線通信装置と通信するために、電界モードアンテナ素子に比べて生体内での効率劣化が少ない磁界モードアンテナ素子（ループ素子）１０１を備える。 - 特許庁

Oxygen ions are implanted into an internal region 16 of a semiconductor substrate 11 containing a bottom 22 of a shallow groove 15 prior to forming the shallow groove 15 in an element isolation region 18 of the semiconductor substrate 11, and annealing is performed in a non-oxidizing atmosphere such as a nitride atmosphere or a vacuum atmosphere after forming the shallow groove 15 in the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体基板１１の素子分離領域１８に浅溝１５を形成する前に、浅溝１５の底部２２を内包する半導体基板１１の内部領域１６に酸素イオンを注入し、半導体基板１１に浅溝１５を形成した後に、窒素雰囲気または真空雰囲気等の非酸化雰囲気でアニーリングを行う。 - 特許庁

This method includes a step for forming, on a specified material layer 21, a photoresist pattern which exposes the part where the ions are implanted, a step for ion-implanting impurity elements into the specified material layer 21 with the photoresist pattern as an ion implantation barrier, and a step for stripping the photoresist pattern by using plasma of a mixed gas containing at least a hydrocarbon-based gas.例文帳に追加

所定の物質層２１上に、イオンを注入する部分を露出させたフォトレジストパターンを形成するステップと、フォトレジストパターンをイオン注入バリアとして、所定の物質層２１に不純物元素をイオン注入するステップと、少なくとも炭化水素系ガスを含む混合ガスのプラズマを用いて、フォトレジストパターンをストリップするステップとを含む。 - 特許庁

In the implanted cooler for internal organs, when a patient 1 feels an aura before epilepsy seizure, he/she cools a seizure focus 2 using the cooler 7 via a heat pipe 5 from outside the body, and then he/she can control the nerve activities of the focus 2 and prevent the epilepsy seizure.例文帳に追加

完全埋め込み型臓器冷却装置において、てんかんによる発作の前兆を患者１が感じた時点で、前記てんかんによる発作の焦点となる病巣２をヒートパイプ装置５を介して体外から冷却装置７を用いて冷却することにより、前記病巣２の神経活動を抑制し、前記てんかんによる発作を予防する。 - 特許庁