「implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

The lateral surface containing the drug-contact surface 1 and the first cyclic sliding surface 12 of the first molded part 1 is laminated with a synthetic resin film, and the end surface 13 of the film laminated on the lateral surface of the first molded part 1 is implanted in the second molded part 2.例文帳に追加

そして、第1成形部１の薬液接触面１１と第１環状摺動面１２を含む側面は、合成樹脂フィルムでラミネートされており、第１成形部１の側面にラミネートされたフィルムの端面１３が第２成形部２に埋没している。 - 特許庁

After removing the nitride film 1 therefrom, a nitride film 6 is deposited again, and after removing the nitride film 6 of an N-well region therefrom by photolithographing and etching, phosphorus 8 is so ion-implanted into the substrate 10 as to form an oxide film 9 having the same thickness as the oxide film 4 by thermal oxidation.例文帳に追加

窒化膜１を除去した後、再度、窒化膜６を堆積し、写真製版とエッチングによりＮウエル領域の窒化膜６を除去した後、基板１０にリン８をイオン注入し、熱酸化により酸化膜９を酸化膜４と同じ厚さに形成する。 - 特許庁

Thereafter, as shown in step (c), a resist mask 6 having openings only at contact forming portions for connection with Al interconnections is formed, after which P ions of an n-type impurity are implanted in step (d) to form highly doped n-type polycrystalline silicon regions 4a as shown in step (e).例文帳に追加

その後、（ｃ）に示すように、Ａｌ配線とのコンタクトを形成する部分のみ開口したレジストマスク６を形成してから、（ｄ）でｎ型の不純物のＰ（リン）を打ち込み、高濃度のｎ型多結晶シリコン領域４ａを（ｅ）に示すように形成する。 - 特許庁

The connector main body 10 is composed of a frame 20 with a U-shaped cross section open upward to which, contact pieces 21a-21h are implanted, and a cover 30 covering the upper surface of the frame 20, and an information card insertion space 11 are formed between those members.例文帳に追加

コネクタ本体１０は、接触子２１ａ〜２１ｈが植設された断面形状が上向きコの字状のフレーム２０と、当該フレーム２０の上面を覆うカバー３０とから構成し、これらの各部材の間に情報カード１の挿入空間１１を形成する。 - 特許庁

In the implantation inhibition layer forming process, the implantation inhibition layer is formed of a material which comprises an element whose atomic weight is larger than a silica atom as a structure element and whose melting point is higher than a temperature of the silicon carbide substrate when the ions are implanted.例文帳に追加

さらに、注入阻止層形成工程では、珪素原子よりも原子量が大きい元素を構成元素として含み、かつイオンが注入されるときの炭化珪素基板の温度よりも融点が高い材料からなる注入阻止層を形成する。 - 特許庁

Through a notch 410 formed at an opening and closing door 400 for covering the big prize-winning port 406 being the opening part of a variable prize-winning apparatus 32, bent nails 413 are implanted to square pillars 412 erected from the upper part of the inner wall of the big prize-winning port 406.例文帳に追加

可変入賞装置３２の開口部である大入賞口４０６を閉塞する開閉扉４００に形成された切り欠き４１０を通して、大入賞口４０６の内壁上部から立設された角柱４１２に屈曲した釘４１３を植設する。 - 特許庁

A lighting system 23 is embedded in a handle section 11 to emit light having a peak wavelength of more than 380 nm and less than 550 nm from a light emitting section 22 formed on a bristle implanted surface 20 of a head section 10 through a light guiding section 12 in a neck section 12.例文帳に追加

ハンドル部１１には光源装置２３が内蔵されており、３８０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下のピーク波長を有する光が、ネック部１２内の導光部１２を介して、ヘッド部１０の植毛面２０に形成された出光部２２から出射される。 - 特許庁

By the Ge contained in the SiGe film 72, the activation rate of p-type impurities implanted to the gate electrode of the PMOS transistor is improved, and a depletion layer in an interface with a gate electrode 6 is suppressed, and deterioration in characteristics of the PMOS transistor is prevented.例文帳に追加

ＳｉＧｅ膜７２中に含まれるＧｅによってＰＭＯＳトランジスタのゲート電極に注入されたＰ型不純物の活性化率が改善され、ゲート絶縁膜６との界面での空乏層が抑制され、ＰＭＯＳトランジスタの特性劣化が防止される。 - 特許庁

A recipe for plug-ion implantation for a junction contact of a transistor is adjusted, (S3), based on the measured critical dimension of a gate electrode formed on a wafer, then the plug ions for the junction contact are implanted (S5) using the adjusted recipe for plug-ion implantation for a junction contact.例文帳に追加

ウェーハ上に形成されたゲート電極の計測された臨界ディメンションに基づいてトランジスタのジャンクションコンタクトプラグイオン注入レシピを調整した後（Ｓ３）、調整されたジャンクションコンタクトプラグイオン注入レシピを使用してジャンクションコンタクトプラグイオンを注入する（Ｓ５）。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a bonded silicon wafer, which stops polishing in thin film formation with sufficient accuracy, improves variation in the thickness of an active layer of the bonded silicon wafer, and prevents overetching of an oxygen ion implanted layer in the silicon wafer for the active layer.例文帳に追加

薄膜化の際の研磨ストップを精度よく行い、貼り合わせシリコンウェーハの活性層厚さのばらつきを改善し、活性層用シリコンウェーハ中の酸素イオン注入層がオーバーエッチングされることを防止する貼り合わせシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

An anchor bolt 10 for foundation which is provided on the foundation to install and fix a structure 50 such as a building is provided with a body part 10A to be implanted in a ground 2A in which the foundation is installed, and a screw part 10B formed in an end part of the body part 10A.例文帳に追加

建物等の構造物５０を設置、固定するために基礎１に設けられる基礎用アンカーボルト１０を、基礎１が設置される地盤２Ａに植設される本体部１０Ａと、この本体部１０Ａの端部に形成されたねじ部１０Ｂとを有するものとした。 - 特許庁

An ion implantation system (10) for the implantation of cluster ions into semiconductor substrates for semiconductor device manufacturing and a method of manufacturing a semiconductor device in which clusters of N- and P-type dopants are implanted to form the transistor in CMOS devices.例文帳に追加

半導体素子製造に対する半導体基板内へのクラスターイオンの注入のためのイオン注入システム（１０）、及びＣＭＯＳ素子内のトランジスタを形成するためにＮ及びＰ型ドーパントのクラスターが注入される半導体素子を製造する方法。 - 特許庁

When a voltage is applied between the electrodes 8a and the electrodes 7 in the source 10, the electrons implanted from the electrodes 8a by an electric field operated at the drift part 6a are drifted and discharged through the electrodes 7.例文帳に追加

この電子源１０では、注入電極８ａと表面電極７との間に電圧を印加したときにドリフト部６ａに作用する電界により注入電極８ａから注入された電子がドリフトして表面電極７を通して放出される。 - 特許庁

The reduction in size of the element and a decrease in the leakage current are made compatible by connecting gate electrodes 15 of the plurality of thin film transistors therebetween only by a region 13b in which an impurity is implanted in a low concentration in a polycrystal semiconductor thin film used for an active layer.例文帳に追加

複数個の薄膜トランジスタのゲート電極１５間を、活性層に用いる多結晶半導体薄膜に不純物を低濃度に注入した領域１３ｂのみで接続することにより素子サイズの縮小とリーク電流の減少を両立させる。 - 特許庁

A protective film is deposited before high temperature annealing on the surface where a mask and oxide film 3, etc., are removed after impurity ions 5 are implanted in the surface layer, so that a surface roughening is prevented while impurity atoms are suppressed form being desorbed from surface due to out-diffusion.例文帳に追加

表面層に不純物イオンを注入し、マスク、酸化膜等を除去した表面に、保護膜を堆積して高温アニールをおこなうことにより、表面荒れを防ぐとともに不純物原子の外方拡散による表面からの脱離を抑制する。 - 特許庁

A positioning metal fittings is constituted of a nut part with one end of its aperture terminated by a domy member and a pole part having the outside diameter smaller than the inside diameter of the nut and implanted at a top part of the domy member in the vertical direction of the top part.例文帳に追加

ドーム状部材により開口部の一端を終端されたナット部と、該ナット部の内径よりも小さい外径を有しかつドーム状部材の天頂部において該天頂部の鉛直方向に植設されたポール部とにより位置出し金具を構成する。 - 特許庁

Also, the transparent material 30 is implanted while it adheres to the convex portion 23 due to its viscosity in the manufacturing process and reserved inside the concave portion 21 while forming the lens shape, and thus, only one-time implantation of the transparent material 30 into the concave portion 21 can be enough.例文帳に追加

また、透明材料３０は、製造工程において凸部２３に粘性で付着しつつ注入され、レンズ形状を形成しながら凹部２１内に留まるので、透明材料３０を凹部２１に注入する工程を１回で済ますことが可能となる。 - 特許庁

Whether ions are implanted in order to change a threshold value voltage of a MOS transistor is detected by a threshold value detection circuit 11 of an LVT transistor, and at least a part of an LVT-transistor use circuit 12 is changed over according to a result detected by the detection circuit.例文帳に追加

ＬＶＴトランジスタのしきい値検知回路１１によって、ＭＯＳトランジスタのしきい値電圧を変えるためのイオン注入が行われているか否かを検知し、この検知回路で検知した結果に応じて、ＬＶＴトランジスタ使用回路１２の少なくとも一部を切り換えることを特徴としている。 - 特許庁

An ion implantating process is started by the use of an ion beam 10a of large current with a slit 9 being kept open, and when the detection temperature of a temperature sensor 6 and/or the detection charge of a charge sensor 8 exceeds a previously set value while ions are implanted, the slit 9 is closed.例文帳に追加

スリット９を「開」状態にして大電流のイオンビーム１０ａによるイオン注入開始後、温度センサ６の検出温度とチャージセンサ８の検出電荷のいずれか一方又は両方が、イオン注入の途中で予め設定した所定値を越えたときは、スリット９が閉じられる。 - 特許庁

In addition, if used as a SOI substrate formed by SIMOX, high temperature oxidation thermal treatment is performed in the gas atmosphere containing oxygen of 20% or more at 1,300-1,380°C for 4-48 hours to perform the oxygen deposit formation aging treatment after oxygen ion is implanted in the SIMOX.例文帳に追加

また、ＳＩＭＯＸにより形成されるＳＯＩ基板として用いる場合には、前記ＳＩＭＯＸでの酸素イオン注入後、酸素を２０％以上含むガス雰囲気中で１３００〜１３８０℃×４〜４８時間の高温酸化熱処理を行い、前記酸素析出物形成熱処理を行う。 - 特許庁

Thus, structures of the molds for molding the respective panels 4 and 5 can be simplified; the mold can be easily disassembled even if a main reinforcement and a stirrup reinforcement are built in the mold; and the main reinforcement and the stirrup reinforcement can be easily implanted in the molding of the respective panels 4 and 5.例文帳に追加

これにより、各壁面パネル４,５を成形する型枠の構造を簡略化できるとともに、型枠に主鉄筋とスターラップ鉄筋を組み込んでも型枠の解体が容易であり、各壁面パネル４,５の成形時に簡単に主鉄筋とスターラップ鉄筋を植設できる。 - 特許庁

At that time, when no wafer receiving cassette 37 that has received a new wafer W to be successively implanted with ions is present in a load lock chamber 34, a dummy wafer Wd in a wafer receiving cassette 38 is grasped and mounted to the surface of the elastic body sheet 31 of each of the wafer holding parts 23.例文帳に追加

このとき、引き続きイオン注入される新しいウェハＷを収容したウェハ収容カセット３７がロードロックチャンバ３４内に無い場合には、ウェハ収容カセット３８内のダミーウェハＷｄを把持して各ウェハ保持部２３の弾性体シート３１の表面に装着する。 - 特許庁

In addition, in the liquid applicator 1 for applying the application liquid to the hairs to be applied by the brush implanted on the core part, the brush is slanted in the axial direction of the core part by implanting the brush on the core part or is slanted in the axial direction of the core part by thermal processing after implanting the brush on the core part.例文帳に追加

また、基幹部に植毛されたブラシによって塗布対象毛に塗布液を塗布する液塗布具１において、ブラシを、基幹部に植毛することにより基幹部軸方向に傾斜させ、または基幹部に植毛した後熱加工により基幹部軸方向に傾斜させている。 - 特許庁

Also, the ions, having polarity opposite to that of the impurity ions composing an n-type well 4, are implanted to form a first channel region 5a in the edge part of a gate electrode 7p and a second channel region 13, which gives influence only on a shallow region of a p--type semiconductor region 9.例文帳に追加

また、ｎ型ウェル４を構成する不純物イオンとは逆の極性を持つイオンをイオン注入にて打ち込み、ゲート電極７ｐの端部の第１チャネル領域５ａおよびｐ^-型半導体領域９の浅い領域のみに影響を与える第２チャネル領域１３を形成する。 - 特許庁

After a passivation film 6 is formed and a contact hole c for taking out an electrode are formed, the depression type transistor side is coated with a resist material r, impurity ions are implanted into the enhancement type transistor side using the gate electrode 5e as a mask, and thus an n-type source region 7 and a drain region 8 are formed.例文帳に追加

パッシベーション膜６を成膜し、電極取り出し用コンタクトホールｃを形成した後、デプレッション型トランジスタ側をレジスト材ｒで被覆し、ゲート電極５ｅをマスクにしてエンハンスメント型トランジスタ側に不純物イオンを打ち込み、ｎ型のソース領域７とドレイン領域８を形成する。 - 特許庁

When the advance direction of implanted impurities is approximately in parallel with a channel ring direction, energy loss caused by elastic collision is estimated to be smaller, and further, when the impurities penetrate more deeply into crystal and the energy is lower than 80 eV, the energy loss caused by the elastic collision is estimated to be zero.例文帳に追加

注入された不純物の進行方向がチャンネリング方向と略平行な場合、弾性衝突によるエネルギー損失を小さく見積もり、さらに、結晶奥深くまで進入してエネルギーが80eVよりも小さくなった場合、非弾性衝突によるエネルギー損失をゼロとする。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for plasma ion implantation which avoids a phenomenon in that the fall of the voltage of the high voltage pulse applied to a base material is damped by the load impedance of the base material, and in which generation of damages such as sputtering on the base material is prevented, the plasma ion is correctly implanted, and the diversified kinds of plasma are applied to.例文帳に追加

基材に印加する高電圧パルスの電圧の立ち下がりが、基材の負荷インピーダンスのために減衰する現象を回避して、基材にスパッタリングなどの損傷が生ずるのを防止し、プラズマイオンの的確な注入と、多様なプラズマ種への対応を図る。 - 特許庁

In a garbage treatment apparatus comprising a treatment tank having a garbage throwing inlet in an upper part and equipped with a rotating driving shaft in which a plurality of stirring claws are implanted is hung over, an auxiliary stirring shaft approximately parallel to the rotating driving shaft is fixed at a distance from the rotating driving shaft in the rotating driving shaft.例文帳に追加

生ゴミの投入口を上部に備える処理槽に、複数本の撹拌爪が植設された回転駆動軸を懸架した生ゴミの処理装置において、回転駆動軸と略平行な撹拌補助軸を、回転駆動軸から離隔した位置で、回転駆動軸に対して固定する。 - 特許庁

The stirring blade members 24 are formed by providing stirring blades 24-2 to the leading ends of the supports 24-1 implanted in a rotary shaft and the leading ends of the stirring blades are constituted as sludge scrape-up surfaces coming into slide contact with the tips of the projections and the side surfaces of the stirring blades are constituted as sludge stirring surfaces.例文帳に追加

撹拌羽根部材２４は回転軸に植設された支柱２４−１の先端に撹拌ブレード２４−２を備え、撹拌ブレードの先端は突起の先端に摺接する汚泥掻取り面として構成され、撹拌ブレードの側面は汚泥撹拌面として構成されている。 - 特許庁

The amount that the iron ions are implanted into the surface Si layer of the SOI substrate meets a composition ratio of about 1:2 for the ratio of Fe to Si in the surface layer, and preferably the heat treatment temperature is not less than 900°C and is less than 1100°C and the time of the treatment is not less than one minute and is less than ten minutes.例文帳に追加

ＳＯＩ基板の表面Ｓｉ層への鉄イオンの注入量が、表面層のＦｅとＳｉの比が約１：２の組成比を満たす量であり、熱処理温度は、９００℃以上１１００℃未満で、処理時間は１分以上１０分未満であるのが好ましい。 - 特許庁

A polycrystalline semiconductor film is formed and thereafter, rare gas element ions are selectively implanted, in only the channel formation region of the semiconductor film and the regions in the vicinity of the channel formation region and in such a way, that the center of the range of charged particles in the ions is positioned from the interface under the lower side of the semiconductor film to be within a distance of 10 nm ±10 nm.例文帳に追加

多結晶半導体膜形成後、希ガス元素イオンを半導体膜のチャネル形成領域およびその近傍領域にのみ選択的に、また、飛程中心が該半導体膜の下側界面から１０ｎｍ±１０ｎｍ内になるよう注入する。 - 特許庁

The weed removal sheet is obtained by sticking a synthetic resin part 4 and a fabric part together: wherein the synthetic resin part 4 and the fabric part are colored in sun-shading color; and the synthetic resin part 4 is provided with a notch part 3 where a plant 1 is implanted, so as to supply the water and/or the nutriments to the crops through the fabric part.例文帳に追加

合成樹脂部４と布部とを貼り付けてあり該合成樹脂部４と布部はを日光を遮断できる色に着色され、該合成樹脂部４に植物１を植え付ける切り込み部３を設け水分や栄養分は該布部を通して施用するようにした雑草除去用シート。 - 特許庁

To overcome a problem without increasing man-hours that defects occur at both ends of a gate oxide film which can be a tunnelling medium and a floating gate electrode when ions are implanted using the floating gate electrode as a mask, in a semiconductor device having the floating gate electrode.例文帳に追加

フローティングゲート電極を有する半導体記憶装置において、フローティングゲート電極をマスクとしてイオン注入したときの、トンネリング媒体となりうるゲート酸化膜およびフローティングゲート電極端部への欠陥発生の問題を、工数を増大させることなく解消する。 - 特許庁

In the production process of the semiconductor device, a base 1 having a p-type semiconductor region 2 with nitrogen implanted in the upper face thereof is prepared, and a gate insulating film 5 and a gate electrode 6 are laminated in order sequentially on the base 1.例文帳に追加

本発明の一実施形態における半導体装置の製造方法は、窒素が上面内に注入されたｐ型の半導体領域２を有する下地１を準備し、この下地１上にゲート絶縁膜５およびゲート電極６をこの順で積層して形成する。 - 特許庁

When activating from a semiconductor surface layer into which an impurity is implanted to an internal layer, laser beams are irradiated at an energy density which does not fuse the surface layer to activate the surface layer side.例文帳に追加

不純物が注入された半導体表層から内層にかけて活性化する際に、前記表層が溶融しないエネルギー密度でレーザ光を照射して該表層側を活性化し、その後、前記表層が溶融しない、より高いエネルギー密度でレーザ光を照射して前記内層側を活性化する。 - 特許庁

To provide a pump usable as a heating element cooling pump, a blood transporting means, a reagent dispenser and a pump implanted in a living organism, which can be reduced in size and weight and which can be driven with such a low voltage as several voltages without emitting any sound.例文帳に追加

本発明の目的は、発熱素子の冷却用ポンプ、血液搬送手段、試薬ディスペンサー、並びに生体内埋め込みポンプに使用可能なポンプであって、しかも小型化が可能であり、軽量で、数Ｖ程度の低電圧で駆動し、しかも無音で駆動することができるポンプを提供することである。 - 特許庁

Thus, it is realized to form the deep source/drain regions prior to the shallow source/drain regions, and to control an overlap of the impurities ion-implanted into the shallow source/drain regions created through the gate pattern line width gradually reducing with the second spacer for offsetting.例文帳に追加

これにより、深いソース/ドレーン領域を浅いソース/ドレーン領域より先に形成することと同時に前記オフセット用第２スペーサにより次第に縮まるゲートパターン線幅により発生する浅いソース/ドレーン領域にイオン注入される不純物の重畳を抑制できる。 - 特許庁

To provide a two agent-type semiconductor substrate cleaning agent which can efficiently peel impurity bonded to a surface of a semiconductor substrate, especially impurity such as resist which is io-implanted without damaging a gate insulating film and the substrate and which is excellent in safety.例文帳に追加

本発明は、ゲート絶縁膜や基板などを損傷させることなく、半導体基板表面に付着した不純物、特に、イオン注入されたレジストなどの付着物を効率よく剥離でき、安全性により優れた２剤型半導体基板用洗浄剤を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a cleaning method of a semiconductor substrate with more excellent safety capable of efficiently removing impurities attached to the semiconductor substrate surface, in particular, an ion-implanted resist and the like without damaging gate insulating films, the substrate and the like.例文帳に追加

本発明は、ゲート絶縁膜や基板などを損傷させることなく、半導体基板表面に付着した不純物、特に、イオン注入されたレジストなどの付着物を効率よく剥離でき、安全性により優れた半導体基板の洗浄方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

When the silicon wafer 1 is heat treated at 1150°C, implanted oxygen ions and defects generated by ion implantations are allowed to grow as nuclei and a fine defect layer 5 of 1-2 μm thickness which includes growing deposited nuclei 4 is formed on the lower area of the epitaxial layer 2 as a gettering site.例文帳に追加

次に、１１５０℃で熱処理することにより、注入された酸素イオン及びイオン注入により生じた欠陥を核として成長させ、エピタキシャル層２の下部領域に、ゲッタリングサイトとなる成長した析出核４を含んだ厚さ１〜２μｍの微小欠陥層５を形成する。 - 特許庁

A hydrogen ion or a helium ion is implanted in a boundary or in the vicinity of the boundary between an insulating layer and the Si layer, and then the substrate is heated at 950°C or higher in an oxidizing atmosphere or an inert gas atmosphere to melt the SiGe mixed crystal layer 14 and diffuse Ge in a part of the Si layer 13.例文帳に追加

絶縁層とＳｉ層の界面又は界面近傍に水素又はヘリウムをイオン注入した後、基板を酸化性雰囲気下又は不活性ガス雰囲気下、９５０℃以上で熱処理してＳｉＧｅ混晶層１４を溶融するとともにＳｉ層１３の一部にＧｅを拡散する。 - 特許庁

Parts where the fluorine or the antimicrobial ions are implanted are the surface of an artificial tooth 11, the surface of a denture base 12, the surface of a retaining appliance 19, the surface of an occlusion guiding appliance 13, the surface of an orthodontic appliance 14, and a superstructure to cover an artificial dental root 21.例文帳に追加

フッ素または抗菌性金属をイオン注入している部分は、人工歯１１の表面、義歯床１２の表面、維持装置１９の表面、咬合誘導装置１３の表面、歯科矯正装置１４の表面、人工歯根２１に被せる上部構造等である。 - 特許庁

After the waste magnetic tapes such as a video tape and a cassette tape are cut into prescribed length or crushed, a binder is added to a curl-like contraction piece 10 obtained by heating them to perform pressurization molding so as to manufacture a base material 2, and synthetic resin piles are implanted by electrostatic hair implantation processing on the base material 2.例文帳に追加

ビデオテープ、カセットテープなどの廃磁気テープを所定の長さに切断あるいは粉砕してから、これを加熱処理して得たカール状の収縮片１０にバインダを加えて加圧成形して基体２を製造し、この基体２上に静電植毛加工により合成樹脂パイルを植毛する。 - 特許庁

In a carrier fluidized biological filter tank 10, a carrier packed part 20 is partitioned to a first packed part 21 and a second packed part 22 by a partition wall 17 and a communicating port 11 which transfers granular carriers C implanted with aerobic micro-organisms is disposed on the lower part of the partition wall 17.例文帳に追加

担体流動生物濾過槽１０において、担体充填部２０は隔壁１７によって第１充填部２１と第２充填部２２とに仕切られ、隔壁１７の下部には好気性微生物を着床させた粒状担体Ｃを移動させる連通口１１が設けられている。 - 特許庁

When the same impurities are implanted with different implanting energy, the projection range and dispersion in the semiconductor region 32 are extracted so as to decrease with a reduction in implanting energy, and skewness and kurtosis are extracted so as to increase with a reduction in implanting energy.例文帳に追加

同一不純物が異なる注入エネルギーで注入された場合、半導体領域での投影飛程と分散は注入エネルギーの減少に伴って減少するように抽出され、歪度と尖度は注入エネルギーの減少に伴って増加するように抽出される。 - 特許庁