「implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

The connector main body 10 is composed of a frame 20 with a U-shaped cross section open upward to which, contact pieces 21a-21h are implanted, and a cover 30 covering the upper surface of the frame 20, and an information card insertion space 11 are formed between those members.例文帳に追加

コネクタ本体１０は、接触子２１ａ〜２１ｈが植設された断面形状が上向きコの字状のフレーム２０と、当該フレーム２０の上面を覆うカバー３０とから構成し、これらの各部材の間に情報カード１の挿入空間１１を形成する。 - 特許庁

In the implantation inhibition layer forming process, the implantation inhibition layer is formed of a material which comprises an element whose atomic weight is larger than a silica atom as a structure element and whose melting point is higher than a temperature of the silicon carbide substrate when the ions are implanted.例文帳に追加

さらに、注入阻止層形成工程では、珪素原子よりも原子量が大きい元素を構成元素として含み、かつイオンが注入されるときの炭化珪素基板の温度よりも融点が高い材料からなる注入阻止層を形成する。 - 特許庁

The tufted carpet is given excellent flame-retardance corresponding to combustion tests for various purposes by impregnating a basic fabric 2 with flame retardant in advance in the processing of the tufted carpet, before piles 3 are implanted in the basic fabric 2 and a liner layer 5 is stacked on the rear surface.例文帳に追加

タフテッドカーペットを製造する工程、基布２にパイル３を植設、及び裏面に裏貼層５を積層する前に、基布２に予め難燃剤を含浸させることにより、タフテッドカーペットに優れた、各種用途の燃焼試験に対応した難燃性を付与する。 - 特許庁

In such a constitution, the current implanted end (18) for avoiding the rapid change in the equivalent refractive index of the waveguide by the active layer (3) is provided, thereby making feasible of reducing the intensity modulation of a spectrum by avoiding the reflection on this end (18).例文帳に追加

活性層（３）で形成される導波路の等価屈折率が電流注入部（１４）の先端部で急激な変化をしないような電流注入端部（１８）を設け、この端面での反射を少なくしてスペクトルの強度変調を防ぐものである。 - 特許庁

The cleaning device 7 which cleans an image carrier 2 on which toner 15 remains comprises: a brush-shaped member 14b; a base material 14a which has a plurality of through holes and in which the brush-shape member 14b is implanted; and a suction means connected to the base material 14a.例文帳に追加

像担持体２上の残留トナー１５をクリーニングするクリーニング装置７において、ブラシ状部材１４ｂと、複数の貫通孔を有しブラシ状部材１４ｂが植設される基材１４ａと、基材１４ａに接続された吸引手段とを有する構成とした。 - 特許庁

The filtering is a system that utilizes optimized high pass or band pass filtering to provide accurate detection of changes in the ST segment of an electrogram as detected by an implanted cardiosaver system, the ST segment changes are indicative of coronary ischemia.例文帳に追加

本発明は、最適化された高域又は帯域フィルタリングを利用して、埋め込み型の心臓救済器システムにより検知された電気記録図のＳＴセグメントの変化の正確な検知を提供するシステムであり、そのＳＴセグメントの変化は冠動脈虚血を表す。 - 特許庁

The method of manufacturing semiconductor device includes the steps of forming two impurity implanting regions in a semiconductor substrate (S20), forming a cap film on the impurity implanted region (S40), and heat-treating with the cap film formed (S50).例文帳に追加

半導体装置の製造方法では、半導体基板に２つの不純物注入領域を形成する注入工程（Ｓ２０）、不純物注入領域上にキャップ膜を形成する工程（Ｓ４０）、キャップ膜が形成された状態で、熱処理工程（Ｓ５０）を実施する。 - 特許庁

The resistance-element regions 8, 8 are made of the ion-implanted polysilicon film 3 with a predetermined impurity, and the outer peripheral edge of each of them is separated inward from the outer peripheral edge of the polysilicon film 3 by a distance corresponding to the dimesional variation generated when forming the polysilicon film 3 by etching.例文帳に追加

抵抗素子領域８，８，…は、ポリシリコン膜３に所定の不純物がイオン注入されてなり、その外縁が、ポリシリコン膜３の外縁から、ポリシリコン膜３をエッチングで形成する際の寸法のバラツキに応じた距離だけ内側に隔てられている。 - 特許庁

In the inspection method, arsenic is implanted to an oxide film in a set dosage first, the oxide film is recovered and analyzed by an ICP-MS, the quantity (the quantity of an implantation) of actually driven arsenic is detected, and a relationship is obtained between the dosage and the quantity of the implantation.例文帳に追加

本検査方法においては、まず、設定したドーズ量で酸化膜に砒素を注入し、この酸化膜を回収しＩＣＰ−ＭＳにより分析して実際に打ち込まれた砒素の量（注入量）を検出し、ドーズ量と注入量との関係を求める。 - 特許庁

The impurity implanted photoabsorbing layer 104 in the composition reducing the band gap energy per payer from n type layer clad layer side to p type clad layer side to be formed in semiconductor laminated structure of multiple layers 104A, B, C reducing the impurity concentration.例文帳に追加

不純物注入光吸収層は、ｎ型クラッド層側からｐ型クラッド層側に向かって、層毎にバンドギャップ・エネルギーが小さくなる組成を有し、かつ不純物濃度が低くなる複数層１０４Ａ、Ｂ、Ｃの半導体積層構造として形成されている。 - 特許庁

In addition to a method for delivering chemical therapeutic agents or bioactive substances to the tissue or organ of a mammal by means of a selective and protective diffusion mechanism through the surgically implanted device, a method for achieving sealability of the device is also provided.例文帳に追加

外科的に移殖された装置を介して選択的かつ保護的拡散機構により哺乳動物の臓器または組織に化学療法剤または生物活性物質を送達する新規方法に加えて、この装置の封鎖性を達成する方法も開示する。 - 特許庁

An ion implantation system (10) for the implantation of cluster ions into semiconductor substrates for semiconductor device manufacturing and a method of manufacturing a semiconductor device in which clusters of N- and P-type dopants are implanted to form the transistor in CMOS devices.例文帳に追加

半導体素子製造に対する半導体基板内へのクラスターイオンの注入のためのイオン注入システム（１０）、及びＣＭＯＳ素子内のトランジスタを形成するためにＮ及びＰ型ドーパントのクラスターが注入される半導体素子を製造する方法。 - 特許庁

When a voltage is applied between the electrodes 8a and the electrodes 7 in the source 10, the electrons implanted from the electrodes 8a by an electric field operated at the drift part 6a are drifted and discharged through the electrodes 7.例文帳に追加

この電子源１０では、注入電極８ａと表面電極７との間に電圧を印加したときにドリフト部６ａに作用する電界により注入電極８ａから注入された電子がドリフトして表面電極７を通して放出される。 - 特許庁

A protective film is deposited before high temperature annealing on the surface where a mask and oxide film 3, etc., are removed after impurity ions 5 are implanted in the surface layer, so that a surface roughening is prevented while impurity atoms are suppressed form being desorbed from surface due to out-diffusion.例文帳に追加

表面層に不純物イオンを注入し、マスク、酸化膜等を除去した表面に、保護膜を堆積して高温アニールをおこなうことにより、表面荒れを防ぐとともに不純物原子の外方拡散による表面からの脱離を抑制する。 - 特許庁

The reduction in size of the element and a decrease in the leakage current are made compatible by connecting gate electrodes 15 of the plurality of thin film transistors therebetween only by a region 13b in which an impurity is implanted in a low concentration in a polycrystal semiconductor thin film used for an active layer.例文帳に追加

複数個の薄膜トランジスタのゲート電極１５間を、活性層に用いる多結晶半導体薄膜に不純物を低濃度に注入した領域１３ｂのみで接続することにより素子サイズの縮小とリーク電流の減少を両立させる。 - 特許庁

A positioning metal fittings is constituted of a nut part with one end of its aperture terminated by a domy member and a pole part having the outside diameter smaller than the inside diameter of the nut and implanted at a top part of the domy member in the vertical direction of the top part.例文帳に追加

ドーム状部材により開口部の一端を終端されたナット部と、該ナット部の内径よりも小さい外径を有しかつドーム状部材の天頂部において該天頂部の鉛直方向に植設されたポール部とにより位置出し金具を構成する。 - 特許庁

Also, the transparent material 30 is implanted while it adheres to the convex portion 23 due to its viscosity in the manufacturing process and reserved inside the concave portion 21 while forming the lens shape, and thus, only one-time implantation of the transparent material 30 into the concave portion 21 can be enough.例文帳に追加

また、透明材料３０は、製造工程において凸部２３に粘性で付着しつつ注入され、レンズ形状を形成しながら凹部２１内に留まるので、透明材料３０を凹部２１に注入する工程を１回で済ますことが可能となる。 - 特許庁

To provide an organic EL device which can be efficiently increased in blue color purity and luminance, by using a material into which electric charges can be easily implanted and which has a large energy gap for a light-emitting layer, and improving the multilayered structure of the device.例文帳に追加

電荷の注入が容易でエネルギーギャップが大きい物質を有機電界発素子の発光層に用いるとともに、有機電界発光素子の積層構造を改良することによって、効率良く高い青色の純度と高い輝度を可能にする有機電界発光素子を提供する。 - 特許庁

Further, the amount of the electric charges implanted into the interface between the gate insulating layer 1 and organic semiconductor layer 2 varies according to the pressure applied to the gate insulating layer 1 at this time, so the current between the drain electrode 3 and source electrode 4 varies according to the pressure applied to the gate insulating layer 1.例文帳に追加

しかも、このときゲート絶縁層１に印加される圧力に応じて、ゲート絶縁層１と有機半導体層２との界面に注入される電荷の量が変化するため、ゲート絶縁層１に印加される圧力に応じてドレイン電極３及びソース電極４間の電流が変化する。 - 特許庁

A mask oxide film 19 is partially formed on the surface of a substrate 12 which has been composed of silicon monocrystal, oxygen ions 16 are implanted on the substrate surface via the mask oxide film 19, and then this substrate is annealed to form an embedded oxide film 13 in the inside of the substrate.例文帳に追加

シリコン単結晶からなる基板１２の表面に部分的にマスク酸化膜１９を形成した後に、マスク酸化膜１９を介して基板の表面に酸素イオン１６を注入し、更にこの基板をアニール処理して基板の内部に埋込み酸化膜１３を形成する。 - 特許庁

Ions, having polarity opposite to that of the impurity ions composing a p-type well 3, are implanted to form a first channel region 5b in the edge part of a gate electrode 7n and a second channel region 12, which gives influence only on the shallow region of an n--type semiconductor region 8.例文帳に追加

ｐ型ウェル３を構成する不純物イオンとは逆の極性を持つイオンをイオン注入にて打ち込み、ゲート電極７ｎの端部の第１チャネル領域５ｂおよびｎ^-型半導体領域８の浅い領域のみに影響を与える第２チャネル領域１２を形成する。 - 特許庁

Then, the region RN-1, Where ion is implanted under the condition, is shielded with a mask, and related to the remaining CN, with a mask for exposure in-between, an ion-implantation process is performed with a region 44 under conditions which compensates for the ion-implantation conditions to the remaining region.例文帳に追加

以後、前記適合した条件でイオン注入された領域ＲＮ−１はマスクで遮断して、残り領域ＣＮは露出させるためのマスクを介在して前記残り領域に対するイオン注入条件を補償する条件で領域４４にイオン注入工程を遂行する。 - 特許庁

The toothbrush comprises a bristle 1 or a bristle bundle 2 folded into two and implanted in at least a hole 4 formed on the bristled surface of the head portion thereof and fixed therein by an adhesive 5 or by a retaining member 6 and the adhesive 5.例文帳に追加

ヘッド部植毛面３に形成された少なくとも１つの植毛穴４に刷毛１もしくは刷毛束２が２つ折りに植毛された歯ブラシにおいて、刷毛１もしくは刷毛束２を接着剤５、もしくは抜け止め部材６と接着剤５によって植毛穴４内に固定した。 - 特許庁

Thus, a voltage amplitude value which is combined with the frequency is selected so that a current amplitude value of the current which is actually implanted with the frequency matches to a current amplitude value which is obtained by simulation of a circuit for measurement including the voltage source model 20 and the transmission line.例文帳に追加

このために、周波数と組み合わせる電圧振幅値は、その周波数で実際に注入される電流の電流振幅値と、電圧源モデル２０と伝送線を含む測定用回路のシミュレーションにより得られるその電流振幅値とが一致するように選択される。 - 特許庁

Ions are implanted in the resist by 1×10^14 to 5×10^15 pieces/cm^2, the irradiation amount of the ultraviolet light in the irradiation step is at least 1,800 mJ/cm^2, and the alkali solution heated up to ≥60°C is used for the removing step.例文帳に追加

レジストには、１×１０^１４〜５×１０^１５個／ｃｍ^２のイオンが注入されており、前記照射工程における紫外光の照射量を少なくとも１８００ｍＪ／ｃｍ^２とし、前記除去工程では、６０℃以上に加熱された前記アルカリ溶液を用いる。 - 特許庁

The tile carpet comprises piles 3 implanted in a base fabric 2 and is cut to prescribed dimensions.例文帳に追加

基布２にパイル３が植設され且つ所定寸法に裁断されたタイルカーペットであって、端部に生じる基布露出部分Ａに前記パイルの影が映った状態で、前記基布露出部分Ａの基布表面の明るさとパイル表面の明るさがほぼ等しくなるように構成されているタイルカーペットを提供する。 - 特許庁

Next, all ions (arrow Ion-2) generated from a doping gas comprising pure hydrogen are implanted into a low-concentration region (604a) by an energy of about 20 keV to a level within a range of 1×10^14/cm^2 to 1×10^15/cm^2 as a dose level of H^+ ion.例文帳に追加

次に、純水素からなるドーピングガスから発生するすべてのイオン（矢印Ｉｏｎ−２）を低濃度領域（６０４ａ）に対して約２０ｋｅＶのエネルギーでＨ^+イオンのドーズ量として１×１０^14／ｃｍ^2 から１×１０^15／ｃｍ^2までの範囲になるように打ち込む。 - 特許庁

The proximal end is configured to attach to an external energy source 2960 that provides the activation energy, and the proximal end is configured to be located outside the patient's body while the distal end is coupled to the adjustable cardiac implant piece that is implanted in the patient's heart.例文帳に追加

前記近位端は、前記活性化エネルギーを供給する外部エネルギー源２９６０に取り付けられており、この近位端は、前記遠位端に患者の心臓に植え込まれた調節可能心臓植え込み片と連結されている間、患者の体外に位置付けられるように構成されている。 - 特許庁

When an element 21, a Hall element, is formed on a slope 16a having a large step, an n-type impurity ion is implanted on the whole surface of the substrate 12 from an oblique direction in parallel with or having a sharp angle β° with the slope 16a by the use of the oblique ion implantation.例文帳に追加

段差の大きな斜面１６ａ上にホール素子であるエレメント２１を形成する際に、斜めイオン注入法を用い、斜面１６ａに対して平行か又は鋭角の角度β゜を成すように斜め方向から、基板１２全面にＮ形不純物イオンを注入する。 - 特許庁

A hydrogen ion or a helium ion is implanted in a boundary or in the vicinity of the boundary between an insulating layer and the Si layer, and then the substrate is heated at 950°C or higher in an oxidizing atmosphere or an inert gas atmosphere to melt the SiGe mixed crystal layer 14 and diffuse Ge in a part of the Si layer 13.例文帳に追加

絶縁層とＳｉ層の界面又は界面近傍に水素又はヘリウムをイオン注入した後、基板を酸化性雰囲気下又は不活性ガス雰囲気下、９５０℃以上で熱処理してＳｉＧｅ混晶層１４を溶融するとともにＳｉ層１３の一部にＧｅを拡散する。 - 特許庁

Parts where the fluorine or the antimicrobial ions are implanted are the surface of an artificial tooth 11, the surface of a denture base 12, the surface of a retaining appliance 19, the surface of an occlusion guiding appliance 13, the surface of an orthodontic appliance 14, and a superstructure to cover an artificial dental root 21.例文帳に追加

フッ素または抗菌性金属をイオン注入している部分は、人工歯１１の表面、義歯床１２の表面、維持装置１９の表面、咬合誘導装置１３の表面、歯科矯正装置１４の表面、人工歯根２１に被せる上部構造等である。 - 特許庁

After the waste magnetic tapes such as a video tape and a cassette tape are cut into prescribed length or crushed, a binder is added to a curl-like contraction piece 10 obtained by heating them to perform pressurization molding so as to manufacture a base material 2, and synthetic resin piles are implanted by electrostatic hair implantation processing on the base material 2.例文帳に追加

ビデオテープ、カセットテープなどの廃磁気テープを所定の長さに切断あるいは粉砕してから、これを加熱処理して得たカール状の収縮片１０にバインダを加えて加圧成形して基体２を製造し、この基体２上に静電植毛加工により合成樹脂パイルを植毛する。 - 特許庁

When the silicon wafer 1 is heat treated at 1150°C, implanted oxygen ions and defects generated by ion implantations are allowed to grow as nuclei and a fine defect layer 5 of 1-2 μm thickness which includes growing deposited nuclei 4 is formed on the lower area of the epitaxial layer 2 as a gettering site.例文帳に追加

次に、１１５０℃で熱処理することにより、注入された酸素イオン及びイオン注入により生じた欠陥を核として成長させ、エピタキシャル層２の下部領域に、ゲッタリングサイトとなる成長した析出核４を含んだ厚さ１〜２μｍの微小欠陥層５を形成する。 - 特許庁

In a carrier fluidized biological filter tank 10, a carrier packed part 20 is partitioned to a first packed part 21 and a second packed part 22 by a partition wall 17 and a communicating port 11 which transfers granular carriers C implanted with aerobic micro-organisms is disposed on the lower part of the partition wall 17.例文帳に追加

担体流動生物濾過槽１０において、担体充填部２０は隔壁１７によって第１充填部２１と第２充填部２２とに仕切られ、隔壁１７の下部には好気性微生物を着床させた粒状担体Ｃを移動させる連通口１１が設けられている。 - 特許庁

Thus, structures of the molds for molding the respective panels 4 and 5 can be simplified; the mold can be easily disassembled even if a main reinforcement and a stirrup reinforcement are built in the mold; and the main reinforcement and the stirrup reinforcement can be easily implanted in the molding of the respective panels 4 and 5.例文帳に追加

これにより、各壁面パネル４,５を成形する型枠の構造を簡略化できるとともに、型枠に主鉄筋とスターラップ鉄筋を組み込んでも型枠の解体が容易であり、各壁面パネル４,５の成形時に簡単に主鉄筋とスターラップ鉄筋を植設できる。 - 特許庁

At that time, when no wafer receiving cassette 37 that has received a new wafer W to be successively implanted with ions is present in a load lock chamber 34, a dummy wafer Wd in a wafer receiving cassette 38 is grasped and mounted to the surface of the elastic body sheet 31 of each of the wafer holding parts 23.例文帳に追加

このとき、引き続きイオン注入される新しいウェハＷを収容したウェハ収容カセット３７がロードロックチャンバ３４内に無い場合には、ウェハ収容カセット３８内のダミーウェハＷｄを把持して各ウェハ保持部２３の弾性体シート３１の表面に装着する。 - 特許庁

Whether ions are implanted in order to change a threshold value voltage of a MOS transistor is detected by a threshold value detection circuit 11 of an LVT transistor, and at least a part of an LVT-transistor use circuit 12 is changed over according to a result detected by the detection circuit.例文帳に追加

ＬＶＴトランジスタのしきい値検知回路１１によって、ＭＯＳトランジスタのしきい値電圧を変えるためのイオン注入が行われているか否かを検知し、この検知回路で検知した結果に応じて、ＬＶＴトランジスタ使用回路１２の少なくとも一部を切り換えることを特徴としている。 - 特許庁

An ion implantating process is started by the use of an ion beam 10a of large current with a slit 9 being kept open, and when the detection temperature of a temperature sensor 6 and/or the detection charge of a charge sensor 8 exceeds a previously set value while ions are implanted, the slit 9 is closed.例文帳に追加

スリット９を「開」状態にして大電流のイオンビーム１０ａによるイオン注入開始後、温度センサ６の検出温度とチャージセンサ８の検出電荷のいずれか一方又は両方が、イオン注入の途中で予め設定した所定値を越えたときは、スリット９が閉じられる。 - 特許庁

In addition, if used as a SOI substrate formed by SIMOX, high temperature oxidation thermal treatment is performed in the gas atmosphere containing oxygen of 20% or more at 1,300-1,380°C for 4-48 hours to perform the oxygen deposit formation aging treatment after oxygen ion is implanted in the SIMOX.例文帳に追加

また、ＳＩＭＯＸにより形成されるＳＯＩ基板として用いる場合には、前記ＳＩＭＯＸでの酸素イオン注入後、酸素を２０％以上含むガス雰囲気中で１３００〜１３８０℃×４〜４８時間の高温酸化熱処理を行い、前記酸素析出物形成熱処理を行う。 - 特許庁

In addition, in the liquid applicator 1 for applying the application liquid to the hairs to be applied by the brush implanted on the core part, the brush is slanted in the axial direction of the core part by implanting the brush on the core part or is slanted in the axial direction of the core part by thermal processing after implanting the brush on the core part.例文帳に追加

また、基幹部に植毛されたブラシによって塗布対象毛に塗布液を塗布する液塗布具１において、ブラシを、基幹部に植毛することにより基幹部軸方向に傾斜させ、または基幹部に植毛した後熱加工により基幹部軸方向に傾斜させている。 - 特許庁

At oxygen ion implanting steps in manufacture of a SIMOX wafer, a path is formed inside or on a back surface of a wafer holding means, and oxygen ions are implanted while heating an outer peripheral portion of a wafer that is in contact with the wafer holding means by flowing a heated fluid through this path.例文帳に追加

ＳＩＭＯＸウェーハ製造における酸素イオン注入工程において、ウェーハ保持手段の内部又は裏面に通路を形成し、この通路に加熱流体を流して前記ウェーハ保持手段と接触する前記ウェーハの外周部を加熱しながら酸素イオン注入する。 - 特許庁

To provide a solid electrolytic capacitor in which a dielectric layer, a solid electrolyte layer, and a cathode lead-out layer are successively formed outside an anode member provided with an anode lead pin implanted upright at its one edge, where a reduction in ESR(equivalent series resistance) and a reduction in LC(leakage current) are set compatible with each other.例文帳に追加

一端に陽極リードピンが植立された陽極部材の外側に、誘電体層、固体電解質層及び陰極引出し層を順次形成した固体電解コンデンサにおいて、ＥＳＲ（等価直列抵抗）の低減とＬＣ（漏れ電流）の低減とを両立させる。 - 特許庁

When the same impurity is implanted in different implantation energy, projection range and dispersion are extracted under the condition that these are reduced with reduction of the implantation energy and a degree of strain, a degree of sharpness, and a weighting coefficient are extracted under the condition that these are increased with reduction of the implantation energy.例文帳に追加

同一不純物が異なる注入エネルギーで注入された場合、投影飛程と分散は注入エネルギーの減少につれて減少する条件下で抽出され、歪度と尖度、及び重み付け係数は注入エネルギーの減少につれて増加する条件下で抽出される。 - 特許庁

When a partially damaged sound-insulation board is repaired, a repair position including a damaged section is cut off in a fixed shape, and a repair member being fabricated in the same shape as the form of the damaged section and having the same material as the acoustical board is implanted and joined to a space formed by cutting off.例文帳に追加

局部的に破損している吸音板を補修するに当り、破損部を含む補修箇所を一定形状に切除し、切除により形成された空所に、その形状と同形状に成形加工された、該吸音板と同じ材質の補修部材を移植して接合させる。 - 特許庁

The vascular stent is decomposed and vanished in a human body after being implanted in the human body, and is formed of poly-L-lactic acid (PLLA) having an optical purity of L-body of not lower than 99.8%, and a weight average molecular weight within the range of 80,000-300,000.例文帳に追加

生体内に植え込まれた後、生体内で分解され消失する脈管用ステントであって、Ｌ−体の光学純度が９９．８％以上であって、重量平均分子量が８０，０００〜３００，０００の範囲にあるポリ乳酸（ＰＬＬＡ）により形成されている。 - 特許庁