「implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(37ページ目) - Weblio英語例文検索

In the positive electrode for a lithium ion battery in which a Li_2NiPO_4F-based positive electrode active material is carried by a positive electrode current collector, the Li_2NiPO_4F-based positive electrode active material is implanted into the positive electrode current collector by a physical impact force.例文帳に追加

本発明のリチウムイオン電池用正極は、Ｌｉ_２ＮｉＰＯ_４Ｆ系正極活物質が正極用集電体に担持されているリチウムイオン電池用正極であって、前記Ｌｉ_２ＮｉＰＯ_４Ｆ系正極活物質が物理的な衝撃力によって前記正極用集電体に打ち込まれていることを特徴とする。 - 特許庁

In this method of manufacturing a semiconductor device, a substrate formed with a semiconductor layer on an insulation layer is prepared; argon ions are implanted into the surface of the semiconductor layer; a gate insulation film is formed on the semiconductor layer after the argon ion implantation; a gate electrode is formed on the gate insulation film; and a source region and a drain region are formed in the semiconductor layer.例文帳に追加

絶縁層上に半導体層が形成された基板を準備し、半導体層の表面にアルゴンイオン注入を行い、アルゴンイオン注入後の半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、半導体層にソース領域およびドレイン領域を形成する。 - 特許庁

Foreign genes retroviral vectors is transferred into primary cultured adipocytes, which are suitable for ex vivo gene therapy; can be easily collected and implanted; and can be removed after implantation, where the adipocytes stably maintain a foreign gene encoding a protein that is secreted outside of cells.例文帳に追加

採取及び移植が容易で移植後に取り除くことも可能な、エクスビボでの遺伝子治療に適した初代培養脂肪細胞に、レトロウイルスベクターを用いて外来遺伝子を導入した、細胞外に分泌する蛋白質をコードする外来遺伝子を安定に保持する、初代培養遺伝子治療用脂肪細胞。 - 特許庁

Boron ion 5 is implanted selectively to a region for isolation region formation via a thermal silicon oxide film on a P-type semiconductor substrate 1, boron 6 is added to an epitaxial layer 2, a silicon oxide film 10 of a low temperature is formed on the semiconductor substrate 1, and an isolation region 8 is formed by drive-in diffusion.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１上の熱シリコン酸化膜を介して分離領域形成用の領域に選択的にボロンイオン５を注入しエピタキシャル層２にボロン６を添加し、半導体基板１上に低温のシリコン酸化膜１０を形成し、ドライブイン拡散をして分離領域８を形成する。 - 特許庁

A steel end plate larger than an outer diameter of an outer shell steel pipe is welded and fixed to the head part side of a steel pipe concrete composite pile according to a central position of the outer shell steel pipe, and plural joining deformed studs are implanted on the same circumferential position as a thickness central position of the outer shell steel pipe of the steel end plate.例文帳に追加

鋼管コンクリート複合杭の頭部側に外殻鋼管の外径より大きい鋼製端板を該外殻鋼管の中心位置と合わせて溶接固着してあり、該鋼製端板の該外殻鋼管肉厚中心位置と同一円周位置上に複数本の接合用異形スタッドを植設してある。 - 特許庁

In the method of manufacturing a diffusion wafer where boron ions are implanted into a principal plane of a silicon single-crystal wafer, and then drive-in oxidation is conducted on the principal plane to diffuse the boron ions into the silicon single-crystal wafer, the drive-in oxidation is conducted for 40 or longer hours, immediately after the ion implantation of boron, and then a resistance value is measured.例文帳に追加

シリコン単結晶ウェーハの主面にボロンをイオン注入し、続いてドライブイン酸化を施してボロンをシリコン単結晶ウェーハに拡散する拡散ウェーハの製造方法において、ボロンをイオン注入した直後から４０時間以上経過後にドライブイン酸化を施し、その後に抵抗値を測定する。 - 特許庁

A diffusion preventing film pattern 12 is formed on a semiconductor substrate 10, an SOG film doped with impurities is formed on the semiconductor substrate 10, and impurity ions are additionally implanted into the SOG film by a plasma ion implantation method to increase the SOG film in impurity concentration.例文帳に追加

拡散防止膜パターン１２の形成された半導体基板１０上にｉｍｐｕｒｉｔｙが含まれたＳＯＧ膜を形成した後で、ｉｍｐｕｒｉｔｙが含まれたＳＯＧ膜に追加的にプラズマイオン注入法でｉｍｐｕｒｉｔｙイオンを注入してｉｍｐｕｒｉｔｙ濃度を高める。 - 特許庁

In the method for manufacturing a gallium oxide single crystal complex having a nitrided gallium modification layer containing gallium nitride (GaN) on a surface layer part of the gallium oxide (Ga_2O_3) single crystal, nitrogen ions are implanted in the surface of the gallium oxide single crystal to form a gallium nitride modification layer.例文帳に追加

酸化ガリウム（Ga_2O_3）単結晶の表層部に窒化ガリウム（GaN）を含有した窒化ガリウム変性層を備えた酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法であって、酸化ガリウム単結晶の表面に窒素イオンをイオン注入して窒化ガリウム変性層を形成する酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法である。 - 特許庁

A photoresist is removed from a nitride film at a position where the gate electrode of an HV-MOS is formed, and boron ions are implanted into the surface layer of a P well region 2 at a part 9 which serves as a second P well region penetrating through both a nitride film 4 and an oxide film 3, using the residual photoresist 8 as a mask.例文帳に追加

工程Ｄにおいて、ＨＶ−ＭＯＳのゲート電極を形成する箇所の窒化膜上のフォトレジストを除去し、それ以外のフォトレジスト８をマスクに、第２ｐウエル領域となる箇所９に、窒化膜４と酸化膜３を貫通し、ｐウエル領域２の表面層にボロンをイオン注入する。 - 特許庁

Then, before implanting the fixture to the jaw, the optical molding model is attached to an articulator, the surge guide is tried after removing the artificial tooth part of the optical molding model, a dummy fixture is implanted to the optical molding model, an abutment for a technical operator is connected to the dummy fixture, and the orthoprosthesis is manufactured.例文帳に追加

そして、フィクスチャーを顎骨に埋入する前に、光造形模型を咬合器に付着させ、光造形模型の人工歯部分を除去した後にサージガイドを試適させ、光造形模型にダミーフィクスチャーの埋入を行うと共に、ダミーフィクスチャーに技工用のアバットメントを接続して歯科補綴物を製造する。 - 特許庁

Source side and drain side halo implanted regions 8a and 8b, which have a peak impurity concentration higher than the impurity concentration in the surface of the well 2 and are provided so as to encircle these regions 7s and 7d along the boundaries between the regions 7s and 7d and the well 2 are provided in the surface of the well 2.例文帳に追加

Ｐ型でウエル２表面の不純物濃度以上のピーク不純物濃度を有し、上記領域７ｓ、７ｄと上記ウエル２との境界に沿ってそれらの領域７ｓ、７ｄを囲むように設けられたソース側ハロー注入領域８ａ、ドレイン側ハロー注入領域８ｂを備える。 - 特許庁

This improved manufacturing method of an SOI substrate is such that, after oxygen ions have been implanted into a silicon substrate through one of its main surfaces, the silicon substrate is annealed to form an embedded oxide layer in a region in the silicon substrate at a prescribed depth from the one main surface.例文帳に追加

シリコン基板の一方の主面からシリコン基板内部に酸素イオンを注入した後、アニール処理してシリコン基板の一方の主面から所定の深さの領域に埋込み酸化層を形成し、埋込み酸化層上の基板の一方の主面にＳＯＩ層を形成するＳＯＩ基板の製造方法の改良である。 - 特許庁

This vacuum gage has as elements a communication space for communicating a vacuum space inside the clean box with a space of atmospheric pressure, a diaphragm arranged in the communication space to partition it into a vacuum side and an atmospheric side, and a pin implanted in the diaphragm to facilitate monitoring for a deformation level of the diaphragm caused by a pressure difference.例文帳に追加

クリーンボックス内部の真空空間と大気圧となる空間とを連通する連通空間と、この連通空間に配置されてこれを真空側と大気側とに隔置するダイアフラムと、当該ダイアフラムに植設されの圧力差によるダイアフラムの変形の量の監視を容易とするピンとを要素とする簡易真空計を構築する。 - 特許庁

By setting the thickness of the mask layer 15 thinner than the implanted depth of the impurity, a high dose region 12 is formed in a region, not covered by the mask, of the upper part of the SiC substrate 11, while low-dose regions 13 are formed in regions, covered by the mask, of the upper part of the SiC substrate 11.例文帳に追加

マスク層１５の厚さを不純物注入深さよりも浅く設定しておくことにより、ＳｉＣ基板１１の上部のうちマスクにより覆われていない部分には多量ドーズ領域１２を形成し、ＳｉＣ基板１１の上部のうちマスクにより覆われている部分には低量ドーズ領域１３を形成する。 - 特許庁

In addition, impurity ion groups 23a and 23b are implanted from gaps 19a and 19b formed between the accumulation electrodes 17a, 17b, 17c, etc. and the barrier electrodes 21a, 21b, etc., so as to form a barrier regions 23 on the surface of the n-type region 13 that correspond with the barrier electrodes 21a, 21b, etc.例文帳に追加

また、蓄積電極１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，〜とバリア電極２１ａ，２１ｂ，〜との間にそれぞれ設けられたギャップ１９ａ，１９ｂより不純物イオン群２３ａ，２３ｂを注入し、バリア電極２１ａ，２１ｂ，〜に対応する、ｎ型領域１３の表面部にそれぞれバリア領域２３を形成してなる構成とされている。 - 特許庁

With a pin threading plate 35 corresponding to a type of a printed board P set in frame wiring 41, and this frame wiring 41 position-fixed to a movable shoot 20 and fixable shoot 21 of a positioning section; back-up pins 30 are implanted to a back-up base 31 through multiple threading holes set up in the pin threading plate 35.例文帳に追加

プリント基板Ｐの種類に対応したピン挿通用板体３５を支持枠体４１にセットし、この支持枠体４１を位置決め部の可動シュート２０及び固定シュート２１に位置決め固定した状態で、ピン挿通用板体３５に開設された複数の挿通孔を介してバックアップピン３０をバックアップベース３１に植設する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the laminated wafer by laminating a wafer for active layer to wafer for support layer and then thinning the wafer for active layer, a terrace grinding for forming a terrace portion is carried out prior to a step of exposing the oxygen ion implanted layer while leaving an oxide film on a terrace portion of the wafer for support layer.例文帳に追加

活性層用ウェーハと支持層用ウェーハを貼り合わせたのち、活性層用ウェーハを薄膜化することからなる貼り合わせウェーハの製造方法において、 酸素イオン注入層を露出させる工程に先立ち、テラスを形成するためのテラス研磨を行い、その際、支持層用ウェーハ上テラス部の酸化膜を残存させる。 - 特許庁

In a semiconductor integrated circuit device which includes an inverter circuit composed of a pMOS transistor and an n MOS transistor Q2, the threshold voltage of the transistor Q2 is made lower than the threshold of the transistor Q1 by setting the dosage of implanted ions to the units of elements and executing a multi-Vth process.例文帳に追加

ｐＭＯＳトランジスタＱ１とｎＭＯＳトランジスタＱ２で構成されるインバータ回路１を含む半導体集積回路装置において、注入イオンのドーズ量を素子単位に設定してマルチＶｔｈプロセスを実行することにより、トランジスタＱ２のしきい値電圧をトランジスタＱ１のしきい値電圧よりも低くする。 - 特許庁

To provide a toothbrush implanted with needle-like bristles manufacturable in a simple process reducing a fraction defective, and a toothbrush manufacturing method using defective bristles failing in adjusting the length for manufacturing the toothbrush, more firmly fixing the bristles for the toothbrush to the toothbrush, and freely adjusting an implanting bristle pattern and the quantity of bristles.例文帳に追加

製造工程が簡単で不良率が減少された針状毛が植毛された歯ブラシと、長さ調節に失敗した不良毛を歯ブラシの製造に利用でき、歯ブラシ用毛を歯ブラシに一層堅固に固定でき、植毛される毛のパターンと毛の数量を自由に調節できる歯ブラシの製造方法を提供する。 - 特許庁

A computer read out medium in another embodiment is implanted with the program constituted so as to execute receiving of the command about the battery status of a plurality of imaging systems to a computer and setting of the schedule of inspection and recharging at least partially based on the received command.例文帳に追加

別の態様におけるコンピュータ読み取り可能媒体は、コンピュータに対して複数の撮像システムの電池ステータスに関する指示を受け取ること、並びにこの受け取った指示に少なくとも部分的に基づいて検査及び再充電をスケジュール設定すること、を実行させるように構成したプログラムの移植を受けている。 - 特許庁

The method for patterning on the surface of the rock wool board comprises the steps of forming the stripe-like grooves 2 on the surface of the rock wool board 1 by cutting, and thereafter continuously pressing the stripe-like rugged part by the patterning roll 5 having the pins 4 of different diameters and protruding lengths and implanted thereto to form the rugged pattern 6.例文帳に追加

ロックウール基板１の表面にストライプ状の凹溝２を切削加工で形成し、その後でストライプ状の凹凸部に直径、突出長さの異なるピン４を植設した模様付けロール５で連続的に押圧して凹凸模様６を形成することを特徴とするロックウールボードの表面模様付け方法にある。 - 特許庁

A sheet-like brush plate 20 equipped with a sheet-like brush 19 made of synthetic fibers or cloth, which is densely covered with countless short piloerection 19a turning upward a, is attached to the anterior suction opening 13 and a brush body 23 implanted with comparatively hard and long brush 22 is attached in the bottom suction opening 18.例文帳に追加

前側吸込口１３には無数の短い立毛１９ａを上方向ａに伏倒して密生させた合成繊維製もしくは布製の面状ブラシ１９を備えた面状ブラシ板２０を取り付け、底側吸込口１８には比較的硬くて長いブラシ２２を植設したブラシ台２３を取り付けている。 - 特許庁

Thus, even when the carcass cord 24 is fed from a wire feeding device 12 while rotating around the axis, slackness of tension in the constant length carcass cord 24A can be prevented, and the constant length carcass cord 24A can be reliably fed (implanted) in an annular body 72 as the next step.例文帳に追加

従って、線材送出装置１２よりカーカスコード２４が軸周りに回転しながら送出される場合であっても、定長カーカスコード２４Ａのテンションの緩みを防止することができるので、これにより次工程としての円環状体７２に確実に定長カーカスコード２４Ａを供給する（植え込む）ことが可能となる。 - 特許庁

The fluorescence measurement band for use with a fluorescent light-emitting bead implanted in a user's body includes a band configured to be positioned securely and removably about a part of the user's body, a light emitter attached to the band, and a light detector attached to the band.例文帳に追加

使用者の体の中に植え込まれている蛍光発光ビーズと共に使用するための蛍光測定バンドは、使用者の体の一部分の周囲にしっかりと取り外し可能に位置決めされるように構成されているバンドと、このバンドに取り付けられている発光器と、このバンドに取り付けられている光検出器と、を備えている。 - 特許庁

This asbestos removing tool is composed of a removing means for separating and crushing an asbestos surface, a transparent material sealing means having a densely implanted wire rod seal means and covering the whole action part, a gripping means with the lighting system, and a suction means composed of a suction flexible pipe connected to a compressor.例文帳に追加

アスベスト面の剥離粉砕を行う除去手段と、密植された線材製のシール手段を備え作用部の全体を掩覆する透明材製の密閉手段と、照明装置付の把持手段と、コンプレッサに接続される吸引用可撓管よりなる吸引手段、から構成されるアスベスト除去具を提供する。 - 特許庁

As a refractive index at the refractive index variable region 18 is independently changed by independently changing the amount of a carrier to be implanted to the refractive index variable region 18, the refractive index changes at a portion where the laser beam passes in the refractive index variable region 18, by which an image of a far view area is changed.例文帳に追加

屈折率可変領域１８に注入するキャリアの量を独立に変化させることによって、屈折率可変領域１８の屈折率が独立に変化するから、屈折率可変領域１８におけるレーザ光の通過部分の屈折率が変化して、遠視野像を変化させることができる。 - 特許庁

This vegetation floating island is such one that the floating body 2 to float the vegetation base material 1 containing plants to be implanted is arranged on the vegetation base material 1 to implant plants in, and the vegetation base material 1 and the floating body 2 are united through forming a coat 3 on the floating body 2 by attaching a synthetic resin over the vegetation base material 1.例文帳に追加

植物等を植設するための植生基盤材１に、植設される植物等を含む植生基盤材１を浮かべるための浮力体２を配置し、浮力体２に植生基盤材１にわたって合成樹脂を付着させることにより被膜３を形成して、植生基盤材１と浮力体２を一体化させた。 - 特許庁

At least two support rods which extend toward the other square open end, constituting a wafer support shelf, are implanted at the central part, in left and right directions, of a rear wall plate that closes one of two square open ends formed of a ceiling plate and two sidewall plates fixed to both of left and right ends of the ceiling plate.例文帳に追加

天井板と天井板の左右両端に固定された２枚の側壁板とが形成する２つの矩形開口端面の一方を閉塞する後壁板の左右中央部に、矩形開口面の他方に向かって伸長して、ウエハ支持棚を構成する少なくとも２本の支持杆が植設されている。 - 特許庁

A medical device to be implanted such as a fixed bidirectional infuser device for controlling a fixed artificial sphincter (e.g. adjustable gastric band) by hydraulic pressure is remote-controlled to be powered by transcutaneous energy transfer (TET) to thereby eliminate the neccesity of a battery, so that the device receives the benefit of the TET.例文帳に追加

一定の人工括約筋（例えば、調節可能な胃帯）を液圧により制御するための、一定の二方向注入装置等のような、移植可能な医療装置が経皮エネルギー伝達（ＴＥＴ）により遠隔操作で電力供給されて、電池の必要性を排除することにより恩恵を受けている。 - 特許庁

To prevent in the method of manufacturing a semiconductor device that ions are deeply implanted due to channeling by employing a very simplified means on the occasion of forming, with the ion implantation, a source region and a drain region of a MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) where a gate electrode is formed of a columnar crystal metal such as Mo, Al, and W.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、Ｍｏ、Ａｌ、Ｗなど柱状結晶のメタルをゲート電極とするＭＯＳＦＥＴのソース領域及びドレイン領域をイオン注入で形成する際、極めて簡単な手段を採ることでイオンがチャネリングに依って深く打ち込まれることを防止できるようにする。 - 特許庁

For the steel brush formed by a shank 10 and many rigid bristles 11 implanted on the shank 10, the high rigid grinding grains 12 such as many diamond abrasive grains, cubic system boron nitride abrasive grains, alumina abrasive grains or silicon carbide abrasive grains are fixed on tips of the bristles 11 by brazing, electroplating or resin adhesion.例文帳に追加

柄（１０）と、柄（１０）に植設される多数の剛性の毛（１１）とからなる鋼製ブラシにおいて、毛（１１）の先端に、多数のダイアモンド砥粒、立方晶系窒化ホウ素砥粒、アルミナ砥粒、又は炭化珪素砥粒などの高剛性砥粒（１２）が、硬ろう付け、電気めっき、又は樹脂粘着などにより固設される。 - 特許庁

While a gate electrode 41 is used as an implantation mask, arsenic or phosphorus is ion-implanted in a silicon substrate 1 to form a pair of extension layers 51 in a surface of the silicon substrate 1, and then a protection insulating film 14 of 1 to 20 nm thickness is formed of a silicon oxide film by a CVD method over the entire surface of the silicon substrate 1.例文帳に追加

ゲート電極４１を注入マスクとしてシリコン基板１内にヒ素あるいはリンをイオン注入して、シリコン基板１の表面内に１対のエクステンション層５１を形成し、その後、シリコン基板１の全面に、ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜で厚さ１〜２０ｎｍの保護絶縁膜１４を形成する。 - 特許庁

The steel-made pier comprises a superstructure 11 traveled by vehicles, a horizontal girder 12 for mounting the superstructure, the pier body 13 for mounting the horizontal girder and connected to the horizontal girder, a footing 16 connected to a base part of the pier body buried underground, and a pile 17 implanted in the footing.例文帳に追加

車両が走行する上部工１１と、該上部工を載置する水平梁１２と、該水平梁に連結され、かつ、該水平梁を載置する橋脚本体１３と、地中に埋設された橋脚本体の基部に連結されたフーチング１６と、該フーチングに植設されている杭１７よりなる鋼製橋脚である。 - 特許庁

When fixing the glass insulation support body 60 heated and softened at high temperatures, the positioning shaft 15 is formed of a steel material (SKD 11 high-temperature tempering) tempered at a temperature higher than a thermal temperature transmitted through the respective grid electrodes G1-G6, and the positioning shaft 15 is implanted in the base 14.例文帳に追加

高温で加熱軟化されたガラス製絶縁支持体６０の固定時に、各グリッド電極Ｇ１〜Ｇ６を介して伝達される熱温度よりも高い温度で焼戻しされた鋼材（ＳＫＤ１１高温焼戻し）によって位置決め芯棒１５を形成し、この位置決め芯棒１５を基台１４に植設する。 - 特許庁

The separator for an alkaline primary battery is provided along the inner wall surface of an anode mixture (2), with a cylindrical shape inscribing to an anode can (1) with a bottomed cylindrical shape, formed with a bottomed cylindrical shape, impregnated with an electrolyte solution, and implanted inside with a cathode mixture (4), containing zinc powder or zinc alloy powder.例文帳に追加

有底筒状の正極缶内（１）に内接する筒状の正極合剤（２）の内壁面に沿って配設され、有底筒状に形成されるとともに、電解液が含浸されており、かつ内部に亜鉛粉又は亜鉛合金粉を含有する負極剤（４）が注入されたアルカリ一次電池用のセパレータとした。 - 特許庁

The method of forming an oxide film pattern includes a step of forming an oxide film on a semiconductor substrate, a step of implanting boron ions of 1.0×10^16 pieces/cm^2 or more into the oxide film in a predetermined region, and a step of wet-etching a region where no boron ion is implanted in the oxide film.例文帳に追加

半導体基板上に酸化膜を形成する工程と、所定領域の酸化膜上に１．０×１０^１６個／ｃｍ^２以上のボロンイオンを注入する工程と、前記酸化膜における前記ボロンイオンの注入されなかった領域を湿式エッチングする工程と、を含む酸化膜パターンの形成方法とした。 - 特許庁

When a glass pane-molding equipment is equipped with a mold 11 installed within a molding furnace 1, a press ring 7 pressing a glass pane 19 onto the mold and a support frame 6 for the ring 7, inspecting pins 30 are implanted at plural positions inside the ring 7 and are made to be operable from the outside of the furnaces 1 and 2.例文帳に追加

成形炉１内に設けたモールド１１と、このモールドにガラス板１９を押圧するプレスリング７と、このプレスリング７の支持フレーム６とを備えたガラス板成形装置において、前記プレスリング７の内側の複数ヵ所に検査用のピン３０を設け、成形炉１，２の外部から前記ピンを操作可能とした。 - 特許庁

This composition for solid particle formation is implanted to the periodontal pocket in a sufficient amount for treatment of periodontal diseases.例文帳に追加

生分解性ポリマー、可溶化剤、多価アルコール、薬効剤、及び２価の金属塩を含有し、２価の金属塩を生分解性ポリマーに対して１／１０量以上となるように配合してなる固体粒子形成用組成物、及び歯周病の治療に充分な量の、上記固体粒子形成用組成物を歯周ポケットに注入する歯周病の治療方法。 - 特許庁

After an organic film pattern such as photo-resist is formed in the surface layer, impurity ions are implanted, the organic film is carbonized to provide a graphite film which is used as a mask for selective doping by a thermal diffusion method, and a surface roughening is prevented while impurity atoms are suppressed from being desorbed from the surface due to out-diffusion.例文帳に追加

表面層にフォトレジスト等の有機膜パターンを形成後、不純物イオンを注入し、その有機膜を炭化させたグラファイト膜をマスクとして熱拡散法による選択ドーピングをおこなうことにより、表面荒れを防ぐとともに不純物原子の外方拡散による表面からの脱離を抑制する。 - 特許庁

Next, the implantation surface is irradiated with a YAG laser by the double pulse method to activate phosphor implanted in the semiconductor substrate 1 electrically, and the crystal defects in a region from the irradiation surface of laser light to a depth corresponding to 5-30% of a thickness of the whole thinned wafer are recovered, thus the soft recovery is achieved.例文帳に追加

次いで、その注入面にダブルパルス法でＹＡＧレーザを照射し、半導体基板１の中に注入されたリンを電気的に活性化させるとともに、レーザ光の照射面から、薄板化されたウェハー全体の厚さの５〜３０％に相当する深さまでの領域の結晶欠陥を回復させて、ソフトリカバリーとする。 - 特許庁

Cells CL moved in a feed route 1a are surely captured in a fixed implantation position, by driving a cylindrical part 2b to a first position by an actuator 2c, and further a micropipette MP inserted via an inlet route 1b is readily implanted in the captured cells CL.例文帳に追加

供給路１ａ内を移動してきた細胞ＣＬを、アクチュエータ２ｃが円筒部２ｂを第１の位置に駆動することで、所定の刺入位置に確実に捕捉することができ、更に捕捉された細胞ＣＬは、導入路１ｂを介して挿入されたマイクロピペットＭＰにより容易に刺入されることができる。 - 特許庁

In the die cast die to cast the molten or partially solidified metal, a part of or an entire part of a surface in contact with at least the molten or partially solidified metal is modified into the surface of a compound or a mixture of a die base metal element modified by the ion implantation and an implanted element.例文帳に追加

溶融または半溶融状態の金属を鋳造するダイカスト用金型において、少なくとも上記溶融または半溶融状態の金属と接触する面の一部または全部を、イオン注入により改質された金型母材元素と注入元素との化合物表面または混合物表面に改質する。 - 特許庁

A resistless ion implantation method is provided, wherein the ions emitted from an ion source are passed through a mask that has an aperture having substantially analogous form to a required ion implanting region for forming a molded ion beam; and this ion beam is radiated to the required regions of a wafer that have not been subjected to application of resist for implanting the ions to the wafer; and by using this wafer, ions is implanted.例文帳に追加

イオン源から放出したイオンを所望のイオン注入領域と略相似形の開口を有するマスクに通過させて成形イオンビームを形成し、該イオンビームをレジストが塗布されてないウエハの所望の領域に照射し、該ウエハにでイオン注入するレジストレスイオン注入方法。 - 特許庁

In this base isolation supporter device, a structural body 4 is supported to a foundation floor 1 by interposing an elastic unit, an anchor bar 5 implanted in the foundation floor 1 is fit into a shock absorbing member 6 buried in the structural body 4, and the elastic unit 13 of this shock absorbing member 6 is formed in a shape having a space part 30.例文帳に追加

基礎床１に弾性体３を介在して構造体４を支承し、基礎床１に植設したアンカーバー５を構造体４内に埋設した緩衝部材６に嵌挿し、この緩衝部材６の弾性体１３は空間部３０を有する形状とした構造体の免震支持装置である。 - 特許庁

After implanting a normal bristle 40 to the head part of the toothbrush, owing to the step of polishing it by a polisher provided with projections 11 of a height of 1.5 to 7 mm, the toothbrush in which the needle-like bristles whose bristle tip thickness is 0.01 to 0.03 mm and tapered length is 3 to 9 mm, are implanted is manufactured without a chemical treatment step.例文帳に追加

通常の刷毛４０を、歯ブラシのヘッド部に植毛した後、高さ１．５〜７ｍｍの突起１１が設けられた研磨機で研磨させる工程によって、毛先厚度０．０１〜０．０３ｍｍおよびテーパー長３〜９ｍｍの針状毛が植毛された歯ブラシを薬品処理工程なしで製造する。 - 特許庁