「implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(37ページ目) - Weblio英語例文検索

The fluorescence measurement band for use with a fluorescent light-emitting bead implanted in a user's body includes a band configured to be positioned securely and removably about a part of the user's body, a light emitter attached to the band, and a light detector attached to the band.例文帳に追加

使用者の体の中に植え込まれている蛍光発光ビーズと共に使用するための蛍光測定バンドは、使用者の体の一部分の周囲にしっかりと取り外し可能に位置決めされるように構成されているバンドと、このバンドに取り付けられている発光器と、このバンドに取り付けられている光検出器と、を備えている。 - 特許庁

This asbestos removing tool is composed of a removing means for separating and crushing an asbestos surface, a transparent material sealing means having a densely implanted wire rod seal means and covering the whole action part, a gripping means with the lighting system, and a suction means composed of a suction flexible pipe connected to a compressor.例文帳に追加

アスベスト面の剥離粉砕を行う除去手段と、密植された線材製のシール手段を備え作用部の全体を掩覆する透明材製の密閉手段と、照明装置付の把持手段と、コンプレッサに接続される吸引用可撓管よりなる吸引手段、から構成されるアスベスト除去具を提供する。 - 特許庁

A first impurity is ion-implanted into the active region exposed by the lamination gate to form a source/drain region at a first concentration, a word line is used as a mask for etching to remove the exposed field oxide film, and the first insulating film on the word line is also removed or equally etched.例文帳に追加

前記積層ゲートにより露出されたアクティブ領域に第１不純物をイオン注入して第１濃度のソース／ドレイン領域を形成し、ワードラインをエッチング用マスクとして用いて露出されたフィールド酸化膜を取り除くと共に、前記ワードライン上の第１絶縁をも取り除くか、均等にエッチングする。 - 特許庁

A compressive stress applied portion 20 consisting of SiGe film is formed in a source/drain region of a p-MOS region 30a, after that, an impurity is implanted into the p-MOS region 30a and an n-MOS region 30b, and shallow junction regions 22a, 22b and deep junction regions 23a, 23b are formed.例文帳に追加

ｐ−ＭＯＳ領域３０ａのソース／ドレイン領域にＳｉＧｅ膜からなる圧縮応力印加部２０を形成し、その後にｐ−ＭＯＳ領域３０ａおよびｎ−ＭＯＳ領域３０ｂに不純物注入を行い、浅い接合領域２２ａ、２２ｂおよび深い接合領域２３ａ、２３ｂを形成する。 - 特許庁

In this manufacturing method, the conductive layer 2 of a semi- insulating substrate 1 is element-isolated into a required patterning shape through mesa etching and left inside an element formation area, an insulator such as ozone is ion-implanted to step part 4, formed at the peripheral edge part of the conductive layer 2 by mesa etching and the step part 4 is constructed as an electrical insulating body.例文帳に追加

半絶縁性基板１の導電層２をメサエッチにより必要なパターニング形状に素子分離して素子形成領域１ａ内に残し、メサエッチにより導電層２の周縁部に形成される段差部４にオゾン等の絶縁物をイオン注入し、段差部４を電気絶縁体として構築する。 - 特許庁

Then, YAG laser is irradiated by the double pulse method in the implantation side so as to electrically activate the phosphorus implanted in the semiconductor substrate 1, and therewith to recover the crystal defects in the region from the irradiated plane by the laser ray to the depth corresponding to 5-30% of the whole thickness of the thinned wafer, thus making it a soft recovery.例文帳に追加

次いで、その注入面にダブルパルス法でＹＡＧレーザを照射し、半導体基板１の中に注入されたリンを電気的に活性化させるとともに、レーザ光の照射面から、薄板化されたウェハー全体の厚さの５〜３０％に相当する深さまでの領域の結晶欠陥を回復させて、ソフトリカバリーとする。 - 特許庁

As a refractive index at the refractive index variable region 18 is independently changed by independently changing the amount of a carrier to be implanted to the refractive index variable region 18, the refractive index changes at a portion where the laser beam passes in the refractive index variable region 18, by which an image of a far view area is changed.例文帳に追加

屈折率可変領域１８に注入するキャリアの量を独立に変化させることによって、屈折率可変領域１８の屈折率が独立に変化するから、屈折率可変領域１８におけるレーザ光の通過部分の屈折率が変化して、遠視野像を変化させることができる。 - 特許庁

This vegetation floating island is such one that the floating body 2 to float the vegetation base material 1 containing plants to be implanted is arranged on the vegetation base material 1 to implant plants in, and the vegetation base material 1 and the floating body 2 are united through forming a coat 3 on the floating body 2 by attaching a synthetic resin over the vegetation base material 1.例文帳に追加

植物等を植設するための植生基盤材１に、植設される植物等を含む植生基盤材１を浮かべるための浮力体２を配置し、浮力体２に植生基盤材１にわたって合成樹脂を付着させることにより被膜３を形成して、植生基盤材１と浮力体２を一体化させた。 - 特許庁

At least two support rods which extend toward the other square open end, constituting a wafer support shelf, are implanted at the central part, in left and right directions, of a rear wall plate that closes one of two square open ends formed of a ceiling plate and two sidewall plates fixed to both of left and right ends of the ceiling plate.例文帳に追加

天井板と天井板の左右両端に固定された２枚の側壁板とが形成する２つの矩形開口端面の一方を閉塞する後壁板の左右中央部に、矩形開口面の他方に向かって伸長して、ウエハ支持棚を構成する少なくとも２本の支持杆が植設されている。 - 特許庁

A medical device to be implanted such as a fixed bidirectional infuser device for controlling a fixed artificial sphincter (e.g. adjustable gastric band) by hydraulic pressure is remote-controlled to be powered by transcutaneous energy transfer (TET) to thereby eliminate the neccesity of a battery, so that the device receives the benefit of the TET.例文帳に追加

一定の人工括約筋（例えば、調節可能な胃帯）を液圧により制御するための、一定の二方向注入装置等のような、移植可能な医療装置が経皮エネルギー伝達（ＴＥＴ）により遠隔操作で電力供給されて、電池の必要性を排除することにより恩恵を受けている。 - 特許庁

For the steel brush formed by a shank 10 and many rigid bristles 11 implanted on the shank 10, the high rigid grinding grains 12 such as many diamond abrasive grains, cubic system boron nitride abrasive grains, alumina abrasive grains or silicon carbide abrasive grains are fixed on tips of the bristles 11 by brazing, electroplating or resin adhesion.例文帳に追加

柄（１０）と、柄（１０）に植設される多数の剛性の毛（１１）とからなる鋼製ブラシにおいて、毛（１１）の先端に、多数のダイアモンド砥粒、立方晶系窒化ホウ素砥粒、アルミナ砥粒、又は炭化珪素砥粒などの高剛性砥粒（１２）が、硬ろう付け、電気めっき、又は樹脂粘着などにより固設される。 - 特許庁

To prevent in the method of manufacturing a semiconductor device that ions are deeply implanted due to channeling by employing a very simplified means on the occasion of forming, with the ion implantation, a source region and a drain region of a MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) where a gate electrode is formed of a columnar crystal metal such as Mo, Al, and W.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、Ｍｏ、Ａｌ、Ｗなど柱状結晶のメタルをゲート電極とするＭＯＳＦＥＴのソース領域及びドレイン領域をイオン注入で形成する際、極めて簡単な手段を採ることでイオンがチャネリングに依って深く打ち込まれることを防止できるようにする。 - 特許庁

A low-temperature InN buffer layer 2 is deposited on a substrate 1 having a clean surface (0001) employing MBE, and an InN layer 3 with crystal growing axis slanted by several degrees with respect to the normal line direction of the substrate 1 is grown on the buffer layer 2 while the ion is implanted into the InN layer 3 from the normal line direction of the substrate 1.例文帳に追加

ＭＢＥを用いて清浄な（０００１）表面を持つ基板１上に低温ＩｎＮバッファ層２を堆積し、このバッファ層２の上に結晶成長軸が基板１の法線方向に対し数度だけ傾いたＩｎＮ層３を成長させ、このＩｎＮ層３に基板１の法線方向からイオン注入する。 - 特許庁

When a toothbrush body is molded with a thermoplastic synthetic resin, all holes of bristles are vertically formed in an implant surface, and the center bristle rows are shaven to a half those of a usual toothbrush, and long bristles are implanted in the outer rows, and the bristle of the outer row is covered with a correction cap to be inclined inward, and treated by heating at 90°C.例文帳に追加

歯ブラシ躯体を熱可塑性合成樹脂により成型する際に、全植毛孔を植毛面に垂直に設け、中央列植毛は通常の歯ブラシの半分位に刈り、外側列に長く植毛し、外側列ブリッスルを内側に傾ける匡整キャップを被せ、９０℃位で加熱処理する。 - 特許庁

In this method of manufacturing this semiconductor device for implanting ions into an SOI layer to control a threshold voltage of an MOSFET, the threshold voltage control ions are implanted in a concentration distribution wherein the concentration peak value thereof is positioned in the 10% range of the SOI layer thickness centering the 1/2 depth position of the SOI layer.例文帳に追加

本発明は，ＳＯＩ層にイオンを注入してＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧を制御する半導体装置の製造方法であって，しきい値電圧制御イオンを，その濃度ピーク値がＳＯＩ層の１／２深さ位置を中心としてＳＯＩ層厚さの１０％範囲内に位置するような濃度分布で注入する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can fully maintain activity of ions implanted in a well region at the formation of this region and minimizes the damages on a semiconductor substrate in the process of the ion implantation and suppresses the TED phenomenon to ions in the well region.例文帳に追加

ウェル領域形成の際にこの領域に注入されたイオンの活性化を最大限維持し、前記イオン注入工程の際に半導体基板の損傷を最小化するとともに、ウェル領域のイオンに発生するＴＥＤ現象を抑制することを可能にする半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A method for removing resist includes an irradiation step of irradiating ion-implanted resist with ultraviolet light to an extent such that the cured layer of the resist formed by implanting ions becomes alkali-soluble, and a removing step of bringing the resist into contact with an alkali solution to peel the resist from a silicon substrate.例文帳に追加

レジスト除去方法は、イオンが注入されているレジストに、当該イオンの注入によって形成されたレジストの硬化層にアルカリ可溶性を生じさせる程度の紫外光を照射する照射工程と、前記レジストをアルカリ溶液に接触させて当該レジストをシリコン基板から剥離させる除去工程と、を含む。 - 特許庁

To reduce costs in an SOI substrate 1 which uses so-called smart cutting to obtain a single crystal silicon thin film by implanting hydrogen ions into a single crystal silicon piece 6, sticking the single crystal silicon piece 6 onto a substrate 2 and then performing heat treatment to embrittle hydrogen on the surface where the hydrogen ions are implanted.例文帳に追加

単結晶シリコン片６内に水素イオンを打込み、その単結晶シリコン片６を基板２に貼合わせた後、熱処理することで、前記水素イオンの打込み面で水素脆化させて単結晶シリコン薄膜を得るようにした、いわゆるスマートカット法を用いるＳＯＩ基板１において、低コスト化を図る。 - 特許庁

A multilayer SOI substrate having an amorphous or polycrystal semiconductor layer formed beneath an SOI layer through a gate insulation film is employed, the semiconductor layer is implanted with ions in a pattern reverse to that of an upper gate electrode, and a buried gate is formed in self- alignment with the upper gate.例文帳に追加

ＳＯＩ層下部に埋め込みゲート絶縁膜を介して構成された非晶質又は多結晶である半導体層を有する多層ＳＯＩ基板を用い、上部ゲート電極の逆パターンで上記半導体層にイオン注入を施し、埋め込みゲートを上部ゲートと自己整合の関係で構成することを特徴とする。 - 特許庁

A diffusion preventing film pattern 12 is formed on a semiconductor substrate 10, an SOG film doped with impurities is formed on the semiconductor substrate 10, and impurity ions are additionally implanted into the SOG film by a plasma ion implantation method to increase the SOG film in impurity concentration.例文帳に追加

拡散防止膜パターン１２の形成された半導体基板１０上にｉｍｐｕｒｉｔｙが含まれたＳＯＧ膜を形成した後で、ｉｍｐｕｒｉｔｙが含まれたＳＯＧ膜に追加的にプラズマイオン注入法でｉｍｐｕｒｉｔｙイオンを注入してｉｍｐｕｒｉｔｙ濃度を高める。 - 特許庁

In the method for manufacturing a gallium oxide single crystal complex having a nitrided gallium modification layer containing gallium nitride (GaN) on a surface layer part of the gallium oxide (Ga_2O_3) single crystal, nitrogen ions are implanted in the surface of the gallium oxide single crystal to form a gallium nitride modification layer.例文帳に追加

酸化ガリウム（Ga_2O_3）単結晶の表層部に窒化ガリウム（GaN）を含有した窒化ガリウム変性層を備えた酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法であって、酸化ガリウム単結晶の表面に窒素イオンをイオン注入して窒化ガリウム変性層を形成する酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法である。 - 特許庁

A surface temperature of a semiconductor wafer into which impurities are implanted, is raised from a pre-heating temperature to a target temperature over a period of time from 1 to 20 milliseconds by performing a first irradiation in which light-emission output of a flashlamp is increased up from zero to a maximal value I_max over a period of time from 1 to 20 milliseconds.例文帳に追加

フラッシュランプの発光出力を１ミリ秒以上２０ミリ秒以下の時間をかけてゼロから最大値Ｉ_maxにまで増加させる第１照射を行うことにより、不純物が注入された半導体ウェハーの表面温度が予備加熱温度から目標温度にまで１ミリ秒以上２０ミリ秒以下にて昇温する。 - 特許庁

An insulating film 905 is attached, a gate electrode 108 is deposited, a trench 105 is cut by etching, a spacer 103 is attached, then N-type ions are implanted to form a drain region 106 adjacent to the upper gate 108, and the opening 105 is filled up with conductor to serve as a contact.例文帳に追加

絶縁膜９０５を付着させゲイト電極１０８を堆積し、エッチングによりトレンチ１０５を開口しスペーサ１０３を付着させた後ｎ型イオン注入してドレイン領域１０６を基板１０上部ゲート１０８に隣接して形成し、開口部１０５に導電体を充填してコンタクトとする。 - 特許庁

When a glass pane-molding equipment is equipped with a mold 11 installed within a molding furnace 1, a press ring 7 pressing a glass pane 19 onto the mold and a support frame 6 for the ring 7, inspecting pins 30 are implanted at plural positions inside the ring 7 and are made to be operable from the outside of the furnaces 1 and 2.例文帳に追加

成形炉１内に設けたモールド１１と、このモールドにガラス板１９を押圧するプレスリング７と、このプレスリング７の支持フレーム６とを備えたガラス板成形装置において、前記プレスリング７の内側の複数ヵ所に検査用のピン３０を設け、成形炉１，２の外部から前記ピンを操作可能とした。 - 特許庁

This composition for solid particle formation is implanted to the periodontal pocket in a sufficient amount for treatment of periodontal diseases.例文帳に追加

生分解性ポリマー、可溶化剤、多価アルコール、薬効剤、及び２価の金属塩を含有し、２価の金属塩を生分解性ポリマーに対して１／１０量以上となるように配合してなる固体粒子形成用組成物、及び歯周病の治療に充分な量の、上記固体粒子形成用組成物を歯周ポケットに注入する歯周病の治療方法。 - 特許庁

While a gate electrode 41 is used as an implantation mask, arsenic or phosphorus is ion-implanted in a silicon substrate 1 to form a pair of extension layers 51 in a surface of the silicon substrate 1, and then a protection insulating film 14 of 1 to 20 nm thickness is formed of a silicon oxide film by a CVD method over the entire surface of the silicon substrate 1.例文帳に追加

ゲート電極４１を注入マスクとしてシリコン基板１内にヒ素あるいはリンをイオン注入して、シリコン基板１の表面内に１対のエクステンション層５１を形成し、その後、シリコン基板１の全面に、ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜で厚さ１〜２０ｎｍの保護絶縁膜１４を形成する。 - 特許庁

The steel-made pier comprises a superstructure 11 traveled by vehicles, a horizontal girder 12 for mounting the superstructure, the pier body 13 for mounting the horizontal girder and connected to the horizontal girder, a footing 16 connected to a base part of the pier body buried underground, and a pile 17 implanted in the footing.例文帳に追加

車両が走行する上部工１１と、該上部工を載置する水平梁１２と、該水平梁に連結され、かつ、該水平梁を載置する橋脚本体１３と、地中に埋設された橋脚本体の基部に連結されたフーチング１６と、該フーチングに植設されている杭１７よりなる鋼製橋脚である。 - 特許庁

When fixing the glass insulation support body 60 heated and softened at high temperatures, the positioning shaft 15 is formed of a steel material (SKD 11 high-temperature tempering) tempered at a temperature higher than a thermal temperature transmitted through the respective grid electrodes G1-G6, and the positioning shaft 15 is implanted in the base 14.例文帳に追加

高温で加熱軟化されたガラス製絶縁支持体６０の固定時に、各グリッド電極Ｇ１〜Ｇ６を介して伝達される熱温度よりも高い温度で焼戻しされた鋼材（ＳＫＤ１１高温焼戻し）によって位置決め芯棒１５を形成し、この位置決め芯棒１５を基台１４に植設する。 - 特許庁

The separator for an alkaline primary battery is provided along the inner wall surface of an anode mixture (2), with a cylindrical shape inscribing to an anode can (1) with a bottomed cylindrical shape, formed with a bottomed cylindrical shape, impregnated with an electrolyte solution, and implanted inside with a cathode mixture (4), containing zinc powder or zinc alloy powder.例文帳に追加

有底筒状の正極缶内（１）に内接する筒状の正極合剤（２）の内壁面に沿って配設され、有底筒状に形成されるとともに、電解液が含浸されており、かつ内部に亜鉛粉又は亜鉛合金粉を含有する負極剤（４）が注入されたアルカリ一次電池用のセパレータとした。 - 特許庁

The method of forming an oxide film pattern includes a step of forming an oxide film on a semiconductor substrate, a step of implanting boron ions of 1.0×10^16 pieces/cm^2 or more into the oxide film in a predetermined region, and a step of wet-etching a region where no boron ion is implanted in the oxide film.例文帳に追加

半導体基板上に酸化膜を形成する工程と、所定領域の酸化膜上に１．０×１０^１６個／ｃｍ^２以上のボロンイオンを注入する工程と、前記酸化膜における前記ボロンイオンの注入されなかった領域を湿式エッチングする工程と、を含む酸化膜パターンの形成方法とした。 - 特許庁

After an organic film pattern such as photo-resist is formed in the surface layer, impurity ions are implanted, the organic film is carbonized to provide a graphite film which is used as a mask for selective doping by a thermal diffusion method, and a surface roughening is prevented while impurity atoms are suppressed from being desorbed from the surface due to out-diffusion.例文帳に追加

表面層にフォトレジスト等の有機膜パターンを形成後、不純物イオンを注入し、その有機膜を炭化させたグラファイト膜をマスクとして熱拡散法による選択ドーピングをおこなうことにより、表面荒れを防ぐとともに不純物原子の外方拡散による表面からの脱離を抑制する。 - 特許庁

Next, the implantation surface is irradiated with a YAG laser by the double pulse method to activate phosphor implanted in the semiconductor substrate 1 electrically, and the crystal defects in a region from the irradiation surface of laser light to a depth corresponding to 5-30% of a thickness of the whole thinned wafer are recovered, thus the soft recovery is achieved.例文帳に追加

次いで、その注入面にダブルパルス法でＹＡＧレーザを照射し、半導体基板１の中に注入されたリンを電気的に活性化させるとともに、レーザ光の照射面から、薄板化されたウェハー全体の厚さの５〜３０％に相当する深さまでの領域の結晶欠陥を回復させて、ソフトリカバリーとする。 - 特許庁

Cells CL moved in a feed route 1a are surely captured in a fixed implantation position, by driving a cylindrical part 2b to a first position by an actuator 2c, and further a micropipette MP inserted via an inlet route 1b is readily implanted in the captured cells CL.例文帳に追加

供給路１ａ内を移動してきた細胞ＣＬを、アクチュエータ２ｃが円筒部２ｂを第１の位置に駆動することで、所定の刺入位置に確実に捕捉することができ、更に捕捉された細胞ＣＬは、導入路１ｂを介して挿入されたマイクロピペットＭＰにより容易に刺入されることができる。 - 特許庁

In the die cast die to cast the molten or partially solidified metal, a part of or an entire part of a surface in contact with at least the molten or partially solidified metal is modified into the surface of a compound or a mixture of a die base metal element modified by the ion implantation and an implanted element.例文帳に追加

溶融または半溶融状態の金属を鋳造するダイカスト用金型において、少なくとも上記溶融または半溶融状態の金属と接触する面の一部または全部を、イオン注入により改質された金型母材元素と注入元素との化合物表面または混合物表面に改質する。 - 特許庁

A resistless ion implantation method is provided, wherein the ions emitted from an ion source are passed through a mask that has an aperture having substantially analogous form to a required ion implanting region for forming a molded ion beam; and this ion beam is radiated to the required regions of a wafer that have not been subjected to application of resist for implanting the ions to the wafer; and by using this wafer, ions is implanted.例文帳に追加

イオン源から放出したイオンを所望のイオン注入領域と略相似形の開口を有するマスクに通過させて成形イオンビームを形成し、該イオンビームをレジストが塗布されてないウエハの所望の領域に照射し、該ウエハにでイオン注入するレジストレスイオン注入方法。 - 特許庁

In this base isolation supporter device, a structural body 4 is supported to a foundation floor 1 by interposing an elastic unit, an anchor bar 5 implanted in the foundation floor 1 is fit into a shock absorbing member 6 buried in the structural body 4, and the elastic unit 13 of this shock absorbing member 6 is formed in a shape having a space part 30.例文帳に追加

基礎床１に弾性体３を介在して構造体４を支承し、基礎床１に植設したアンカーバー５を構造体４内に埋設した緩衝部材６に嵌挿し、この緩衝部材６の弾性体１３は空間部３０を有する形状とした構造体の免震支持装置である。 - 特許庁

After implanting a normal bristle 40 to the head part of the toothbrush, owing to the step of polishing it by a polisher provided with projections 11 of a height of 1.5 to 7 mm, the toothbrush in which the needle-like bristles whose bristle tip thickness is 0.01 to 0.03 mm and tapered length is 3 to 9 mm, are implanted is manufactured without a chemical treatment step.例文帳に追加

通常の刷毛４０を、歯ブラシのヘッド部に植毛した後、高さ１．５〜７ｍｍの突起１１が設けられた研磨機で研磨させる工程によって、毛先厚度０．０１〜０．０３ｍｍおよびテーパー長３〜９ｍｍの針状毛が植毛された歯ブラシを薬品処理工程なしで製造する。 - 特許庁

Then, as shown in Figure 2 (a), N-type impurity ions are implanted with an accelerating energy using the same photoresist layer 116 as a mask, so as to penetrate through the first polysilicon layer 115b and the first oxide film 113 but not to penetrate through the second oxide film 114, and the lower electrode 118 of a capacitive element is formed.例文帳に追加

次に、図２（ａ）に示すように、同一のホトレジスト層１１６をマスクとして、第１のポリシリコン層１１５ｂ及び第１の酸化膜１１３を貫通し、第２の酸化膜１１４を貫通しないような加速エネルギーで、ｎ型不純物をイオン注入し、容量素子の下部電極１１８を形成する。 - 特許庁

Toothbrushes are formed which have tufts implanted radially in tips of two rotary shafts, two right and left toothbrushes are arranged closely so that tips of tufts of both the brushes cross each other, and base ends of the rotary shafts are coupled to a motor built in a handle part to rotate the toothbrushes in directions opposite to each other.例文帳に追加

2本の回転軸の先端部に放射状に植毛した歯ブラシを形成して、両方のブラシの毛先が交差するように歯ブラシを左右２本接近して配置すると共に、前記回転軸の基端部をハンドル部に内蔵したモータに連結して、前記歯ブラシを両者逆方向に回転する。 - 特許庁

In the mold for molding the magnesium alloy which is made by successively stacking a carbon implanted layer which is made by implanting carbon ion and a diamond-like carbon layer on a base material composed of a cemented carbide, an alloy which contains WC (tungsten carbide) having the average particle diameter of 0.3-2.6 μm as a hard phase is adopted as the cemented carbide for composing the base material.例文帳に追加

超硬合金からなる基材に、カーボンイオンが注入されてなるＣ注入層と、ダイヤモンドライクカーボン層とが順次積層されてなるマグネシウム合金成形用金型において、前記基材を構成する超硬合金として、平均粒径0.3〜2.6μmのWC（タングステンカーバイト）を硬質相として含有するものを採用する。 - 特許庁

This vacuum gage has as elements a communication space for communicating a vacuum space inside the clean box with a space of atmospheric pressure, a diaphragm arranged in the communication space to partition it into a vacuum side and an atmospheric side, and a pin implanted in the diaphragm to facilitate monitoring for a deformation level of the diaphragm caused by a pressure difference.例文帳に追加

クリーンボックス内部の真空空間と大気圧となる空間とを連通する連通空間と、この連通空間に配置されてこれを真空側と大気側とに隔置するダイアフラムと、当該ダイアフラムに植設されの圧力差によるダイアフラムの変形の量の監視を容易とするピンとを要素とする簡易真空計を構築する。 - 特許庁

By setting the thickness of the mask layer 15 thinner than the implanted depth of the impurity, a high dose region 12 is formed in a region, not covered by the mask, of the upper part of the SiC substrate 11, while low-dose regions 13 are formed in regions, covered by the mask, of the upper part of the SiC substrate 11.例文帳に追加

マスク層１５の厚さを不純物注入深さよりも浅く設定しておくことにより、ＳｉＣ基板１１の上部のうちマスクにより覆われていない部分には多量ドーズ領域１２を形成し、ＳｉＣ基板１１の上部のうちマスクにより覆われている部分には低量ドーズ領域１３を形成する。 - 特許庁

The prosthetic element includes an anchoring cavity (8), which has a tapered shape to be thinned from a side connected to a guide means (5) toward the outer surface of the prosthetic element, and the opening of the anchoring cavity (8) is sharpened at a terminal outer circumference (8a) to act as a small cutting device for cutting implanted fibers when removing the element.例文帳に追加

固定用キャビティ（８）がガイド手段（５）に接続される側から人工器官素子の外面側へ向け先細りとなるテーパ形状を有し、該固定用キャビティ（８）の開口が末端外周（８ａ）で尖っており、それによって素子除去時に内殖した繊維を切断する小型の切断装置として作用するよう構成されている。 - 特許庁

An entire back surface of a substrate 1 having a loop-engaging element 3 implanted on one entire planar surface is provided with an adhesive layer 5 or a double-sided adhesive tape 7, and a release paper 9 is affixed to an outside surface of the adhesive layer 5 or of the double-sided adhesive tape 7 to form a female mating planar fastener member of the mating planar fastener members.例文帳に追加

面ファスナー組部材は、一方の面全面にループ係合素子３を植設した基材１の裏面全面に接着剤層５または両面粘着テープ７を配備し、この接着剤層５または両面粘着テープ７の外面側に、剥離紙９を貼着して雌型の面ファスナー組部材を形成する。 - 特許庁

In the method of manufacturing a diffusion wafer where boron ions are implanted into a principal plane of a silicon single-crystal wafer, and then drive-in oxidation is conducted on the principal plane to diffuse the boron ions into the silicon single-crystal wafer, the drive-in oxidation is conducted for 40 or longer hours, immediately after the ion implantation of boron, and then a resistance value is measured.例文帳に追加

シリコン単結晶ウェーハの主面にボロンをイオン注入し、続いてドライブイン酸化を施してボロンをシリコン単結晶ウェーハに拡散する拡散ウェーハの製造方法において、ボロンをイオン注入した直後から４０時間以上経過後にドライブイン酸化を施し、その後に抵抗値を測定する。 - 特許庁