「implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(31ページ目) - Weblio英語例文検索

In the case of forming a thin film transistor, impurities are implanted to the crystallized silicon film and after that, heat treatment is performed on the crystallized silicon film, whereby a defect density in a channel formation region is reduced and the doped impurities can be activated.例文帳に追加

薄膜トランジスタを作製する場合には、結晶化された珪素膜に不純物をドーピングした後に、加熱処理を行うことで、チャネル形成領域の欠陥密度を減らし、ドーピングされた不純物を活性化させることができる。 - 特許庁

A large quantity of hydrogen ions is implanted into the gate electrode 15 becoming a mask and the gate insulation film 14 by acceleration implanting plasma decomposed ions of phosphorus diluted with hydrogen by a ion doping method without performing mass separation.例文帳に追加

このときイオンドーピング法を用い、燐の水素希釈ガスをプラズマ分解したイオンを質量分離を行わずに加速注入することで、マスクとなるゲート電極１５とゲート絶縁膜１４中に多量の水素イオンが注入される。 - 特許庁

It is pointed out by Scholars in Japan that such education in Korea has implanted in Korean minds the images of 'Korea, a culturally advanced nation' and 'Japan, a culturally inferior nation' and has formed the foundation of the theory that all of the culture in Japan originated in Korea. 例文帳に追加

日本の学者等によって、韓国のこのような教育が「文化先進国の朝鮮」と「文化劣等国の日本」という意識を韓国民に植え付け韓国起源説の根拠となっているとも指摘されている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Then, after forming a photomask 5 on the substrate 1 so as to coat the control gate electrode 8 and the gate electrode 15, the photomask 5 in a memory array region is removed, and ion for adjusting thresholds is implanted to the substrate 1 of the memory array region.例文帳に追加

次いで、コントロールゲート電極８およびゲート電極１５を覆うように基板１上にフォトマスク５を形成した後、メモリアレイ領域のフォトマスク５を除去し、メモリアレイ領域の基板１にしきい値調整用のイオンを注入する。 - 特許庁

At ion-implantation for forming source/drain regions 9 and 59, a dopant is implanted even into the silicon layers 3 and 53 so that a boron distribution layer 3B or phosphorus distribution layer 53P is formed in a region deeper than the nitrogen distribution layers 3N and 53N.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域９，５９の形成のためのイオン注入時にシリコン層３，５３中へもドーパントが注入されて、窒素分布層３Ｎ，５３Ｎよりも深い領域にホウ素分布層３Ｂ又はリン分布層５３Ｐが形成される。 - 特許庁

In succession, while a photoresist 8 and the film 107 are used as a mask, p-type dopant ions are ion-implanted, activation annealing operation is then executed, and a p-type diffused region 12 is formed in the lower part of the trench 9.例文帳に追加

引き続き、フォトレジスト８，第１の層間絶縁膜１０７をマスクにして、ｐ型ドーパントイオンをイオン注入した後、活性化アニールを施すことで、トレンチ９の下方にｐ型不純物拡散領域１２を形成する。 - 特許庁

To provide an NOR-type mask ROM and its manufacturing method of, whereby in programming ROM codes uniformity of an impurity ion implanted in channel regions can be sufficiently improved to suppress programming defects.例文帳に追加

ＲＯＭコードのプログラミングを実施する際に、チャネル領域にイオン注入する不純物の均一性を向上することができ、これによりプログラミング欠陥を抑制できるＮＯＲ型マスクＲＯＭとその製造方法の提供。 - 特許庁

Further, a cap film 18 as a silicon carbide film is formed thereon, boron ions are implanted from its upper surface by an ion implanting method to increase bonding strength between the Cu-buried wiring 22 and the insulating film.例文帳に追加

さらに、この膜面にシリコン炭化膜からなるキャップ膜１８を形成して、その上面からホウ素をイオン注入法により注入し、Ｃｕの埋め込み配線２２とその周囲の絶縁膜との密着強度を強化する。 - 特許庁

After depositing the light shielding film, the Ga ion implanted glass region 26 having a lowered transmittance is removed by alkali cleaning or such gas assisted etching as not to lower the transmittance of the glass to ensure the transmissivity necessary for exposure.例文帳に追加

遮光膜堆積後、透過率が下がるGa注入ガラス領域26をアルカリ洗浄もしくはガラスの透過率を下げないようなガスアシストエッチングによりGaの注入されたガラス領域を取り除き露光に必要な透過率を確保する。 - 特許庁

In the method, an impurity ion is implanted to a silicon substrate 11, thus manufacturing a semiconductor device with a process for forming the diffusion layer of source or drain region 25 or 19.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、シリコン基板１１に不純物イオンを注入することにより、ソース領域２５又はドレイン領域１９の拡散層を形成する工程を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

In this case, impurity concentration is precisely controlled by a plasma ion implantation method, but impurity ions are not implanted directly into the semiconductor substrate, so that the crystalline structure of the substrate is not damaged.例文帳に追加

このようにする場合、プラズマイオン注入法でｉｍｐｕｒｉｔｙの濃度を精密に制御しつつも直接に半導体基板にｉｍｐｕｒｉｔｙをイオン注入しないために基板の結晶構造を損傷させない。 - 特許庁

A method is for manufacturing the semiconductor substrate including a semiconductor layer wherein a first region, in which a first impurity is ion-implanted, and a second region containing a second impurity are formed cyclically in a surface direction.例文帳に追加

本発明は、第１不純物がイオン注入された第１領域と第２不純物を含有する第２領域とが面方向において周期的に形成された半導体層を有する半導体基板の製造方法である。 - 特許庁

An ion-implanted region 11b is formed within the first semiconductor substrate by ion-implantation thereto, and a laminated material 13 is formed by laminating the first semiconductor substrate 11 on the second semiconductor substrate 12.例文帳に追加

第１半導体基板１１にイオン注入して第１半導体基板１１内部にイオン注入領域１１ｂを形成し、第１半導体基板１１を第２半導体基板１２に重ね合せて積層体１３を形成する。 - 特許庁

Carbon, nitrogen, argon, etc., are ion-implanted into a concavely curved surface, thereby improving the surface hardness and flattening the surface of the plastic disk substrate 1 by the buildup of the substrate surface caused as a result of the ion implantation.例文帳に追加

その凹状に湾曲した表面に、カーボン、窒素、アルゴン等をイオン注入して、表面硬度を改善するとともに、そのイオン注入の結果生じる基板表面の盛り上がりで、プラスチックディスク基板１の表面を平坦化する。 - 特許庁

Thus, even when the n type ion implanted to the memory cell transistor 110 in the on-state reaches the adjacent memory cell transistor 120 in the off-state when writing data, the influence is dissolved by the p type ion.例文帳に追加

このため、データ書込のときにオン状態のメモリセルトランジスタ１１０に注入されたｎ型イオンが、隣接するオフ状態のメモリセルトランジスタ１２０まで到達していても、その影響がｐ型イオンにより解消されている。 - 特許庁

Thereby the ions are implanted into the silicon layer by using an ion implantation method, and the metal-silicide is formed by annealing, so that the schottky barrier tunnel transistor having stable characteristics and high performance can be manufactured.例文帳に追加

これにより、イオン注入法を用いてシリコン層にイオンを注入し、熱処理して、金属−シリサイドを形成することによって、特性が安定で且つ高性能を有するショットキー障壁トンネルトランジスタを製造することができる。 - 特許庁

After forming a thick silicon oxide film 3 uniformly inside the trench 11, an ion-implanted damage region 31 is selectively introduced into the silicon oxide film on the side wall of the trench using shadowing by inclined ion implantation of ions such as Ar ions.例文帳に追加

トレンチ１１内に均一に厚いシリコン酸化膜３を形成させた後、Ａｒなどのイオンを斜めイオン注入によるシャドーイングを利用してトレンチ側壁のシリコン酸化膜に選択的に注入ダメージ領域３１を導入する。 - 特許庁

The distal end is configured to penetrate an outer surface of an adjustable cardiac implant implanted in a patient's heart, and the proximal end and the distal end are connected by at least one energy-transfer member.例文帳に追加

前記遠位端は、患者の心臓に植え込まれた調節可能心臓植え込み片の外表面を突き抜けるように構成され、前記近位端と前記遠位端とは、少なくとも１つのエネルギー伝達部材で接続されている。 - 特許庁

In the scroll compressor, the implanted part is formed on an adhesive sheet having an adhesive surface on one surface by the electrostatic implantation, and the adhesive sheet is cut in the predetermined width, and is stuck to a bottom part of the seal groove or the bottom part of the tip seal.例文帳に追加

更に、スクロールコンプレッサにおいて、片面に接着面を有する接着用シートに静電植毛によって植毛部を形成し、接着用シートを所定幅に切断してシール溝の底部またはチップシールの底部に貼り付ける。 - 特許庁

After the N well 7 and thermal oxide film 25 are formed ((c), (d)), boron 27 is ion-implanted in the P substrate 1 using the thermal oxide films 17, 25 as the mask (e) and the IP well and P well are formed simultaneously through the annealing process (f).例文帳に追加

Ｎウエル７及び熱酸化膜２５を形成した後（（ｃ），（ｄ））、熱酸化膜１７，２５をマスクにしてＰ基板１にボロン２７のイオン注入を行ない（ｅ）、アニール処理を施してＩＰウエル５とＰウエル９を同時に形成する（ｆ）。 - 特許庁

After ions of an oxidation inhibition substance are implanted into an external edge of the light receiving part 5, an insulating film 23 is formed on the light receiving part 5 by thermal oxidation, thereby forming the insulating film 23 having the difference in film thickness in the light receiving part 5.例文帳に追加

受光部５の外縁部に、酸化抑制物質をイオン注入した後に、熱酸化により受光部５上に絶縁膜２３を形成することにより、受光部５内において膜厚差をもつ絶縁膜２３を形成する。 - 特許庁

Further, a buffer layer 20 of AlGaN having a thickness of about 300 nm is grown on the ion implanted surface of the Si substrate 10, and a GaN layer 30 being an objective semiconductor crystal and having a thickness of about 200 μm is grown on the buffer layer 20.例文帳に追加

上記のＳｉ基板１０のイオン注入面上に、ＡｌＧａＮより成るバッファ層２０を約３００ｎｍ成長し、更にその上に、目的の半導体結晶である窒化ガリウム（ＧａＮ）層３０を約２００μｍ成長する。 - 特許庁

A first mask for defining a first well region is formed on a first conductivity type semiconductor substrate, second conductivity type impurity ions are implanted onto the semiconductor substrate 100 by ion implantation technology of large inclination angle using the first mask and impurity ions are implanted onto the semiconductor substrate 100 every time when the semiconductor substrate 100 reaches a position having a specified directional angle during rotation of 360° thus forming a first well isolation region 104.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板上に第１ウェル領域を定義するための第１マスクが形成され、第１マスクが用いられる大きい傾斜角度のイオン注入技術で半導体基板１００上に第２導電型の不純物イオンが注入され、半導体基板１００が３６０°回転する間所定の方向角を有する位置に到達した時ごとに、半導体基板１００上に不純物イオンが注入され、第１ウェル隔離領域１０４が形成される。 - 特許庁

A specified amount of carriers C1 wherein an aerobe for aerobically decomposing an organic contaminant is implanted are charged in the tank 10 to the extent that the carriers can be fluidized in the tank, and a diffuser 11 is also furnished to supply air into the tank.例文帳に追加

担体流動槽１０には、有機汚濁物質を好気性分解する好気性微生物を着床させた所定量の担体Ｃ１が槽内を流動できる程度に充填され、また槽内へエアーを供給する散気装置１１が設けられている。 - 特許庁

Three locking pins 84 are implanted in an inside surface of the rear cover 18 in parallel to the axis L so as to surround the axis L, and these locking pins 84 are slidingly fitted to a pin hole 72d formed on a back face of the valve body part 72.例文帳に追加

後部カバー１８の内面に軸線Ｌを囲むように３本の係止ピン８４を該軸線Ｌと平行に植設し、これらの係止ピン８４をバルブ本体部７２の背面に形成したピン孔７２ｄに摺動自在に嵌合させる。 - 特許庁

After the releasable wafer 12 is obtained by separating the wafer 13 from the thin film 17 on the whole surface of the ion-implanted region 13b so that no step may be formed in the periphery of the wafer 12, a regenerated wafer 32 is obtained by polishing the separation surface 12a of the wafer 12.例文帳に追加

周囲に段差が生じないようにイオン注入領域１３ｂの全面で半導体ウェーハ１３を薄膜１７から分離して剥離ウェーハ１２を得て、剥離ウェーハ１２の分離面１２ａを研磨して再生ウェーハ３２を得る。 - 特許庁

This robot hand has resin with absorption holes implanted in both ends of a retractable bellows for contacting with and absorbing one end of the resin without having a plate type conveying object contacted with the bellows member to have another end of the resin fixed on a nail member.例文帳に追加

吸着穴を有する樹脂を伸縮自在なジャバラの両端に埋め込むとともに、板状の被搬送物がジャバラ部材と接することなく、樹脂の一端と接して吸着するように構成し、樹脂の他端を上記爪部材上に固定した。 - 特許庁

The wig base comprises a net part 11 to which human hair and artificial hair are implanted, wherein the net part 11 is composed of a single fabric member, and part of the net part 11 has a part 13 having a color very similar to that of the skin.例文帳に追加

人毛又は人工毛が植毛されるネット部１１で形成されているかつらベースにおいて、ネット部１１は単一の布状部材で構成され、このネット部１１の一部に地肌の色と近似した部分１３を有する構成とした。 - 特許庁

Then, while using the second photo resist 5 as a mask, phosphor (P+) ions are implanted into the surface of the semiconductor substrate 1 wherein the P-type impurity area 4 is removed, so as to form an N-type impurity area 6 adjacent to the P-type impurity area 4.例文帳に追加

そして、第２のホトレジスト５をマスクとして、Ｐ型の不純物領域４が除去された半導体基板１の表面に、リン（Ｐ＋）をイオン注入して、Ｐ型の不純物領域４に隣接したＮ型の不純物領域６を形成する。 - 特許庁

While using the fourth photo resist 26 as a mask, phosphor (P+) ions are implanted into the surface of the epitaxial layer 21 wherein the P-type impurity area 25 is removed, so as to form an N-type impurity area 28 adjacent to the P-type impurity area 25.例文帳に追加

第４のホトレジスト２６をマスクとして、Ｐ型の不純物領域２５が除去されたエピタキシャル層２１の表面にリン（Ｐ＋）をイオン注入して、Ｐ型の不純物領域２５に隣接したＮ型の不純物領域２８を形成する。 - 特許庁

A shaft and brush bristles implanted in a tip upper surface are formed of a photoconductive resin or tempered glass, and an ultraviolet ray emitting tube and a power source for carrying an electric current to the ultraviolet ray emitting tube are housed in a handle for connecting the shaft.例文帳に追加

軸及び該軸の先端上面に植立するブラシ毛を光伝導性を有する樹脂或いは強化ガラスで形成し、且つ軸を接続する柄内に紫外線発光管及び該紫外線発光管に通電する電源を収納する。 - 特許庁

Thereafter, by using the gate electrode 4 as a mask, arsenic is ion-implanted on the semiconductor substrate 1 at four revolutions under conditions of a dose of 8×10^12/cm^2, implantation energy of 40 keV and implantation angle of 25°, to form an n-type LDD region 5.例文帳に追加

その後、ゲート電極４をマスクにして半導体基板１に、砒素をドーズ量８×１０^１２／ｃｍ^２、注入エネルギー４０ｋｅＶ、注入角度２５°の条件で４回転イオン注入を行い、ｎ型ＬＤＤ領域５を形成する。 - 特許庁

This artificial turf has a laying board 2 and imitation turf 3 implanted on this laying board 2, and a water filling point 5 is arranged in a proper place in an implanting area by the imitation turf 3 by developably guiding filling water to a lower part of the laying board 2.例文帳に追加

敷き盤２と、この敷き盤２上に対しそ植設される模造芝３とを有し、模造芝３による植設領域内の適所に、注水される水を敷き盤２の下部へ誘導して展開可能とさせる注水ポイント５が設けられたものとした。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a new thin film transistor for a liquid crystal display device, where an electric discharge is prevented from occurring between isolated conductive patterns to cause a dielectric breakdown to damage a device in a stage in which ions are implanted.例文帳に追加

イオン注入段階での隔離された導電パターンの間で放電が発生し、絶縁破壊が起こって素子機能を遂行することができないことを防ぐ液晶表示装置のための新たな薄膜トランジスタ製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of suppressing the effect of shadowing or attaining fining process of the implanted region of a semiconductor substrate by delaying a deterioration speed of a stencil mask disclosed herein, and to provide semiconductor manufacturing equipment and the stencil mask.例文帳に追加

本発明ステンシルマスクの劣化速度を遅らせ、シャドーイングの影響の抑制又は半導体基板の注入領域の微細加工が可能な半導体装置の製造方法、半導体製造装置及びステンシルマスクを提供することを目的とする。 - 特許庁

There is provided a glass panel for color cathode-ray tube 10, into which a plurality of stud pins 13 are implanted, and a fitting portion 13a of the stud pin 13 where the stud pin 13 fits to the spring body of the color separating structure is cold-worked by a specified deformation amount.例文帳に追加

本発明は、複数個のスタッドピン１３が植設されてなるカラー陰極線管用ガラスパネル１０であって、色分離構造体のバネ体と嵌合するスタッドピン１３の嵌合部位１３ａに所定変形量の冷間加工処理がなされている。 - 特許庁

Since the through hole 31b is such a hole as formed by etching a part in which Ar ion is implanted from a surface, the aperture of the through hole 31b becomes significantly smaller than that of the through hole 31a when the implantation pattern is smaller.例文帳に追加

貫通孔３１ｂは、表面からのＡｒイオン注入された部分がエッチングされて形成された孔であるので、注入パターンを小さいものにすれば、貫通孔３１ｂの径を貫通孔３１ａの径に比べて十分小さくなる。 - 特許庁

With the use of the silicon film 110, the boron ion implanted from above the pillar part 103 in a later process is suppressed from moving/diffusing at the interface between the granular part 102 and the pillar part 103, thus punch-through to the base layer 101 side is prevented.例文帳に追加

このようなシリコン膜１１０によれば、後の工程で柱状部１０３の上部から注入されたホウ素イオンは、粒状部１０２と柱状部１０３との界面で移動・拡散が抑制され、基層１０１側への突き抜けが防止される。 - 特許庁

Next, the first spacer film is removed, impurities of the second conductivity-type are implanted into the surface layer part of the first region with use of the first gate electrode as a mask for third activation treatment and to form a third impurity diffusion region 111.例文帳に追加

次いで第１のスペーサ膜を除去し、第１のゲート電極をマスクとして第１領域の表層部に第２導電型の不純物を注入した後第３の活性化処理を行い、第３の不純物拡散領域１１１を形成する。 - 特許庁

To provide a highly reliable capacitor microphone in which not only electric charges can be implanted from a metal coating surface after assembling of the microphone but also a dielectric body has the resistance to water or humidity, because the body is kept in a sealing state after being fully cleaned.例文帳に追加

マイクロホンの組立後に金属コーテイング面からの電荷の注入を行うことが可能になるばかりでなく、誘電体が十分な洗浄後に、密閉された状態で保たれて水分や湿度に強く、信頼性の高いものを提供する。 - 特許庁

The roll brush in which the brush bristle is implanted is so formed that, when polishing the surface of a planar member and the brush bristle is worn, a new brush bristle surface appears when winding around the core so that desired polishing can be performed.例文帳に追加

前記ブラシ毛が植毛されているロールブラシは、平面部材の表面を研磨し、前記ブラシ毛が磨り減った場合に、前記巻き芯を巻回することにより、新しいブラシ毛表面が現れて、所望の研磨ができるような構造になっている。 - 特許庁

The intervertebral disk implant to be provided comprises two implant plates 17 in contact with the surface of predetermined corpus vertebrae in an implanted state and an implant core 19 inserted between the implant plates; and a method of manufacturing the intervertebral disk implant is also provided.例文帳に追加

インプラントされた状態で事前に決められた椎体表面に接触している２つのインプラントプレート１７と、インプラントプレートの間に差し込まれ得るインプラントコア１９と、を有する椎間板用インプラントおよびその椎間板用インプラントの製造方法。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a diamond semiconductor for obtaining a high-quality P-type/N-type diamond semiconductor which can not be obtained by a conventional method by preventing the etching of a diamond surface caused by the high-temperature/high-pressure annealing of an ion-implanted diamond.例文帳に追加

イオン注入したダイヤモンドの高温高圧アニールにより起こるダイヤモンド表面のエッチングを防ぎ、従来の方法では得られない高品質Ｐ型、Ｎ型ダイヤモンド半導体を得るダイヤモンド半導体の作製方法を提供すること。 - 特許庁

A resist mask with a part of a silicon core 132 exposed therefrom is formed, and then, by an ion implantation technology using the resist mask as a mask, a p-type impurity is implanted into a part of the silicon core 132 to form a p-type silicon core 132a on an oxide silicon layer 102.例文帳に追加

一部のシリコンコア１３２が露出するレジストマスクを形成し、これをマスクにしたイオン注入技術により、一部のシリコンコア１３２にｐ型不純物を導入し、酸化シリコン層１０２の上に、ｐ型シリコンコア１３２ａを形成する。 - 特許庁

Porous materials 3 having water holding property, including lava, light stones an big valley stones in which moss fungi or fern spores are implanted, are pasted to the surface of the automobile 1 and a water tank 4 is provided in the automobile 1 for spraying the surfaces of the porous materials 3.例文帳に追加

自動車１の表面に、苔類の菌やシダ類の胞子等を植え付けた溶岩、軽石、大谷石等の保水性を有する多孔質材３を貼り付け、自動車１の内部に水タンク４を設け、多孔質材３の表面にスプレーする。 - 特許庁