「implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(31ページ目) - Weblio英語例文検索

This ferromagnetic TMR head has a high deflecting electrode spin implantation layer 11 adjacently to the TMR element 1 and the high spin deflecting electrode electrons are implanted into the TMR element, by which the magneto-resistive effect may be made higher than that of the conventional TMR element.例文帳に追加

強磁性トンネル型磁気抵抗効果素子１に隣接して高偏極スピン注入層１１を備え、高スピン偏極電子をＴＭＲ素子内に注入することで、従来ＴＭＲ素子より磁気抵抗効果を増大させる。 - 特許庁

Ions of impurities are implanted to the surface layer of the substrate using the gate electrode as a mask on a condition that an angle is not more than 7° formed between a line image vertically projecting the progressing direction of an ion beam on the substrate surface and both edges of the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極をマスクとして、基板の表層部に、イオンビームの進行方向を基板表面に垂直投影した線像と、ゲート電極の両側の縁との成す角度が７°以下になる条件で、不純物をイオン注入する。 - 特許庁

Within this pin type semiconductor photodetecting element 100, an InGaAsP photoabsorbing layer is composed of an impurity implanted photoabsorbing layer 104 in higher impurity concentration than that in i layer 105 and the i layer in low inputity concentration.例文帳に追加

本ｐｉｎ型半導体受光素子１００は、ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層が、不純物濃度がｉ層より高い不純物注入光吸収層１０４と、不純物濃度の低いｉ層１０５と、から構成されている。 - 特許庁

A large number of fitting holes 24 are formed in the upper support plate 19, and a large number of holding projections 22 are implanted at intervals in the upper surface of the lower support plate 20 so as to be vertically aligned with the corresponding fitting holes 24.例文帳に追加

上側支持板１９には嵌合孔２４が間隔をおいて多数形勢され、下側支持板２０上には対応の嵌合孔２４と上下に芯合するように多数の保持突起２２が間隔をおいて植設される。 - 特許庁

After depositing the light shielding film, the Ga ion implanted glass region 26 having a lowered transmittance is removed by alkali cleaning or such gas assisted etching as not to lower the transmittance of the glass to ensure the transmissivity necessary for exposure.例文帳に追加

遮光膜堆積後、透過率が下がるGa注入ガラス領域26をアルカリ洗浄もしくはガラスの透過率を下げないようなガスアシストエッチングによりGaの注入されたガラス領域を取り除き露光に必要な透過率を確保する。 - 特許庁

In the method, an impurity ion is implanted to a silicon substrate 11, thus manufacturing a semiconductor device with a process for forming the diffusion layer of source or drain region 25 or 19.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、シリコン基板１１に不純物イオンを注入することにより、ソース領域２５又はドレイン領域１９の拡散層を形成する工程を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

Then, after forming a photomask 5 on the substrate 1 so as to coat the control gate electrode 8 and the gate electrode 15, the photomask 5 in a memory array region is removed, and ion for adjusting thresholds is implanted to the substrate 1 of the memory array region.例文帳に追加

次いで、コントロールゲート電極８およびゲート電極１５を覆うように基板１上にフォトマスク５を形成した後、メモリアレイ領域のフォトマスク５を除去し、メモリアレイ領域の基板１にしきい値調整用のイオンを注入する。 - 特許庁

To provide an NOR-type mask ROM and its manufacturing method of, whereby in programming ROM codes uniformity of an impurity ion implanted in channel regions can be sufficiently improved to suppress programming defects.例文帳に追加

ＲＯＭコードのプログラミングを実施する際に、チャネル領域にイオン注入する不純物の均一性を向上することができ、これによりプログラミング欠陥を抑制できるＮＯＲ型マスクＲＯＭとその製造方法の提供。 - 特許庁

At ion-implantation for forming source/drain regions 9 and 59, a dopant is implanted even into the silicon layers 3 and 53 so that a boron distribution layer 3B or phosphorus distribution layer 53P is formed in a region deeper than the nitrogen distribution layers 3N and 53N.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域９，５９の形成のためのイオン注入時にシリコン層３，５３中へもドーパントが注入されて、窒素分布層３Ｎ，５３Ｎよりも深い領域にホウ素分布層３Ｂ又はリン分布層５３Ｐが形成される。 - 特許庁

Further, a cap film 18 as a silicon carbide film is formed thereon, boron ions are implanted from its upper surface by an ion implanting method to increase bonding strength between the Cu-buried wiring 22 and the insulating film.例文帳に追加

さらに、この膜面にシリコン炭化膜からなるキャップ膜１８を形成して、その上面からホウ素をイオン注入法により注入し、Ｃｕの埋め込み配線２２とその周囲の絶縁膜との密着強度を強化する。 - 特許庁

In this case, impurity concentration is precisely controlled by a plasma ion implantation method, but impurity ions are not implanted directly into the semiconductor substrate, so that the crystalline structure of the substrate is not damaged.例文帳に追加

このようにする場合、プラズマイオン注入法でｉｍｐｕｒｉｔｙの濃度を精密に制御しつつも直接に半導体基板にｉｍｐｕｒｉｔｙをイオン注入しないために基板の結晶構造を損傷させない。 - 特許庁

An ion-implanted region 11b is formed within the first semiconductor substrate by ion-implantation thereto, and a laminated material 13 is formed by laminating the first semiconductor substrate 11 on the second semiconductor substrate 12.例文帳に追加

第１半導体基板１１にイオン注入して第１半導体基板１１内部にイオン注入領域１１ｂを形成し、第１半導体基板１１を第２半導体基板１２に重ね合せて積層体１３を形成する。 - 特許庁

Carbon, nitrogen, argon, etc., are ion-implanted into a concavely curved surface, thereby improving the surface hardness and flattening the surface of the plastic disk substrate 1 by the buildup of the substrate surface caused as a result of the ion implantation.例文帳に追加

その凹状に湾曲した表面に、カーボン、窒素、アルゴン等をイオン注入して、表面硬度を改善するとともに、そのイオン注入の結果生じる基板表面の盛り上がりで、プラスチックディスク基板１の表面を平坦化する。 - 特許庁

A method is for manufacturing the semiconductor substrate including a semiconductor layer wherein a first region, in which a first impurity is ion-implanted, and a second region containing a second impurity are formed cyclically in a surface direction.例文帳に追加

本発明は、第１不純物がイオン注入された第１領域と第２不純物を含有する第２領域とが面方向において周期的に形成された半導体層を有する半導体基板の製造方法である。 - 特許庁

Thus, even when the n type ion implanted to the memory cell transistor 110 in the on-state reaches the adjacent memory cell transistor 120 in the off-state when writing data, the influence is dissolved by the p type ion.例文帳に追加

このため、データ書込のときにオン状態のメモリセルトランジスタ１１０に注入されたｎ型イオンが、隣接するオフ状態のメモリセルトランジスタ１２０まで到達していても、その影響がｐ型イオンにより解消されている。 - 特許庁

Thereby the ions are implanted into the silicon layer by using an ion implantation method, and the metal-silicide is formed by annealing, so that the schottky barrier tunnel transistor having stable characteristics and high performance can be manufactured.例文帳に追加

これにより、イオン注入法を用いてシリコン層にイオンを注入し、熱処理して、金属−シリサイドを形成することによって、特性が安定で且つ高性能を有するショットキー障壁トンネルトランジスタを製造することができる。 - 特許庁

After forming a thick silicon oxide film 3 uniformly inside the trench 11, an ion-implanted damage region 31 is selectively introduced into the silicon oxide film on the side wall of the trench using shadowing by inclined ion implantation of ions such as Ar ions.例文帳に追加

トレンチ１１内に均一に厚いシリコン酸化膜３を形成させた後、Ａｒなどのイオンを斜めイオン注入によるシャドーイングを利用してトレンチ側壁のシリコン酸化膜に選択的に注入ダメージ領域３１を導入する。 - 特許庁

In the scroll compressor, the implanted part is formed on an adhesive sheet having an adhesive surface on one surface by the electrostatic implantation, and the adhesive sheet is cut in the predetermined width, and is stuck to a bottom part of the seal groove or the bottom part of the tip seal.例文帳に追加

更に、スクロールコンプレッサにおいて、片面に接着面を有する接着用シートに静電植毛によって植毛部を形成し、接着用シートを所定幅に切断してシール溝の底部またはチップシールの底部に貼り付ける。 - 特許庁

After the N well 7 and thermal oxide film 25 are formed ((c), (d)), boron 27 is ion-implanted in the P substrate 1 using the thermal oxide films 17, 25 as the mask (e) and the IP well and P well are formed simultaneously through the annealing process (f).例文帳に追加

Ｎウエル７及び熱酸化膜２５を形成した後（（ｃ），（ｄ））、熱酸化膜１７，２５をマスクにしてＰ基板１にボロン２７のイオン注入を行ない（ｅ）、アニール処理を施してＩＰウエル５とＰウエル９を同時に形成する（ｆ）。 - 特許庁

The distal end is configured to penetrate an outer surface of an adjustable cardiac implant implanted in a patient's heart, and the proximal end and the distal end are connected by at least one energy-transfer member.例文帳に追加

前記遠位端は、患者の心臓に植え込まれた調節可能心臓植え込み片の外表面を突き抜けるように構成され、前記近位端と前記遠位端とは、少なくとも１つのエネルギー伝達部材で接続されている。 - 特許庁

After ions of an oxidation inhibition substance are implanted into an external edge of the light receiving part 5, an insulating film 23 is formed on the light receiving part 5 by thermal oxidation, thereby forming the insulating film 23 having the difference in film thickness in the light receiving part 5.例文帳に追加

受光部５の外縁部に、酸化抑制物質をイオン注入した後に、熱酸化により受光部５上に絶縁膜２３を形成することにより、受光部５内において膜厚差をもつ絶縁膜２３を形成する。 - 特許庁

Further, a buffer layer 20 of AlGaN having a thickness of about 300 nm is grown on the ion implanted surface of the Si substrate 10, and a GaN layer 30 being an objective semiconductor crystal and having a thickness of about 200 μm is grown on the buffer layer 20.例文帳に追加

上記のＳｉ基板１０のイオン注入面上に、ＡｌＧａＮより成るバッファ層２０を約３００ｎｍ成長し、更にその上に、目的の半導体結晶である窒化ガリウム（ＧａＮ）層３０を約２００μｍ成長する。 - 特許庁

A first mask for defining a first well region is formed on a first conductivity type semiconductor substrate, second conductivity type impurity ions are implanted onto the semiconductor substrate 100 by ion implantation technology of large inclination angle using the first mask and impurity ions are implanted onto the semiconductor substrate 100 every time when the semiconductor substrate 100 reaches a position having a specified directional angle during rotation of 360° thus forming a first well isolation region 104.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板上に第１ウェル領域を定義するための第１マスクが形成され、第１マスクが用いられる大きい傾斜角度のイオン注入技術で半導体基板１００上に第２導電型の不純物イオンが注入され、半導体基板１００が３６０°回転する間所定の方向角を有する位置に到達した時ごとに、半導体基板１００上に不純物イオンが注入され、第１ウェル隔離領域１０４が形成される。 - 特許庁

The roll brush in which the brush bristle is implanted is so formed that, when polishing the surface of a planar member and the brush bristle is worn, a new brush bristle surface appears when winding around the core so that desired polishing can be performed.例文帳に追加

前記ブラシ毛が植毛されているロールブラシは、平面部材の表面を研磨し、前記ブラシ毛が磨り減った場合に、前記巻き芯を巻回することにより、新しいブラシ毛表面が現れて、所望の研磨ができるような構造になっている。 - 特許庁

An oxide layer 12 is grown on a board 10 and patterned using a first resist as a mask, a tunnel part 24 is etched to expose a part of the board 10 located under the tunnel part 24, an ion-implanted region 18 is formed inside the board 10 by implantation of nitrogen ions, and then the resist is removed.例文帳に追加

基板１０上に酸化物層１２を成長させ第１レジストでパターニングしてトンネル部２４をエッチングして基板を露呈し、窒素イオンを注入して基板１０にイオン注入領域１８を形成した後レジストを除去する。 - 特許庁

The intervertebral disk implant to be provided comprises two implant plates 17 in contact with the surface of predetermined corpus vertebrae in an implanted state and an implant core 19 inserted between the implant plates; and a method of manufacturing the intervertebral disk implant is also provided.例文帳に追加

インプラントされた状態で事前に決められた椎体表面に接触している２つのインプラントプレート１７と、インプラントプレートの間に差し込まれ得るインプラントコア１９と、を有する椎間板用インプラントおよびその椎間板用インプラントの製造方法。 - 特許庁

Next, the first spacer film is removed, impurities of the second conductivity-type are implanted into the surface layer part of the first region with use of the first gate electrode as a mask for third activation treatment and to form a third impurity diffusion region 111.例文帳に追加

次いで第１のスペーサ膜を除去し、第１のゲート電極をマスクとして第１領域の表層部に第２導電型の不純物を注入した後第３の活性化処理を行い、第３の不純物拡散領域１１１を形成する。 - 特許庁

To provide a highly reliable capacitor microphone in which not only electric charges can be implanted from a metal coating surface after assembling of the microphone but also a dielectric body has the resistance to water or humidity, because the body is kept in a sealing state after being fully cleaned.例文帳に追加

マイクロホンの組立後に金属コーテイング面からの電荷の注入を行うことが可能になるばかりでなく、誘電体が十分な洗浄後に、密閉された状態で保たれて水分や湿度に強く、信頼性の高いものを提供する。 - 特許庁

Plasma is generated from the vapor of an electrically conductive molten solution by discharge in which the molten liquid is used as a cathode, and ions in the plasma are implanted into a work to be processed by applying negative high voltage pulses on the work to be processed which is placed in the plasma.例文帳に追加

導電性の融液を陰極とした放電によって、融液の蒸気からプラズマを発生させ、プラズマ中においた被処理物に負の高電圧パルスを印加することによってプラズマ中のイオンを被処理物に注入する。 - 特許庁

The collision preventing device is provided with at least one molding body 11 and the molding body is implanted in an upper surface 21 on the periphery of a lens holding part 12 holding the objective lens 4 and at least a top part of the molding body is coated with a buffering coating film.例文帳に追加

衝突防止装置は、少なくとも１個の成形体１１を備え、成形体は、対物レンズ４を保持するレンズ保持部１２の周辺部上面２１に植立され、成形体の少なくとも頭頂部には緩衝用塗膜が塗布されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a SIMOX (Separation by Implanted Oxygen) wafer minimizing the particles generation due to mismatch of a silicon wafer edge with a wafer holder caused by deformation of a wafer holding pin upon manufacturing the SIMOX wafer by an MLD (Modified Low Dose) method.例文帳に追加

ＭＬＤ法によるＳＩＭＯＸウェーハの製造に際し、ウェーハ保持ピンの変形に起因したシリコンウェーハのエッジとウェーハ保持具との不整合が原因で発生するパーティクルを極力低減したＳＩＭＯＸウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

Because the nitride layer 12a is provided in the vicinity of the Si boundary face of SiO2 of the BOX 12, it is possible to suppress the boron atoms implanted into the body by heat treatment from moving into the BOX when the SOI transistor is manufactured using the SOI substrate 10.例文帳に追加

ＢＯＸ１２のＳｉＯ２のＳｉ界面近傍に窒化層１２ａを設けたので、このＳＯＩ基板１０を用いてＳ０Ｉトランジスタを作成する際の、熱処理によるボディ部に打ち込まれたボロン原子のＢＯＸ中への移動を抑制できる。 - 特許庁

The electron implanting layer includes a compound with the basic skeleton represented by Generic Formula (1) or (2), and using the compound with the basic skeleton represented by Generic Formula (1) or (2) for the electron implanting layer can obtain the light emitting element with the practical stability configured such that electrons are smoothly implanted and a current flows more easily.例文帳に追加

一般式（１）又は（２）に示す基本骨格を有する化合物を電子注入層に使用することにより、電子の注入が円滑であり、電流がより流れやすく安定性の向上した発光素子が得られるようになる。 - 特許庁

In the emitter aperture window forming process, immediately after a SiO_2 layer is removed with the dry etching method using a resist mask, the phosphorus ion is implanted into an Si substrate through the IBDP layer, SiO_2 layer and Si/SiGe layer using the same resist mask.例文帳に追加

エミッタ開口窓の形成工程において、レジストマスクを用いてＳｉＯ_2層をドライエッチングした直後に、同じレジストマスクを用いてＩＢＤＰ層とＳｉＯ_2層とＳｉ／ＳｉＧｅ層を貫通させて、Ｓｉ基板中にＰのイオン注入を行う。 - 特許庁

A second impurity peak at the location deeper than a first impurity peak as the impurity peak of impurity implanted region for adjusting the threshold voltage, exists in the region held by the source regions and drain regions of the FET's 20, 30.例文帳に追加

各ＦＥＴ２０，３０のソース領域とドレイン領域とで挟まれた領域には、閾値電圧調整用の不純物注入領域の不純物ピークである第１の不純物ピークよりも深い位置に現れる第２の不純物ピークが存在している。 - 特許庁

Porous materials 3 having water holding property, including lava, light stones an big valley stones in which moss fungi or fern spores are implanted, are pasted to the surface of the automobile 1 and a water tank 4 is provided in the automobile 1 for spraying the surfaces of the porous materials 3.例文帳に追加

自動車１の表面に、苔類の菌やシダ類の胞子等を植え付けた溶岩、軽石、大谷石等の保水性を有する多孔質材３を貼り付け、自動車１の内部に水タンク４を設け、多孔質材３の表面にスプレーする。 - 特許庁

To solve the problem that an impurity non-formation region is generated in a region by ion implantation from one direction since a shoulder is generated in an opening shape at a sensor part in terms of machining accuracy when ions are implanted with a vertical transfer electrode as a mask.例文帳に追加

垂直転送電極をマスクにしてイオン注入を行う場合、加工精度上の問題から、センサ部の開口形状にくびれが発生するため、一方向からのイオン注入ではこの領域に不純物未形成領域が発生する。 - 特許庁

To avoid the influence of the thickness ununiformity of an additional function layer on that of a laminated semiconductor thin layer, by forming a peeling ion-implanted layer by twice ion implanting steps before and after a deposition process of the additional function layer.例文帳に追加

剥離用イオン注入層を付加機能層の堆積工程を挟む２回のイオン注入で形成することにより、付加機能層の膜厚不均一が貼り合わせ半導体薄層の膜厚均一性に影響を及ぼさないようにする。 - 特許庁

At the time of forming a punch through stopper layer on one major surface of a semiconductor substrate 1, ions are implanted while masking a region for forming an analog CMOS transistor, a high breakdown strength MOS transistor, a bipolar transistor, a diode or a diffusion resistor.例文帳に追加

半導体基板１の一主面側にパンチスルーストッパー層を形成する際に、アナログＣＭＯＳトランジスタ、高耐圧ＭＯＳトランジスタ、バイポーラトランジスタ、ダイオードまたは拡散抵抗を形成する領域をマスクしてたとえばイオン注入をおこなう。 - 特許庁

To enable a person using an implantable human body controller in an implanted state to easily know information on the controlling state of the controller so that the person may use the controller without anxiety.例文帳に追加

植込型人体機能制御装置の制御状態に関する情報を容易に知ることができるようにすることで植込型人体機能制御装置を体内に植え込こんだ状態で使用する者が安心してその装置を使用すること。 - 特許庁

Then, an opening 12d is formed on the ONO film 12, and arsenic ions are implanted from the formed opening 12d to the semiconductor substrate 11 to form an n-type diffusion layer 14 at the lower part of each opening 12d of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

続いて、ＯＮＯ膜１２に開口部を１２ｄを形成し、形成した開口部１２ｄから半導体基板１１に砒素イオンを注入することにより、半導体基板１１の各開口部１２ｄの下側部分にｎ型拡散層１４を形成する。 - 特許庁

The anodic oxidation coating is thus provided on the surface of the implantation material backing 1, whereby when the magnesium alloy as the implantation material backing 1 is implanted in a living body, corrosion can be restrained to produce the effect of improving the corrosion resistance of the implantation material.例文帳に追加

移植材基材１表面に陽極酸化皮膜を有することで、移植材基材１であるマグネシウム合金を生体内に移植した際の腐食を抑制できるため、移植材の耐食性を向上させる効果を奏する。 - 特許庁

Implants 38, 40 for repairing soft tissue injuries include at least one channel for receiving a soft tissue graft 44 (e.g., a tendon, ligament or other soft tissue) to be implanted in a patient.例文帳に追加

軟部組織の損傷を修復するためのインプラント３８、４０が提供され、このインプラント３８、４０は、患者に移植されるべき軟部組織移植片４４（例えば、腱、靱帯または他の軟部組織）を受容するための少なくとも１つのチャネルを備える。 - 特許庁

The periphery of a piezoelectric monocrystal substrate is fixed by a fixing tool, hydrogen ions are then implanted to form an ion implantation layer in the piezoelectric monocrystal layer, and an insulating film is formed thereafter on any other surface of the piezoelectric monocrystal substrate than the portions fixed by the fixing tool.例文帳に追加

圧電単結晶基板の周囲を固定治具で固定後に、水素イオンを注入して圧電単結晶基板内にイオン注入層を形成後に、圧電単結晶基板表面を固定治具で固定していた部分以外に絶縁膜を形成する。 - 特許庁

This artificial turf has a laying board 2 and imitation turf 3 implanted on this laying board 2, and a water filling point 5 is arranged in a proper place in an implanting area by the imitation turf 3 by developably guiding filling water to a lower part of the laying board 2.例文帳に追加

敷き盤２と、この敷き盤２上に対しそ植設される模造芝３とを有し、模造芝３による植設領域内の適所に、注水される水を敷き盤２の下部へ誘導して展開可能とさせる注水ポイント５が設けられたものとした。 - 特許庁