「implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

An opening is defined at the surface of a silicon carbide substrate, a p-type dopant is implanted into the silicon carbide substrate through the opening at implant energy and dosage for forming the deep p-type implant region, and an n-type dopant is implanted into the silicon carbide substrate through the opening at implant energy and dosage for forming the n-type implant region shallower than the deep p-type implant region.例文帳に追加

炭化シリコン基板の表面に開口部を確定し、その開口部を通して炭化シリコン基板内にｐ型ドーパントを深いｐ型注入領域を形成する注入エネルギー及び注入量で注入し、その開口部を通して炭化シリコン基板内にｎ型ドーパントを深いｐ型注入領域と比較して浅いｎ型注入領域を形成する注入エネルギー及び注入量で注入する。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium which meets a request for high-density magnetic recording by suppressing a blooding phenomenon of implanted ions (phenomenon in which the implanted ions are scattered in a horizontal direction in vertical implantation) in a method for manufacturing the recording medium to be used for a high-recording density hard disk (HDD), etc. by ion implantation; and to provide a method of manufacturing the magnetic recording medium.例文帳に追加

本発明は、高記録密度ハードディスク（ＨＤＤ）等に用いられる磁気記録媒体をイオン注入法において製造する方法において、注入イオンのにじみ現象（垂直注入時に水平方向へ注入イオンが散乱する現象）を抑制することを課題とし、高密度磁気記録の要求にあった磁気記録媒体とその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

At the time of forming a striped P+ boron-implanted area 3a having a uniform width from the front surface to the rear surface of an N+ silicon wafer 1, it is necessary to form a uniform vertical boron distribution by continuously changing the acceleration energy of implanted boron ions and the range of boron in the wafer 1.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、半導体にイオンを選択的に照射することにより半導体中に第１、第２導電型の領域を形成する際、加速エネルギーと照射領域幅とを制御することにより半導体中の第１、第２導電型の領域がイオンの照射方向に沿って一様な幅と濃度とを有するようにして良好なスーパージャンクションを形成する。 - 特許庁

Plural pins 10 having crevice are implanted to a blanket 9 supported on a machine body 2, a tail sled 6 and a skid 7 are installed by pins side by side on the traveling direction and are guided and supported as mobile in vertical direction.例文帳に追加

機体２に支持されたブラケット９に、凹部を有する複数のピン１０を植設し、これらピン１０により、尾ソリ６及び抵抗棒７を走行方向に並んで配置し、上下方向に移動自在に案内支持した。 - 特許庁

A support bolt of the decorated panel implanted and fixed to the skeleton surface is reinforced at its root part by a support metal fitting and projected to set the space between the decorated panel and the skeleton large or set the same extremely small.例文帳に追加

躯体面に植設固定される化粧パネルの支持ボルトを根元部分においてサポート金具で補強して持ち出しして化粧パネルと躯体間の間隔を大きく設定したり、極端に小さく設定する。 - 特許庁

A nitride film 1 is deposited on a substrate 10, and after removing the nitride film 1 of a lightly doped N-well region therefrom by photolithographing and etching, phosphorus 3 is so ion-implanted into the substrate 10 as to form an oxide film 4 by thermal oxidation.例文帳に追加

基板１０に窒化膜１を堆積し、写真製版とエッチングによりLightly−Ｎウエル領域の窒化膜１を除去した後、基板１０にリン３をイオン注入し、熱酸化により酸化膜４を形成する。 - 特許庁

An implanted section 1a and/or a handle section 1b of this toothbrush 1 has a primary layer 11 on which a design 11a is drawn and a secondary layer 12 which is printed with a water reactive agent in a manner to conceal the primary layer 11.例文帳に追加

歯ブラシ１の植毛部１ａ及び／又はハンドル部１ｂに、意匠１１ａを描いた一次層１１と、この一次層１１を隠蔽するように水反応剤にて印刷した二次層１２とを形成する。 - 特許庁

On one end of a pin spindle 1, a spacer 4 made of shape memory alloy is hooked and mated with the pin spindle for correlating a deformation of the above spacer 4 with a move of the axis center direction of the pin spindle 1, while a pin 7 made of carbide is implanted in another end of the pin spindle 1.例文帳に追加

ピン軸１の一方に形状記憶合金製のスペーサー４を係着し、該スペーサー４の変形をピン軸１の軸心方向の移動に関与させ、他方に超硬合金製のピン７を植設する。 - 特許庁

Flat brushes 2 and 3 on which brush hairs 5 and 6 are diagonally upwardly implanted are attached to the right side and the left side of an umbrella inserting part 1 into which an umbrella is inserted, and the brush hairs 5 and 6 are set at such length that they are applied to each other from the right and the left.例文帳に追加

傘を挿入する傘挿入部１の左右に、ブラシの毛５、６が斜め上を向けて植毛されている平面状ブラシ２、３を付け、ブラシの毛５、６が左右より互いに触れ合う長さにしてある。 - 特許庁

To provide a composition comprising a peptide compound that can be stored at an elevated temperature for a long time and is particularly useful in a feeding apparatus that can be implanted for the delivery of a medicine for a long time.例文帳に追加

長期間高められた温度で貯蔵されることが出来、そして医薬の長期間送り出しのための植え込み可能な送り出し器具において特に有用なペプチド化合物の配合物を提供すること。 - 特許庁

An implant member 5 is implanted in the tread mold unit 1, and an end 5a projecting from a mold surface 1a of the tread mold unit 1 constitutes a bone section for groove formation, a blade section for sipe formation, etc.例文帳に追加

トレッド型部１には埋込部材５が埋め込まれていて、そのトレッド型部１の成形面１ａから突出した端部５ａは、溝部を形成するための骨部やサイプを形成するためのブレードなどを構成する。 - 特許庁

A plurality of long brushes 4 are placed between the umbrella insertion part 1 and the bottom part 2, brush bristles 6 are obliquely upward implanted in the long brushes 4, and a lot of small brushes 10 with the bristle length reaching the central part are attached thereto.例文帳に追加

傘挿入部１と底部２の間には、長いブラシ４が複数個置かれ、長いブラシ４にはブラシの毛６が斜め上に植毛され、毛の長さが中心分まである小さいブラシ１０が多数取り付けてある。 - 特許庁

Thus, the cardiac muscle cells as implantation pieces are implanted to grow on the vicinity of the abdomen aorta or the vicinity of the femur vein, and blood vessels penetrate the cardiac muscle cells from the peripheral tissues to establish blood circulation.例文帳に追加

これにより、移植片である心筋細胞が腹部大動脈近傍や大腿静脈近傍に生着し、この心筋細胞に向かって周囲組織から血管が侵入して血液循環が確立する。 - 特許庁

At this point, an impurity ion implantation treatment for forming the second source-drain region 7 is a treatment for changing a concentration of an implanted impurity according to a result of the resistance value of the impurity region 5p.例文帳に追加

ここで、当該第二のソースドレイン領域７を形成するための不純物イオン注入処理は、上記不純物領域５ｐの抵抗値の結果に応じて、注入される不純物の濃度を変化させる処理である。 - 特許庁

To provide a means for constructing an implant for medical or dental applications, whose surface composition is made of composite materials that enforce the safety of an implant and stimulate an osseous growth when surgically implanted in the bone.例文帳に追加

骨に外科的に挿入するに際して、インプラントの安定性を増強し、また骨成長を刺激する処方物の複合材料表面組成物を有する歯科または医学的な用途のインプラント構築物の提供。 - 特許庁

A region of a silicon substrate (11) where an impurity ion is implanted to cause disturbance of crystallinity is diagonally irradiated with a measurement light which is, coming from an Xe light source (20), linearly polarized with a polarizer (21).例文帳に追加

シリコン基板（１１）中の不純物イオンが注入されて結晶性が乱れた領域に、Ｘｅ光源（２０）から偏光子（２１）によって直線偏光された測定光を斜め方向から入射する。 - 特許庁

Subsequently, Be ions are implanted in an annular region along the outer circumference of a light receiving region and activated by heat treatment to form a graded junction as a p-type peripheral region 9 for preventing edge breakdown.例文帳に追加

次に、受光領域の外周に沿った環状領域にＢｅをイオン注入して、熱処理により活性化させ傾斜型接合を形成して、エッジブレークダウンを防ぐためのｐ型周辺領域９とする。 - 特許庁

An angle (a tilt angle θ, a twist angle) of an implantation of an amorphous ion 107 before silicide is limited, and the surface of a trench 402 which is easily shaded when ions are implanted for making amorphous is uniformly made amorphous.例文帳に追加

シリサイド前の非晶質化イオン１０７の注入の角度（チルト角θ、ツイスト角）に制限を設け、非晶質化のためのイオン注入の際に影のできやすい溝４０２の表面を均一に非晶質化する。 - 特許庁

In a data writing operation, a current is applied to a channel of the FET 22 to generate hot electrons in the vicinity of a drain region, and the hot electrons are implanted into the FG by applying a positive voltage to a control gate electrode (CG).例文帳に追加

データ書き込み動作時には、ＦＥＴ２２のチャネルに電流を流し、ドレイン領域近傍にてホットエレクトロンを発生させ、これを制御ゲート電極（ＣＧ）に正電圧を印加してＦＧに注入させる。 - 特許庁

To provide a single-phase motor and an axial fan in which winding work efficiency is improved without causing disconnection to coil ends wound on terminal pins when a circuit substrate is connected to the terminal pins implanted in insulators.例文帳に追加

インシュレータに植設した端子ピンに回路基板を接続する際、端子ピンに絡げたコイル端末に断線が生じることなく、巻線作業効率を向上させた単相モータおよび軸流ファンを提供すること。 - 特許庁

This bone filling material 1 includes a base material 2 implanted in a bone depleted part and the fine powder 3, which comprises calcium phosphate and has a diametric dimension of 50 μm or below, adhered to at least the outer surface of the base material 2.例文帳に追加

骨欠損部に移植される基材２と、該基材２の少なくとも外表面に付着し、５０μｍ以下の直径寸法を有しリン酸カルシウムからなる微粉体３とを備える骨補填材１を提供する。 - 特許庁

In a formation process of pixel separation wells PS, ions of impurities are implanted in regions interposing a plurality of pixels P therebetween out of formation regions of the pixel separation wells PS to form first pixel separation wells PS1.例文帳に追加

画素分離ウェルＰＳの形成工程では、画素分離ウェルＰＳの形成領域のうち、複数の画素Ｐを間に挟む領域に、不純物をイオン注入して、第１の画素分離ウェルＰＳ１を形成する。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor element allowing a conductivity distribution to be formed without making refractive index distributed even in a material system of a semiconductor into which ions can not be easily implanted, and a semiconductor element.例文帳に追加

イオン注入の困難な半導体による材料系においても、屈折率に分布をつけずに導電性分布を形成することが可能となる半導体素子の製造方法および半導体素子を提供する。 - 特許庁

Hence, different portions of a substrate, or different substrates, can be implanted respectively by different shaped ion beams without going through using multiple fixed apertures or retuning the ion beam each time.例文帳に追加

よって、基板の異なる部分、又は、異なる基板は、複数の固定開口を使用しない、又は、毎回、イオンビームを再調整しない情況下で、それぞれ、異なる成形後のイオンビームにより、イオン注入を実行する。 - 特許庁

In a formation process of reading drains FD, a plurality of reading drains FD are formed in parts with the ions of the impurities implanted in either of the respective parts PS1, PS2 out of the pixel separation wells PS.例文帳に追加

読出しドレインＦＤの形成工程では、画素分離ウェルＰＳのうち、各部ＰＳ１，ＰＳ２のいずれか一方において不純物がイオン注入された部分に、複数の読出しドレインＦＤを形成する。 - 特許庁

To provide a monofilament for toothbrushes capable of appropriately setting hardness, durability and usability as the monofilament for the toothbrushes, preventing easy falling-off of the monofilaments implanted into a bristle base and improving stain-removal properties.例文帳に追加

歯ブラシのモノフィラメントとしての硬さや耐久性、使用感などを適正に設定でき、植毛台に植設したモノフィラメントが抜け難く、しかもステイン除去性能を向上できる歯ブラシ用モノフィラメントを提供する。 - 特許庁

The suction nozzle 1 comprises an oblongly tubular nozzle body 2 with a suction port 6 at the tip and a connection port 4 at the rear end, and the nozzle body 2 has brushes 7 implanted in a rim portion 3 of the suction port 6.例文帳に追加

吸込ノズル１は、先端に吸込口６、後端に接続口４をそれぞれ設けた扁平筒状のノズル本体２を備え、ノズル本体２の吸込口６の周縁部３にブラシ７を植毛した構成にしてある。 - 特許庁

The material of the bristles is polyester based resin, the total length ranges from 13 to 18 mm, one end is formed into a tapered shape having a length of 4 to 8 mm, and the other end is implanted with untapered needle-shaped bristles.例文帳に追加

歯ブラシ用毛の材質はポリエステル系樹脂であり、全体の長さが13〜18mmであり、一端には4〜8mmの長さでテーパーが形成されて他端にはテーパーが形成されなかった針状毛が植毛されることを特徴とする。 - 特許庁

An implantable medical device is implanted into a body, and facilitates proximity control of external equipment regarding state information of the implantable medical device based on the intention of a user.例文帳に追加

体内に移植されて使われる生体移植医療装置に関するものであって、ユーザの意図に基づいて外部装備に対する生体移植医療装置の状態情報についての接近制御を容易にする。 - 特許庁

Next, after a sacrificial oxide film is formed in this exposure region and in the interior of the trench 8 by thermal oxidation, n+ impurities are implanted as ions at an angle of 0 degree toward the front layer of the p-base 2 and a bottom part of the trench 8.例文帳に追加

つぎに、熱酸化によりこの露出領域およびトレンチ８内部に犠牲酸化膜を形成した後、 ｐベース２表層およびトレンチ８底部に向けてｎ＋不純物を０度の角度でイオン注入する。 - 特許庁

After a mask oxide film 23 is partially formed on the surface of a silicon substrate 12, oxygen ions 16 are implanted in the substrate, and the substrate is annealed to form the embedded oxide film 13 in the inside of the substrate.例文帳に追加

シリコン基板１２の表面に部分的にマスク酸化膜２３を形成した後に、基板に酸素イオン１６を注入し、更にこの基板をアニール処理して基板の内部に埋込み酸化膜１３を形成する。 - 特許庁

Under that state, the epitaxial layer 18 exposed to the inner sidewall of the trench 4 is implanted with impurities for controlling to P type, and then the silicon substrate 2 is heated thus forming a P^- type reduced surface field layer 9.例文帳に追加

この状態で、トレンチ４の内側壁に露出したエピタキシャル層１８にＰ型への制御のための不純物が注入された後、シリコン基板２が加熱されて、Ｐ^-型のリサーフ層９が形成される。 - 特許庁

A resist layer 16 is used as a mask in an element hole 12a, and argon (or fluorine) ions are implanted via the oxide film 14a by means of an implantation treatment of one time or multiple times, to form an ion implantation layer 18.例文帳に追加

素子孔１２ａ内にレジスト層１６をマスクとし且つ酸化膜１４ａを介してアルゴン（又はフッ素）イオンを１又は複数回の注入処理により注入してイオン注入層１８を形成する。 - 特許庁

Various shapes of support elements 30 made of biodegradable material dissolved in the serum tube tissue or aqueous humor are implanted in a lumen 19 of the serum tube 5 to realize improved discharge of aqueous humor and maintain the discharged state.例文帳に追加

またシュレム管５の管腔１９に、シュレム管組織または房水で分解する生物分解性材料で作られた各種形状の支持要素３０を移植し、改善された房水の排出を実現し維持する。 - 特許庁

Forming films so that emitter material is vertically implanted to the substrate 1, an emitter lower layer 5a is deposited on the substrate 1 and a first deposited layer 6a is deposited on the layer 3.例文帳に追加

エミッタ材料をシリコン基板１に対して垂直に入射するように成膜すると、シリコン基板１上にはエミッタ下層５ａが堆積し、第２の絶縁層２上には第１の堆積層６ａが堆積する。 - 特許庁

To provide a wig film excellent in wearing feeling, and made of a polyurethane resin film in which hairs are to be implanted and which has a mat surface and presents patterns resembling the skin: and to provide a method for producing the wig film.例文帳に追加

本発明は、毛髪を植設するためのポリウレタン系樹脂フィルムの表面が艶消し面とされて皮膚に疑似した模様を呈している装着感に優れたかつら用フィルム及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Sulfuric ions are implanted at a low acceleration voltage such as 10-15 keV with the channel protective film 25 as a mask and a semiconductor layer such as in a region other than under the channel protective film 25 is an n+ silicon layer 27.例文帳に追加

そして、チャネル保護膜２５をマスクとしてリンイオンを加速電圧１０〜１５ｋｅＶ程度の低加速電圧で注入し、チャネル保護膜２５下以外の領域における半導体層２４をｎ^+シリコン層２７とする。 - 特許庁

Consequently, since B, which is a p-type dopant, and C for filling C holes can be positioned close to each other from immediately after the ion implantation, B can be replaced fully, even when a little amount of C is implanted.例文帳に追加

これにより、ｐ型ドーパントであるＢとＣ空孔を埋めるためのＣとがイオン注入直後から近接した場所に位置するようにできるため、Ｃの注入量が少なくても十分にＢの置換が行われる。 - 特許庁

A dummy gate insulating film 407 and a dummy gate electrode 409 are formed and impurities are implanted in a polycrystalline silicon film 405 by a self alignment to form source and drain regions 405S and 405D in the film 405.例文帳に追加

ダミーゲート絶縁膜４０７及びダミーゲート電極４０９を形成し、多結晶シリコン膜４０５に自己整合的に不純物を注入してソース領域４０５Ｓ及びドレイン領域４０５Ｄを形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can be suppressed in variation of threshold voltage by separating the active region of a field effect transistor and the ion-implanted region of a body contact without forming a parasitic MOS.例文帳に追加

電界効果トランジスタの活性領域とボディコンタクト部のイオン注入領域とを寄生ＭＯＳ部を設けることなく分離させて、閾値電圧の変動を抑制することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a vision regeneration assisting apparatus capable of keeping the excellent connection state of an electronic circuit and a substrate through an installation base, preventing the invasion of body fluid to the electronic circuit and being implanted for a long period of time with high reliability.例文帳に追加

設置台を介して電子回路と基板との接続状態を良好に保ち、電子回路への体液の侵襲を防ぎ高い信頼性で長期埋植できる視覚再生補助装置を提供する。 - 特許庁

The ion-implanted diamond thin film 5-13 including a surface formed with the protection layer 5-14 is arranged in a super high-temperature/high-pressure baking furnace to be annealed at pressure equal to or higher than 3.5 GPa and at a temperature equal to or higher than 600°C.例文帳に追加

表面に保護層５−１４が形成されたイオン注入ダイヤモンド薄膜５−１３を、超高温高圧焼成炉内に配置し、３．５ＧＰａ以上、６００℃以上の圧力、温度下でアニールする。 - 特許庁

To provide an implanting technique capable of easily realizing tensile strength more than the one of a conventional product without using a metal plate at the time of implantation of an implanted brush in the view from the aspects of sanitation, safety and recycling.例文帳に追加

衛生面、安全面、リサイクル面から考え、植込みブラシの植毛の際に金属板を使用することなく、従来製品以上の引張強度を簡単に実現できる植毛技術を提供する。 - 特許庁

While a P-channel type MISFET is covered by a mask layer RM, ion (at least one of F, Si, C, Ge, Ne, Ar, and Kr is included) is implanted into an N-type source region and an N-type drain region of N-channel type MISFET.例文帳に追加

マスク層ＲＭによりＰチャネル型ＭＩＳＦＥＴを覆いつつ、Ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのＮ型ソース領域およびＮ型ドレイン領域に、イオン（F,Si,C,Ge,Ne,Ar,Krのうち少なくとも一種類を含む）を注入する。 - 特許庁

The semiconductor device is manufactured by a method of having the steps of: implanting P and O into a SiN layer; and reacting P and O implanted into the SiN layer with H_2O to etch the SiN layer.例文帳に追加

ＳｉＮ層にＰおよびＯを注入する工程と、前記ＳｉＮ層に注入されたＰおよびＯをＨ_2Ｏと反応させ、前記ＳｉＮ層をエッチングする工程とを有する方法により、半導体装置を製造する。 - 特許庁