「implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

Plural vibration damping materials 30 are arranged in an outer peripheral part of the intermediate member 13, and a bolt 25 of a fixing tool is implanted in a surface of a cooling vessel (a stationary object) 2 corresponding to these vibration damping materials.例文帳に追加

中間部材13の外周部には複数個の振動減衰材30が設置され、これと対応する冷却容器（静止物）2の表面には固定具のボルト25が植え込まれている。 - 特許庁

In the device, there is formed proton implanted parts 34 that reaches a first clad layer 12 by penetrating a contact layer 24, a current blocking layer 20, a second clad layer 16, and an undoped active layer 14.例文帳に追加

コンタクト層２４と電流ブロック層２０と第２クラッド層１６とアンドープ活性層１４とを貫通して、第１クラッド層１２まで達するプロトン注入部３４を形成する。 - 特許庁

To provide a vehicular lighting device which can increase a contact area between a sealant 150 implanted into a groove portion 115 and air, thereby shortening the time required for curing the sealant 150.例文帳に追加

溝部１１５に注入されたシール材１５０と空気との接触面積をより大きくすることができるので、シール材１５０の硬化に要する時間を短くすることができる。 - 特許庁

On the game board, a large number of nails for appropriately dispersing and adjusting the falling direction of game balls or the like are implanted, and also various kinds of members (accessories) such as a pinwheel unit are disposed.例文帳に追加

遊技盤には、遊技球の落下方向を適宜分散、調整等するために多数の釘が植設されているとともに、風車ユニット等の各種部材（役物）が配設されている。 - 特許庁

Next, after the substrate 1 is covered with a resist film, F2+ 14 for forming the pocket region 15 and As+ 16 for forming the LDD region for the n-type FET are also implanted in the entire surface of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

次にレジストで被覆後、ｎ型ＦＥＴ側はポケット領域１５形成用ＢＦ_２^＋１４及びＬＤＤ域形成用Ａｓ^＋１６で打返す過程を用いている。 - 特許庁

The bearing component 16 is non-fixed or non- stationary relative to one of the radial component 12 and the metacarpal component 14 when the wrist prosthesis is assembled such as when implanted into a patient.例文帳に追加

軸受部品１６は、手首プロテーゼが患者に移植されるときに組み立てられるとき、撓骨部品１２及び中手骨部品１４の一方に対して非固定又は非静止型である。 - 特許庁

A thermal stress analysis condition is automatically implanted by the 3D data base and the basic piping plan so that the decision of the analytic result can be automatically carried out by the 3D-CAD.例文帳に追加

熱応力解析条件は、３Ｄデータベース、基本配管計画より自動移植されるため解析結果の判定は３Ｄ−ＣＡＤが自動的に行うことが可能である。 - 特許庁

A first plating layer 11a and a second plating layer 11b are formed on the previously molded slant part 11A-2 in the process step of manufacturing the planted character 11 which is the implanted material.例文帳に追加

植設材である植え字１１を製造する工程において、予め成形した斜面部１１Ａ−２上に第１メッキ層１１ａ及び第２メッキ層１１ｂを形成する。 - 特許庁

Each rolling element 16 of the rolling bearing 10 is made of PTFE or any other resin 16a having self-lubricating performance, and in its surface a ceramic substance 16b in fine particles is implanted dispersively.例文帳に追加

転がり軸受１０の転動体１６を、ＰＴＦＥその他の自己潤滑性を有する樹脂１６ａで形成させ、かつ、その表面に微細なセラミックス１６ｂを分散して植え込む。 - 特許庁

The doping opening 5A of the mask member 5 exposes the partial area of the processing face of the wafer W to the plasma forming space P, and ions in the plasma are implanted only on the area.例文帳に追加

マスク部材５のドーピング用開口５Ａは、ウェーハＷの被処理面の一部の領域をプラズマ形成空間Ｐに露出させ、当該領域にのみプラズマ中のイオンを注入させる。 - 特許庁

After a boron is ion-implanted into the SiGe layer 13 through the Si layer 14 in amorphous, the SiGe layer 13 and the Si layer 14 are patterned to form a gate electrode 15.例文帳に追加

アモルファス状態のＳｉ層１４を介してＳｉＧｅ層１３にボロンをイオン注入した後、ＳｉＧｅ層１３及びＳｉ層１４をパターン化してゲート電極１５を形成する。 - 特許庁

Impurity ions are implanted into the Si substrate 1 through the thin part of the SiO2 film 7 in a region adjacent to the trench 5 to from a diffusion layer 8.例文帳に追加

ＳｉＯ_2 膜７の薄い部分を介してＳｉ基板１に不純物をイオン注入して、Ｓｉ基板１におけるトレンチ５の近傍の領域に不純物を導入し拡散層８を形成する。 - 特許庁

To prevent the degradation of the performance of a transistor caused by interface level rising due to the entry of nitrogen atoms that have been implanted in a silicon oxide film, reaching an interface between the film and a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン酸化膜中に導入した窒素原子がシリコン基板との界面にまで到達し、界面準位を増大させてトランジスタの性能を損なうということがないようにする。 - 特許庁

The through hole 31b is formed by etching a part where Ar ion is implanted from a surface, which is formed at the same time when the through hole 31a is formed by etching.例文帳に追加

一方、貫通孔３１ｂは、表面からＡｒイオンを注入された部分がエッチングされて形成されたもので、貫通孔３１ａの形成時のエッチングによって同時に形成される。 - 特許庁

Hydrogen ions are implanted previously in the major surface of an Si substrate 10, and the Si substrate 10 and the supporting substrate 20 are stuck in the temperature range of 100-400 °C after surface activation processing.例文帳に追加

予めＳｉ基板１０の主面に水素イオン注入し、表面活性化処理の後にＳｉ基板１０と支持基板２０を１００〜４００℃の温度範囲で貼り合わせる。 - 特許庁

In that state, an impurity of second conductivity type is implanted in the semiconductor substrates 2 by rotating the disk 3 around the disk rotation axis 53 and irradiating them with the ion beam 1.例文帳に追加

当該状態で、ディスク３をディスク回転軸５３周りに回転させてイオンビーム１を照射することにより、第２導電型の不純物が半導体基板２に注入される。 - 特許庁

In that state, an impurity of first conductivity type is implanted in the semiconductor substrates 2 by rotating the disk 3 around the disk rotation axis 53 and irradiating them with the ion beam 1.例文帳に追加

当該状態で、ディスク３をディスク回転軸５３周りに回転させてイオンビーム１を照射することにより、第１導電型の不純物が半導体基板２に注入される。 - 特許庁

A SOI substrate has an SiO2 film 230 the center of which is positioned to the depth of the damage peak at which crystal defects become the maximum when oxygen ions are implanted into an Si substrate 10.例文帳に追加

ＳＯＩ基板は、Ｓｉ基板（１０）に酸素イオンをイオン注入した際に結晶欠陥最大となるダメージピークの深さ位置に中心を有するＳｉＯ_2膜（２３０）を有する。 - 特許庁

Decryption confirmation information (L-shaped parts at four corners of the encryption area) for verifying whether or not the encryption area is appropriately decrypted through decryption is implanted in the encryption area.例文帳に追加

復号化時に暗号化領域が正しく復号されたか否かを検証するための復号確認情報（暗号化領域の四隅のＬ字状の部分）を暗号化領域内に埋め込む。 - 特許庁

After a gate structure 4, an LDD area 6 and a side wall are formed in this order, arsenic ions 8 are implanted in the upper face of a silicon substrate 1 by oblique injection.例文帳に追加

ゲート構造４、ＬＤＤ領域６、及びサイドウォール７をこの順に形成した後、斜方注入法によって、ヒ素イオン８をシリコン基板１の上面内に注入する。 - 特許庁

Impurities for forming an intrinsic base diffused layer and impurities having conductivity type reverse to that of impurities for forming intrinsic base diffused layer are implanted in a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

真性ベース拡散層を形成するための不純物および真性ベース拡散層をなす不純物の導電型とは逆導電型の不純物が半導体基板１に注入される。 - 特許庁

Also, the amount of the hole implanted in the n-type semiconductor layer 2 is reduced depending on a natural oxide film formed between the n-type semiconductor layer 2 and p-type polysilicon layer 7.例文帳に追加

またｎ−型半導体層２とｐ型ポリシリコン層７の間に形成される自然酸化膜によっても、ｎ−型半導体層２に注入されるホール量を低減できる。 - 特許庁

The amount of a hole that is implanted in the n-type semiconductor layer 2 from the p-type polysilicon layer is controlled at forward voltage application since there exists much grain boundary in the polysilicon layer.例文帳に追加

これによりポリシリコン層中では、結晶粒界が多いため、順方向電圧印加時にｐ型ポリシリコン層からｎ−型半導体層２に注入されるホール量を抑制できる。 - 特許庁

To prevent useless reaction between a silicon wafer and impurities and useless diffusion of impurities in the silicon wafer when the silicon wafer, which has the surface not covered with a covering film and is ion-implanted impurities, is subjected to annealing.例文帳に追加

表面がカバー膜で被覆されておらず不純物がイオン注入されたシリコンウェハをアニール処理するとき、シリコンウェハの無用な反応と不純物の無用な拡散とを防止する。 - 特許庁

In the tooth brush consisting of a holding part and a brush part where the brush bristles are implanted, the perfume is attached to the surface of the brush fibers.例文帳に追加

保持部とブラシ繊維が植毛されたブラシ部とから成る歯の清掃具に於いて、ブラシ繊維表面に香料が付着させられていることを特徴とする香料付き歯の清掃具とする。 - 特許庁

To provide a ligament reconstruction surgery tool capable of enhancing the durability of a ligament implanted by boring the bone constituting a joint in ligament reconstruction surgery.例文帳に追加

靭帯再建手術に際して、関節を構成する骨を穿孔して移植される靭帯の耐久性を増加することを可能ならしめる様な靭帯再建手術用器具の提供。 - 特許庁

To suppress the ununiformity of sheet resistance when ions are implanted into a polysilicon semiconductor film by using a ribbon-like beam, and to prevent a change in characteristic of a fabricated thin-film transistor.例文帳に追加

ポリシリコン半導体膜へのリボン状のビームを用いたイオン打ち込みにおけるシート抵抗の不均一を抑制して、作り込まれる薄膜トランジスタの特性変動を防止する。 - 特許庁

In the steps shown on Fig. (b)-Fig.(d), ions are implanted in the single crystal silicon film 30 with implantation energy quantities of "30 keV", "100 keV" and "170 keV".例文帳に追加

次に、図８（ｂ）〜図８（ｄ）に示す工程において、上記単結晶シリコン膜３０に、それぞれ注入エネルギ量を、「３０ｋｅＶ」、「１００ｋｅＶ」、「１７０ｋｅＶ」としてイオン注入を行う。 - 特許庁

Next, a p-type impurity is ion-implanted through the opening of the first insulator 710, and a p-base layer 621 is formed in the main face 61S by performing heat treatment thereafter.例文帳に追加

次に、第１絶縁体７１０の上記開口を介してｐ型不純物をイオン注入し、その後熱処理を施すことにより、主面６１Ｓ内にｐベース層６２１を形成する。 - 特許庁

After an oxygen precipitated nucleus 12 is formed inside a semiconductor wafer 10 such as silicon or the like through a first heat treatment, hydrogen ion composed of H_2^+ is implanted into the surface layer of the wafer 10.例文帳に追加

シリコン等の半導体ウエハ１０の内部に第１の熱処理により酸素析出核１２を形成した後、ウエハ１０の表面層にＨ_２^＋からなる水素イオンを注入する。 - 特許庁

In introduction of the impurities by ion implantation, different doses of ions are implanted onto different sites of the semiconductor chip to change the thicknesses of the insulating films depending on the doses.例文帳に追加

また、イオン注入による不純物導入では、半導体チップ上の箇所で異なるドーズ量のイオンを注入し、このドーズ量に応じて絶縁膜の膜厚を変化させる。 - 特許庁

To provide a volatile memory-cell transistor with which a desired threshold-voltage value can be obtained while relatively decreasing the doping concentration of a channel ion-implanted region, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

チャネルイオン注入領域のドーピング濃度を相対的に低下しながらも所望のしきい電圧値を得ることができる揮発性メモリセルトランジスタ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The femoral component is configured to be implanted in a surgically prepared femur, and the tibial tray is configured for implantation in a prepared tibia.例文帳に追加

大腿骨コンポーネントは手術によって準備された大腿骨に植え込まれるための形状で構成され、脛骨トレーは準備された脛骨に植え込まれる形状で構成されている。 - 特許庁

To etch a polysilicon gate into which an element which does not generate a volatile compound, for example ytterbium (Yb), is implanted, during conventional reactive-ion etching.例文帳に追加

本発明は、従来の反応性イオンエッチングの間、揮発性の化合物を生成しない元素、例えばイットリビウム（Ｙｂ）が注入されたポリシリコンゲートをエッチングすることを目的とする。 - 特許庁

Because beam transportation efficiency can be obtained by measuring beam current at each position before ion implantation into wafer, ion is not required to be actually implanted into wafer.例文帳に追加

ウェハに対するイオン注入の前に、ビーム輸送効率を各位置におけるビーム電流を測定することによって得られるため、ウェハに実際にイオンを注入する必要がなくなる。 - 特許庁

Implanted dopant seeds are made random by a collision in a pad oxide 205 to increase a gradient of the dopant profile, thereby reducing channel effect of a base region 240.例文帳に追加

パッド酸化物２０５内での衝突により、注入されたドーパント種をランダム化し、ドーパント・プロファイルの勾配を増大させ、ベース領域２４０のチヤネル効果を低減することができる。 - 特許庁

To provide a polymer base stent which almost or completely does not show negative reaction related to relaxation when the stent is implanted into the blood vessel or the lumen of a mammal.例文帳に追加

哺乳動物の血管または管路中に移植された場合に緩和関連の負の反動をほとんど示さないかまたは全く示さないポリマーベースのステントを提供すること。 - 特許庁

The defect-free layer 16 is formed by diffusing oxygen and the oxygen precipitated nucleus to the outside from the surface layer of the wafer 10 through the reduction process of the ion-implanted hydrogen.例文帳に追加

無欠陥層１６は、イオン注入された水素の還元作用によりウエハ１０の表面層から酸素及び酸素析出核が外方拡散されることによって形成される。 - 特許庁

On the surface of a silicon substrate 100, a silicon oxide film 110 is formed by thermal oxidation process and silver is implanted in the silicon oxide film 110 by negative ion implantation.例文帳に追加

シリコン基板１００の表面に、熱酸化工程により、シリコン酸化膜１１０を形成し、このシリコン酸化膜１１０中に、負イオン注入法によって銀を注入する。 - 特許庁

A semiconductor layer 201 is disposed on a substrate 200, a first insulating film 202 is formed to coat the semiconductor layer 201, and then impurity ions are implanted into the semiconductor layer 201.例文帳に追加

基板２００上に半導体層２０１が配置され、これを覆うように第１絶縁膜２０２を形成した状態で、不純物イオンを半導体層２０１に注入する。 - 特許庁

To provide a heat treatment method and heat treatment apparatus for performing both activation of implanted ions and recovery of an introduced defect without damaging a substrate.例文帳に追加

基板にダメージを与えることなく、注入されたイオンの活性化および導入された欠陥の回復の双方を行うことができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。 - 特許庁

The first thermal treatment is performed on the single crystal silicon substrate, a prescribed amount of a surface layer is removed, and the oxygen ions are implanted from the removed surface side.例文帳に追加

好ましくは、単結晶シリコン基板に対し、第１の熱処理を行なった後、表面層を所定量除去し、該除去された表面側から前記酸素イオン注入を行なう。 - 特許庁

On the surface side (bonding face side) of a single crystal Si substrate 10, a uniformed ion implanted layer 11 is formed in a predetermined depth (average ion implantation depth L) near the surface.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基板１０の表面側（接合面側）には、表面近傍の所定の深さ（平均イオン注入深さＬ）に均一なイオン注入層１１が形成される。 - 特許庁

After a resist pattern 19 that covers a PMIS region is formed, and then the polysilicon germanium film 18 in an NMIS region is implanted with phosphorus ion 20, a heat treatment for diffusion is implemented.例文帳に追加

ＰＭＩＳ領域を覆うレジストパターン１９を形成した後、ＮＭＩＳ領域のポリシリコンゲルマニウム膜１８にリンイオン２０を注入した後、拡散用の熱処理を行う。 - 特許庁

A spacer 140 of the dielectric adjacent to the gate electrode is formed, and an impurity is implanted to form source and drain 145 of the device in the logical and DRAM regions.例文帳に追加

次に、ゲート電極に隣接する誘電体のスペーサ１４０し、不純物を導入して、論理およびＤＲＡＭ領域においてデバイスのソースおよびデバイスのドレイン１４５を形成する。 - 特許庁