「implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

After a magnetic layer 13 is formed on the top surface of a substrate 11 as a base body across a base layer 12, metal element ions are implanted into the magnetic layer 13 to the overall thickness.例文帳に追加

下地基体である基板１１の表面に下地層１２を介して磁性層１３を形成した後、磁性層１３の層厚全体にわたって金属元素イオンを注入する。 - 特許庁

To provide a plasma ashing method and a plasma ashing apparatus capable of promptly removing resist residue while preventing fault occurrence due to the resist residue by applying a plasma ashing process to an ion-implanted resist.例文帳に追加

イオン注入されたレジストをプラズマアッシング処理により、レジスト残渣による欠陥発生を抑制しつつ迅速に除去することが可能なプラズマアッシング方法及びプラズマアッシング装置を得る。 - 特許庁

Then, the resist 104 that is previously cured is hardly shrunk when the resist 106 is exposed to light and developed, so that implanted ions are blocked and restrained from diffusing long in the lateral direction by the resist 104.例文帳に追加

すると、予め硬化されたレジスト１０４は、レジスト１０６を露光・現像する際に収縮しないため、注入されるイオンを遮蔽し、横方向拡散長を抑制する。 - 特許庁

To provide a stent for a vascular channel, which is capable of suppressing applying stimulation and load to the vascular channel by being easily deformed following the deformation of the vascular channel such as the blood vessel where the stent is implanted.例文帳に追加

植え込まれる血管等の脈管の変形に倣って容易に変形し、脈管に対し刺激や負荷を与えることを抑えることができる脈管用ステントの提供。 - 特許庁

To provide a fixed side sliding material capable of ensuring a favorable design property, reducing sliding resistance and maintaining excellent wear resistance by a bristle-implanted section formed by piling.例文帳に追加

パイルで形成される植毛部によって、良好な意匠性の確保、摺動抵抗の軽減、および優れた耐摩耗性の維持を図ることのできる固定側摺動材を提供する。 - 特許庁

Then, a P-type impurity having a middle concentration is ion-implanted to the P-type region 11 with the field oxide film 12 as an implantation mask for forming a P-type region 15 having an intermediate impurity concentration.例文帳に追加

次に、フィールド酸化膜１２を注入マスクとして、Ｐ型領域１１に中濃度のＰ型不純物をイオン注入し、中不純物濃度のＰ型領域１５を形成する。 - 特許庁

A cylinder 5 on which nylon cords 4 are implanted sparsely is pivotally supported in a case 14, and the teeth of a comb 9 of the same length as the cylinder 5 are separated a little from the cylinder 5 facing up and fitted to the case 14.例文帳に追加

ケース（１４）にナイロンコード（４）を疎に植えつけた円柱（５）を軸支させ、円柱（５）と同じ長さの櫛（９）の歯を上向きに円柱（５）より少し放してケース（１４）に取り付ける。 - 特許庁

The microelectro-optomechanical system(MEMS) optical device has a substrate having an implanted light reflection optical layer and a mounting substrate which is movably mounted with the mirror.例文帳に追加

マイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）光デバイスは、注入光反射光学層を備えた基板を有するミラーと、該ミラーが移動可能に取り付けられる取付け基板とを含んでいる。 - 特許庁

To provide an electrode lead implanted in an organism, which is flexible, which can be reduced in diameter, and which enables the desired part of a lead body to be maintained in a desired shape matching any site of the body.例文帳に追加

柔軟でしかも細経化することができ、しかもリードボディの所望箇所を部位に応じた所望形状に維持できるようにした生体植設用電極リードの提供。 - 特許庁

The converged ion beams are irradiated to a single-crystal semiconductor substrate, without interposing an amorphous layer having an element constituting the semiconductor substrate, and the ions are implanted into the semiconductor substrate.例文帳に追加

収束されたイオンビームを、単結晶の半導体基板に、半導体基板を構成する元素からなるアモルファス層を介すことなく照射し、半導体基板にイオンを注入する。 - 特許庁

Then, the indium ions in the In ion implanted layer 12 are diffused to form an In deposition layer 13 near an interface between the TiN film 10 and the gate insulation film 9.例文帳に追加

次に熱処理によりＩｎイオン注入層１２中のインジウムを拡散させ、ＴｉＮ膜１０のゲート絶縁膜９との界面付近にＩｎ析出層１３を形成する。 - 特許庁

Also, the amount of the hole implanted in the n-type semiconductor layer 2 is reduced depending on a natural oxide film formed between the n-type semiconductor layer 2 and p-type polysilicon layer 7.例文帳に追加

またｎ−型半導体層２とｐ型ポリシリコン層７の間に形成される自然酸化膜によっても、ｎ−型半導体層２に注入されるホール量を低減できる。 - 特許庁

The doping opening 5A of the mask member 5 exposes the partial area of the processing face of the wafer W to the plasma forming space P, and ions in the plasma are implanted only on the area.例文帳に追加

マスク部材５のドーピング用開口５Ａは、ウェーハＷの被処理面の一部の領域をプラズマ形成空間Ｐに露出させ、当該領域にのみプラズマ中のイオンを注入させる。 - 特許庁

After a boron is ion-implanted into the SiGe layer 13 through the Si layer 14 in amorphous, the SiGe layer 13 and the Si layer 14 are patterned to form a gate electrode 15.例文帳に追加

アモルファス状態のＳｉ層１４を介してＳｉＧｅ層１３にボロンをイオン注入した後、ＳｉＧｅ層１３及びＳｉ層１４をパターン化してゲート電極１５を形成する。 - 特許庁

To provide a ligament reconstruction surgery tool capable of enhancing the durability of a ligament implanted by boring the bone constituting a joint in ligament reconstruction surgery.例文帳に追加

靭帯再建手術に際して、関節を構成する骨を穿孔して移植される靭帯の耐久性を増加することを可能ならしめる様な靭帯再建手術用器具の提供。 - 特許庁

To suppress the ununiformity of sheet resistance when ions are implanted into a polysilicon semiconductor film by using a ribbon-like beam, and to prevent a change in characteristic of a fabricated thin-film transistor.例文帳に追加

ポリシリコン半導体膜へのリボン状のビームを用いたイオン打ち込みにおけるシート抵抗の不均一を抑制して、作り込まれる薄膜トランジスタの特性変動を防止する。 - 特許庁

In the steps shown on Fig. (b)-Fig.(d), ions are implanted in the single crystal silicon film 30 with implantation energy quantities of "30 keV", "100 keV" and "170 keV".例文帳に追加

次に、図８（ｂ）〜図８（ｄ）に示す工程において、上記単結晶シリコン膜３０に、それぞれ注入エネルギ量を、「３０ｋｅＶ」、「１００ｋｅＶ」、「１７０ｋｅＶ」としてイオン注入を行う。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor element of good characteristics by keeping the SiC surface clean and smooth after annealing for activating ion-implanted impurities.例文帳に追加

イオン注入された不純物を活性化するためのアニール後のＳｉＣ表面を清浄かつ平滑に保持し、良好な特性の炭化けい素半導体素子を作製する方法を提供する。 - 特許庁

The femoral component is configured to be implanted in a surgically prepared femur, and the tibial tray is configured for implantation in a prepared tibia.例文帳に追加

大腿骨コンポーネントは手術によって準備された大腿骨に植え込まれるための形状で構成され、脛骨トレーは準備された脛骨に植え込まれる形状で構成されている。 - 特許庁

To etch a polysilicon gate into which an element which does not generate a volatile compound, for example ytterbium (Yb), is implanted, during conventional reactive-ion etching.例文帳に追加

本発明は、従来の反応性イオンエッチングの間、揮発性の化合物を生成しない元素、例えばイットリビウム（Ｙｂ）が注入されたポリシリコンゲートをエッチングすることを目的とする。 - 特許庁

The amount of a hole that is implanted in the n-type semiconductor layer 2 from the p-type polysilicon layer is controlled at forward voltage application since there exists much grain boundary in the polysilicon layer.例文帳に追加

これによりポリシリコン層中では、結晶粒界が多いため、順方向電圧印加時にｐ型ポリシリコン層からｎ−型半導体層２に注入されるホール量を抑制できる。 - 特許庁

To prevent useless reaction between a silicon wafer and impurities and useless diffusion of impurities in the silicon wafer when the silicon wafer, which has the surface not covered with a covering film and is ion-implanted impurities, is subjected to annealing.例文帳に追加

表面がカバー膜で被覆されておらず不純物がイオン注入されたシリコンウェハをアニール処理するとき、シリコンウェハの無用な反応と不純物の無用な拡散とを防止する。 - 特許庁

In the tooth brush consisting of a holding part and a brush part where the brush bristles are implanted, the perfume is attached to the surface of the brush fibers.例文帳に追加

保持部とブラシ繊維が植毛されたブラシ部とから成る歯の清掃具に於いて、ブラシ繊維表面に香料が付着させられていることを特徴とする香料付き歯の清掃具とする。 - 特許庁

Next, a p-type impurity is ion-implanted through the opening of the first insulator 710, and a p-base layer 621 is formed in the main face 61S by performing heat treatment thereafter.例文帳に追加

次に、第１絶縁体７１０の上記開口を介してｐ型不純物をイオン注入し、その後熱処理を施すことにより、主面６１Ｓ内にｐベース層６２１を形成する。 - 特許庁

After an oxygen precipitated nucleus 12 is formed inside a semiconductor wafer 10 such as silicon or the like through a first heat treatment, hydrogen ion composed of H_2^+ is implanted into the surface layer of the wafer 10.例文帳に追加

シリコン等の半導体ウエハ１０の内部に第１の熱処理により酸素析出核１２を形成した後、ウエハ１０の表面層にＨ_２^＋からなる水素イオンを注入する。 - 特許庁

In introduction of the impurities by ion implantation, different doses of ions are implanted onto different sites of the semiconductor chip to change the thicknesses of the insulating films depending on the doses.例文帳に追加

また、イオン注入による不純物導入では、半導体チップ上の箇所で異なるドーズ量のイオンを注入し、このドーズ量に応じて絶縁膜の膜厚を変化させる。 - 特許庁

To provide a volatile memory-cell transistor with which a desired threshold-voltage value can be obtained while relatively decreasing the doping concentration of a channel ion-implanted region, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

チャネルイオン注入領域のドーピング濃度を相対的に低下しながらも所望のしきい電圧値を得ることができる揮発性メモリセルトランジスタ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

Decryption confirmation information (L-shaped parts at four corners of the encryption area) for verifying whether or not the encryption area is appropriately decrypted through decryption is implanted in the encryption area.例文帳に追加

復号化時に暗号化領域が正しく復号されたか否かを検証するための復号確認情報（暗号化領域の四隅のＬ字状の部分）を暗号化領域内に埋め込む。 - 特許庁

After a gate structure 4, an LDD area 6 and a side wall are formed in this order, arsenic ions 8 are implanted in the upper face of a silicon substrate 1 by oblique injection.例文帳に追加

ゲート構造４、ＬＤＤ領域６、及びサイドウォール７をこの順に形成した後、斜方注入法によって、ヒ素イオン８をシリコン基板１の上面内に注入する。 - 特許庁

Impurities for forming an intrinsic base diffused layer and impurities having conductivity type reverse to that of impurities for forming intrinsic base diffused layer are implanted in a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

真性ベース拡散層を形成するための不純物および真性ベース拡散層をなす不純物の導電型とは逆導電型の不純物が半導体基板１に注入される。 - 特許庁

Hydrogen ions are implanted previously in the major surface of an Si substrate 10, and the Si substrate 10 and the supporting substrate 20 are stuck in the temperature range of 100-400 °C after surface activation processing.例文帳に追加

予めＳｉ基板１０の主面に水素イオン注入し、表面活性化処理の後にＳｉ基板１０と支持基板２０を１００〜４００℃の温度範囲で貼り合わせる。 - 特許庁

In that state, an impurity of second conductivity type is implanted in the semiconductor substrates 2 by rotating the disk 3 around the disk rotation axis 53 and irradiating them with the ion beam 1.例文帳に追加

当該状態で、ディスク３をディスク回転軸５３周りに回転させてイオンビーム１を照射することにより、第２導電型の不純物が半導体基板２に注入される。 - 特許庁

In that state, an impurity of first conductivity type is implanted in the semiconductor substrates 2 by rotating the disk 3 around the disk rotation axis 53 and irradiating them with the ion beam 1.例文帳に追加

当該状態で、ディスク３をディスク回転軸５３周りに回転させてイオンビーム１を照射することにより、第１導電型の不純物が半導体基板２に注入される。 - 特許庁

A SOI substrate has an SiO2 film 230 the center of which is positioned to the depth of the damage peak at which crystal defects become the maximum when oxygen ions are implanted into an Si substrate 10.例文帳に追加

ＳＯＩ基板は、Ｓｉ基板（１０）に酸素イオンをイオン注入した際に結晶欠陥最大となるダメージピークの深さ位置に中心を有するＳｉＯ_2膜（２３０）を有する。 - 特許庁

Because beam transportation efficiency can be obtained by measuring beam current at each position before ion implantation into wafer, ion is not required to be actually implanted into wafer.例文帳に追加

ウェハに対するイオン注入の前に、ビーム輸送効率を各位置におけるビーム電流を測定することによって得られるため、ウェハに実際にイオンを注入する必要がなくなる。 - 特許庁

Implanted dopant seeds are made random by a collision in a pad oxide 205 to increase a gradient of the dopant profile, thereby reducing channel effect of a base region 240.例文帳に追加

パッド酸化物２０５内での衝突により、注入されたドーパント種をランダム化し、ドーパント・プロファイルの勾配を増大させ、ベース領域２４０のチヤネル効果を低減することができる。 - 特許庁

To provide a polymer base stent which almost or completely does not show negative reaction related to relaxation when the stent is implanted into the blood vessel or the lumen of a mammal.例文帳に追加

哺乳動物の血管または管路中に移植された場合に緩和関連の負の反動をほとんど示さないかまたは全く示さないポリマーベースのステントを提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can stably reduce a shadow region where ions cannot be implanted during an oblique ion implantation step and has an appropriate structure for microfabrication, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

斜めイオン注入工程でイオン注入できない影領域を安定して低減させ、微細化に好適な構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Then after the resist layer 16 is eliminated, the substrate 12 is cleaned and oxygen ion 23 is vertically implanted onto the surface of the substrate 12 through the mask of the surface oxide film 14.例文帳に追加

次にレジスト層１６を除去して基板本体１２を洗浄し、表面酸化膜１４をマスクにして基板本体１２の表面に垂直に酸素イオン２３を注入する。 - 特許庁

The P type impurity is ion-implanted into a junction area of the PMOS and P+ pickup area exposed by contact holes.例文帳に追加

マスクパターンをイオン注入障壁として使用してコンタクトホールにより露出されたＰＭＯＳの接合領域及びＰ＋ピックアップ領域内にＰ型不純物イオン注入を遂行する。 - 特許庁

Then, an activation process is performed, the implanted impurities are activated by quickly heating and cooling the semiconductor thin film 2 by performing a quick heating method using a lamp as a heat source.例文帳に追加

この後活性化工程を行い、熱源にランプを用いた急速加熱法により半導体薄膜２を急速に加熱冷却して注入された不純物を活性化する。 - 特許庁

The defect-free layer 16 is formed by diffusing oxygen and the oxygen precipitated nucleus to the outside from the surface layer of the wafer 10 through the reduction process of the ion-implanted hydrogen.例文帳に追加

無欠陥層１６は、イオン注入された水素の還元作用によりウエハ１０の表面層から酸素及び酸素析出核が外方拡散されることによって形成される。 - 特許庁

On the surface of a silicon substrate 100, a silicon oxide film 110 is formed by thermal oxidation process and silver is implanted in the silicon oxide film 110 by negative ion implantation.例文帳に追加

シリコン基板１００の表面に、熱酸化工程により、シリコン酸化膜１１０を形成し、このシリコン酸化膜１１０中に、負イオン注入法によって銀を注入する。 - 特許庁

A semiconductor layer 201 is disposed on a substrate 200, a first insulating film 202 is formed to coat the semiconductor layer 201, and then impurity ions are implanted into the semiconductor layer 201.例文帳に追加

基板２００上に半導体層２０１が配置され、これを覆うように第１絶縁膜２０２を形成した状態で、不純物イオンを半導体層２０１に注入する。 - 特許庁

To provide a heat treatment method and heat treatment apparatus for performing both activation of implanted ions and recovery of an introduced defect without damaging a substrate.例文帳に追加

基板にダメージを与えることなく、注入されたイオンの活性化および導入された欠陥の回復の双方を行うことができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。 - 特許庁