「implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

In this brush of flat-line hair implantation type, the height of walls (h) dividing hair bundles implanted in implant holes 13 is lower than that of the head surface 2.例文帳に追加

平線植毛式のブラシにおいて、隣り合う植毛孔１３同士を仕切る隔壁１６の植毛孔底部からの高さｈをヘッド部表面２よりも低く設定する。 - 特許庁

The filter includes: a conductive base material 1; and conductive fiber thread 2, consisting of polymer fiber to which the conductivity is imparted, that is implanted into at least one side of the base material 1.例文帳に追加

導電性を有する基材１と、基材１の少なくとも片面に植毛された導電性を付与した高分子繊維からなる導電繊維糸２とを有している。 - 特許庁

To provide a medical implant device which is resistant to repeated deformation when it is used or implanted in a body, corrosion resistant, and highly biocompatible.例文帳に追加

体内での使用時又は体内への移植時における反復的な変形に耐性があり、さらには耐食性があり、生体適合性が高い医療インプラントデバイスの提供。 - 特許庁

To provide a greenhouse cultivation system with an easy structure, suppressing aging of implanted stumps a little, and securing a maximum yield through long term harvesting.例文帳に追加

植付株の老化を小さく抑えて、長期にわたる収穫によって最大限の収穫量を確保することができる簡易な構成のハウス栽培システムを提供する。 - 特許庁

As a result, a current is implanted into the active layer 3 from the side and the forefront part of the trapezoid of the trapezoidal projection p-type GaN layer 6', and light is emitted in a wide area of the active layer 3.例文帳に追加

この結果、電流は台形凸部ｐ型GaN層６’の台形の側面、先端部からも活性層３へ注入され、活性層３の広い領域で発光する。 - 特許庁

To obtain an optoelectronic device which exhibits no display defects and hence good display performance, in a method of manufacturing an optoelectronic device system subjected to a process step, where ions are implanted using a resist film.例文帳に追加

レジスト膜を用いてイオン注入を行う工程を経る電気光学装置の製造方法において、表示欠陥のない、表示特性の良い電気光学装置を得る。 - 特許庁

After removing the mask material, Ar is ion-implanted into the reactive product 19 formed at least on the side wall of the aluminum wire to generate breaches in the reactive product.例文帳に追加

マスク材を除去した後、アルミニウム配線の少なくとも側壁に形成された反応生成物１９にＡｒをイオン注入し、反応生成物に欠陥を発生させる。 - 特許庁

To provide a medical lead system using an electromagnetic band cancellation filter that can be used in a magnetic resonance imaging (MRI) environment for a patient implanted with a medical instrument.例文帳に追加

医療器具が植え込まれた患者のための磁気共鳴画像化（ＭＲＩ）環境で利用できる電磁帯域消去フィルタを利用した医用リードシステムを提供する。 - 特許庁

A rotary brush 37 is implanted on the outside surface of a hollow shaft 36 and the rotary brush 37 is rotated by a drive motor 38 via the hollow shaft 36.例文帳に追加

中空軸３６の外周面に回転ブラシ３７が植設されており、駆動モータ３８によって中空軸３６を介して回転ブラシ３７が回転するようになっている。 - 特許庁

A panel pin 11 implanted in a panel 2 has a locking part 11a and an adhesive agent housing part 11b, and the locking part 11a is locked in a locking hole 13.例文帳に追加

パネル２に植設されたパネルピン１１は、係止部１１ａと接着剤収納部１１ｂとを有し、係止部１１ａが係止孔１３に係止されている。 - 特許庁

To provide a material for fixing a prosthesis to a cartilage tissue, capable of stably maintaining an implanted region for a long period of time without dropping.例文帳に追加

本発明は、脱落することなく、長期に渡り埋植部位を安定に維持できる軟骨組織に補綴材を固定するための材料を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a brush of flat-line implantation type in which the brush head dotted with some hair bundles looks like the one continuously and evenly implanted with hair.例文帳に追加

毛束を植毛した際に、隣り合う植毛孔に植毛された毛束同士が切れ目なく連続した状態で連なって見える平線植毛式のブラシを提供すること。 - 特許庁

The production method for the master case is provided with a support base formed of a synthetic resin, a fixing plate to which a tooth model is fixed, and a dowel pin implanted to the fixing plate.例文帳に追加

合成樹脂から形成された支持基台と、歯形模型が固定される固定用プレートと、固定用プレートに植設されたダウエルピンとを備えた作業模型の製作方法。 - 特許庁

A thermal oxide film, e.g. an SiO_2 film 102, is formed on a silicon substrate 101, for example, and then Zr ions (Zr^+) are implanted from a plasma 105 into the SiO_2 film 102.例文帳に追加

例えば、シリコン基板１０１の上に熱酸化膜であるＳｉＯ___2 膜１０２を形成した後、プラズマ１０５からＺｒイオン（Ｚｒ^+ ）をＳｉＯ_2膜１０２内に注入する。 - 特許庁

An organic SOG film 13 is deposited on the surface of a silicon substrate 11 having an element isolation trench 12, and an impurity is then implanted thereto to form a denatured SOG film 13a.例文帳に追加

素子分離トレンチ１２を有するシリコン基板１１の表面に有機ＳＯＧ膜１３を堆積し、これに不純物を注入して改質ＳＯＧ膜１３ａとする。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes a step wherein after P+ ions are implanted into a polysilicon film 7 in an nMOSFET region Rn, a heat treatment is given to diffuse phosphorus into a lower portion of the film 7.例文帳に追加

ｎＭＯＳＦＥＴ領域Ｒｎのポリシリコン膜７に、Ｐ+ のイオン注入を行った後、リンをポリシリコン膜７の下部にまで拡散させるために熱処理を行う。 - 特許庁

To provide a heat treatment method that activates implanted impurities and remedy introduced defects as well, while reducing the damage to a substrate.例文帳に追加

基板に与えるダメージを抑制しつつ、注入された不純物の活性化および導入された欠陥の回復の双方を行うことができる熱処理方法を提供する。 - 特許庁

The drilling bit 1 is composed of the head 2 and a body 3, and an end face 2a of the head 2 is provided with a fitting hole 5 wherein the button-shaped cemented carbide tip 4 is implanted.例文帳に追加

穿孔用ビット１は、ビット頭部２及び胴部３からなり、ビット頭部２の端面2aには、ボタン状の超硬チップ４を植え込む装着穴５が設けられている。 - 特許庁

A plurality of wire-like base bodies, each of which has a surface coated with a titanium oxide film or the like, are implanted at intervals suitable for irradiating the whole wire-like base bodies with light, on a base plate having many ventilation holes.例文帳に追加

多数の通気孔を設けた基板に表面が酸化チタン膜等で被覆された針金状基体を光が効率的に照射できる間隔で多数植設する。 - 特許庁

Even if metal ions are implanted in the semiconductor substrate, together with the hydrogen ions in the step of hydrogen ion irradiation, the effect of metal contamination can be suppressed by the gettering process.例文帳に追加

水素イオンの照射工程で、水素イオンと共に金属イオンが半導体基板中に打ち込まれても、ゲッタリング処理によって、金属汚染の影響を抑えることができる。 - 特許庁

The formulation for removing a photoresist, ion implanted photoresist, BARC and/or etch residue comprises an ammonium hydroxide, 2-aminobenzothiazole and remainder water.例文帳に追加

フォトレジスト、イオン注入フォトレジスト、ＢＡＲＣ及び／又はエッチ残留物を除去するための配合物であって、水酸化アンモニウム及び２−アミノベンゾチアゾール、残余水を含む。 - 特許庁

Impurity ions are additionally implanted into the surface of the RESURF layer 14, which is lessened in impurity concentration due to the formation of an oxide film for the formation of an additional layer 21.例文帳に追加

酸化膜１８の形成により不純物濃度の低下したＲＥＳＵＲＦ層１４表面側に追加のインプラを行うことにより追加層２１を形成する。 - 特許庁

In a manufacturing method of a semiconductor device, a gate for the n-type MIS transistor region 3 is implanted in a state where an n-type decoupling capacitor region 4 is covered.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法では、ｎ型ＭＩＳトランジスタ領域３のためのゲート注入を、ｎ型デカップリングコンデンサ領域４を覆った状態で行う。 - 特許庁

The cluster ions implanted in the FIN type semiconductor portion 10 are activated thereafter to form a diffusion region that constitutes parts of a source region and a drain region.例文帳に追加

その後、ＦＩＮ状の半導体部１０に注入されたクラスタイオンを活性化して、ソース領域およびドレイン領域の一部を構成する拡散領域を形成する。 - 特許庁

After an insulating film 41 is formed over the entire surface, the transistor forming region is covered with a photoresist film 42 and conductive impurities are ion-implanted to the polysilicon film 35a.例文帳に追加

その後、全面に絶縁膜４１を形成した後、トランジスタ形成領域をフォトレジスト膜４２で覆い、ポリシリコン膜３５ａに導電性不純物をイオン注入する。 - 特許庁

Further, the total implanted amount of the nitrogen molecule ions and nitrogen ions to the glass edge parts is preferably controlled to the range of 1.5×10^14 to 4.0×10^16 pieces/cm^2 based on the number of the nitrogen atoms.例文帳に追加

また、前記ガラス端部への窒素分子イオン及び窒素イオンの合計の注入量は、窒素原子の個数で1.5×10^14〜4.0×10^16個／cm^2の範囲であることが好ましい。 - 特許庁

In the joint part, concentration of ion implanted by ion implantation is set in the range of 1×10^8/cm^2 to <1×10^16/cm^2.例文帳に追加

接合部は、イオン注入によって注入されたイオンの濃度が１×１０^８／ｃｍ^２以上１×１０^１６／ｃｍ^２未満の範囲に設定されている。 - 特許庁

To provide a structure pressing an electronic component on a circuit board to detachably mount it with low contact resistance wherein the electronic component includes a first electrode having carbon nanotubes implanted thereto.例文帳に追加

カーボンナノチューブが植設された第１の電極を備える電子部品を、回路基板上に押圧して着脱自在に低接触抵抗で搭載する構造体を提供する。 - 特許庁

Then a reverse-side support substrate layer is etched at a position opposed to the piezo resistance, and an N-type dopant is ion-implanted over the entire surface from the reverse side to form an N+ layer.例文帳に追加

その後、裏面側の支持用基板層のピエゾ抵抗の対向位置をエッチングし、裏面側から全面にＮ型ドーパントをイオン注入し、Ｎ＋層を形成する。 - 特許庁

In a region 15C to form a pn-junction therein, a resist 9B is formed on a p-type diffusion region 8D into which B (boron) ions of a first dosing amount are implanted.例文帳に追加

ｐｎ接合が形成される領域１５Ｃにおいて、第１のドーズ量のＢ（ボロン）がイオン注入されたｐ型拡散領域８Ｄ上にレジスト９Ｂが形成される。 - 特許庁

With the mask pattern, spacer, and between-gate oxide film as masks, the conductive layer is etched, impurity ions are implanted in a defined third opening portion, and a source region 245 is formed.例文帳に追加

マスクパターン、スペーサ及びゲート間酸化膜をマスクとして導電層をエッチングし定義された第３開口部内に不純物イオンを注入してソース領域245を形成する。 - 特許庁

The contact hole on the p-type diffused layer 14 is covered with a photoresist mask to remove a part of the region implanted by the p-type dopants from the n-type diffused layer 13.例文帳に追加

ｐ型拡散層１４上のコンタクトホールをフォトレジストマスクで覆い、ｎ型拡散層１３からｐ型ドーパントを注入された領域の一部を除去する。 - 特許庁

The present invention concerns an apparatus for analyzing tissue glucose, wherein a perfusion solution is conveyed as a liquid column through a microdialysis probe implanted in the tissue.例文帳に追加

本発明は、灌流液が、液体柱として、組織内に埋め込まれたミクロ透析器を通って測定セルへ送液される、組織内のグルコースを分析するための装置に属する。 - 特許庁

The current which is implanted in such a way is controlled by combination of a frequency and a voltage amplitude value, stored in table data 25 on the frequency and the voltage amplitude value.例文帳に追加

そのようにして注入される電流は、周波数と電圧振幅値のテーブルデータ２５に格納された周波数と電圧振幅値の組み合わせにより制御する。 - 特許庁

Thus the impurity ions implanted in the semiconductor wafer 1W are regularly arranged and the variation in the threshold voltage of a MISFET can be suppressed.例文帳に追加

このため、半導体ウエハ１Ｗに注入された不純物イオンは、規則的な配列を有したものとなり、ＭＩＳＦＥＴのしきい値電圧のばらつきを抑制できる。 - 特許庁

To detect a picture without causing a detection picture error due to influences of ions implanted in a wafer, existence of pattern connections, or the edge shape of the pattern, etc.例文帳に追加

ウェハに打ち込んだイオンの影響や、パターン接続の有無、パターンエッジの形状などの影響による検出画像誤差を生じることなく画像を検出すること。 - 特許庁

An N-drain region 38 is implanted in a P-epitaxial layer through the bottom part of a trench 35, extending between the N+-substrate 32 and the bottom part of trench through diffusion step.例文帳に追加

Ｎドレイン領域３３はトレンチ３５の底部を通りＰエピタキシャル層内に注入され、拡散ステップを経てＮ＋基板３２とトレンチの底部との間に延在する。 - 特許庁

While using a third photo resist 24 as a mask, boron (B+) ions are implanted into an epitaxial layer 21 from a third opening K3 to form a P-type impurity area 25.例文帳に追加

第３のホトレジスト２４をマスクとして、第３の開口部Ｋ３から、ボロン（Ｂ＋）をエピタキシャル層２１にイオン注入してＰ型の不純物領域２５を形成する。 - 特許庁

The Pachinko machine 10 is provided with an ornamental structure where spikes can be implanted to its front surface and where an ornament seen from its front surface is provided on a side deeper than the front surface.例文帳に追加

また、パチンコ機１０は、前面に釘を植設可能であり、かつ、前面から視認可能な装飾が前面より奥側に施された装飾体を備えている。 - 特許庁

At the same time, impurity ions are implanted after a process where a high-melting point silicide is left unremoved, by which the resistive element can be regulated in resistance.例文帳に追加

それと同時に、高融点金属シリサイドを残す工程の後に、不純物のイオン注入を行うことにより、抵抗素子の抵抗値も調整することが出来る。 - 特許庁

The stencil mask has an opening penetrating two opposing surfaces which intercept ions implanted into a substrate when it is processed, and a transmitting portion 41.例文帳に追加

ステンシルマスクは、基板の処理の際に基板に照射されるイオンを位置選択的に遮断し、相互に対向する２つの面を貫く開口を有し、透過部４１を有する。 - 特許庁

An optical recording medium 10 consists of a quartz substrate 11 and is arranged with an implanted part 13 with thickness of 5nm, for example, near one of the substrate surfaces of the quartz substrate 11.例文帳に追加

光記録媒体１０は、石英基板１１からなり、石英基板１１の一方の板面付近には、たとえば、５ｎｍの厚さの注入部１３が配置される。 - 特許庁

A polycrystalline silicon film 111 is formed on a gate insulating film 110, and an impurity is implanted thereon by masking the regions (120) where the capacitors are to be formed with a resist 193.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１１０上に多結晶シリコン膜１１１を形成し、その容量が形成される領域（１２０）をレジスト１９３でマスクし不純物を注入する。 - 特許庁

To provide a heat treatment method and a heat treatment apparatus which can prevent the occurrence of a process damage, while suppressing diffusion of an implanted impurity.例文帳に追加

注入された不純物の拡散を抑制しつつもプロセスダメージの発生を防止することができる熱処理方法および熱処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Then, the brush is radially implanted from a shaft center on the brush part 72a, and disposed so that its edge is made in contact with the surface of the drum 40.例文帳に追加

また、ブラシ部７２ａは軸心から放射状にブラシが植設されており、該ブラシの先端が感光体ドラム４０の表面に接触するように配設されている。 - 特許庁