「implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

After removing the mask material, Ar is ion-implanted into the reactive product 19 formed at least on the side wall of the aluminum wire to generate breaches in the reactive product.例文帳に追加

マスク材を除去した後、アルミニウム配線の少なくとも側壁に形成された反応生成物１９にＡｒをイオン注入し、反応生成物に欠陥を発生させる。 - 特許庁

To provide a medical lead system using an electromagnetic band cancellation filter that can be used in a magnetic resonance imaging (MRI) environment for a patient implanted with a medical instrument.例文帳に追加

医療器具が植え込まれた患者のための磁気共鳴画像化（ＭＲＩ）環境で利用できる電磁帯域消去フィルタを利用した医用リードシステムを提供する。 - 特許庁

A rotary brush 37 is implanted on the outside surface of a hollow shaft 36 and the rotary brush 37 is rotated by a drive motor 38 via the hollow shaft 36.例文帳に追加

中空軸３６の外周面に回転ブラシ３７が植設されており、駆動モータ３８によって中空軸３６を介して回転ブラシ３７が回転するようになっている。 - 特許庁

To provide a material for fixing a prosthesis to a cartilage tissue, capable of stably maintaining an implanted region for a long period of time without dropping.例文帳に追加

本発明は、脱落することなく、長期に渡り埋植部位を安定に維持できる軟骨組織に補綴材を固定するための材料を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a brush of flat-line implantation type in which the brush head dotted with some hair bundles looks like the one continuously and evenly implanted with hair.例文帳に追加

毛束を植毛した際に、隣り合う植毛孔に植毛された毛束同士が切れ目なく連続した状態で連なって見える平線植毛式のブラシを提供すること。 - 特許庁

An organic SOG film 13 is deposited on the surface of a silicon substrate 11 having an element isolation trench 12, and an impurity is then implanted thereto to form a denatured SOG film 13a.例文帳に追加

素子分離トレンチ１２を有するシリコン基板１１の表面に有機ＳＯＧ膜１３を堆積し、これに不純物を注入して改質ＳＯＧ膜１３ａとする。 - 特許庁

In a manufacturing method of a semiconductor device, a gate for the n-type MIS transistor region 3 is implanted in a state where an n-type decoupling capacitor region 4 is covered.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法では、ｎ型ＭＩＳトランジスタ領域３のためのゲート注入を、ｎ型デカップリングコンデンサ領域４を覆った状態で行う。 - 特許庁

Then a reverse-side support substrate layer is etched at a position opposed to the piezo resistance, and an N-type dopant is ion-implanted over the entire surface from the reverse side to form an N+ layer.例文帳に追加

その後、裏面側の支持用基板層のピエゾ抵抗の対向位置をエッチングし、裏面側から全面にＮ型ドーパントをイオン注入し、Ｎ＋層を形成する。 - 特許庁

The cluster ions implanted in the FIN type semiconductor portion 10 are activated thereafter to form a diffusion region that constitutes parts of a source region and a drain region.例文帳に追加

その後、ＦＩＮ状の半導体部１０に注入されたクラスタイオンを活性化して、ソース領域およびドレイン領域の一部を構成する拡散領域を形成する。 - 特許庁

After an insulating film 41 is formed over the entire surface, the transistor forming region is covered with a photoresist film 42 and conductive impurities are ion-implanted to the polysilicon film 35a.例文帳に追加

その後、全面に絶縁膜４１を形成した後、トランジスタ形成領域をフォトレジスト膜４２で覆い、ポリシリコン膜３５ａに導電性不純物をイオン注入する。 - 特許庁

Further, the total implanted amount of the nitrogen molecule ions and nitrogen ions to the glass edge parts is preferably controlled to the range of 1.5×10^14 to 4.0×10^16 pieces/cm^2 based on the number of the nitrogen atoms.例文帳に追加

また、前記ガラス端部への窒素分子イオン及び窒素イオンの合計の注入量は、窒素原子の個数で1.5×10^14〜4.0×10^16個／cm^2の範囲であることが好ましい。 - 特許庁

In the joint part, concentration of ion implanted by ion implantation is set in the range of 1×10^8/cm^2 to <1×10^16/cm^2.例文帳に追加

接合部は、イオン注入によって注入されたイオンの濃度が１×１０^８／ｃｍ^２以上１×１０^１６／ｃｍ^２未満の範囲に設定されている。 - 特許庁

To provide a structure pressing an electronic component on a circuit board to detachably mount it with low contact resistance wherein the electronic component includes a first electrode having carbon nanotubes implanted thereto.例文帳に追加

カーボンナノチューブが植設された第１の電極を備える電子部品を、回路基板上に押圧して着脱自在に低接触抵抗で搭載する構造体を提供する。 - 特許庁

For example, when the impurities are implanted in a silicon substrate 11, the protective member 14, formed of silicon doped with the impurities, is mounted on an inner wall 12 of the device 1.例文帳に追加

例えば、シリコン基板１１に不純物を注入する場合は、該不純物がドーピングされたシリコンからなる保護部材１４を装置１の内壁１２に取り付ける。 - 特許庁

The large number of pinholes 19 are formed at the same time by piercing a large number of tape needles implanted in a tape needle holder linealy into the skin material 17 through the hole 18.例文帳に追加

前記多数の針孔１９は、刺針ホルダーにライン状に植設した多数の刺針を、下孔１８を通して表皮材１７に突き刺すことにより同時に形成される。 - 特許庁

In a data deleting operation, a current is applied to a channel of the FET 20 to generate hot holes, and the hot holes are implanted into the FG by applying a negative voltage to the control CG.例文帳に追加

データ消去動作時には、ＦＥＴ２０のチャネルに電流を流してホットホールを発生させ、これをＣＧに負電圧を印加してＦＧに注入させる。 - 特許庁

Even if metal ions are implanted in the semiconductor substrate, together with the hydrogen ions in the step of hydrogen ion irradiation, the effect of metal contamination can be suppressed by the gettering process.例文帳に追加

水素イオンの照射工程で、水素イオンと共に金属イオンが半導体基板中に打ち込まれても、ゲッタリング処理によって、金属汚染の影響を抑えることができる。 - 特許庁

The formulation for removing a photoresist, ion implanted photoresist, BARC and/or etch residue comprises an ammonium hydroxide, 2-aminobenzothiazole and remainder water.例文帳に追加

フォトレジスト、イオン注入フォトレジスト、ＢＡＲＣ及び／又はエッチ残留物を除去するための配合物であって、水酸化アンモニウム及び２−アミノベンゾチアゾール、残余水を含む。 - 特許庁

In a region 15C to form a pn-junction therein, a resist 9B is formed on a p-type diffusion region 8D into which B (boron) ions of a first dosing amount are implanted.例文帳に追加

ｐｎ接合が形成される領域１５Ｃにおいて、第１のドーズ量のＢ（ボロン）がイオン注入されたｐ型拡散領域８Ｄ上にレジスト９Ｂが形成される。 - 特許庁

With the mask pattern, spacer, and between-gate oxide film as masks, the conductive layer is etched, impurity ions are implanted in a defined third opening portion, and a source region 245 is formed.例文帳に追加

マスクパターン、スペーサ及びゲート間酸化膜をマスクとして導電層をエッチングし定義された第３開口部内に不純物イオンを注入してソース領域245を形成する。 - 特許庁

The contact hole on the p-type diffused layer 14 is covered with a photoresist mask to remove a part of the region implanted by the p-type dopants from the n-type diffused layer 13.例文帳に追加

ｐ型拡散層１４上のコンタクトホールをフォトレジストマスクで覆い、ｎ型拡散層１３からｐ型ドーパントを注入された領域の一部を除去する。 - 特許庁

As a result, a current is implanted into the active layer 3 from the side and the forefront part of the trapezoid of the trapezoidal projection p-type GaN layer 6', and light is emitted in a wide area of the active layer 3.例文帳に追加

この結果、電流は台形凸部ｐ型GaN層６’の台形の側面、先端部からも活性層３へ注入され、活性層３の広い領域で発光する。 - 特許庁

The filter includes: a conductive base material 1; and conductive fiber thread 2, consisting of polymer fiber to which the conductivity is imparted, that is implanted into at least one side of the base material 1.例文帳に追加

導電性を有する基材１と、基材１の少なくとも片面に植毛された導電性を付与した高分子繊維からなる導電繊維糸２とを有している。 - 特許庁

To provide a medical implant device which is resistant to repeated deformation when it is used or implanted in a body, corrosion resistant, and highly biocompatible.例文帳に追加

体内での使用時又は体内への移植時における反復的な変形に耐性があり、さらには耐食性があり、生体適合性が高い医療インプラントデバイスの提供。 - 特許庁

To provide a greenhouse cultivation system with an easy structure, suppressing aging of implanted stumps a little, and securing a maximum yield through long term harvesting.例文帳に追加

植付株の老化を小さく抑えて、長期にわたる収穫によって最大限の収穫量を確保することができる簡易な構成のハウス栽培システムを提供する。 - 特許庁

To obtain an optoelectronic device which exhibits no display defects and hence good display performance, in a method of manufacturing an optoelectronic device system subjected to a process step, where ions are implanted using a resist film.例文帳に追加

レジスト膜を用いてイオン注入を行う工程を経る電気光学装置の製造方法において、表示欠陥のない、表示特性の良い電気光学装置を得る。 - 特許庁

To provide a medical device for curing various clinical conditions of spondylus, or a device used for curing spinal canal stenosis, the device being implanted between neighboring spinous processes.例文帳に追加

脊椎の諸病態の治療用の医療装置、すなわち、脊柱管狭窄症の治療に使用される、隣接する棘突起の間に植え込まれる装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of processing substrate which does not leave a stained portion on a final workpiece, even if ion-implanted portion remains therein.例文帳に追加

イオン注入した部分が残留しても最終加工物に染色された部分が残らない基板加工方法および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

While using a third photo resist 24 as a mask, boron (B+) ions are implanted into an epitaxial layer 21 from a third opening K3 to form a P-type impurity area 25.例文帳に追加

第３のホトレジスト２４をマスクとして、第３の開口部Ｋ３から、ボロン（Ｂ＋）をエピタキシャル層２１にイオン注入してＰ型の不純物領域２５を形成する。 - 特許庁

The endoprosthesis I for the anatomical canal is provided with a plurality of protrusions 3 on the outer surface of a wall of the endoprosthesis, and implanted at an impaired part in the canal.例文帳に追加

解剖学的管路用の内部人工器官Ｉであって、該器官の壁の外表面に複数の突起３を備え、損傷している管路内の部位に装着される。 - 特許庁

To provide a technique by which a plurality of impurity implanted regions having different impurity concentrations can be formed on a semiconductor substrate without carrying out a photolithography process a plurality of times.例文帳に追加

複数回のフォトリソグラフィ工程を実施することなく、半導体基板に不純物濃度が異なる複数の不純物導入領域を形成可能な技術を提供する。 - 特許庁

To achieve both complete removal of a trap film of a bit line contact part and securing of a sufficient remaining amount of an implanted filling insulating film between a memory cell portion and a gate electrode.例文帳に追加

ビット線コンタクト部のトラップ膜の完全な除去とメモリセル部のゲート電極間の埋め込み充填絶縁膜の十分な残存量確保とを両立する。 - 特許庁

A thickness of the emitter electrode 50 is set so that a boron implanted to the emitter electrode 50 does not reach the emitter-base junction due to boron diffusion into the emitter electrode 50.例文帳に追加

エミッタ電極の厚みは、エミッタ電極５０に注入されたボロンがエミッタ電極５０内を拡散して、エミッタ−ベース接合部まで達しないように設定されている。 - 特許庁

The present invention concerns an apparatus for analyzing tissue glucose, wherein a perfusion solution is conveyed as a liquid column through a microdialysis probe implanted in the tissue.例文帳に追加

本発明は、灌流液が、液体柱として、組織内に埋め込まれたミクロ透析器を通って測定セルへ送液される、組織内のグルコースを分析するための装置に属する。 - 特許庁

The current which is implanted in such a way is controlled by combination of a frequency and a voltage amplitude value, stored in table data 25 on the frequency and the voltage amplitude value.例文帳に追加

そのようにして注入される電流は、周波数と電圧振幅値のテーブルデータ２５に格納された周波数と電圧振幅値の組み合わせにより制御する。 - 特許庁

To detect a picture without causing a detection picture error due to influences of ions implanted in a wafer, existence of pattern connections, or the edge shape of the pattern, etc.例文帳に追加

ウェハに打ち込んだイオンの影響や、パターン接続の有無、パターンエッジの形状などの影響による検出画像誤差を生じることなく画像を検出すること。 - 特許庁

An N-drain region 38 is implanted in a P-epitaxial layer through the bottom part of a trench 35, extending between the N+-substrate 32 and the bottom part of trench through diffusion step.例文帳に追加

Ｎドレイン領域３３はトレンチ３５の底部を通りＰエピタキシャル層内に注入され、拡散ステップを経てＮ＋基板３２とトレンチの底部との間に延在する。 - 特許庁

This constitution better optimizes the power transfer from a parallel tuned tank circuit primary coil to an implanted secondary series tuned tank circuit coil.例文帳に追加

この構成は並列の同調タンク回路の一次コイルから移植した二次の直列の同調タンク回路のコイルに対する電力伝達をさらに良好に最適化する。 - 特許庁

The plurality of elastic fibers 2b are radially or helically implanted on the outer periphery of the rod body 2a so as to form an outer periphery d smaller than the inner diameter R of the pipe C.例文帳に追加

複数の弾性繊維２ｂは、管路Ｃの内径Ｒより小さい外周ｄを形成するように、棒体２ａの外周に放射状又は螺旋状に植設される。 - 特許庁

To provide a method, a device, and a chemical substance for minimizing the effects of undesirable chemical changes to a resist when removing an ion implanted resist.例文帳に追加

イオン注入されたレジストを除去する際に、レジスト生じた好ましくない化学的変化の影響を小さくできる方法、装置および化学物質を提供すること。 - 特許庁

Into a p-layer region 107 constituted of a non-doped GaAlN layer 105 and a non-doped GaN layer 106, first, a p-type dopant is implanted by an ion implantation.例文帳に追加

ノンドープＧａＡｌＮ層１０５とノンドープＧａＮ層１０６から構成されるｐ層領域１０７に対し、まず、イオン注入によりｐ型ドーパントを注入させる。 - 特許庁

Al-containing regions 8a, 8b containing ion-implanted aluminum are formed in a range facing the surfaces of the first nitride semiconductor layers 6a, 6b.例文帳に追加

第１窒化物半導体層６ａ、６ｂの表面に臨む範囲には、イオン注入されたアルミニウムが含有されているＡｌ含有領域８ａ、８ｂが形成されている。 - 特許庁

Image encryption is performed on the encryption area where the decryption confirmation information is implanted, by using the encryption key corresponding to the authority level designated for the encryption area.例文帳に追加

復号確認情報が埋め込まれた暗号化領域を、当該暗号化領域に対して指定された権限レベルに対応する暗号鍵により画像暗号化する。 - 特許庁

Platinum nano-particles produced from platinum cations are reduced and implanted into carbon fine particles by gas bubbles by blowing gaseous hydrogen into an aqueous solution containing a platinum salt and the carbon fine particles.例文帳に追加

白金塩，カーボン微粒子を含む水溶液に水素ガスを吹込み、ガスバブルによって白金カチオンから生成した白金ナノ粒子をカーボン微粒子に還元着床させる。 - 特許庁

In this impurity ion implanting process, the impurity ions are implanted into the semiconductor wafer, as a pulse-like ion beam 1 intermittently repeating on and off.例文帳に追加

この不純物イオン注入工程において、不純物イオンを断続的にオン及びオフを繰り返すパルス状のイオンビーム１として半導体ウェーハに注入する。 - 特許庁