「implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

A salient part is formed on a drain that maintains a high voltage, and the ion of high concentration is implanted on the salient part, forming a high-concentration drain region.例文帳に追加

高電圧を維持するドレインで、突出部を形成して、突出部上に高濃度のイオンを注入して、高濃度ドレイン領域を形成する。 - 特許庁

Then, a p-type ion is implanted into the silicon substrate 1 with the oxidation resistant film 3 as a mask to form a p-type ion implantation region 5.例文帳に追加

次に、耐酸化性膜３をマスクとしてシリコン基板１にＰ型イオンを注入することによりＰ型イオン注入領域５を形成する。 - 特許庁

After a gate insulation film 14 and a gate electrode 15 are formed, the polysilicon thin film 13 is implanted with phosphorus ions in order to form a source-drain region.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１４とゲート電極１５を形成した後、多結晶シリコン薄膜１３にソース・ドレイン領域を形成するため燐イオンを注入する。 - 特許庁

In the state that a silicon oxide film 20 and a silicon nitride film 21 are formed, p-type impurities 23_1, 23_2 are ion implanted from obliquely above of a Y direction.例文帳に追加

シリコン酸化膜２０及びシリコン窒化膜２１が形成されている状態で、ｐ型不純物２３_１，２３_２を、Ｙ方向の斜め上方からイオン注入する。 - 特許庁

To provide a functional member by which brushing effect can be obtained that is comparable to or greater than a brush with fibers implanted and which can be manufactured at a low cost.例文帳に追加

繊維を植毛したブラシと同等以上のブラシ効果を得る一方で低コストに製造することを可能にした機能性部材を提供する。 - 特許庁

To provide an expandable stent being able to be readily implanted with little or no trauma to the target lumen.例文帳に追加

目標の管腔に対してわずかのまたは全く外傷を与えずに、容易に移植することができる改良された拡張可能なステントを提供する。 - 特許庁

After a gate electrode 92 and a gate sidewall 101 are formed, an ion is vertically implanted into a substrate 81 to form a deep source/drain diffusion layer 112.例文帳に追加

ゲート電極９２及びゲート側壁１０１を形成後、基板８１に対して垂直にイオン注入し深いソース−ドレイン拡散層１１２を形成する。 - 特許庁

For example, when the impurities are implanted into a silicon substrate, at least the extraction electrode and the ground electrode are made of silicon.例文帳に追加

例えば、シリコン基板に不純物を注入する場合は、少なくとも引き出し電極と接地電極はシリコンからなるイオン引き出し電極系とする。 - 特許庁

Decrease in the stripping property of the resist is a result of formation of a degenerated layer which is hardened by crosslink of the resist resin with implanted ions such as phosphorus.例文帳に追加

レジストの除去能力低下は、レジスト樹脂が注入イオンである例えばリンと架橋することにより硬化した変質層が形成されるためである。 - 特許庁

Then B is obliquely ion-implanted by using the gate electrode 11 and the sidewall 12 as masks to form a packet region 16 surrounding the source-drain expansion region 15.例文帳に追加

その後、ゲート電極１１及びサイドウォール１２をマスクにＢを斜めイオン注入して、ソース・ドレイン拡張領域１５を囲むポケット領域１６を形成する。 - 特許庁

In forming a p-type deep layer 10, p-type impurities are implanted by oblique ion implantation tilted in a direction for canceling an off-angle.例文帳に追加

ｐ型ディープ層１０を形成する際に、オフ角をキャンセルする方向に傾斜させた斜めイオン注入によりｐ型不純物を注入する。 - 特許庁

To provide a silicon film, a forming method thereof, etc., capable of preventing the punch-through of a boron ion when the ion is implanted in manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの製造におけるイオン注入の際にホウ素イオンの突き抜けを防止できるシリコン膜及びその形成方法等を提供する。 - 特許庁

Subsequently, a p-type impurity is ion-implanted into the polysilicon film, and a predetermined thickness of the polysilicon film is removed by a chemical mechanical polishing method.例文帳に追加

次いで、前記ポリシリコン膜にｐ型不純物をイオン注入し、前記ポリシリコン膜の所定厚さほどを化学機械的研磨方法で除去する。 - 特許庁

After a gate insulation film 14 and a gate electrode 15 are formed, the polysilicon thin film 13 is implanted with phosphorous ions for forming a source-drain region.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１４とゲート電極１５を形成後、多結晶シリコン薄膜１３にソース・ドレイン領域を形成するため燐イオンを注入する。 - 特許庁

To provide various powering devices for transferring and/or generating energy from numerous sources to a communicating member implanted in a patient.例文帳に追加

多数の供給源から、患者に植え込まれた連絡部材までエネルギーを運び、かつ／もしくは発生させる、様々な電力供給装置を提供する。 - 特許庁

Hydrogen ions (H+) are implanted into an Si(111) substrate (ground substrate) 10 in a dose amount of 1×1016/cm2 at nearly ordinary temperature with an energy of 10 keV acceleration voltage.例文帳に追加

Ｓi(111)基板（下地基板）１０に、略常温で水素イオン（Ｈ^+ ）を１×１０^16／cm^2 のドーズ量で、加速電圧１０ｋｅＶのエネルギーで注入する。 - 特許庁

To provide a patient data communication system for world wide telemetry of patient locations, data and re-programming in a medical device implanted in a patient.例文帳に追加

全世界的な患者位置及びデータ並びに患者に植え込まれた医用装置での再プログラミング遠隔測定のための患者データ通信システムを提供する。 - 特許庁

Hydrogen ions are implanted onto the surface of a single-crystal Si substrate 10, and a hydrogen ion implantation layer is formed on the surface layer of the single-crystal Si substrate 10.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基板１０の表面に水素イオンを注入し、単結晶Ｓｉ基板１０の表層に水素イオン注入層を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device in which an ion implantation region which an ion-implanted region is not removed.例文帳に追加

イオン注入された領域であるイオン注入領域が除去されない炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

An n ion is implanted on the surface of a silicon substrate 10 in a parallel line state to provide diffusion regions 11 which serve as electrodes for the variable capacity diode.例文帳に追加

シリコン基板１０の表面には平行線状にｎイオンが注入されて、可変容量ダイオードの電極となる拡散領域１１が設けられる。 - 特許庁

The developer supply roller 13 is constituted by having a plurality of brush bristles 13c electrostatically implanted into an adhesive 13b applied to the surface of a metal pipe 13a.例文帳に追加

現像剤供給ローラ１３は、金属管１３ａの表面に塗布された接着剤１３ｂに複数のブラシ毛１３ｃが静電植毛されてなっている。 - 特許庁

When an implantable medical device being essentially foreign matter for the living body, is implanted in a living body, inflammation or immunological reaction is sometimes induced.例文帳に追加

体内留置医療機器は、基本的に生体にとって異物であるため、体内に留置された場合に、炎症や免疫反応を誘発する場合がある。 - 特許庁

To provide a photocatalytic material obtained by implanting F (fluorine) ion in a bulky TiO2 (titanium oxide) crystal or a TiO2 thin film formed on a substrate and then annealing the F ion-implanted TiO2 crystal or TiO2 thin film and a method for manufacturing the photocatalytic material.例文帳に追加

光触媒機能を持つＴｉＯ_2結晶にＦをイオン注入後、焼鈍することによって得られた新規光触媒材料。 - 特許庁

Therefore, putting away all filthiness and overflowing of wickedness, receive with humility the implanted word, which is able to save your souls. 例文帳に追加

それゆえ，あらゆる不潔さとあふれ出る邪悪さを捨て去り，植え付けられたみ言葉を謙虚に受け入れなさい。み言葉はあなた方の魂を救うことができます。 - 電網聖書『ヤコブからの手紙 1:21』

C(carbon) ions are implanted, as inert ion species, into the surface layer part of an n- epi layer 2 and B ions are implanted into a region for implanting C ions at a specified concentration ratio to C ions and then it is activated by heat treatment while suppressing diffusion of B thus forming a heavily doped deep base layer 30.例文帳に追加

ｎ^- 型エピ層２の表層部に、不活性なイオン種としてＣ（炭素）をイオン注入すると共に、このＣを注入する領域にＣに対して所定の濃度比でＢをイオン注入し、その後、熱処理によってＢの拡散を抑制しつつ活性化して、高濃度のディープベース層３０を形成する。 - 特許庁

A manufacturing method of a silicon carbide semiconductor device includes: a process in which ions are implanted on a silicon carbide single crystal substrate or a substrate on which a silicon carbide single crystal epitaxial film is formed; a process in which a carbon film containing nitrogen is formed on the substrate; and a process in which activation heat treatment of implanted ions is performed.例文帳に追加

炭化珪素単結晶基板又は炭化珪素単結晶エピタキシャル膜が成膜された基板にイオン注入する工程と、該基板上に窒素を含有した炭素膜を形成する工程と、注入イオンの活性化熱処理を行う工程とを含む炭化珪素半導体デバイスの作製方法である。 - 特許庁

A halo impurity of the opposite conductivity type from a first impurity of first conductivity type is ion implanted into a silicon substrate 10, and then the first impurity of the first conductivity type is ion implanted into the substrate and flash lamp annealing is performed thereon, so that a p-type halo region 113 and an n-type extension region 111 are formed.例文帳に追加

シリコン基板１０１に、第一導電型の第一不純物と反対導電型のハロー不純物をイオン注入した後、第一導電型の第一不純物をイオン注入し、フラッシュランプアニールを行うことにより、ｐ型ハロー領域１１３およびｎ型エクステンション領域１１１を形成する。 - 特許庁

Next, from the IR waveforms after the hydrogen ions are implanted, the IR waveform of the FZ crystal semiconductor substrate is acquired by the difference spectrum method, and a difference is acquired between this IR waveform and the FZ crystal corrected IR waveform prior to implantation of the hydrogen ions, as acquired above, thereby accurately measuring the hydrogen implant dose implanted into the semiconductor substrate.例文帳に追加

次に水素イオンが注入された後のＩＲ波形からＦＺ結晶半導体基板のＩＲ波形を差スペクトル法により求め、前記で求めた水素イオン注入前のＦＺ結晶補正ＩＲ波形との差を求めることで半導体基板に注入された水素イオン量を正確に測定できる。 - 特許庁

To provide a toothbrush implanted with needle-shaped bristles, which has a simple manufacturing process and decreases percent defective, and a manufacturing method of the toothbrush, which utilizes defective bristles failed in adjustment of length for manufacturing a toothbrush, further firmly fixes ng toothbrush bristles to the toothbrush, and freely controls a pattern of implanted bristles and the amount of bristles.例文帳に追加

製造工程が簡単で不良率が減少された針状毛が植毛された歯ブラシと、長さ調節に失敗した不良毛を歯ブラシの製造に利用でき、歯ブラシ用毛を歯ブラシに一層堅固に固定でき、植毛される毛のパターンと毛の数量を自由に調節できる歯ブラシの製造方法を提供する。 - 特許庁

In an end station 10, ions are implanted onto the particular region by an ion beam passing through an opening of an implantation region restricting mask 12, and at the same time, the particular region where ion has already been implanted is heat treated by a laser beam L passing through an opening 16 of the implantation region restricting mask 12.例文帳に追加

エンドステーション１０内で注入領域制限マスク１２の開口部１３を通過するイオンビームによって特定領域にイオン注入すると同時に、注入領域制限マスク１２の開口部１６を通過するレーザービームＬによって、既にイオン注入された特定領域を熱処理する。 - 特許庁

Continuously, a second resist pattern 20 is formed over the Si substrate 10, and with the first and second resist patterns 16 and 20 as masks, impurity ions 22 are implanted in the Si substrate 10 with efficiently high energy for forming an impurity-ion- implanted layer 24 at a specified depth D in the Si substrate 10.例文帳に追加

続いて、Ｓｉ基板１０上に第２のレジストパターン２０を形成し、第１及び第２のレジストパターン１６、２０をマスクとして十分に高いエネルギーでＳｉ基板１０に不純物イオン２２を注入して、Ｓｉ基板１０中の所定の深さＤに不純物イオン注入層２４を形成する。 - 特許庁

On the piezoelectric substrate, a micro cavity is generated along the ion implantation layer by heating and in a terminal part of the ion implantation layer, a separating surface is generated by generating a crack between a boundary between an ion implanted area and a non-implanted area and a boundary between the insulating film and a recess where the insulating film is not formed.例文帳に追加

このとき、圧電基板は、加熱によりイオン注入層に沿ってマイクロキャビティが発生し、またイオン注入層の端部では、イオン注入領域と非注入領域との境界部と、絶縁膜と絶縁膜の非形成領域である凹部の境界部との間にクラックが発生して分離面が生成される。 - 特許庁

To provide a method for performing a nerve cell implantation treatment to construct a new nerve cell network with existing nerve cells, i.e., the method for solving the problems: (1) immuno rejection; (2) concern about the tumorigenic transformation of implanted cells; (3) connection formation between the implanted nerve cells and host nerve cells.例文帳に追加

本発明は、既存の神経細胞との間に新たな神経細胞ネットワークを構築するための神経細胞移植治療を可能にする方法であって、(1)免疫拒絶反応、(2)移植細胞の腫瘍化の懸念と共に、(3)移植神経細胞とホストの神経細胞とのコネクション形成を解決する方法を提供する。 - 特許庁

The electric stimulator to be implanted into the living body via tubular lead-in tool includes: the stimulation electrode to be implanted into the living body to electrically stimulate nerves or muscles; an electronic circuit electrically connected to the stimulation electrode to apply stimulation signals; and a support body for supporting the implantation position of the stimulation electrode inside the living body.例文帳に追加

管状導入具を介して生体内に植え込まれる電気刺激装置であって、生体内に植え込まれて神経または筋肉を電気的に刺激する刺激電極と、刺激電極と電気的に結合して刺激信号を印加する電子回路と、刺激電極の生体内の植え込み位置を保持する支持体を備える。 - 特許庁

In the method for manufacturing MOS-FET semiconductor device using a perfect depletion type SOI layer, an impurity is ion-implanted adjusting implantation energy so that the peak concentration of the impurity to be ion-implanted into a channel area to control a threshold voltage exists in the SOI layer.例文帳に追加

本発明は、完全空乏型のＳＯＩ層を用いたＭＯＳ−ＦＥＴ半導体装置の製造方法であって、閾値電圧制御のためにチャネル領域にイオン注入される不純物の濃度のピークが前記ＳＯＩ層中に存在するように注入エネルギーを調節して、前記不純物をイオン注入する。 - 特許庁

When ions 12 are implanted into a processed body, a quantity of nitrogen corresponding to the quantity of the gas discharged from resist can be fed into the process chamber 21, and the energy contamination quantity can be measured in advance in the barometric state similar to the state that ions 12 are actually implanted into the processed body.例文帳に追加

このため、被処理体にイオン１２を注入する際にレジストから放出されるガスの量に対応する量の窒素を処理室２１内に供給することができ、被処理体に実際にイオン１２を注入している状態に近い気圧状態で、エネルギーコンタミネーション量を予め測定することができる。 - 特許庁

Since the etching rate of a SiO2 film 3 for isolation in the n-type well 6, into which both of phosphorus and boron are implanted, is higher than that of the points where either of phosphorus or boron is implanted, a recess or step difference 3a is formed in the SiO2 film 3 during the etching operation of the SiO2 film 4 for protection which becomes positioning patterns 10.例文帳に追加

燐と硼素の双方が注入されるｎ型ウェル６でのアイソレーション用ＳｉＯ_2膜３のエッチングレートは、燐と硼素のいずれかが注入された箇所のそれよりも高くなるので、保護用ＳｉＯ_2膜４のエッチング工程でＳｉＯ_2膜３に位置合わせパターン１０となる窪みないし段差３ａが形成される。 - 特許庁

Boron with a dose of 5×1014 cm-2 to 1016 cm12 is selectively ion implanted in a non-doped polysilicon wiring, p+Poly 16 (p+ polysilicon) which is p-type diode and p+ layer 15 are simultaneously formed, and a length of the polysilicon wiring in which the ion is implanted is formed 1 μm to 15 μm.例文帳に追加

ノンドープのポリシリコン配線に、ドーズ量が５×１０^14ｃｍ^^-2〜５×１０^16ｃｍ^-2のＢ（ボロン）を選択的にイオン注入して、同時にｐ^+ 層１５とｐ型ダイオードになるｐ^+ Ｐｏｌｙ１６（ｐ^+ ポリシリコン）を形成し、イオン注入する箇所のポリシリコン配線１１の長さは１μｍ〜１５μｍとする。 - 特許庁

To provide a method which employs laser induced stress wave (LISW) to introduce a drug such as a gene into an implanted tissue such as skin or an organ, thereby to get high take and high performance; a unit for carrying out the method; and an implanted tissue or organ having high performance produced by the method.例文帳に追加

遺伝子等の薬剤をレーザー光誘起応力波（LISW: laser induced stress wave)を利用して皮膚等の移植組織または臓器に導入し、生着能の高い高性能の移植組織または臓器を製造する方法、該方法を行うための装置ならびに前記方法で製造された高性能の移植組織または臓器の提供。 - 特許庁

As a result, not only a patterned photo resist film 34 but also the slope 16a function as a mask for an ion implantation, the n-type impurity ion is not implanted into the slope 16a but implanted into a bottom face 15 and each slope 16b to 16d to form high concentration n-type impurity regions 18, 20.例文帳に追加

すると、パターニングしたフォトレジスト膜３４だけでなく斜面１６ａについてもイオン注入用マスクとして機能し、斜面１６ａにはＮ形不純物イオンが注入されず、底面１５および各斜面１６ｂ〜１６ｄにＮ形不純物イオンが注入され、高濃度Ｎ形不純物領域１８，２０が形成される。 - 特許庁

To provide an electronic paper display device and a method of manufacturing the same, wherein display units can be implanted only inside a cell being a pixel space, a distance and shape of a capsule to be implanted into the cell can be made uniform for each cell, whereby the visual quality of the display can be improved by removing spots formed on a screen.例文帳に追加

画素空間であるセル内部のみにディスプレイユニットが注入でき、セルに注入するカプセルの間隔及び形状を各セルごとに均一にすることができるので、画面上のむらやスポットを除去して画質を向上させることができる電子ペーパー表示素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In this solid electrolytic capacitor, the edge of an anode member on which an anode lead pin is implanted is formed like a protuberant curved surface such as the shape of a roof, and the dielectric layer, solid electrolyte layer, and cathode lead-out layer are successively formed on the edge of the anode member on which an anode lead pin is implanted.例文帳に追加

本発明による固体電解コンデンサは、前記陽極部材の陽極リードピン植立端が、屋根形に盛り上げられた曲面又は連接面からなり、該陽極部材の陽極リードピン植立端にも、前記誘電体層、固体電解質層及び陰極引出し層を順次形成したことを特徴とするものである。 - 特許庁

To precisely measure as many nails as possible though nails are implanted too densely or though there are various implanting patterns in a nail angle measuring instrument for a game machine for measuring the angle of the nails, which are implanted to the surface of the game board of the game machine such as a pachinko game machine, with respect to the board surface.例文帳に追加

パチンコ機等の遊技機の遊技盤面に対し植設された釘の盤面に対する角度を測定するための遊技機用釘角度測定装置において、釘が過密状態で植設されていたり、多様な植設パターンを有していたりしても、できるだけ多くの釘の角度を正確に測定することを可能とする。 - 特許庁

The middle plate 17 has a front side game area Ff and a rear side game area Fr facing the glass plate 16 and game nails 19 are implanted in the whole area of both the faces.例文帳に追加

中板１７は、ガラス板１６と対向する前面側遊技領域Ｆｆと後面側遊技領域Ｆｒとを有し、両面の全域に遊技くぎ１９が植設される。 - 特許庁

Afterwards, pre-treatment with HF is applied while utilizing the difference of an etching rate between the N-type impurity high concentration layer 36 and an oxide film 26, to which the N-type impurity is not implanted.例文帳に追加

その後、Ｎ型不純物高濃度層３６とＮ型不純物が注入されていない酸化膜２６とのエッチングレートの差を利用して、ＨＦによる前処理を施す。 - 特許庁