「implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

To solve problems in the conventional measurement method of an oxygen ion amount implanted to a SIMOX (separation by implanted oxygen) substrate that the desired thickness of a BOX (buried oxide film) layer and of an active layer in a final SIMOX product cannot be obtained because the amount of monitored element or over is implanted into the semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明はＳＩＭＯＸ基板の酸素イオン注入量の測定に関し、通常ファラデーカップを用いるイオン注入量のモニター方法は、照射されるイオン全てが電荷を有していることが前提であり、イオン照射工程中の異常（例えば真空度の低下，異常放電等）により、電荷を有しない電気的に中性な元素の状態で照射された場合はファラデーカップ法では測定できない。 - 特許庁

This photocatalytic material is constituted so that F ion is diffused to the surface of the TiO2 crystal preferentially by implanting the ion of F being a nonmetallic element into the TiO2 crystal while the amount of F ion to be implanted per unit area and the depth of F ion to be implanted are adjusted by controlling the implantation energy of F ion to the TiO2 crystal and then annealing the F ion-implanted TiO2 crystal.例文帳に追加

酸化チタン（ＴｉＯ_2）結晶に非金属元素のフッ素（Ｆ）イオンを注入する際に、酸化チタン（ＴｉＯ_2）結晶へのＦイオンの注入エネルギーを制御してＦイオンの単位面積あたりの注入量及び注入深さを調整した後に、Ｆイオン注入後の酸化チタン結晶を焼鈍処理することによりＦイオンを結晶表面へ優先的に拡散させた光触媒材料。 - 特許庁

In annealing, the temperature is given a distribution in the plane of an SiC wafer 1, and the part of the boundary between the ion-implanted layer 2 and the non-ion-implanted layer 3 which is parallel to the <11-20> or <1-100> is activated first and crystals are reoriented.例文帳に追加

そして、アニール処理においてＳｉＣウェハ１の面内において温度分布を持たせ、イオン注入層２と非イオン注入層３との境界線のうち＜１１−２０＞または＜１−１００＞と平行な部分からアクティブ化すると共に結晶を再配列させるようにする。 - 特許庁

In a brush formed by a brush base implanted with a number of bristles at the tip side, and a grip part extended from the brush base, a number of bristles implanted in the brush base are divided into plural blocks in the cross direction, and a fragile part which can be cut is provided between the blocks.例文帳に追加

本発明は、先端側へ多数の毛束を植設したブラシ基台と、ブラシ基台に延設させた把持部とから成るブラシにおいて、ブラシ基台に植設された多数の毛束を巾方向に複数のブロックに分け、夫々のブロックの間に切断が可能な脆弱部を設けたものである。 - 特許庁

An etch-stopping layer 6', which is higher in oxygen concentration than its peripheral area is formed in a second single-crystal silicon substrate 1, by forming an ion-implanted layer 6 for stopping etching through ion implantation and performing an oxygen diffusing step of making oxygen diffuse toward the ion-implanted layer 6.例文帳に追加

第二シリコン単結晶基板１中に、イオン打ち込み法によりエッチストップ用イオン注入層６を形成し、次いでエッチストップ用イオン注入層６に向けて酸素を拡散させる酸素拡散工程を行なって、周囲部分よりも酸素濃度が高いエッチストップ層６’を形成する。 - 特許庁

The stuffed toy 1 is provided with a main body part whose surface is formed by using a fabric 13 having a surface form to which a hook side hook-and-loop fastener having a hook part can be freely detachably attached, and hair implanted parts 20A-20O where the hook side hook-and-loop fastener is fixed and a plurality of hairs are implanted.例文帳に追加

縫い包み１が、フック部を有するフック側・面ファスナーを着脱自在に取付可能な表面態様を持つ布地１３を用いて表面が形成された本体部１０と、フック側・面ファスナーが固着された複数の毛の生えた植毛パーツ２０Ａ〜２０Ｏとを備えて構成される。 - 特許庁

Since the power line 13 wired to the implanted beacon lights 12 is relayed by the relay terminal block 35 in the base 21, the power line 13 is shortened, and the installation and replacement operations for the power line 13 are facilitated and the electrical connection between the implanted beacon lights 12 is also facilitated.例文帳に追加

基台21内の中継端子台35で、複数の埋込形標識灯12にわたって配線する電力線13を中継するため、電力線13が短くなって電力線13の設置作業や取替え作業を容易にし、埋込形標識灯12間の電気接続を容易にする。 - 特許庁

Consequently, the size uniformity of a gate film 2 to be worked in the surface of the wafer can be improved easily, by increasing the implanted quantity of ions into the thick line regions of the pattern 3a and reducing the implanted quantity of ions into the thin line regions of the pattern 3a (step ST17).例文帳に追加

これによって、ウエハ面内のレジストパターン３ａの太い領域のイオン注入量を多くし、細い領域のイオン注入量を少なくすることによって、容易にウエハ面内における被加工ゲート膜２の寸法の均一性の向上が図れる（ステップＳＴ１７）。 - 特許庁

When electrons es2 of direction opposite to the spin of electron es1 implanted from a source S are implanted into a semiconductor SM through a reverse spin implanting section R, the reverse spin never flows into a drain D by a tunnel barrier between the semiconductor SM and the drain D.例文帳に追加

逆スピン注入部Ｒを介して、ソースＳから注入された電子ｅｓ１のスピンとは逆向きのスピンの電子ｅｓ２を半導体ＳＭ内に注入すると、この逆向きスピンは、半導体ＳＭとドレインＤとの間のトンネル障壁によってドレインＤ内へは流れない。 - 特許庁

In the ion implanting method, contaminant ions of first dose as a part of whole dose of the contaminant ions planed to be implanted is implanted by a perpendicular ion implantation (520), and contaminant ions of remaining dose formed by removing the first dose from the whole dose is processed in the tilt ion implantation (530).例文帳に追加

このイオン注入方法によれば、まず、注入しようとする不純物イオンの全体ドーズの一部である第１ドーズの不純物イオンを、垂直イオン注入により注入し（５２０）、続いて、全体ドーズから第１ドーズを除外した残りドーズの不純物イオンをチルトイオン注入する（５３０）。 - 特許庁

An SOI substrate is manufactured by performing first thermal treatment for forming an atomic vacancy and second thermal treatment for implanting oxygen ions with which an oxygen ion implanted layer is formed, and for changing the oxygen ion implanted layer into a buried oxide film on a single crystal silicon substrate.例文帳に追加

単結晶シリコン基板に対し、少なくとも、基板内に原子空孔を発生させる第１の熱処理と、酸素イオン注入層を形成する酸素イオン注入と、前記酸素イオン注入層を埋め込み酸化膜層に変化させる第２の熱処理を行なうことによりＳＯＩ基板を製造する。 - 特許庁

After H ions and He ions are implanted into a silicon substrate with acceleration energy of 5-40 keV, temperature of the silicon substrate is raised to about 500°C and then O ions are implanted with acceleration energy of 30-180 keV thus forming an ion implantation layer 2.例文帳に追加

シリコン基板にＨイオン又はＨｅイオンを、加速エネルギが５ｋｅＶ以上４０ｋｅＶ未満で注入した後、該シリコン基板を略５００℃に昇温し、それにＯイオンを、加速エネルギが３０ｋｅＶ以上１８０ｋｅＶ以下で注入し、イオン注入層２を形成する。 - 特許庁

Furthermore, the mechanism releases the looped form bristle implanted stopper 11 from the hook form bristle implanted stopper 12 by moving the case 13 in the direction of taking in the harness shown by the arrow E in Fig.1 (a) so as to accommodate the wire harness 50 in the case 13.例文帳に追加

また、当該係脱操作機構は、ワイヤハーネス５０がケース１３に収納されるようにケース１３が図１（ａ）中に矢印Ｅで示されるハーネス取り入れ方向へ移動されることにより、ループ状植毛係止体１１とフック状植毛係止体１２との係合を解除する。 - 特許庁

As a result, lateral dispersion of the p-type impurity is suppressed to the limit of the depth where C is ion-implanted, and lateral dispersion is enlarged in the region deeper than the depth where C is ion-implanted, resulting in constitution of p-type gate region, in such a manner as to creep into under the source region.例文帳に追加

これにより、Ｃが注入された深さまでにおいては、ｐ型不純物の横方向拡散が抑制され、Ｃが注入された深さよりも深い領域においては、ｐ型不純物が横方向拡散され、ソース領域の下方まで入り込むようにｐ型ゲート領域４が形成される。 - 特許庁

This washing/polishing device for medals is provided with a lower brush board 2 implanted with lower brush bristles 2b and an upper brush board 3 implanted with upper brush bristles 3b at a prescribed interval face to face, a water storage section 2a on the lower brush board 2, a water discharge port 4 of washing water a medal insertion port 6 and a medal discharge port 8b.例文帳に追加

下方ブラシ毛２ｂを植毛した下側ブラシ盤２と上方ブラシ毛３ｂを植毛した上側ブラシ盤３を対向させて設け、下側ブラシ盤２に貯水部２ａを設け、洗浄水の水放出口４を設け、メダル投入口６及びメダル排出口８ｂを設けた。 - 特許庁

To propose an advantageous method of manufacturing a laminated wafer without causing not only flaws on a surface in the stop of the grinding at the oxygen ion implanted layer and further the non-uniform thickness of the top layer in the vicinity of the outer peripheral portion of the wafer in the stop of the grinding or the step of the etching at the oxygen ion implanted layer, when laminateing is performed.例文帳に追加

貼り合わせに際し、酸素イオン注入層で研磨Stopする際の表面傷、さらには酸素イオン注入層で研磨StopまたはエッチStopする際のウェーハ外周部近傍におけるTop層の膜厚不均一を生じることのない貼り合わせウェーハの有利な製造方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that, when an N-type impurity is implanted by using a mask for forming a gate pattern of a cell transistor to reduce manufacturing steps of a semiconductor memory device, the N-type impurity is also implanted in a region for forming a P-type contact so that a sufficient impurity concentration cannot be obtained to take a contact.例文帳に追加

半導体記憶装置の製造工程を削減するため、セルトランジスタのゲートパターンを形成するためのマスクを用いてＮ型不純物を注入すると、Ｐ型コンタクトを形成する領域にもＮ型不純物が注入されて、コンタクトをとるのに十分な不純物濃度を得られない。 - 特許庁

The engaging/disengaging operation mechanism engages a looped form bristle implanted stopper 11 with a hook form bristle implanted stopper 12 by moving the case 13 in the direction of pulling out a harness shown by the arrow F in Fig.1 (b) so as to pull out the wire harness 50 from the case 13.例文帳に追加

この係脱操作機構は、ワイヤハーネス５０がケース１３から引き出されるようにケース１３が図１（ｂ）中に矢印Ｆで示されるハーネス引き出し方向へ移動されることにより、ループ状植毛係止体１１とフック状植毛係止体１２とを係合させる。 - 特許庁

Then, impurities of first and second conductivity types are implanted into the surface of the substrate in respective regions by using the first sidewall and the gate electrode as masks to form a first impurity diffused layer, and impurities of second and first conductivity types are implanted to form an impurity diffusion preventing layer.例文帳に追加

そして、第１側壁及びゲート電極をマスクとして、各領域の基板表面にそれぞれ、第１、第２導電型の不純物を注入し、第１不純物拡散層を形成し、それぞれ、第２、第１導電型の不純物を注入して、不純物拡散防止層を形成する。 - 特許庁

When ions are implanted while holding the substrate temperature between 400-800°C, crystallinity aggravation of a silicon carbide layer is suppressed when ions are implanted, problems of aggregation of impurities, and the like, are eliminated in a silicon carbide layer and etching of the base contact portion 15 is suppressed in activated annealing, or the like.例文帳に追加

基板温度を４００℃以上８００℃以下にしてイオン注入を行うことで、イオン注入時の炭化珪素層の結晶性悪化が抑制され、不純物の炭化珪素層内での凝集等の問題なく、活性化アニール等でのベースコンタクト部１５のエッチングが抑制される。 - 特許庁

P is ion-implanted into the amorphous Si film 7 of an n channel MOS transistor part, and B is ion-implanted into the amorphous Si film 7 of a p channel MOS transistor part, and then heat treatment is carried out so that the amorphous Si film 7 can be crystallized, and impurity can be activated.例文帳に追加

ｎチャネルＭＯＳトランジスタ部の非晶質Ｓｉ膜７にＰをイオン注入し、ｐチャネルＭＯＳトランジスタ部の非晶質Ｓｉ膜７にＢをイオン注入した後、熱処理を行うことにより、非晶質Ｓｉ膜７を結晶化させるとともに、不純物の活性化を行う。 - 特許庁

The surface impurity concentration of the lower implanted layer 12a can be easily set at a certain value suitable for forming a Schottky electrode or an ohmic electrode, and the upper implanted layer 12b containing many defects is removed, so that the surface region of the substrate 11 can be improved in crystallinity.例文帳に追加

この下部注入層１２ａの表面の濃度を、ショットキー電極やオーミック電極を形成するのに適した不純物濃度に制御することが容易であり、かつ、欠陥の多い上部注入層１２ｂを除去することで、基板の表面領域の結晶性も向上する。 - 特許庁

Next, the p-type impurity is implanted to the one side surface 10s of the semiconductor columns 10a to 10e under the same condition, and is followed by heat treatment.例文帳に追加

次に、半導体コラム１０ａ〜１０ｅの一方側の面１０ｓに同一条件でｐ型の不純物を注入して熱処理する。 - 特許庁

Arrays of charge-sensing probes and electron generator arrays can be configured for rapid coverage of the implanted areas of the workpiece.例文帳に追加

電荷検知プローブのアレー及び電子発生器アレーは、ワークピースのイオン打込み領域を瞬時に覆うことができるように構成することができる。 - 特許庁

An assembling part 8 is projected from a motor casing 7 of a motor 1, and an anchor pin 10 and a brake cam 11 are directly implanted therein.例文帳に追加

電動モータ１のモータケーシング７には、組み付け部８が突設されており、ここにはアンカーピン１０とブレーキカム１１とが直接に植設されている。 - 特許庁

To realize a method for manufacturing a semiconductor device which can efficiently suppress an increase in a contact resistance, when n or p-type dopants are implanted.例文帳に追加

ｎ型及びｐ型ドーパントを注入する場合に、コンタクト抵抗の増加を効率よく抑える半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacture method for a semiconductor device having an implanted structure, in which an inverted layer generated especially at a channel part is prevented.例文帳に追加

埋め込み構造の半導体装置の製造方法に関し、特にチャンネル部に生ずる反転層を防止する製造方法を提供すること。 - 特許庁

The brush roller 41 has: a shaft body comprising a columnar or cylindrical body; and a plurality of fibers 101 implanted vertically on the circumferential surface of the shaft body.例文帳に追加

ブラシローラ４１は円柱体または円筒体からなる軸体と、この軸体の周面に植立された複数の繊維１０１とを有する。 - 特許庁

The advantage of this method is that it requires a small amount of memory resources for implementation and can be implanted in an FPGA circuit.例文帳に追加

本方法の利点は、その実装に少ないメモリリソースのみを必要とし、したがって、ＦＰＧＡ回路内に組み込むことができることである。 - 特許庁

The new insert part is fitted and fixed in an insert cavity in the implanted stem, thereby completing the revision.例文帳に追加

新しいインサート部品は移植されているステムの中のインサート・キャビティの中に取り付けられて固定されることにより、その修正が完了する。 - 特許庁

The instrument (rasp) 1A for collecting skin abrasion pieces comprises a base 2 and fibers 3 with acute angled tips which are implanted lengthwise and crosswise on the base 2.例文帳に追加

皮膚擦過屑片採取用器具（ラスプ）１Ａが、台座２と該台座２に縦横に植え込まれている、尖端が鋭角な繊維３からなる。 - 特許庁

A stud (a stress transmitting member) is implanted by welding in a web 14 of the end part of the respective main beams 10, and is embedded in concrete of the horizontal beam 20.例文帳に追加

各主桁１０端部のウエブ１４には、スタッド（応力伝達部材）が溶植されて横梁２０のコンクリート内に埋設されている。 - 特許庁

To provide a head part of a doll having moving eyes preventing the distortion of the face or the inward eyes in the head part of the toy implanted with hair.例文帳に追加

頭髪を植毛した人形の頭部であって、顔面のゆがみや奥目を生じない活眼を有する人形の頭部を提供すること。 - 特許庁

Then, the N-MOS region of the low-breakdown voltage transistor formation region and the P-MOS region of the high-breakdown voltage transistor formation region are respectively covered with resist masks 11, and the phosphorus ions are implanted rotatingly.例文帳に追加

次に、低耐圧のＮＭＯＳ領域と高耐圧のＰＭＯＳ領域をレジストマスク１１で覆い、リンを回転注入する。 - 特許庁

To provide an internally implantable auxiliary artificial heart device providing physiologic pulsatile flow and capable of being implanted in a diminutive body such as a Japanese.例文帳に追加

日本人のような小柄な体格の人にも埋め込めるサイズの生理的な拍動流の体内埋込式補助人工心臓を提供する。 - 特許庁

Hydrogen ions are implanted in the surface (major surface) of a single crystal Si substrate 10 to form a hydrogen ion implantation layer (ion implantation damage layer) 11.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基１０の表面（主面）に水素イオンを注入し、水素イオン注入層（イオン注入ダメージ層）１１を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can suppress the diffusion of implanted hydrogen ions while activating the hydrogen ions.例文帳に追加

注入した水素イオンの拡散を抑制しながら水素イオンを活性化することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A second component (26), separate from the first component (22), is adapted to be implanted at a second depth in the cornea (14).例文帳に追加

この第１部材とは別部材とされた第２部材（２６）が、角膜（１４）内の第２深さのところに埋設され得るよう構成されている。 - 特許庁

Electrons emitted from the negative electrode 10 side are accelerated as ballistic electrons by the electric field in the MgO layer 30 and implanted into the p-type semiconductor layer 40.例文帳に追加

陰極１０側から放たれた電子をＭｇＯ層３０内の電界で加速して弾道電子とし、ｐ型半導体層４０に打ち込む。 - 特許庁

The prosthesis (20) is fixed into a fixed position by a fastener (28) implanted by an applier (62) that is also arranged by intra-vascular access.例文帳に追加

プロテーゼ（２０）は、血管内アクセスによっても配置される、適用体（６２）によって移植されるファスナー（２８）によって、定位置で固定される。 - 特許庁

A process for filtering electromagnetic interference (EMI) in the implanted leadwire extending from the AIMD into a body liquid or a body tissue is also provided.例文帳に追加

ＡＩＭＤから体液又は体組織内に延びる植込み型リード線中の電磁干渉（ＥＭＩ）を濾波する方法も又提供される。 - 特許庁

This composition accelerates the regeneration of a site to be implanted more speedily and effectively than a result obtained by presently known materials and techniques.例文帳に追加

この組成物は、現在知られている材料及び技術によって得られる結果よりも迅速で効果的に移植部位の再生を促進する。 - 特許庁

The organic EL device is constructed in such a manner that a hole implanted layer 60 and a light emitting layer 70 are located between a pair of electrodes 111, 12.例文帳に追加

一対の電極１１１、１２間に、正孔注入層６０と発光層７０とを配設してなる有機ＥＬ装置の製造方法である。 - 特許庁

More specifically, formulations provide for novel therapies that are easily manipulated and injected or implanted by qualified medical practitioners.例文帳に追加

さらに具体的には、本発明の処方物は資格のある医師により容易に操作および注射または移植される新規治療法を提供する。 - 特許庁

Thus, chromium is implanted in the concave groove 15 so as to cover the bottom face 16 and the side face 17 adjacent to the bottom face 16 of the concave groove 15.例文帳に追加

こうしてクロムは、凹溝１５の底面１６および底面１６付近の側面１７にわたって凹溝１５内に埋込まれて設けられる。 - 特許庁