「implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

The silicon oxide film 110 to which silver is implanted is subjected to the heat treatment under the temperature higher than 200°C, but is lower than the melting point of silver in order to form fine particle of silver.例文帳に追加

銀が注入されたシリコン酸化膜１１０を、２００℃よりも高く、かつ、銀の融点未満の温度で熱処理して、銀微粒子を形成する。 - 特許庁

In this way, the slit 9 is controlled to be opened or closed, according to whether or not a wafer temperature and/or accumulated charge exceeds a prescribed value while the ions are continuously implanted.例文帳に追加

このように、イオン注入を継続しながら、スリット９をウェハ７の温度及びチャージ電荷が所定値を越えたか否かに応じて開閉制御する。 - 特許庁

In an integrated plywood which the metal wire materials 11 is implanted on the glass 13, each jig is disassembled at decomposing step C, after annealing, and the integrated plywood 17 is separated.例文帳に追加

金属線材１１がガラス１３に植設した合体合板は、徐冷後に分解工程Ｃで各治具が分解されて合体合板１７が分離される。 - 特許庁

The upper part of the stepped part is filled with a conductive material to serve as a strap 904, and N-type ions are implanted for the formation of a source region 61 inside the substrate 10.例文帳に追加

段差上部に導電材料を充填してストラップ９０４とし、ｎ型イオンを注入してソース領域６１を基板１０内に形成する。 - 特許庁

It is preferable that the method include a step of activating the implanted ion by heat treatment that follows the formation of the metal film.例文帳に追加

なお、前記注入されたイオンを前記金属の膜が形成された後の熱処理によって活性化する工程を同時に行なうことが望ましい。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, capable of thermally treating implanted impurities without deteriorating the performance or reliability of a device.例文帳に追加

デバイスの性能や信頼性を低下させることなく、注入した不純物を熱処理することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Impurities 18 and 19 for source/drain are implanted into the silicon wafer 11 and the impurities 18 and 19 are annealed in a deuterium atmosphere.例文帳に追加

重水素を導入するための製造プロセスの好ましい段階は、あらゆる過酷な熱処理の後であるが、相互接続層が形成する前におこなう。 - 特許庁

To provide a body warming piece at a low cost which can be used even by a person implanted with a pacemaker without receiving regular outpatient treatment, or causing complications.例文帳に追加

通院することなく、かつ、余病を併発することなく、また、ペースメーカーを植込んだ人も何ら支障なく使用できる身体温め片を安価に提供する。 - 特許庁

To provide a heat treatment method and a heat treatment apparatus which can prevent the occurrence of a process damage, while suppressing diffusion of an implanted impurity.例文帳に追加

注入された不純物の拡散を抑制しつつもプロセスダメージの発生を防止することができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。 - 特許庁

The implanted member 5 is cooled by cooling water flowing in a passage 16, and hardness of rubber in the fringe of the end 5a is locally changed.例文帳に追加

埋込部材５は、通路１６内を流動する冷却水によって冷却され、端部５ａ周辺のゴムの硬度を局部的に変化させることができる。 - 特許庁

Lateral directional bristle rows 2 are implanted almost close to a tooth width in a toothbrush head 1, and lateral directional bristle row spaces 3 are arranged to reduce resistance received from a projecting surface of the teeth.例文帳に追加

歯ブラシヘッド１に、概ね歯の巾に近く、横方向毛列２を植毛し、横方向毛列空間３を設けて、歯の凸面より受ける抵抗を減らす。 - 特許庁

To remove a high-concentration ion-implanted resist in a short time while preventing generation of residue in a single-wafer SPM cleaning method and apparatus.例文帳に追加

枚葉式のＳＰＭ洗浄方法及び装置において、高濃度のイオン注入が施されたレジストを短時間で且つ残渣の発生を抑制しながら除去する。 - 特許庁

P-type impurity ions are implanted without a mask to form a rediffusion region 43 continuous with a source and drain region 36a in an N well 16.例文帳に追加

マスクを用いずに、Ｐ型の不純物イオンが注入され、Ｎウェル１６内のソース・ドレイン領域３６ａと連続する再拡散領域４３が形成される。 - 特許庁

An additional impurity is implanted into a portion of the shared contact plug 18a where the side wall insulation film is removed, to form an active layer 16.例文帳に追加

シェアードコンタクトプラグ１８ａの形成箇所のうち側壁絶縁膜が除去された部分に追加の不純物注入を行い活性層１６を形成する。 - 特許庁

a metal or plastic part that is surgically implanted to replace a natural joint (possibly elbow or wrist but usually hip or knee) 例文帳に追加

本来の関節（場合によると肘または手首もあるが、通常は股関節またはひざ）を交換するために手術で移植される、金属またはプラスチックの部品 - 日本語WordNet

A stuck substrate 600 has an ion shielding mask 300a formed on the surface of a silicon substrate 200 and oxygen ions 400 are implanted.例文帳に追加

貼り合わせ基板６００において、単結晶シリコン基板２００の表面にイオン遮蔽用マスク３００ａを形成し、酸素イオン４００を注入する。 - 特許庁

After an impurity is ion implanted to the polysilicon, the polysilicon is heat treated, and a nitride film capacitor 5 and a second polysilicon resistor 10b are formed by the selective etching.例文帳に追加

そして、ポリシリコンに不純物をイオン注入後、熱処理を行い、選択的エッチングにより窒化膜キャパシタ５、第２のポリシリコン抵抗１０ｂを形成する。 - 特許庁

Thereafter, an ion-implanted region 6 is formed by implanting silicon ions into the exposed portion of the substrate 1 on the side and bottoms faces of the trench 5.例文帳に追加

次に、トレンチ５の側面及び底面において露呈されたＰ型シリコン基板１にシリコンイオンを注入し、イオン注入領域６を形成する。 - 特許庁

After the MgO film is formed, oxygen ions are implanted into the film surface with an oxygen ion gun 34 to cause the loss of oxygen in the MgO film.例文帳に追加

ＭｇＯ膜の成膜後、膜表面に対して、酸素イオン銃３４により酸素イオンを注入して、ＭｇＯ膜内に酸素欠損を生じさせる。 - 特許庁

After the process for depositing the blocking material, dopant ions are implanted, whereby the blocking mask material partially or completely blocks the top surface of the fin from these dopant ions.例文帳に追加

ブロッキングマスク材料の堆積工程後に、ドーパントイオンが注入され、ブロッキングマスク材料が、部分的または完全に、フィンの上面をドーパントイオンからブロックする。 - 特許庁

As a result, even when the hydrogen is ion-implanted by a low dosage, exfoliation is executed from the hydrogen ion implantation peak area 10d of a laminated wafer 30.例文帳に追加

その結果、水素を低ドーズ量でイオン注入しても、貼り合わせウェーハ３０の水素イオン注入ピーク領域１０ｄから剥離することができる。 - 特許庁

Germanium is so implanted over the entire semiconductor substrate at an appropriate intensity and quantity that a peak ion concentration is generated under the source and drain of the FET.例文帳に追加

ピーク・イオン濃度がＦＥＴのソース及びドレインの下に生成されるように、ゲルマニウムが適切な強さ及び量で、半導体基板全体に渡り打ち込まれる。 - 特許庁

Then, after B+ ions are implanted into the film 7 in a pMOSFET region Rp, the film 7 is etched into a gate configuration.例文帳に追加

次に、ｐＭＯＳＦＥＴ領域Ｒｐにおけるポリシリコン膜７に、Ｂ+ のイオン注入を行った後、ゲート形状となるようにポリシリコン膜７のエッチングを行う。 - 特許庁

Phosphorus is ion-implanted in an n-type well forming region 30 and in a positioning pattern forming region 40 on a substrate 1 to form n-type wells 6a and 6b.例文帳に追加

基板１のｎ型ウェル形成領域３０と位置合わせパターン形成領域４０に燐をイオン注入してｎ型ウェル６ａ、６ｂを形成する。 - 特許庁

The electric toothbrush 1 includes a body case 22 for housing a battery 29, and an attachment 60 having the brush part 62 in which brush bristles 61 are implanted.例文帳に追加

電動歯ブラシ１は、電池２９を収容する本体ケース２２と、ブラシ毛６１が植えられた植毛部分６２を有するアタッチメント６０とを有する。 - 特許庁

An ionic specified is implanted in a well region to form a non- crystallized region, and halogen atoms are introduced into the non-crystallized region.例文帳に追加

ウェル領域内にイオン種を注入することにより非晶質化された領域を形成し、上記非晶質化された領域に上記ハロゲン原子を導入する。 - 特許庁

Dopant of IV valence is implanted in the region of the semiconductor substrate 10 beneath the opening 22 and the region beneath the opening 24.例文帳に追加

半導体基板１０のうち開口２２の下部に位置する領域および開口２４の下部に位置する領域の双方に、IV価の不純物が注入されている。 - 特許庁

The implanted object is taken out of the living body, and after cutting the tissue body 3 to form the triangular movable part 4, the mandrel 1 is drawn out.例文帳に追加

この埋入物を生体から取り出し、三角形状の可動部４が形成されるように組織体３に切り込みを入れた後、マンドレル１を引き抜く。 - 特許庁

Consequently, the substrate 1 in the ion-implanted region 6 becomes amorphous, and the plane orientation property of the substrate 1 in the amorphous portion can be eliminated.例文帳に追加

これにより、イオン注入領域６のＰ型シリコン基板１はアモルファス化され、この部分のＰ型シリコン基板１の面方位性を無くすことができる。 - 特許庁

Then, a resist mask is then formed for covering a first area on the surface of the three-layer insulating film and with this resist mask as a mask, ions are implanted.例文帳に追加

次に、３層絶縁膜表面の第１の領域を覆うレジストマスクを形成し、これをマスクとして、３層絶縁膜に、イオンを注入する。 - 特許庁

After removing the nitride film 6 therefrom, boron 11 is so ion-implanted thereinto self-aligning-wise by using the oxide films 4, 9 as masks as to perform heat treatment in a nitrogen atmosphere.例文帳に追加

窒化膜６を除去した後、酸化膜４，９をマスクとして自己整合的にボロン１１をイオン注入し、窒素雰囲気中で熱処理を行なう。 - 特許庁

Ion seeds such as carbon(C) or the like which never becomes impurities are implanted into a J-FET part 6 and a surface channel layer 5 between P-type base regions 3.例文帳に追加

ｐ型ベース領域３の間のＪ−ＦＥＴ部６及び表面チャネル層５に炭素（Ｃ）等の不純物とならないイオン種をイオン注入する。 - 特許庁

In order to form a p-type III nitride semiconductor region, an Mg+ ion is, for example, implanted simultaneously with the N+ ion, its surface is covered with the SiO2, and heat annealed.例文帳に追加

ｐ型のIII族窒化物半導体領域を形成するには例えばMg^+イオンをN^+イオンと同時に打ち込み、表面をSiO_2で被覆した上、熱アニールをすれば良い。 - 特許庁

An implanted brush is manufactured by providing grooves on a deck, inserting the strip-shaped sandpapers and the brush bristles between the grooves, and fixing them to the deck by an adhesive or the like.例文帳に追加

また、植え込みブラシは、前記デッキに溝を設け、その間に短冊状サンドペーパーおよびブラシ毛を挿入し、接着剤等で固定して作製される。 - 特許庁

Ions for exhibiting a surface energy reduction effect are implanted to a full floating surface of a magnetic head slider 1, excluding front and center rail surfaces 4 and 7.例文帳に追加

磁気ヘッドスライダ１の浮上面のうち、フロントレール面４とセンタレール面７を除いた全面に、表面エネルギ低減効果を発現するイオンを注入する。 - 特許庁

In the implantation inhibition layer removing process, the implantation inhibition layer is removed from the silicon carbide substrate to which the ions are implanted in the ion implantation process.例文帳に追加

注入阻止層除去工程では、イオン注入工程においてイオンが注入された炭化珪素基板から注入阻止層を除去する。 - 特許庁

An opening part is provided at a part corresponding to the trenches 50 of the resist 86, and ions are implanted to form the LDD region using the resist 86 as a mask.例文帳に追加

このレジスト８６の溝５０に対応する部分に開口部を設け、当該レジスト８６をマスクとして、ＬＤＤ領域を形成するイオン注入を行う。 - 特許庁

Impurity ions are implanted in this region whose surface is covered with the second semiconductor layer, and the resistance element is formed.例文帳に追加

次に第２の半導体層によって表面が被覆されている抵抗素子形成予定領域に不純物イオンを注入し、抵抗素子を形成する。 - 特許庁

Boron is ion-implanted in a p-type well forming region 20 and the positioning pattern forming region 40 to form p-type wells 8a and 8b.例文帳に追加

基板１のｐ型ウェル形成領域２０と位置合わせパターン形成領域４０に硼素をイオン注入してｐ型ウェル８ａ、８ｂを形成する。 - 特許庁

In the implantation inhibition layer forming process, the implantation inhibition layer having a pattern exposing a region to which ions are implanted is formed in a silicon carbide substrate.例文帳に追加

注入阻止層形成工程では、炭化珪素基板において、イオンが注入される領域を露出させるパターンを有する注入阻止層を形成する。 - 特許庁

As a result, the impurities implanted to the silicon oxide layer 4 are passed through the additional silicon oxide layer 14, and solid layer diffusion of the impurities occurs in the silicon single-crystal layer 12.例文帳に追加

その結果、酸化シリコン層４に注入された不純物は、追加酸化シリコン層１４を貫通してシリコン単結晶層１２に固層拡散する。 - 特許庁

A single-crystal Si substrate 10a having a single-crystal Si thin-film transistor 16a and a hydrogen ion-implanted region 15 is bonded onto an insulating substrate 2.例文帳に追加

絶縁基板２上に、単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ１６ａと水素イオン注入部１５とを備えた単結晶Ｓｉ基板１０ａを貼り合わせる。 - 特許庁

To provide yarn capable of forming a vascular stent by which a vessel can be securely kept in a condition expanded in diameter without harming the vessel to which the stent is implanted.例文帳に追加

植え込まれる脈管に損傷を与えることなく、確実に脈管を拡径させた状態に維持できる脈管用ステントを形成できる糸を提供する。 - 特許庁

The aerobic microorganism 34 is implanted on a fungus base material 36 constituted by a ceramic material comprising magnesium silicate as a main component and porous diatomaceous earth.例文帳に追加

好気性微生物３４はケイ酸マグネシウムを主成分とするセラミックス材と多孔質のケイ藻土から構成される菌床材３６に着床される。 - 特許庁

Ions are implanted into at least surface parts of the reaction layer and the unit resist to which the shape of a microlens is given, to obtain a heat-resistant microlens.例文帳に追加

反応層、及びマイクロレンズの形状を与えられた単位レジストの少なくとも表面部分にイオン注入を行い、耐熱化されたマイクロレンズを得る。 - 特許庁