「implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

Germanium layer is formed on a wafer and Sb(Stibium) is ion implanted in a prescribed region of the germanium layer by a range of an implantation dose between 1014 cm-2 and 1016 cm-2.例文帳に追加

基板上にゲルマニウム層を形成し、このゲルマニウム層の所定の位置に、Ｓｂ（アンチモン）を注入ドーズが１０^14ｃｍ^-2 以上、１０^1６ｃｍ^-^2 以下でイオン注入する。 - 特許庁

Using the SiO2 film 2 and the side walls 18 as a mask, the silicon substrate 1 is implanted with Si ions to form a gettering layer in only the bottoms of the trenches 5.例文帳に追加

SiO_2膜２およびサイドウォール１８をマスクとして、Si等の欠陥形成用イオンをシリコン基板１に注入することにより、トレンチ５の底部にのみゲッタリング層１を形成する。 - 特許庁

To provide an ion implanter with which ion of uniform quantity is implanted even in a large object and a product of consistent quality is obtained.例文帳に追加

大型の基体にイオンを注入するときも、均一な量のイオンを注入でき、安定した品質の製品を得ることのできるイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

To provide a stripping method for photoresist by which a photoresist used when ions are implanted by high implant dose can be easily stripped without leaving residue.例文帳に追加

高い注入量でイオン注入する際に用いられるフォトレジストを、残留物を残すことなく、容易にストリップできるフォトレジストのストリップ方法を提供すること。 - 特許庁

After a sacrificial film 3 is formed on the surface of a silicon substrate 1, ions are implanted from a vertical direction through a resist mask 11 to form a local channel 14.例文帳に追加

シリコン基板１の表面に犠牲膜３を形成した後、レジストマスク１１を介して垂直な方向からイオン注入を行い、ローカルチャネル１４を形成する。 - 特許庁

Thereafter, a second impurity of the first conductivity type is ion implanted into the silicon substrate 101 and flash lamp annealing is performed thereon, so that an n-type source-drain region 109 is formed.例文帳に追加

その後、第一導電型の第二不純物をシリコン基板１０１にイオン注入し、フラッシュランプアニールを行うことにより、ｎ型ソース・ドレイン領域１０９を形成する。 - 特許庁

Then, the phosphorus of dose amount 1E13 cm-2 is ion-implanted into the semiconductor substrate 2 with the energy of 50 keV at an angle which does not cause a channeling phenomenon.例文帳に追加

次にドーズ量１Ｅ１３ｃｍ^-2の燐をチャネリング現象を起し得ない角度で且つ５０ｋｅＶのエネルギーで半導体基板２の内部に向けてイオン注入する。 - 特許庁

The following phenomenon is utilized; an FIB-CVD light shielding film 8 with little halo does not grow on a gallium implanted chromium film but can grow on a glass part 6 exposed by etching.例文帳に追加

ガリウムが注入されたクロム膜にはハローの少ないFIB-CVD遮光膜8は成長しないが、エッチングして露出したガラス部6には成長できることを利用する。 - 特許庁

To provide a method for at least partially compensating an undesired effect of the interaction between ions to be implanted and a substrate in a plasma ion implanter.例文帳に追加

プラズマイオン注入装置において、注入されているイオンと基板との間の相互作用の不所望な効果を少なくとも部分的に補償する方法を提供する。 - 特許庁

The process for forming the breaking layer comprises (1) a process for forming an ion implanted layer by implanting ions or (2) a process for forming a porous layer by anodic oxidation.例文帳に追加

破断層を形成する工程は、（１）イオン注入をしてイオン注入層を形成する工程、（２）陽極酸化により多孔質層を形成する工程、をとることができる。 - 特許庁

Ionized Ga and N, which are substances constituting an n-type layer or a p-type layer, are implanted into an ion implantation area 10A under the surface of a sapphire substrate 10.例文帳に追加

サファイア基板１０の表面下のイオン打ち込み領域１０Ａにｎ層またはｐ型層を構成する物質であるイオン化したＧａおよびＮを打ち込む。 - 特許庁

Impurity ions are implanted to the semiconductor layer 12, an insulation film 14 composed of silicon oxide or the like is formed on the semiconductor layer 12 at a temperature of about 500°C or lower.例文帳に追加

半導体層１２に不純物イオンを注入し、その後、半導体層１２の上に約５００℃以下の温度で酸化シリコン等からなる絶縁膜１４を形成する。 - 特許庁

Lastly, the pre-coding layer and the filled layer are used as a mask to implant coding ion, thus the ion is implanted into a code region through the pre-coding hole.例文帳に追加

最後に、プリコーディング層および充填層をマスクとして使用してコーディングイオンの打ち込みが実施され、それによりイオンがプリコーディングホールを通ってコード領域に打ち込まれる。 - 特許庁

Further, after a resist pattern 21 that covers an NMIS region has been formed and the polysilicon germanium film 18 in the PMIS region has been implanted with boron ions, heat treatment for diffusion is conducted.例文帳に追加

ＮＭＩＳ領域を覆うレジストパターン２１を形成した後、ＰＭＩＳ領域のポリシリコンゲルマニウム膜１８にボロンイオンを注入した後、拡散用の熱処理を行う。 - 特許庁

To detect and remove the clogging of a channel to feed insulin at an early stage from a reservoir of the insulin in an intracorporeal implanted type insulin-injecting device.例文帳に追加

体内埋め込み型のインスリン注入装置において、インスリンを蓄えたリザーバから体内にインスリンを供給する流路の詰まりを早期に検知し、これを解消する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device into which ions are implanted without being shielded by a gate electrode, even in a device of high integration degree and high density.例文帳に追加

高集積度・高密度のデバイスであってもゲート電極に遮蔽されることなくイオンを注入することのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Bristles (3, 5, 6, and 7) of this toothbrush are individually implanted into a toothbrush head (2) with the distance from 0.5 to 10 times their diameter therebetween.例文帳に追加

歯ブラシは、ブリッスルを有し、これらブリッスル（３，５，６，７）は、その直径の０．５倍乃至１０倍の距離だけ互いに間隔を置いた状態で歯ブラシヘッド（２）に個々に植設されている。 - 特許庁

At the implantation step S8, the hydrogen ions are implanted into the surface 12b of a semiconductor substrate 12 by energy so as to reach a depth 50 separated from a surface 12b.例文帳に追加

注入工程Ｓ８は、半導体基板１２の表面１２ｂに、その表面１２ｂから離れた深さ５０に到達するエネルギーで水素イオンを注入する。 - 特許庁

A first ion implanting process (a1) implants a bond wafer 1 with ions below a critical dose at the side facing an insulation film 2 to form a peel-expected ion implanted layer 3.例文帳に追加

第１のイオン注入工程（ａ１）で、ボンドウェーハ１の絶縁膜２側から臨界ドーズ量未満のイオンを打ち込むことにより剥離予定イオン注入層３を形成する。 - 特許庁

A communication means 19 of an image providing device 3 communicates with an image printing device 4 that is capable of writing data to an IC chip 112 implanted in the printing medium 111.例文帳に追加

画像供給装置３の通信手段１９は、印刷メディア１１１に埋め込まれたＩＣチップ１１２にデータを書き込むことができる画像印刷装置４と通信する。 - 特許庁

This decorative hair piece 200 for the robot is composed of: a base member 210, a hair material 220 implanted in the base member 210; and a fastening material 230 arranged on a reverse surface of the base member 210.例文帳に追加

ロボット用装飾毛具２００は、ベース部材２１０と、ベース部材２１０に植設された毛材２２０と、ベース部材２１０の裏面に設けられた止着材２３０と、からなる。 - 特許庁

Dopant for control to the p-type and dopant for control to the n-type are implanted in predetermined regions of the surface of the second epitaxial layer 32.例文帳に追加

続いて、上記第２エピタキシャル層３２の表層部の所定の領域に、Ｐ型ヘの制御のための不純物およびＮ型ヘの制御のための不純物が注入される。 - 特許庁

Then, a P-MOS region of a low-breakdown voltage transistor formation region and an N-MOS region of a high-breakdown voltage transistor formation region are covered with a resist mask 8 and boron ions are implanted rotatingly.例文帳に追加

次に、低耐圧トランジスタ形成領域のＰＭＯＳと高耐圧トランジスタ形成領域のＮＭＯＳ領域をレジストマスク８で覆い、ボロンを回転注入する。 - 特許庁

A brush is implanted by nearly 50% of depth W and a half of length W/2 onto the bottom surface, and the tip end of the brush is pressed down to the band-like packaging material 5 with an overlapping space.例文帳に追加

ブラシは深さＷの略５０％の長さＷ／２で底面に植毛され、ブラシの先端を帯状の包材５に重ね代を持って押し付ける。 - 特許庁

Although the n-type impurities are implanted with high concentration into the source-drain regions 39b of a PMOS thin-film transistor via contact holes 47 too, since p-type higher-concentration impurities than the n-type impurities are already implanted into the regions 39b, the source-drain regions 39b are maintained as p-type high-concentration impurity regions.例文帳に追加

ところで、ＰＭＯＳ薄膜トランジスタのソース・ドレイン領域３９ｂにもコンタクトホール４７を介してｎ型不純物が高濃度に注入されるが、当該ソース・ドレイン領域３９ｂにはすでにそれよりも高濃度でｐ型不純物が注入されているため、当該ソース・ドレイン領域３９ｂはそのままｐ型不純高濃度物領域を維持する。 - 特許庁

In this method for controlling the dose amount, by measuring a contact angle to water of crystalline Si, the dose amount of ions implanted to a monitor substrate is estimated, so that the dose amount of ions implanted by the ion implantation device can be controlled using the quick and simple method.例文帳に追加

本発明の実施形態に係るドーズ量管理方法においては、結晶性のＳｉの水に対する接触角を測定することにより、モニタ基板に注入されたイオンのドーズ量を推定するため、迅速かつ簡易的な測定方法を用いて、イオン注入装置によって注入されたイオンのドーズ量を管理することができる。 - 特許庁

During the process of source/drain region formation after the formation of a well region and a gate electrode for the construction of this MOS transistor, Ge or Si ions are first implanted for making amorphous the source/drain forming regions, and then two or more species of impurity ions different in mass number but the same in conductivity type are successively implanted into the regions by using the ion implantation method.例文帳に追加

ＭＯＳ型トランジスタの形成において、ウェル領域、ゲート電極を形成した後、ソース・ドレイン領域を形成する際、Ｇｅ又はＳｉをイオン注入してアモルファス化した後、連続して質量数の異なる２種類以上のイオン種で且つ同じ導電型の不純物をイオン注入法により注入することを特徴とする。 - 特許庁

A process where a C60 fullerene thin film having film thickness of penetration depth of low-energy nitrogen ions is fist vapor-deposited by the flash method and simultaneously low-energy nitrogen ions are implanted by the desired total dose is repeated until the desired thin film thickness is obtained by controlling film deposition rate in the flash method, by which the nitrogen-implanted C60 fullerene thin film can be manufactured.例文帳に追加

本発明は、フラッシュ法による成膜速度調節により、先ずフラッシュ法により低エネルギー窒素イオンの侵入深さ膜厚のC60フラーレン膜を蒸着し、同時に低エネルギーの窒素イオンを所望のドーズ量注入する工程を所望の薄膜厚になるまで繰り返すことにより窒素注入C60フラーレン薄膜を作製する。 - 特許庁

To provide an object body alignment inspection device of an ion implantation system for aligning and disposing an object body, by inspecting whether inclination and a rotation angle of an object body are in the range of a set value for preventing channeling phenomenon, wherein impurity ion to be implanted to an object body is implanted to a set depth or more, and its method.例文帳に追加

対象体に注入される不純物イオンが設定された深さ以上に注入されるチャネリング現象を防止するため、対象体の傾きと回転角が設定値の範囲にあるかどうかを検証し、これを通じて対象体が整列配置されるようにするイオン注入設備の対象体整列検証装置及びその方法を提供する。 - 特許庁

Adjacently to the region, As (rsenic) with a does of 5×1014 cm-2 to 1016 cm-2 is selectively ion implanted in the non-doped polysilicon wiring, n+Poly 20 (n+ polysilicon) which will be n+ layer 15 and n-type diode is simultaneously formed, and a length of the polysilicon wiring in which the ion is implanted is formed 1 μm to 15 μm.例文帳に追加

また、前記の箇所と隣接してノンドープのポリシリコン配線１１に、ドーズ量が５×１０^14ｃｍ^-2〜５×１０^16ｃｍ^-2のＡｓ（ヒ素）２９を選択的にイオン注入して、同時にｎ^+ 層１９とｎ型ダイオードになるｎ^+ Ｐｏｌｙ２０（ｎ^+ ポリシリコン）を形成し、イオン注入するポリシリコン配線１１の長さは１μｍ〜１５μｍとする。 - 特許庁

By using the threshold voltage model where the profile of the channel direction is linearly approximated using the length by which an implanted pocket has soaked into a channel direction and a maximum impurity concentration in the implanted pocket as physical parameters, and by solving the model analytically using a new threshold condition in consideration of a nonuniform profile, the threshold voltage can be found precisely.例文帳に追加

チャネル方向の注入ポケットの染み出し長と注入ポケットの最高不純物濃度とを物理パラメータとして、チャネル方向のプロファイルを線形近似したしきい値電圧モデルを用い、不均一なプロファイルを考慮した新たなしきい値条件を用いて、モデルを解析的に解くことにより、しきい値電圧を適確に求めることができる。 - 特許庁

In the method including thinning of an active layer wafer after laminating the active layer wafer and a supporting layer wafer, when oxygen ion is implanted to the active layer wafer, oxygen ion is implanted with a dose amount of 5×10^15 to 5×10^16 atoms/cm^2 while the temperature of the active layer wafer is maintained at 200°C or lower.例文帳に追加

活性層用ウェーハと支持層用ウェーハを貼り合わせたのち、活性層用ウェーハを薄膜化することからなる貼り合わせウェーハの製造方法において、 活性層用ウェーハに酸素イオンを注入するに際し、該活性層用ウェーハの温度を200℃以下に保持した状態で、ドーズ量：５×10^15〜５×10^16atoms/cm^2の条件で酸素イオンを注入する。 - 特許庁

An inner edge 153 of the annular pattern is positioned at least on an inner circumferential side of an inner edge of a region where a first outer circumferential region 102b into which impurity ions of a first conductivity type are implanted in a previous process and a second outer circumferential region 102c into which impurity ions of a second conductivity type are implanted overlap with each other.例文帳に追加

円環状のパターンの内縁１５３が、少なくとも、その前の工程で第１導電型の不純物イオンが注入された第１の外周領域１０２ｂおよび第２導電型の不純物イオンが注入された第２の外周領域１０２ｃが重なる領域の内縁よりも内周側に位置するように形成される。 - 特許庁

In the semiconductor device, in which the threshold voltage of a MOSFET is controlled with ions 112 implanted in an SOI layer 104, the concentration peak value of threshold voltage control ions 112 is implanted in the concentration distribution located at the position between the 1/2 depth position (1/2TSOI) of the SOI layer 104 and the lower interfacial position (TSOI) of the SOI layer 104.例文帳に追加

ＳＯＩ層１０４に注入されたイオン１１２によりＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧が制御される半導体装置において，しきい値電圧制御イオン１１２は，その濃度ピーク値がＳＯＩ層１０４の１／２深さ位置（１／２Ｔ_ＳＯＩ）とＳＯＩ層１０４の下部界面位置（Ｔ_ＳＯＩ）との間に位置する濃度分布で注入されている。 - 特許庁

The method of forming the semiconductor device comprises the steps of forming the protective layer on a semiconductor layer; implanting an ion having a first conductivity type into the semiconductor layer through the protective layer for forming the implanted region of the semiconductor layer; and annealing the semiconductor layer and the protective layer for making the implanted ions activate.例文帳に追加

半導体デバイスを形成する方法が、半導体層の上に保護層を形成するステップと、半導体層の注入領域を形成するために、第１の導電性タイプを有するイオンを保護層を通して半導体層内に注入するステップと、注入されたイオンを活性化させるために、半導体層および保護層をアニーリングするステップとを含む。 - 特許庁

A cardiac pacing system 100 includes a leadless cardiac pacemaker 102 that contacts electrically with a cardiac muscle 104 of a heart chamber, is implanted, and is composed to perform leadless pacing.例文帳に追加

本発明に係る心臓ペーシングシステム１００は、心腔の心筋１０４と電気的に接触して植え込まれ、リードレスペーシングを行うように構成されたリードレス心臓ペースメーカー１０２を備える。 - 特許庁

Plural vibration damping materials 30 are arranged in an outer peripheral part of the intermediate member 13, and a bolt 25 of a fixing tool is implanted in a surface of a cooling vessel (a stationary object) 2 corresponding to these vibration damping materials.例文帳に追加

中間部材13の外周部には複数個の振動減衰材30が設置され、これと対応する冷却容器（静止物）2の表面には固定具のボルト25が植え込まれている。 - 特許庁

Also, an interlayer insulating film is formed on the surface of the p-type silicon substrate 1, a contact hole is made, ions are implanted, and the substrate 1 is subjected to heat treatment to form a heavily-doped n-type diffused layer.例文帳に追加

また、ｐ型シリコン基板１の表面に層間絶縁膜を形成し、コンタクト孔を開口しイオン注入し、熱処理を行い高不純物濃度ｎ型拡散層を形成する。 - 特許庁

The bottom material improvement method is implemented in a manner that, after laying a biodegradable sealing sheet 12 on the surface of a sludge layer 14, ceramic balls 20 in which aerobic and anaerobic bacteria are implanted are driven into the sludge layer 14.例文帳に追加

生分解性を有するシールシート１２を汚泥層１４の表面に敷設した後、好気性及び嫌気性菌を着床させたセラミックボール２０を汚泥層１４の中に打ち込む。 - 特許庁

A part of an implanted part 4b is protruded from the peripheral part 2b so that the gauge function for a hole wall during drilling can be added to the tip 4 inside the fitting hole 5.例文帳に追加

この装着穴５内の超硬チップ４は、植え込み部分4bの一部が前記外周部分2bから突出することにより、穿孔時の穴壁に対するゲージ機能が付加される。 - 特許庁

Each rolling element 16 of the rolling bearing 10 is made of PTFE or any other resin 16a having self-lubricating performance, and in its surface a ceramic substance 16b in fine particles is implanted dispersively.例文帳に追加

転がり軸受１０の転動体１６を、ＰＴＦＥその他の自己潤滑性を有する樹脂１６ａで形成させ、かつ、その表面に微細なセラミックス１６ｂを分散して植え込む。 - 特許庁

To provide a novel insulin-secreting beta cell line capable of being implanted in a human organ so as to secret a biological product which the cell line normally secrets under a culturing condition.例文帳に追加

培養条件下においてその細胞系が通常分泌する生物学的物質をヒトの臓器に移植されても分泌可能な新規のインシュリン分泌β細胞系を提供する。 - 特許庁

The stent body is fitted in the outer surface of a rod-like body as an assembly, which is implanted in the living body, and a connective tissue body is formed on the outer surface of the assembly.例文帳に追加

棒状体の外周にステント本体を嵌合させるようにして装着してアッセンブリとし、このアッセンブリを生体に埋入し、アッセンブリの外周に結合組織体を形成する。 - 特許庁

Arsenic ions are implanted in a silicon substrate 11 in a state that a substrate temperature is kept at a low temperature of 100°C or lower and thereafter, a heat treatment is performed to form source/drain diffused layers 16 in the substrate 11.例文帳に追加

基板温度を１００℃以下の低温に保った状態で、シリコン基板１１に砒素イオンを注入した後、熱処理を行ってソース／ドレイン拡散層１６を形成する。 - 特許庁

An invoice making module 262 provided in the remote expert data center receives identification information on the individual medical instruments implanted in the patient to make an invoice in which the individual medical instruments are written.例文帳に追加

リモート・エキスパート・データ・センターに装備されたインボイス作成モジュール２６２が、患者に植込まれた個々の医用機器の識別情報を受取り、個々の医用機器を記入したインボイスを作成する。 - 特許庁