「implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

In the ion doping system, except for special case, the ion accelerated by an electrical field is implanted onto the surface of the substrate approximately vertically even though with slight fluctuation.例文帳に追加

イオンドーピング装置において、電界で加速されるイオンは、特別な場合を省き配置される基板表面に対し、僅かなゆらぎがあるもののほぼ垂直な角度で入射する。 - 特許庁

(a) An insulating layer 12 is formed on a single crystal Si substrate 11, and (b) an ion implanted layer 13 is formed by implanting the substrate 11 with ion through the insulating layer 12.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基板１１の上に絶縁層１２を形成し（ａ）、絶縁層１２を通して基板１１中にイオンを注入してイオン注入層１３を形成する（ｂ）。 - 特許庁

Indium ions, whose implantation energy is about 70 keV and implantation dose amount is about 1×10^13/cm^2, are implanted to a channel formation region of a semiconductor substrate 11 in several times.例文帳に追加

半導体基板１１のチャネル形成領域に、注入エネルギーが約７０ｋｅＶで注入ドーズ量が約１×１０^13／ｃｍ^2 のインジウムイオンを複数回に分けてイオン注入する。 - 特許庁

A method is also provided for the formation of shallow junctions in a semiconductor substrate by diffusion of dopant from an implanted layer contained within a dielectric layer into the semiconductor surface.例文帳に追加

ドーパントを、誘電体層の中に含まれる注入層から半導体表面に拡散させることにより、浅い接合部を半導体基板に形成する方法が提供される。 - 特許庁

Ions are implanted from the flat surface 20a of a piezoelectric body 20 to form an ion implantation layer 22 in a region of a prescribed depth from the surface 20a inside the piezoelectric body 20.例文帳に追加

圧電体２０の平坦な表面２０ａからイオンを注入して、圧電体２０内において表面２０ａから所定の深さの領域にイオン注入層２２を形成する。 - 特許庁

The stent body is fittedly mounted on the rod-shaped outer circumference to form an assembly, and the assembly is implanted into a living body to form the connective tissue body around the outer circumference of the assembly.例文帳に追加

棒状体の外周にステント本体を嵌合させるようにして装着してアッセンブリとし、このアッセンブリを生体に埋入し、アッセンブリの外周に結合組織体を形成する。 - 特許庁

To provide an accessory with which a person can get more information about a method for setting an implanted medical apparatus in a body, data and so on, and which can be taken along easily.例文帳に追加

体内入込式の医療具の取付方法やデータ等を、さらに、多く知ることができるようにすると共に、容易に携帯できるようにした装飾品を提供すること。 - 特許庁

Some embodiments of the device alter the configuration in areas that remain external to the tissue 306, while other embodiments change their configuration in areas that are implanted in the tissue.例文帳に追加

組織補足装置の幾つかの実施態様は組織３０６の外部に残る領域で形態を変更し、一方他の実施態様は組織内に移植された領域で形態を変更する。 - 特許庁

In the N-type diffused source and drain layers 20, there is formed P-type impurity-implanted regions 19 having a P-type impurity concentration lower than that of the N-type diffused source and drain layers 20.例文帳に追加

Ｎ型ソース・ドレイン拡散層２０の内部には、Ｐ型不純物濃度がＮ型ソース・ドレイン拡散層２０よりも低いＰ型不純物注入領域１９が形成されている。 - 特許庁

To provide an ophthalmic ultrasonic diagnostic apparatus for more correctly measuring an eye axial length by reducing a probability to erroneously detect a retina reflection echo in an IOL (intraocular lens) implanted in the eye.例文帳に追加

ＩＯＬ挿入眼における網膜反射エコーの誤検出の可能性を低減し、より正確な眼軸長の測定を可能にする眼科用超音波診断装置を提供する。 - 特許庁

Various methods, such as heat ray detection by a thermocouple, optical fiber thermometer and IR camera may be used according to the kinds of the sterile container for measuring of the surface temperature of the implanted bone.例文帳に追加

移植骨の表面温度の測定には、無菌容器の種類に応じ、電熱対、光ファイバ温度計、赤外線カメラによる熱線感知など種々の方法を使用することができる。 - 特許庁

The material of the side plates 3b with the contact pads 3d implanted by a two-color molding method is the same material as a hard component of the elastomer material of the pads 3d.例文帳に追加

当接パッド３ｄが２色成形法により植設される側板３ｂの材料は、当接パッド３ｄの材料であるエラストマのハード成分と同じ材料が用いられている。 - 特許庁

In an insulating film formation process, an insulating film 601 is formed in the trench 102 to which the n-type dopant is implanted by the implantation process by using a viscous insulating application material.例文帳に追加

絶縁膜形成工程は、注入工程によってｎ型不純物が注入されたトレンチ１０２内部に、粘性の絶縁塗布材料を用いて絶縁膜６０１を形成する。 - 特許庁

Since a bristle material 88 is implanted densely at the outer peripheral edge of a main body 80 of the rice washing brush 42 of the dry rice washing machine 10, the adjacent bristles made of the bristle material 88 are made to reinforce one another.例文帳に追加

乾式研米機１０の研米ブラシ４２では、ブラシ本体８０の外周縁に毛材８８が密集して植毛されているので、毛材８８同士が相互に補強し合う。 - 特許庁

After an STI implanted insulation film 17 is deposited and planarized by CMP, a flat surface is obtained by etching of the stopper nitride film 16 and the insulation film 17 by constant velocity RIE, and a second polycrystalline silicon film 18 is deposited on the flat surface (e).例文帳に追加

シリコン膜１３、第１の多結晶シリコン膜１５の側面に逆テーパー面（テーパー角θが鈍角）が形成されるようにエッチングして素子分離溝を形成する。 - 特許庁

To provide a scale removing method for surely and easily removing scales adhered and deposited on a wheel implanted part by simple operation and a steam turbine to which the method is applied.例文帳に追加

ホイール植込み部等に付着、堆積したスケールを簡易な作業にして確実かつ容易に除去するスケール除去方法およびこの方法を適用する蒸気タービンを提供する。 - 特許庁

The centralizer for an intramedullary stem of an orthopaedic component which is suitable for being implanted into the medullary canal of a bone includes an annular main body having an inner surface and an outer surface.例文帳に追加

骨の骨髄管の中に移植するに適した整形外科用構成要素の髄内ステムのためのセントラライザーに、内側表面と外側表面を有する環状本体を含める。 - 特許庁

To provide an intraocular lens implantation instrument which stores an intraocular lens in a state in which the lens is set in the implantation instrument and enables the lens to be implanted in an eye without difficulty.例文帳に追加

眼内挿入用レンズを挿入器具内に設置した状態で保管することができ、しかもレンズを無理なく挿入できるようにした眼内レンズの挿入器具を提供する。 - 特許庁

When hydrogen ions are implanted into a predetermined depth of the semiconductor substrate, a hydrogen gas is introduced into a container 37 with inside pressure reduced and with a predetermined magnetic field formed; microwaves MV are introduced into the magnetic field to generate plasma; a hydrogen ion beam IB containing hydrogen molecule ions is extracted from the plasma; and the hydrogen molecule ions are applied to and implanted into the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の所定深さに水素イオンを注入する際に、内部が減圧されており且つ所定磁場が形成された容器３７内に水素ガスを導入し、磁場内にマイクロ波ＭＷを導入してプラズマを生成させ、このプラズマ中から水素分子イオンを含む水素イオンビームＩＢを引き出し、水素分子イオンを半導体基板に照射して注入する。 - 特許庁

A second ion implanting process (c1) implants the additional function layer 4 with ions at its surface as much as the total dose in the first and second planting processes exceeding the critical dose at the same deposition depth position as that in the first ion implanting process, thus making the peel-expected ion implanted layer 3 into a peeling ion implanted layer 3'.例文帳に追加

第２のイオン注入工程（ｃ１）で、付加機能層４の表面側から第１のイオン注入工程でイオン注入されたのと同じ深さ位置となるように、第１のイオン注入工程でイオン注入されたドーズ量と合わせて臨界ドーズ量以上となるドーズ量のイオンを打ち込むことにより剥離予定イオン注入層３を剥離用イオン注入層３’とする。 - 特許庁

In a method of manufacturing a gate insulating film 20, which is interposed between a semiconductor substrate 4 and a gate electrode 22, nitrogen 12-containing ions are implanted in a region, which is formed with the gate insulating film, on the substrate 4 and an insulating film 18 consisting of a high-dielectric constant material is formed within the region implanted with ions to contrive to manufacture the film 20.例文帳に追加

半導体基板４とゲート電極２２の間に介在するゲート絶縁膜２０を製造する方法において、ゲート絶縁膜を形成する半導体基板の領域に窒素元素１２を含むイオンを注入し、イオンを注入した注入領域内に高誘電率材料からなる絶縁膜１８を形成してゲート絶縁膜２０を製造することとした。 - 特許庁

When regions 6a and 6b, where the impurities of different concentration or the impurities of different types are partially implanted, exist in a polysilicon film 6 formed on a semiconductor substrate as shown in Fig. (b), the impurities of high etching rate are implanted (6c) in an etched region after a lithographic process for patterning a gate electrode, and the etching rate is made uniform.例文帳に追加

図３（ｂ）に示すように、半導体基板上に形成されたポリシリコン膜（６）に部分的に異なる濃度の不純物または異なる種類の不純物が注入された領域（６ａ及び６ｂ）がある場合に、図３（ｃ）に示すゲート電極をパターニングするためのリソグラフィー工程の後、エッチングする領域にエッチングレートの大きな不純物を注入し（６ｃ）、エッチングレートの均一化を図る。 - 特許庁

Thus, there is provided an SOI substrate provided with the implanted insulation layer 5 on the bottom surface of the trench 30, the P+type implanted collector layer 6, the Ntype buffer layer 7, the Ntype drift layer 8a and the like which are exposed on the substantially same level plane.例文帳に追加

埋め込み絶縁膜５上をポリシリコン膜３で被覆し、該ポリシリコン膜３と絶縁膜２を介してＰ型半導体基板１を貼り合わせた後、ダミー半導体基板１６を除去し、略同一平面状に露出するトレンチ３０底面の埋め込み絶縁膜５、Ｐ＋型埋め込みコレクタ層６、Ｎ型バッファ層７、Ｎ型ドリフト層８ａ等を具備するＳＯＩ基板を形成する。 - 特許庁

This method of recovering artificial lawn including a foundation cloth, a plurality of turf leaves implanted in the foundation cloth, and a filled layer formed by filling the gaps between the implanted parts of the turf leaves with granular substances includes a reduction step of thermally shrinking the turf leaves to reduce the lengths of the turf leaves by heating the projecting portions of the turf leaves projecting from the upper surface of the filled layer.例文帳に追加

基布と、この基布に植設させた複数の芝葉と、この芝葉の各植設部の間に粒状物を充填させて形成させた充填層を備えた人工芝生の回収方法であって、前記充填層の上面より突出した前記芝葉の突出部分を加熱して、前記芝葉を熱収縮させて該芝葉の長さを減縮される減縮工程を設ける。 - 特許庁

A semiconductor device, having an implanted structure, prevents impurity atoms from bouncing out of P-type diffused layers 4 and 5 as implanted layers with an N-type thin film layer 8 as an reverse conductivity type or prevents forming the inverted layer at the channel part, by canceling the bounced out P-type impurity atoms by the N-type atoms as the reverse conductivity type.例文帳に追加

埋め込み構造を有する半導体装置において、埋め込み層であるＰ型拡散層４及び５からの不純物原子の飛び出しを反対導電型であるＮ型の薄膜層８により防止し、あるいは飛び出したＰ型の不純物原子を反対導電型であるＮ型の原子で相殺することによって、チャンネル部の反転層の形成を防止する。 - 特許庁

A polycrystalline group IV semiconductor layer 2 is deposited on an insulating substrate 1, ions of any one of group IV element or rate gas element 3 are implanted at least into a source/drain formation region and a channel formation region in the layer to amorphize the region, and then ions of conduction type determining impurities 5 are implanted into the amorphized source/drain formation region of the group IV semiconductor layer 4.例文帳に追加

絶縁性基板１上に多結晶ＩＶ族半導体層２を堆積したのち、少なくともソース・ドレイン形成領域及びチャネル形成領域にＩＶ族元素或いは希ガス元素３のいずれかをイオン注入してアモルファス化したのち、アモルファス化したＩＶ族半導体層４のソース・ドレイン形成領域に導電型決定不純物５をイオン注入する。 - 特許庁

To provide an artificial tooth root implant capable of being fixed promptly after implanted in a jawbone, or an artificial bone implant capable of being fixed promptly after implanted in a living body, which enable a new bone growing on a surface of the implant to reach inside of the surface of the enlarged implant so as to be more fixed thereon and prevent bone resorption over time caused by stress shielding of the new bone.例文帳に追加

本発明の課題は人工歯根インプラントは顎骨に埋入植立後、人工骨インプラントは生体内に埋入後早期に定着し、更にインプラント表面に成長する新生骨は拡大したインプラント表面内部にまで及び固定を強固なものとし、該新生骨のストレスシールディングによる経時的骨吸収が起らないようにすることにある。 - 特許庁

The method is a method for introducing a drug into an implanted tissue or an organ's implant, and comprises applying the drug to the implanted tissue or the organ's implant and then irradiating a light absorptive product with laser beam to induce stress wave to apply to the implant, wherein the light absorptive product is disposed near by the implant and is made of a substance capable of absorbing laser beam to generate stress wave.例文帳に追加

移植組織または臓器の移植片に薬剤を適用し、該移植片の近傍に配置した光吸収体であってレーザー光を吸収し、応力波を発生し得る物質でできた光吸収体へレーザー光を照射し誘起された応力波を前記移植片へ適用することを含む、薬剤を移植組織または臓器の移植片に導入する方法。 - 特許庁

When oxygen is ion-implanted to a wafer 10 for an active layer, the hydrogen is ion-implanted inside an oxygen ion implantation peak area 10a thereafter and the oxygen ion implantation peak area 10a and a hydrogen ion implantation peak area 10d are matched, the hydrogen and the oxygen react inside the wafer 10 for the active layer at the time of the exfoliation heat treatment at 1,100°C and steam bubbles are generated.例文帳に追加

活性層用ウェーハ１０に酸素をイオン注入し、その後、酸素イオン注入ピーク領域１０ａ内に水素をイオン注入し、酸素イオン注入ピーク領域１０ａと水素イオン注入ピーク領域１０ｄとを合致させれば、１１００℃での剥離熱処理時、活性層用ウェーハ１０内で水素と酸素とが反応し、水蒸気バブルが発生する。 - 特許庁

To reduce the number of PEPs, improve throughput, and reduce the cost by simultaneously implanting impurities into a capacity region and each region of the source and drain of each N-type and P-type TFT, by utilizing features that an original impurity conductivity-type stays even if an opposing impurity is implanted into an already implanted impurity region in the manufacturing process of a TFT array.例文帳に追加

ＴＦＴアレイの製造過程にあって、既に注入済の不純物領域に、後から相対する不純物を注入しても、元の不純物導電型のままであるという特徴を生かして、容量領域とＮ型、Ｐ型の各ＴＦＴのソース、ドレインの各領域の不純物注入を同時に行うようにしてＰＥＰ数を低減し、スループットを向上し併せてコストを低減する。 - 特許庁

The method includes steps of: implanting dopant atoms of a first conductivity type into a first surface of a conductive silicon carbide wafer having the same conductivity type as implanting ions at one or more predetermined dopant concentrations and implant energies to form a dopant profile; annealing the implanted wafer; and growing an epitaxial layer on the implanted first surface of the wafer.例文帳に追加

１つ以上の所定のドーパント濃度及び注入エネルギーで、注入イオンと同じ導電型を有する導電性炭化珪素ウェーハの第一表面中に第一導電型のドーパント原子を注入して、ドーパントプロファイルを形成する工程、その注入されたウェーハをアニールする工程、及びそのウェーハの注入第一表面上にエピタキシャル層を成長させる工程を含む。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing MOS-FET semiconductor device which makes a concentration of impurity of a surface side of channel area of a perfect depletion type SOI layer higher than that of an implanted insulating film side.例文帳に追加

完全空乏型ＳＯＩ層のチャネル領域の表面側の不純物濃度が、埋め込み絶縁膜側に比べて高濃度となるＭＯＳ−ＦＥＴ半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A brush body 1 on which brushes 2 are implanted and forming a part of a handle and a narrow and long case 3 formed its one side into an open face are foldably connected at mutual one ends via a pivot 6.例文帳に追加

ブラシ２を植設し柄の一部を形成するブラシ本体１と、一方の側面を解放面にした細長いケース３とを、一方端相互を枢軸６を介して折り畳み可能に連結する。 - 特許庁

In an S/D extension region forming process which is carried out after a gate electrode 4 is formed, a PMOS region is covered with a resist 5, As or P ion implanted into an NMOS region at a low acceleration speed.例文帳に追加

ゲート電極４が形成された後のＳ／Ｄエクステンション領域形成工程において、ｐＭＯＳ領域をレジスト５で覆い、ｎＭＯＳ領域にＡｓまたはＰの低加速注入を行う。 - 特許庁

The eccentric level of a molding tool itself is set to be close to 0 by increasing the precision of manufacturing and assembling the constituent members of the molding tool, when microholes are perforated in the molded product by pins implanted in the molding tool.例文帳に追加

金型に設けられたピンによって成形品に微小な孔を穿設する時に、金型の構成部材の製作精度および組み立て精度を高くして金型自体の偏心量を０に近付ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which is capable of dispensing with a process such as a resist separating process where the surface of a silicon substrate is liable to be oxidized, by a method wherein a natural oxide film is removed when ions are implanted.例文帳に追加

イオン注入時に自然酸化膜を除去しておき、レジスト剥離工程等のシリコン基板表面が酸化され易い工程を省略可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a subcutaneously implanted type body fluid flow volume regulator capable of surely adjusting the flow volume of body fluid flowing through a flow path to an appropriate volume and preventing the generation of excessive drainage.例文帳に追加

流路を流れる体液の流量を確実に適正な大きさに調整することができ、過排液が生ずることを防止することできる皮下埋設型体液流量調整装置を提供すること。 - 特許庁

Then, by using the photoresist 30 for an implantation mask, N-type impurities 31 such as phosphorus are vertically implanted under an implantation condition that energy is 300 to 700 keV and a dosage is 1E12 to 1E14 ions/cm^2.例文帳に追加

次に、フォトレジスト３０を注入マスクに用いて、リン等のＮ型不純物３１を、エネルギーが３００〜７００ｋｅＶ、ドーズ量が１Ｅ１２〜１Ｅ１４ions／ｃｍ^2の注入条件で垂直注入する。 - 特許庁

In the toothbrush 1 provided with a head 20 having a brush 22 implanted radially around a shaft 21, the short edge of a head 20 has a length of 10 to 25 mm, and a long edge has a length of 30 to 40 mm.例文帳に追加

軸２１の周囲に刷毛２２を放射状に植設してなる頭部２０を備えた歯ブラシ１において、頭部２０の短辺が１０〜２５ｍｍおよび長辺が３０〜４０ｍｍの大きさを有する。 - 特許庁

This wig base implanted with human hair or artificial hair is obtained by forming at least part of the wig base with interknitted yarns which are made by interknitting at least three yarns each other.例文帳に追加

本発明によれば、人毛又は人工毛が植毛されるかつらベースにおいて、かつらベースは、三本以上の糸を互いに編み込んでなる編み込み糸で少なくとも一部が形成されている構成とした。 - 特許庁

A biological tissue catching machine (10) having a housing (12) equipped with a fluid holding internal chamber having come to hold a fluid permeable tissue support body (16a), in which a living body can be implanted, is offered.例文帳に追加

生体植込み可能な流体透過性組織支承体（１６ａ）を保持するようになった流体保持内部チャンバを備えるハウジング（１２）を有する生物学的組織捕集器械（１０）が提供される。 - 特許庁

To provide a substrate for a bio chip in which a high-purity nanometer- microchip diamond membrane can be bonded to a basic material and to which a gene or a protein is implanted and to provide a method of manufacturing the substrate.例文帳に追加

基本材料に高純度を有するナノメートル・マイクロチップのダイヤモンド薄膜を付着できる遺伝子又は蛋白質を着床した生物チップの基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

After the crystal condition on the surface of a substrate 1 has been brought into a turbulent state, impurity ions for the formation of a source/ drain diffused layer 6 are implanted to a depth equal to or deeper than the layer whose crystal condition is disturbed.例文帳に追加

基板表面の結晶状態を乱した後、ソース／ドレイン拡散層のための不純物を結晶状態が乱された層と同等もしくはそれ以上の深さまでイオン注入する。 - 特許庁

The filaments 11 have low rigidity and are obliquely implanted, thereby softening their touch on the glass panel 20 and eliminating the risk of applying an excessive stress to the glass panel 20.例文帳に追加

フィラメント１１は剛性が低く、斜めに植毛されているため、フィラメント１１のガラスパネル２０に対する当たりを柔らかくすることができ、ガラスパネル２０に過大な応力が負荷されるおそれがない。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device stably having high reliability by restraining contamination from a protective insulating film into which ions are implanted, without exerting a bad influence upon a boundary form between an active region and an element separation region.例文帳に追加

活性領域と素子分離領域の境界形状に悪影響を与えることなく、イオン注入された保護絶縁膜からの汚染を抑え、安定して高い信頼性を有する。 - 特許庁