「implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

The ions are implanted while heating the acceleration electrode to such an extent that an out gas component from the resist does not deposit.例文帳に追加

この原因は、レジスト中に含まれる揮発性の有機成分がビーム・ラインに沿って後段加速部にドリフトして、そこで、比較的低温の加速電極表面に付着するためである。 - 特許庁

To provide an artificial blood vessel, having a prosthetic valve made of a tubular tissue body formed in the periphery of a mandrel implanted in a living body, capable of being easily sutured with a blood vessel.例文帳に追加

生体内へ埋入したマンドレルの周辺に形成される管状の組織体よりなる人工弁を有し、血管との縫合が容易な人工血管を提供する。 - 特許庁

The middle plate 17 has a front side game area Ff and a rear side game area Fr facing the glass plate 16 and game nails 19 are implanted in the whole area of both the faces.例文帳に追加

中板１７は、ガラス板１６と対向する前面側遊技領域Ｆｆと後面側遊技領域Ｆｒとを有し、両面の全域に遊技くぎ１９が植設される。 - 特許庁

The drilling bit 1 is composed of the head 2 and a body 3, and an end face 2a of the head 2 is provided with a fitting hole 5 wherein the button-shaped cemented carbide tip 4 is implanted.例文帳に追加

穿孔用ビット１は、ビット頭部２及び胴部３からなり、ビット頭部２の端面2aには、ボタン状の超硬チップ４を植え込む装着穴５が設けられている。 - 特許庁

A plurality of wire-like base bodies, each of which has a surface coated with a titanium oxide film or the like, are implanted at intervals suitable for irradiating the whole wire-like base bodies with light, on a base plate having many ventilation holes.例文帳に追加

多数の通気孔を設けた基板に表面が酸化チタン膜等で被覆された針金状基体を光が効率的に照射できる間隔で多数植設する。 - 特許庁

Impurity ions are additionally implanted into the surface of the RESURF layer 14, which is lessened in impurity concentration due to the formation of an oxide film for the formation of an additional layer 21.例文帳に追加

酸化膜１８の形成により不純物濃度の低下したＲＥＳＵＲＦ層１４表面側に追加のインプラを行うことにより追加層２１を形成する。 - 特許庁

This lure has a soft plastic-made main body 1, and wire rods 2 made of a harder material than the main body 1 are implanted in a state that an expanded part is formed in the base region of each wire rod 2.例文帳に追加

ソフトプラスチック本体１よりなる疑似餌であって、該疑似餌にソフトプラスチック本体１よりも硬質の材質でなる線材２を植設させた疑似餌である。 - 特許庁

The respective conductive holding bodies to which the conductive fibers have been implanted are installed individually in an image forming device, and the conductive fibers are made close to the photoreceptor to be used as the charge device.例文帳に追加

植毛の済んだ各導電性保持体を個別に画像形成装置内に設置し、導電性繊維を感光体に近接させて帯電器として用いる。 - 特許庁

To provide a method for peeling a resist capable of improving the peelability of the resist existing on the surface of a substrate without requiring an ashing process, particularly the method for peeling the resist having the excellent peelability of the ion-implanted resist.例文帳に追加

灰化工程を必要とせず、基板の表面に存在するレジストの剥離性能を向上させることができるレジスト剥離方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a heat treatment method and a heat treatment apparatus which can prevent the occurrence of a process damage, while suppressing diffusion of an implanted impurity.例文帳に追加

注入された不純物の拡散を抑制しつつもプロセスダメージの発生を防止することができる熱処理方法および熱処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The Pachinko machine 10 is provided with an ornamental structure where spikes can be implanted to its front surface and where an ornament seen from its front surface is provided on a side deeper than the front surface.例文帳に追加

また、パチンコ機１０は、前面に釘を植設可能であり、かつ、前面から視認可能な装飾が前面より奥側に施された装飾体を備えている。 - 特許庁

Afterwards, pre-treatment with HF is applied while utilizing the difference of an etching rate between the N-type impurity high concentration layer 36 and an oxide film 26, to which the N-type impurity is not implanted.例文帳に追加

その後、Ｎ型不純物高濃度層３６とＮ型不純物が注入されていない酸化膜２６とのエッチングレートの差を利用して、ＨＦによる前処理を施す。 - 特許庁

The stencil mask has an opening penetrating two opposing surfaces which intercept ions implanted into a substrate when it is processed, and a transmitting portion 41.例文帳に追加

ステンシルマスクは、基板の処理の際に基板に照射されるイオンを位置選択的に遮断し、相互に対向する２つの面を貫く開口を有し、透過部４１を有する。 - 特許庁

An optical recording medium 10 consists of a quartz substrate 11 and is arranged with an implanted part 13 with thickness of 5nm, for example, near one of the substrate surfaces of the quartz substrate 11.例文帳に追加

光記録媒体１０は、石英基板１１からなり、石英基板１１の一方の板面付近には、たとえば、５ｎｍの厚さの注入部１３が配置される。 - 特許庁

A polycrystalline silicon film 111 is formed on a gate insulating film 110, and an impurity is implanted thereon by masking the regions (120) where the capacitors are to be formed with a resist 193.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１１０上に多結晶シリコン膜１１１を形成し、その容量が形成される領域（１２０）をレジスト１９３でマスクし不純物を注入する。 - 特許庁

At the same time, impurity ions are implanted after a process where a high-melting point silicide is left unremoved, by which the resistive element can be regulated in resistance.例文帳に追加

それと同時に、高融点金属シリサイドを残す工程の後に、不純物のイオン注入を行うことにより、抵抗素子の抵抗値も調整することが出来る。 - 特許庁

Then, the brush is radially implanted from a shaft center on the brush part 72a, and disposed so that its edge is made in contact with the surface of the drum 40.例文帳に追加

また、ブラシ部７２ａは軸心から放射状にブラシが植設されており、該ブラシの先端が感光体ドラム４０の表面に接触するように配設されている。 - 特許庁

When the assembly composed of the mandrel 1 with the skeletal base material 2 is implanted in the living body, a tissue body 3 is attached to the outer surface of the mandrel 1 and the skeletal base material 2.例文帳に追加

骨格基材２付きのマンドレル１よりなるアッセンブリを生体内に埋入すると、マンドレル１及び骨格基材２の外面に組織体３が付着する。 - 特許庁

The first nut 22 is implanted integrally into the first leg section 21a of a pinching member 21, and a check bolt 23 is screwed in the first nut 22 penetrating through the first leg section 21a.例文帳に追加

挟持部材２１の第１脚部２１ａに、第１ナット２２を植え込んで一体化し、第１脚部２１ａを貫通したその第１ナット２２に止めボルト２３をねじ込む。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes a step wherein after P+ ions are implanted into a polysilicon film 7 in an nMOSFET region Rn, a heat treatment is given to diffuse phosphorus into a lower portion of the film 7.例文帳に追加

ｎＭＯＳＦＥＴ領域Ｒｎのポリシリコン膜７に、Ｐ+ のイオン注入を行った後、リンをポリシリコン膜７の下部にまで拡散させるために熱処理を行う。 - 特許庁

To provide a heat treatment method that activates implanted impurities and remedy introduced defects as well, while reducing the damage to a substrate.例文帳に追加

基板に与えるダメージを抑制しつつ、注入された不純物の活性化および導入された欠陥の回復の双方を行うことができる熱処理方法を提供する。 - 特許庁

The water-repellent resin layer 20 is formed over the entire outer circumferential surface of the capacitor element 10 except the tantalum wire 9 and a bottom surface opposed to the surface where the tantalum wire 9 is implanted.例文帳に追加

撥水性樹脂層２０は、コンデンサ素子１０のタンタル線９およびタンタル線９が植立される面に対向する底面を除く全外周面上に形成する。 - 特許庁

With the implanted ions, crystal particles constituting the magnetic layer 13 are fined to improve the coercive force and the strain in the magnetic layer 13 increases the hardness.例文帳に追加

注入イオンにより、磁性層１３を構成する結晶粒子が微細化して保磁力が向上するとともに、磁性層１３内部の歪により硬度が高くなる。 - 特許庁

High-concentration phosphor ions are implanted into the formation area A of a high-speed HBT on a p-type Si substrate 1, and a silicon oxide film 3 is formed on the Si substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型Ｓｉ基板１上の高速用ＨＢＴの形成領域Ａに高濃度のリンイオンを注入した後、Ｓｉ基板１上にシリコン酸化膜３を形成する。 - 特許庁

Thus the impurity ions implanted in the semiconductor wafer 1W are regularly arranged and the variation in the threshold voltage of a MISFET can be suppressed.例文帳に追加

このため、半導体ウエハ１Ｗに注入された不純物イオンは、規則的な配列を有したものとなり、ＭＩＳＦＥＴのしきい値電圧のばらつきを抑制できる。 - 特許庁

Ions are implanted shallow with the gate 106 as a mask, thus forming a shallow doped region 110 as an LDD in the substrate 100 at both sides of the gate 106.例文帳に追加

次にゲート１０６をマスクとして浅イオン注入を施すことにより該ゲート１０６両側の基板１００内にＬＤＤとする浅ドーピング領域１１０を形成する。 - 特許庁

Furthermore, ions are implanted into the epitaxial layer formed in the device formation area 2 and a silicon substrate in the PCM formation area 3, at the same timing and under the same condition.例文帳に追加

ついで、デバイス形成領域２に形成されたエピタキシャル層と、ＰＣＭ形成領域３におけるシリコン基板とに、同条件で、同時期に、イオンを注入する。 - 特許庁

The turbine moving blades 32 are arranged at a downstream side and adjacent to the turbine nozzle 31 and besides include a plurality of moving blades 5 implanted in the circumferential direction of the rotor 13.例文帳に追加

タービン動翼３２は、タービンノズル３１の下流側に隣接配置されるとともに、ロータ１３の円周方向に植設された複数の動翼５を有している。 - 特許庁

Channel ions are implanted in a semiconductor substrate 11 enclosed with an element isolation insulating film 12 for obtaining a desired threshold (13), thereby forming a gate oxide film 14.例文帳に追加

素子分離絶縁膜１２に囲まれた半導体基板１１に所望のしきい値を得るためのチャネルイオン注入を行い（１３）、ゲート酸化膜１４を形成する。 - 特許庁

While the influence of a shadowing operation is reduced by using a process by this invention, impurities are implanted selectively into an integrated circuit which features a reduced size.例文帳に追加

本発明のプロセスを使用して、シャドウイングの影響を低減しつつ、縮小された寸法を特徴とする集積回路に不純物を選択的に注入する。 - 特許庁

Subsequently, the ion is implanted to the element region 5 so as to perform first thermal processing to restore crystalization deteriorated by ion implantation, and second thermal processing for aiming drive-in.例文帳に追加

続いて、素子領域５にイオン注入し、イオン注入によって悪化した結晶性を回復させるための第１熱処理、ドライブインを目的とした第２熱処理を行う。 - 特許庁

As a result, even when implanted to the hypoxic environment of the ischemic myocardium or the like, the stem cell is maintained in a healthy state without being destroyed, and the lesion is healed.例文帳に追加

その結果、虚血心筋のような低酸素環境に移植されても幹細胞を死滅させることなく健全な状態に維持して、疾患部を治癒させることができる。 - 特許庁

Then, ions are implanted through the contact hole 10, and low resistance regions 15a-15c (regions where impurities are introduced in a high concentration) are formed on the polysilicon resistance layer 4.例文帳に追加

次に、コンタクトホール１０を介して、イオン注入し、ポリシリコン抵抗層４上に低抵抗領域１５ａ〜１５ｃ（高濃度に不純物が導入された領域）を形成する。 - 特許庁

Substance for forming conductive fine particles are implanted in the insulator 250 through a negative ion implanting method for the formation of the conductive fine particles 260.例文帳に追加

導電性微粒子２６０は、絶縁体２５０中に、上記導電性微粒子を形成するための物質を負イオン注入法によって注入して形成される。 - 特許庁

Phosphorus ions (P^+) are implanted at comparatively high implantation energy and at an inclination angle of 0°, and a second deep source region 36a and a second deep drain region 36b are formed.例文帳に追加

次に、リンイオン（Ｐ^+）を、比較的高い注入エネルギー，かつ傾き角０°で注入して、深い第２のソース領域３６ａ及び第２のドレイン領域３６ｂを形成する。 - 特許庁

An oxide film 17 is formed on the surface of an electrode 15 and ion implantation is carried out in the surface of the oxide film 17 to form a carbon-enriched ion implanted film 18.例文帳に追加

電極１５の表面には酸化膜１７を成膜し、酸化膜１７の表面にイオン注入を行ってカーボンリッチ状態のイオン注入膜１８とした。 - 特許庁

Ions are then implanted into the surface of the diffused layer and into the surface of the gate electrode for the formation of amorphous layers on the surface of the diffused layer and on the surface of the gate electrode.例文帳に追加

その後、拡散層表面と、前記ゲート電極表面とに、イオンを注入し、拡散層表面と、ゲート電極表面とに、非晶質層を形成する。 - 特許庁

A resist is applied on a silicon substrate 10, ions are implanted into a source region 18 and a drain region 22, and a gate region 20 is formed by diffusion of ions through thermal treatment.例文帳に追加

シリコン基板１０上にレジストを塗布してソース領域１８、ドレイン領域２２にイオン注入し熱処理によりイオン拡散してゲート領域２０を形成する。 - 特許庁

The thickness of the emitter electrode is set in such a manner that boron implanted in the emitter electrode 50 does not diffuse in the emitter electrode 50 to reach an emitter-base joint.例文帳に追加

エミッタ電極の厚みは、エミッタ電極５０に注入されたボロンがエミッタ電極５０内を拡散して、エミッタ−ベース接合部まで達しないように設定されている。 - 特許庁

A single layer of ions is implanted into a film surface and the material between the surface and the ion implantation layer is etched away without annealing the substrate.例文帳に追加

本発明の方法はフィルムの表面内にイオンの単一層を注入し、基板をアニールすることなく、表面とイオンの注入層との間の材料をエッチングで除去する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser having a structure can reduce a barrier against electrons implanted in an active layer, in a semiconductor laser formed on a p-type substrate.例文帳に追加

ｐ型基板に形成される半導体レーザにおいて、活性層に注入される電子に対する障壁を低減可能な構造を有する半導体レーザを提供する。 - 特許庁

An ion implanted layer 14 is formed by implanting the first substrate 11 with ion and the buffer layer is removed by using the insulating layer as a self stop layer.例文帳に追加

また、バッファー層１３から第１の基体１１内にイオンを注入し、イオン注入層１４を形成し、バッファー層を絶縁層をセルフストップ層として除去する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which ion implantation is ensured even when ions are implanted into the side surface of a bipolar transistor arranged in the different direction.例文帳に追加

異なった向きに配置されるバイポーラトランジスタの側面へのイオン注入時にも、確実なイオン注入を行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, non-impurity ion species, i.e., hydrogen ions, are implanted in order to form an amorphous layer 40 at the surface layer part of the p type base region 3.例文帳に追加

そしてさらに、水素等の不純物とならないイオン種をイオン注入し、ｐ型ベース領域３の表層部をアモルファス化させてアモルファス層４０を形成する。 - 特許庁

To remove particle or the like adhering to a surface of a semiconductor wafer by using an ion implantation device when element ion is implanted from the surface of the semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェーハの表面から元素イオンを注入する際に、半導体ウェーハの表面に付着したパーティクルなどをイオン注入装置を用いて除去する。 - 特許庁