「implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an SIMOX (Separation by Implanted Oxygen) substrate where pit-like defect generation on a silicon layer surface is extremely small, and further an SIMOX substrate which has a sufficient gettering site inside.例文帳に追加

シリコン層表面のピット状欠陥発生のきわめて少ないＳＩＭＯＸ基板、およびさらに内部に十分なゲッタリングサイトを有するＳＩＭＯＸ基板の提供。 - 特許庁

The endoprosthesis I for the anatomical canal is provided with a plurality of protrusions 3 on the outer surface of a wall of the endoprosthesis, and implanted at an impaired part in the canal.例文帳に追加

解剖学的管路用の内部人工器官Ｉであって、該器官の壁の外表面に複数の突起３を備え、損傷している管路内の部位に装着される。 - 特許庁

To provide a technique by which a plurality of impurity implanted regions having different impurity concentrations can be formed on a semiconductor substrate without carrying out a photolithography process a plurality of times.例文帳に追加

複数回のフォトリソグラフィ工程を実施することなく、半導体基板に不純物濃度が異なる複数の不純物導入領域を形成可能な技術を提供する。 - 特許庁

To achieve both complete removal of a trap film of a bit line contact part and securing of a sufficient remaining amount of an implanted filling insulating film between a memory cell portion and a gate electrode.例文帳に追加

ビット線コンタクト部のトラップ膜の完全な除去とメモリセル部のゲート電極間の埋め込み充填絶縁膜の十分な残存量確保とを両立する。 - 特許庁

To provide a method, a device, and a chemical substance for minimizing the effects of undesirable chemical changes to a resist when removing an ion implanted resist.例文帳に追加

イオン注入されたレジストを除去する際に、レジスト生じた好ましくない化学的変化の影響を小さくできる方法、装置および化学物質を提供すること。 - 特許庁

Into a p-layer region 107 constituted of a non-doped GaAlN layer 105 and a non-doped GaN layer 106, first, a p-type dopant is implanted by an ion implantation.例文帳に追加

ノンドープＧａＡｌＮ層１０５とノンドープＧａＮ層１０６から構成されるｐ層領域１０７に対し、まず、イオン注入によりｐ型ドーパントを注入させる。 - 特許庁

To provide a medical device for curing various clinical conditions of spondylus, or a device used for curing spinal canal stenosis, the device being implanted between neighboring spinous processes.例文帳に追加

脊椎の諸病態の治療用の医療装置、すなわち、脊柱管狭窄症の治療に使用される、隣接する棘突起の間に植え込まれる装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of processing substrate which does not leave a stained portion on a final workpiece, even if ion-implanted portion remains therein.例文帳に追加

イオン注入した部分が残留しても最終加工物に染色された部分が残らない基板加工方法および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This constitution better optimizes the power transfer from a parallel tuned tank circuit primary coil to an implanted secondary series tuned tank circuit coil.例文帳に追加

この構成は並列の同調タンク回路の一次コイルから移植した二次の直列の同調タンク回路のコイルに対する電力伝達をさらに良好に最適化する。 - 特許庁

The plurality of elastic fibers 2b are radially or helically implanted on the outer periphery of the rod body 2a so as to form an outer periphery d smaller than the inner diameter R of the pipe C.例文帳に追加

複数の弾性繊維２ｂは、管路Ｃの内径Ｒより小さい外周ｄを形成するように、棒体２ａの外周に放射状又は螺旋状に植設される。 - 特許庁

A thickness of the emitter electrode 50 is set so that a boron implanted to the emitter electrode 50 does not reach the emitter-base junction due to boron diffusion into the emitter electrode 50.例文帳に追加

エミッタ電極の厚みは、エミッタ電極５０に注入されたボロンがエミッタ電極５０内を拡散して、エミッタ−ベース接合部まで達しないように設定されている。 - 特許庁

The ions are implanted while heating the acceleration electrode to such an extent that an out gas component from the resist does not deposit.例文帳に追加

この原因は、レジスト中に含まれる揮発性の有機成分がビーム・ラインに沿って後段加速部にドリフトして、そこで、比較的低温の加速電極表面に付着するためである。 - 特許庁

To provide an artificial blood vessel, having a prosthetic valve made of a tubular tissue body formed in the periphery of a mandrel implanted in a living body, capable of being easily sutured with a blood vessel.例文帳に追加

生体内へ埋入したマンドレルの周辺に形成される管状の組織体よりなる人工弁を有し、血管との縫合が容易な人工血管を提供する。 - 特許庁

Al-containing regions 8a, 8b containing ion-implanted aluminum are formed in a range facing the surfaces of the first nitride semiconductor layers 6a, 6b.例文帳に追加

第１窒化物半導体層６ａ、６ｂの表面に臨む範囲には、イオン注入されたアルミニウムが含有されているＡｌ含有領域８ａ、８ｂが形成されている。 - 特許庁

Image encryption is performed on the encryption area where the decryption confirmation information is implanted, by using the encryption key corresponding to the authority level designated for the encryption area.例文帳に追加

復号確認情報が埋め込まれた暗号化領域を、当該暗号化領域に対して指定された権限レベルに対応する暗号鍵により画像暗号化する。 - 特許庁

Platinum nano-particles produced from platinum cations are reduced and implanted into carbon fine particles by gas bubbles by blowing gaseous hydrogen into an aqueous solution containing a platinum salt and the carbon fine particles.例文帳に追加

白金塩，カーボン微粒子を含む水溶液に水素ガスを吹込み、ガスバブルによって白金カチオンから生成した白金ナノ粒子をカーボン微粒子に還元着床させる。 - 特許庁

The electrons are selectively implanted in the storage part of a desired position of the memory by selecting a combination of the electrodes 8a and the electrodes 7.例文帳に追加

また、注入電極８ａと表面電極７との組み合わせを選択することでメモリの所望位置の電荷蓄積部に電子を選択的に注入できる。 - 特許庁

At formation of the offset drain region 3 around the trench 2, the impurity ions are implanted only to the side face part of the trench 2 through oblique ion implantation.例文帳に追加

トレンチ溝２の周囲にオフセットドレイン領域３を形成するにあたり、斜めイオン注入によりトレンチ溝２の側面部分にのみ不純物イオンを注入する。 - 特許庁

Hydrogen ions are implanted at a dose of 8×10^16-4×10^17 atoms/cm^2 to form an ion implantation layer 11 in a single crystal silicon substrate 10.例文帳に追加

ドーズ量８×１０^16〜４×１０^17ａｔｏｍｓ／ｃｍ^2で水素イオンを注入して単結晶シリコン基板１０中にイオン注入層１１を形成する。 - 特許庁

Ions are implanted from a surface 2a of a piezoelectric substrate 2 to form a defective layer 4 in a region at a predetermined depth from the surface 2a within the piezoelectric substrate 2.例文帳に追加

圧電体基板２の表面２ａからイオンを注入して、圧電体基板２内において表面２ａから所定深さの領域に欠陥層４を形成する。 - 特許庁

In this impurity ion implanting process, the impurity ions are implanted into the semiconductor wafer, as a pulse-like ion beam 1 intermittently repeating on and off.例文帳に追加

この不純物イオン注入工程において、不純物イオンを断続的にオン及びオフを繰り返すパルス状のイオンビーム１として半導体ウェーハに注入する。 - 特許庁

Phosporus ions and arsenic ions are implanted on the surface layer of a semiconductor wafer 11 with an ion implantation masked by a gate electrode 13 on the semiconductor wafer 11.例文帳に追加

半導体基板１１上のゲート電極１３をマスクにしたイオン注入によって、半導体基板１１の表面層にリンイオン及びヒ素イオンを導入する。 - 特許庁

While the influence of a shadowing operation is reduced by using a process by this invention, impurities are implanted selectively into an integrated circuit which features a reduced size.例文帳に追加

本発明のプロセスを使用して、シャドウイングの影響を低減しつつ、縮小された寸法を特徴とする集積回路に不純物を選択的に注入する。 - 特許庁

Subsequently, the ion is implanted to the element region 5 so as to perform first thermal processing to restore crystalization deteriorated by ion implantation, and second thermal processing for aiming drive-in.例文帳に追加

続いて、素子領域５にイオン注入し、イオン注入によって悪化した結晶性を回復させるための第１熱処理、ドライブインを目的とした第２熱処理を行う。 - 特許庁

The water-repellent resin layer 20 is formed over the entire outer circumferential surface of the capacitor element 10 except the tantalum wire 9 and a bottom surface opposed to the surface where the tantalum wire 9 is implanted.例文帳に追加

撥水性樹脂層２０は、コンデンサ素子１０のタンタル線９およびタンタル線９が植立される面に対向する底面を除く全外周面上に形成する。 - 特許庁

With the implanted ions, crystal particles constituting the magnetic layer 13 are fined to improve the coercive force and the strain in the magnetic layer 13 increases the hardness.例文帳に追加

注入イオンにより、磁性層１３を構成する結晶粒子が微細化して保磁力が向上するとともに、磁性層１３内部の歪により硬度が高くなる。 - 特許庁

High-concentration phosphor ions are implanted into the formation area A of a high-speed HBT on a p-type Si substrate 1, and a silicon oxide film 3 is formed on the Si substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型Ｓｉ基板１上の高速用ＨＢＴの形成領域Ａに高濃度のリンイオンを注入した後、Ｓｉ基板１上にシリコン酸化膜３を形成する。 - 特許庁

Then, ions are implanted through the contact hole 10, and low resistance regions 15a-15c (regions where impurities are introduced in a high concentration) are formed on the polysilicon resistance layer 4.例文帳に追加

次に、コンタクトホール１０を介して、イオン注入し、ポリシリコン抵抗層４上に低抵抗領域１５ａ〜１５ｃ（高濃度に不純物が導入された領域）を形成する。 - 特許庁

Substance for forming conductive fine particles are implanted in the insulator 250 through a negative ion implanting method for the formation of the conductive fine particles 260.例文帳に追加

導電性微粒子２６０は、絶縁体２５０中に、上記導電性微粒子を形成するための物質を負イオン注入法によって注入して形成される。 - 特許庁

As a result, even when implanted to the hypoxic environment of the ischemic myocardium or the like, the stem cell is maintained in a healthy state without being destroyed, and the lesion is healed.例文帳に追加

その結果、虚血心筋のような低酸素環境に移植されても幹細胞を死滅させることなく健全な状態に維持して、疾患部を治癒させることができる。 - 特許庁

Phosphorus ions (P^+) are implanted at comparatively high implantation energy and at an inclination angle of 0°, and a second deep source region 36a and a second deep drain region 36b are formed.例文帳に追加

次に、リンイオン（Ｐ^+）を、比較的高い注入エネルギー，かつ傾き角０°で注入して、深い第２のソース領域３６ａ及び第２のドレイン領域３６ｂを形成する。 - 特許庁

An oxide film 17 is formed on the surface of an electrode 15 and ion implantation is carried out in the surface of the oxide film 17 to form a carbon-enriched ion implanted film 18.例文帳に追加

電極１５の表面には酸化膜１７を成膜し、酸化膜１７の表面にイオン注入を行ってカーボンリッチ状態のイオン注入膜１８とした。 - 特許庁

Ions are then implanted into the surface of the diffused layer and into the surface of the gate electrode for the formation of amorphous layers on the surface of the diffused layer and on the surface of the gate electrode.例文帳に追加

その後、拡散層表面と、前記ゲート電極表面とに、イオンを注入し、拡散層表面と、ゲート電極表面とに、非晶質層を形成する。 - 特許庁

The turbine moving blades 32 are arranged at a downstream side and adjacent to the turbine nozzle 31 and besides include a plurality of moving blades 5 implanted in the circumferential direction of the rotor 13.例文帳に追加

タービン動翼３２は、タービンノズル３１の下流側に隣接配置されるとともに、ロータ１３の円周方向に植設された複数の動翼５を有している。 - 特許庁

Channel ions are implanted in a semiconductor substrate 11 enclosed with an element isolation insulating film 12 for obtaining a desired threshold (13), thereby forming a gate oxide film 14.例文帳に追加

素子分離絶縁膜１２に囲まれた半導体基板１１に所望のしきい値を得るためのチャネルイオン注入を行い（１３）、ゲート酸化膜１４を形成する。 - 特許庁

Ions are implanted shallow with the gate 106 as a mask, thus forming a shallow doped region 110 as an LDD in the substrate 100 at both sides of the gate 106.例文帳に追加

次にゲート１０６をマスクとして浅イオン注入を施すことにより該ゲート１０６両側の基板１００内にＬＤＤとする浅ドーピング領域１１０を形成する。 - 特許庁

Furthermore, ions are implanted into the epitaxial layer formed in the device formation area 2 and a silicon substrate in the PCM formation area 3, at the same timing and under the same condition.例文帳に追加

ついで、デバイス形成領域２に形成されたエピタキシャル層と、ＰＣＭ形成領域３におけるシリコン基板とに、同条件で、同時期に、イオンを注入する。 - 特許庁

A resist is applied on a silicon substrate 10, ions are implanted into a source region 18 and a drain region 22, and a gate region 20 is formed by diffusion of ions through thermal treatment.例文帳に追加

シリコン基板１０上にレジストを塗布してソース領域１８、ドレイン領域２２にイオン注入し熱処理によりイオン拡散してゲート領域２０を形成する。 - 特許庁

The thickness of the emitter electrode is set in such a manner that boron implanted in the emitter electrode 50 does not diffuse in the emitter electrode 50 to reach an emitter-base joint.例文帳に追加

エミッタ電極の厚みは、エミッタ電極５０に注入されたボロンがエミッタ電極５０内を拡散して、エミッタ−ベース接合部まで達しないように設定されている。 - 特許庁

A single layer of ions is implanted into a film surface and the material between the surface and the ion implantation layer is etched away without annealing the substrate.例文帳に追加

本発明の方法はフィルムの表面内にイオンの単一層を注入し、基板をアニールすることなく、表面とイオンの注入層との間の材料をエッチングで除去する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser having a structure can reduce a barrier against electrons implanted in an active layer, in a semiconductor laser formed on a p-type substrate.例文帳に追加

ｐ型基板に形成される半導体レーザにおいて、活性層に注入される電子に対する障壁を低減可能な構造を有する半導体レーザを提供する。 - 特許庁

An ion implanted layer 14 is formed by implanting the first substrate 11 with ion and the buffer layer is removed by using the insulating layer as a self stop layer.例文帳に追加

また、バッファー層１３から第１の基体１１内にイオンを注入し、イオン注入層１４を形成し、バッファー層を絶縁層をセルフストップ層として除去する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which ion implantation is ensured even when ions are implanted into the side surface of a bipolar transistor arranged in the different direction.例文帳に追加

異なった向きに配置されるバイポーラトランジスタの側面へのイオン注入時にも、確実なイオン注入を行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, non-impurity ion species, i.e., hydrogen ions, are implanted in order to form an amorphous layer 40 at the surface layer part of the p type base region 3.例文帳に追加

そしてさらに、水素等の不純物とならないイオン種をイオン注入し、ｐ型ベース領域３の表層部をアモルファス化させてアモルファス層４０を形成する。 - 特許庁

To remove particle or the like adhering to a surface of a semiconductor wafer by using an ion implantation device when element ion is implanted from the surface of the semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェーハの表面から元素イオンを注入する際に、半導体ウェーハの表面に付着したパーティクルなどをイオン注入装置を用いて除去する。 - 特許庁