「implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

The embedded n-type impurity region is ion-implanted before the formation of the channel layer, so that an impurity profile of the effective channel region is not influenced.例文帳に追加

埋め込みｎ型不純物領域は、チャネル層形成前にイオン注入するため、実効チャネル領域の不純物プロファイルに影響を与えない。 - 特許庁

After forming a gate insulation film 14 and a gate electrode 15, by using the gate electrode 15 as a mask, an n-type impurity is implanted into the film 13 to form LDD regions.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１４，ゲート電極１５を形成後、ゲート電極１５をマスクとしてＬＤＤ領域を形成するためｎ型不純物を注入する。 - 特許庁

Then, the gate of a p-type transistor is worked, the n-type transistor is covered with a protective film, and acceptor ions are implanted by a mass nonseparation-type ion implantation apparatus.例文帳に追加

次にｐ型トランジスタのゲート加工を行い、ｎ型トランジスタを保護膜で被覆した後アクセプター・イオンを質量非分離型イオン注入装置で行う。 - 特許庁

The reader further includes a barometer for providing local barometric pressure and uses this information together with the data from the implanted transducers.例文帳に追加

読み取り装置は、さらに、局所的な気圧を提供するための気圧計を含み、この情報を、埋め込まれたトランスデューサからのデータと共に使用する。 - 特許庁

It serves also as anneal of implanted boron fluoride, a gate side wall film is formed by using a CVD method accompanied by thermal treatment at a temperature lower than the primary temperature.例文帳に追加

注入したフッ化ボロンのアニールをも兼ねて、第１の温度より低い温度の熱処理を伴うＣＶＤ法により、ゲート側壁膜を形成する。 - 特許庁

In succession, boron (B) ions are implanted into the rear of the wafer under the condition that acceleration energy is, for instance 20 keV, and an average projection rage is, for instance, 0.06 μm.例文帳に追加

続いて、ウエハの裏面に、加速エネルギーが例えば２０ｋｅＶ、平均投影飛程が例えば０．０６μｍの条件で、例えばボロン（Ｂ）がイオン注入される。 - 特許庁

The apparatus may be used to inject fluid into or withdraw fluid from an implanted gastric band system or for a variety of other uses.例文帳に追加

装置は、植え込まれた胃バンドシステムに対して流体を追加または抜き取ることができ、または、装置は様々な他の用途に用いることができる。 - 特許庁

Flash light is irradiated from a flash lamp to a semiconductor wafer made by forming a carbon thin film on a surface of a silicon substrate into which impurity is implanted.例文帳に追加

不純物が注入されたシリコン基板の表面に炭素の薄膜を形成してなる半導体ウェハーにフラッシュランプからフラッシュ光を照射する。 - 特許庁

To provide insulin generating cells that are implanted to a patient with Type I diabetes for enhancing insulin generation in the patient.例文帳に追加

本発明の課題は、患者のインシュリン生成を促進すべく１型糖尿病の患者に移植されるインシュリン生成細胞を提供することにある。 - 特許庁

An island-shaped oxide semiconductor layer is formed using a resist mask, the resist mask is removed, oxygen is implanted (added) to the oxide semiconductor layer, and heat treatment is performed.例文帳に追加

レジストマスクを用いて島状の酸化物半導体層を形成し、レジストマスクを除去し、酸化物半導体層に酸素を導入（添加）し、加熱処理を行う。 - 特許庁

The n-type dopant is ion-implanted through the opening in the same mask to form the n-type implantation region which is shallower than the p-type implantation region.例文帳に追加

マスクの同じ開口部を通してｎ型ドーパントをイオン注入して前記ｐ型注入領域と比較して浅いｎ型注入領域を形成する。 - 特許庁

Subsequently, the impurity is implanted to this element forming surface to form a diffused layer 15 and moreover the surface 16 of this diffused layer 15 is formed as a metal silicide.例文帳に追加

続いて、この素子形成面に不純物を注入して拡散層１５を形成し、さらにこの拡散層１５の表層１６を金属シリサイドとする。 - 特許庁

The electric toothbrush 1 includes a body case 22 that holds a battery 100, and an attachment 60 that has a brush part 62 where brush bristles 61 are implanted.例文帳に追加

電動歯ブラシ１は、電池１００を収容する本体ケース２２と、ブラシ毛６１が植えられた植毛部分６２を有するアタッチメント６０とを有する。 - 特許庁

On the exposed substrate 21, the episilicon layer 28 is formed, impurity ions are implanted into it, and a heat treatment is carried out to form an upper-layer source/drain area 29.例文帳に追加

露出した基板２１上にエピシリコン層２８を形成し、これに不純物イオンを注入し熱処理して上層ソース／ドレイン領域２９を形成する。 - 特許庁

This forms ion-implanted layers 13a, 13b at a position 500Å or shallower from the surface of the wafer 21 for the activated layer and the wafer for support.例文帳に追加

これにより、活性層用ウェーハ２１および支持用ウェーハの表面より５００Å以下の深さ位置にイオン注入層１３ａ、１３ｂが形成される。 - 特許庁

Thereby, a phenomenon failing an angle of the ion beams implanted in the wafer platen is eliminated, the reliability of a facility is enhanced and a rejection rate is reduced.例文帳に追加

これにより、ウェーハプラテンに注入されるイオンビームの角度が外れる現象を除去し、設備の信頼性を高め、半導体素子の不良率を低められる。 - 特許庁

Then, an oxide film 5 is formed over the surface of the gate electrode 4, and impurity ions are implanted for the formation of an impurity region 8a of low concentration.例文帳に追加

次に、ゲート電極４の表面を覆う酸化膜５を形成し、不純物イオンを注入して低濃度不純物領域８ａを形成する。 - 特許庁

To provide a prosthesis which stabilizes intervertebral joints in compression, in tension, or in rotation and prevents the debris from spreading to the surrounding tissues from an implanted site.例文帳に追加

圧縮，伸び，回転等において椎間関節を安定化させ、埋植サイトから周辺組織への破片の散乱を防止するプロテーゼを提供する。 - 特許庁

To effectively melt snow in the initial state of a snowfall, in artificial lawn filled with a filler for inputting the granular filler between piles implanted in base cloth.例文帳に追加

基布に植設されたパイル間に粒状の充填材が投入された充填材入り人工芝において、降雪初期に効果的に融雪を行う。 - 特許庁

Then, the first hard mask 60 is etched by use of the second hard mask 70 as a mask, and only the second hard mask 70 in which ions are not implanted is removed by etching.例文帳に追加

次に、第２ハードマスク７０をマスクとして第１ハードマスク６０をエッチングし、イオン注入されていない第２ハードマスク７０のみエッチング除去する。 - 特許庁

Concretely, the invention is used so that an implanted object of a halo structure is formed in a field-effect transistor which features a reduced size.例文帳に追加

具体的には、本発明は、縮小された寸法を特徴とする電界効果トランジスタにハロー構造の注入物を形成するのに使用される。 - 特許庁

To provide a heat treatment method and a heat treatment apparatus, allowing for an excellent activation of an implanted impurity while preventing a crack of a substrate.例文帳に追加

基板の割れを抑制しつつ、注入された不純物の良好な活性化を行うことができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。 - 特許庁

The cam follower 13 has a mount shaft part 13a implanted on a fixed frame 3 and has an edge part 13b on the circumference of the surface of the end of the shaft part 13a.例文帳に追加

カムフォロア１３は、固定枠３に植設する取付軸部１３ａを有し、取付軸部１３ａ端部の表面円周上にエッジ部１３ｂを有する。 - 特許庁

To remove a high-concentration ion-implanted resist in a short time while preventing generation of residue in a single-wafer SPM cleaning method and apparatus.例文帳に追加

枚葉式のＳＰＭ洗浄方法及び装置において、高濃度のイオン注入が施されたレジストを短時間で且つ残渣の発生を抑制しながら除去する。 - 特許庁

A WSi film 71a is deposited on a GaAs substrate 70, and an Si ion is implanted using a mask 72, to form an active layer 74a.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板７０の上にＷＳｉ膜７１ａを堆積し、マスク７２を用いて、Ｓｉイオンを注入して活性層７４ａを形成する。 - 特許庁

To efficiently perform communication between a stimulation device and a programmer even if the stimulation device is implanted in a region difficult for a patient's hands to reach, such as the back.例文帳に追加

たとえ背中等の患者の手の届きにくいところに刺激装置が植え込まれていたとしても、この刺激装置とプログラマとの通信を効率的に行う。 - 特許庁

The implanted member 5 is cooled by cooling water flowing in a passage 16, and hardness of rubber in the fringe of the end 5a is locally changed.例文帳に追加

埋込部材５は、通路１６内を流動する冷却水によって冷却され、端部５ａ周辺のゴムの硬度を局部的に変化させることができる。 - 特許庁

To provide a body warming piece at a low cost which can be used even by a person implanted with a pacemaker without receiving regular outpatient treatment, or causing complications.例文帳に追加

通院することなく、かつ、余病を併発することなく、また、ペースメーカーを植込んだ人も何ら支障なく使用できる身体温め片を安価に提供する。 - 特許庁

To provide a heat treatment method and a heat treatment apparatus which can prevent the occurrence of a process damage, while suppressing diffusion of an implanted impurity.例文帳に追加

注入された不純物の拡散を抑制しつつもプロセスダメージの発生を防止することができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。 - 特許庁

Consequently, the substrate 1 in the ion-implanted region 6 becomes amorphous, and the plane orientation property of the substrate 1 in the amorphous portion can be eliminated.例文帳に追加

これにより、イオン注入領域６のＰ型シリコン基板１はアモルファス化され、この部分のＰ型シリコン基板１の面方位性を無くすことができる。 - 特許庁

Then, a resist mask is then formed for covering a first area on the surface of the three-layer insulating film and with this resist mask as a mask, ions are implanted.例文帳に追加

次に、３層絶縁膜表面の第１の領域を覆うレジストマスクを形成し、これをマスクとして、３層絶縁膜に、イオンを注入する。 - 特許庁

The charges 38 caused in the semiconductor layer 18 when the ions are implanted pass through the gate oxidized film 22 and the conductive layer 102 as FN current are removed.例文帳に追加

イオン注入時に半導体層１８に生じた電荷３８は，ＦＮ電流となってゲート酸化膜２２および導電層１０２を通過し，除去される。 - 特許庁

A metal and alloy material/semiconductor material/insulating material (resin), etc. are implanted/impregnated in a honeycomb porous ceramics material, to form a ceramics composite laminated material of several layers.例文帳に追加

ハニカム状の多孔セラミックス材に金属や合金材・半導体材・絶縁材（樹脂）を注入・含浸させて、幾層ものセラミックス複合積層材とする。 - 特許庁

That is, the n^+-type exudated region 38 is formed by thermally diffusing an n-type impurity implanted in an emitter leading electrode made of a polysilicon.例文帳に追加

つまり、Ｎ＋型の浸み出し領域３８はポリシリコンから成るエミッタ取り出し電極に注入されたＮ型の不純物を熱拡散し形成する。 - 特許庁

The electrons are implanted to the oxygen around the oxygen reduction material from the oxygen reduction material in the non-photoirradiation, by which the oxygen is reduced.例文帳に追加

非照射時には酸化還元材料からこの酸化還元材料の周囲の酸素へと電子を注入することによって酸素を還元する。 - 特許庁

Carbon that is incorporated in the base layer in the vicinity of the base-collector junction suppresses the diffusion of phosphorous deeper than implanted in subsequent heat treatment.例文帳に追加

ベース・コレクタ接合近傍のベース層に導入されたカーボンは、後続の熱処理によってリンが注入時よりも深く拡散するのを妨げる。 - 特許庁

The implant article 1 is implanted to a bone defective part of periodontium or a part requiring osteoneogenesis so as to introduce and multiply the bone.例文帳に追加

歯周組織の骨欠損部位または骨新生の必要な部位に、骨の誘導、増殖を生じさせるためにインプラントされるインプラント物品１である。 - 特許庁

The brush roll 5 used has brush fibers 5a of 7.5 to 15 denier implanted by 20,000 to 60,000 fibers/(inch)^2 density on the peripheral face of a rotary supporting shaft 5b.例文帳に追加

ブラシロール５として、７．５〜１５デニールのブラシ繊維５ａを回転支持軸５ｂの周面に２００００〜６００００本／（インチ）^2の密度で設けたものを使用した。 - 特許庁

P-type impurity ions are implanted without a mask to form a rediffusion region 43 continuous with a source and drain region 36a in an N well 16.例文帳に追加

マスクを用いずに、Ｐ型の不純物イオンが注入され、Ｎウェル１６内のソース・ドレイン領域３６ａと連続する再拡散領域４３が形成される。 - 特許庁

The toothbrush is constituted by covering the shaft of an ultra-elastic alloy wire with a cover tube made of a soft synthetic resin and having a brush implanted in its outer periphery.例文帳に追加

超弾性合金ワイヤの軸に外周へ刷毛が植毛された軟質の合成樹脂からなる被覆チューブを被着して歯磨き用ブラシを構成する。 - 特許庁

An impurity is implanted to form a low concentration diffusion layer 15 on the surface layer of the semiconductor substrate 1 with the gate electrode 5 and the sidewall 13 as a mask.例文帳に追加

ゲート電極５およびサイドウォール１３をマスクにして半導体基板１の表面層に低濃度拡散層１５形成のための不純物を導入する。 - 特許庁

A Bernoulli chuck 21 holds a laminated wafer 10 resulting from laminating an active layer wafer to which rare gas ions are implanted to a support wafer via an oxide film.例文帳に追加

希ガスをイオン注入した活性層用ウェーハを酸化膜を介して支持用ウェーハに貼り合わせた貼り合わせウェーハ１０を、ベルヌイチャック２１で保持する。 - 特許庁

Lateral directional bristle rows 2 are implanted almost close to a tooth width in a toothbrush head 1, and lateral directional bristle row spaces 3 are arranged to reduce resistance received from a projecting surface of the teeth.例文帳に追加

歯ブラシヘッド１に、概ね歯の巾に近く、横方向毛列２を植毛し、横方向毛列空間３を設けて、歯の凸面より受ける抵抗を減らす。 - 特許庁

A stuck substrate 600 has an ion shielding mask 300a formed on the surface of a silicon substrate 200 and oxygen ions 400 are implanted.例文帳に追加

貼り合わせ基板６００において、単結晶シリコン基板２００の表面にイオン遮蔽用マスク３００ａを形成し、酸素イオン４００を注入する。 - 特許庁

After an impurity is ion implanted to the polysilicon, the polysilicon is heat treated, and a nitride film capacitor 5 and a second polysilicon resistor 10b are formed by the selective etching.例文帳に追加

そして、ポリシリコンに不純物をイオン注入後、熱処理を行い、選択的エッチングにより窒化膜キャパシタ５、第２のポリシリコン抵抗１０ｂを形成する。 - 特許庁