「implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

METHOD FOR MEASURING OXYGEN ION AMOUNT IMPLANTED TO SIMOX SUBSTRATE, BOX LAYER THICKNESS ESTIMATING METHOD, AND SUBSTRATE FOR STANDARD TEST PIECE例文帳に追加

ＳＩＭＯＸ基板の酸素イオン注入量測定方法及びＢＯＸ層厚み推定方法並びに標準試料用基板 - 特許庁

Then, ions (25) are implanted in the substrate through the opening of isolation, to form a doped region (26).例文帳に追加

次いで、前記基板の中に前記分離の開口を通してイオン（25）が注入され、それによってドーピングされた領域（26）を形成する。 - 特許庁

The forelock comprising false hair is implanted in such a manner as to raise from a surface of the hairline sheet and the forelock is made to backward curl.例文帳に追加

生えぎわシートの表面から起立するように疑似毛からなる前髪が植毛され、前髪を後向きに癖付けしている。 - 特許庁

An array substrate is held in nitrogen atmosphere for one hour at 600°C after an impurity is implanted, and then the impurity is activated.例文帳に追加

不純物を注入した後に、６００℃で１時間、窒素雰囲気中にアレイ基板Ｂを保持して、不純物を活性化させる。 - 特許庁

The stripping liquid is excellent in resist stripping property, and particularly excellent in stripping the ion-implanted resist.例文帳に追加

アンモニア、アセトニトリルを含んでなるレジスト剥離液では、レジスト剥離性に優れ、特にイオン注入されたレジストの剥離性に優れる。 - 特許庁

Pole surface layer of the p-type well 3 is implanted with arsenic ions 4 and heat treated to form a p-type lightly doped layer 5.例文帳に追加

ｐ型ウェル３の極表層に砒素イオン４を注入し、熱処理を行うことによりｐ型低濃度層５を形成する。 - 特許庁

Ions are implanted from this space 18 so as to form a hole region 19 only at the flank of the source-drain-extension region 15.例文帳に追加

この隙間１８からイオン注入をし、ソース・ドレイン・エクステンション領域１５の側面にのにみハロー領域１９を形成する。 - 特許庁

At this time, the accelerating voltage and dose amount are controlled so that an adequate amount of dopant can be implanted in the film of the precursor film.例文帳に追加

このとき、プリカーサ膜の膜中にドーパントが適当な量で注入されるように加速電圧、ドーズ量を調整する。 - 特許庁

Then ions are implanted obliquely into the substrate 81, to form a shallow source/drain diffusion layer 131 under the gate sidewall 101.例文帳に追加

次に基板８１に対して斜めにイオン注入し浅いソース−ドレイン拡散層１３１をゲート側壁１０１下に形成する。 - 特許庁

A current is implanted from the p electrode 113 to the DBR area 103, thereby controlling an oscillation wavelength.例文帳に追加

ＤＢＲ領域１０３に対してｐ電極１１３から電流を注入することにより、発振波長の制御が行われる。 - 特許庁

On a top surface of an epitaxial layer 2, N type impurities are ion-implanted to form N^+ semiconductor layers 5 and 6 as a photodetection portion.例文帳に追加

エピタキシャル層２の表面上にＮ型不純物をイオン注入して、受光部となるＮ^＋半導体層５，６を形成する。 - 特許庁

To provide a material for a vascular stent useful as a material constituting a vascular stent to be implanted into the vascular channel of the human body.例文帳に追加

人体の脈管に植え込まれる脈管ステントを構成する材料として有用な脈管ステントの材料を提供する。 - 特許庁

SYSTEM AND METHOD FOR EVALUATING DEMAND REFERENCE OF INDUCED DEFIBRILLATION OF DEVICE IMPLANTED WITHOUT REPEATED INDUCTION OF FIBRILLATION例文帳に追加

細動を繰り返し誘発することなく埋植された装置の誘導除細動要求基準を評価するシステムおよび方法 - 特許庁

Silicon ions (Si^+) are implanted on a front surface of an aluminum-nitride layer with acceleration energy of 90keV and dosage of 5×10^15cm^-2.例文帳に追加

窒化アルミニウム層の表面に、加速エネルギー９０ｋｅＶ、ドーズ量５×１０^15ｃｍ^-2でシリコンイオン（Ｓｉ^+）を注入した。 - 特許庁

Ions are densely implanted 10 through contact holes 9 bored in an insulating layer 8 covering the gate electrode and the oxide film.例文帳に追加

高濃度イオン・インプランテーション１０をゲート電極と酸化膜とを覆う絶縁層８に開けたコンタクト穴９を用いて行う。 - 特許庁

Argon ions are implanted from a direction vertical to the surface orientation (111) inside the trench 14, and then formation of an oxide film is carried out.例文帳に追加

トレンチ１４の内部の面方位（１１１）に垂直方向より、アルゴンをイオン注入し、その後、酸化膜形成をおこなう。 - 特許庁

Phosphorous is ion-implanted in the polycrystalline silicon film 13 of an NchTr forming region NTR with resist 14 as a mask.例文帳に追加

その後、レジスト１４をマスクにしてＮｃｈＴｒ形成領域ＮＴＲの多結晶シリコン膜１３にリンをイオン注入する。 - 特許庁

The upper spacer part layer (104) has a composition which functions as a barrier layer of electron implanted in the activity layer (103).例文帳に追加

上部スペーサ層（１０４）は、活性層（１０３）に注入される電子の障壁層として機能する組成を有している。 - 特許庁

Boron is ion-implanted in the polycrystalline silicon film 13 of a PchTr forming region PTR with resist 16 as a mask.例文帳に追加

その後、レジスト１６をマスクにしてＰｃｈＴｒ形成領域ＰＴＲの多結晶シリコン膜１３にボロンをイオン注入する。 - 特許庁

In these areas, the hard mask (5) is used to form contact holes (13) which are self-aligned with the implanted buried bit lines.例文帳に追加

これらエリアでは、ハードマスク（５）は、注入埋め込みビット線と自己整合するコンタクトホール（１３）を形成するために使用される。 - 特許庁

In the charging brush, conductive brush bristles are implanted at random, and the distribution of implanting density of the brush bristles is uniform.例文帳に追加

前記 帯電ブラシは導電性のブラシ毛がランダムに植毛されており、かつ当該ブラシ毛の植毛密度の分布が均一である。 - 特許庁

The brushes 16a, 16b are implanted in base parts 17a, 17b, which in turn are fixed to the arms 12a, 12b.例文帳に追加

ブラシ１６ａ、１６ｂは基部１７ａ、１７ｂに植え付けられ、基部１７ａ、１７ｂがアーム１２ａ、１２ｂに固定されている。 - 特許庁

To provide a threshold voltage model in consideration of an impurity concentration profile in a channel direction in a pocket implanted MOSFET.例文帳に追加

ポケット注入ＭＯＳＦＥＴにおけるチャネル方向の不純物濃度プロファイルを考慮したしきい値電圧モデルを提供する。 - 特許庁

The detecting head may also receive communications relating to the pressure of a fluid of a pressure sensor 84 in an implanted device 132.例文帳に追加

検出ヘッドは、植え込まれた装置１３２内の圧力センサ８４の流体圧力に関する通信を受け取ることもできる。 - 特許庁

To provide a computer system for selecting one IOL out of a plurality of IOLs that are implanted in a subject.例文帳に追加

対象者の眼球内に移植される複数のＩＯＬのうちから１つのＩＯＬを選択するコンピュータシステムを提供する。 - 特許庁

To provide an improved method and device for adjusting the size of a gastric band after the gastric band is implanted.例文帳に追加

胃バンドを移植した後にその胃バンドの大きさを調節するための改善された方法および装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a radio frequency identification (RFID) system for use with active implantable medical devices (AIMD) implanted in a patient.例文帳に追加

患者の体内に植え込まれたアクティブ植込み型医療器具（ＡＩＭＤ）用の高周波識別（ＲＦＩＤ）システムを提供する。 - 特許庁

A mannequin head part 1 is formed according to the head of a human body, a non-hair implanted area 5 where no hair is implanted is provided in an area corresponding to the hair area of the human body 1, writing to the area by a writing tool 7 can be done.例文帳に追加

人体頭部になぞらえたマネキン頭部１を形成し、このマネキン頭部１の人体頭部の頭髪領域に相当する領域に、植毛が施されていない非植毛頭髪領域５を設け、此処に筆記具７による書き込みができるようにする。 - 特許庁

Consequently, the semiconductor device having superior electrical characteristics can be manufactured by using the SiC substrate 11, because a largely damaged upper ion-implanted layer 12b containing the impurity ion at a low concentration of the ion-implanted layer 12 can be removed simultaneously when the annealing is performed.例文帳に追加

これにより、アニールを行うと同時に注入層１２のうち不純物濃度が低く、損傷の大きい上部注入層１２ｂを除去できるので、ＳｉＣ基板１１を用いて優れた電気的性能を有する半導体装置を製造することができる。 - 特許庁

In the semiconductor device having the field effect transistor having an SOI structure, the ion-implanted region 11 of the body contact 6 is separated from the active region 2 of the field effect transistor to suppress the diffusion of implanted ions to the active region 2 side.例文帳に追加

ＳＯＩ構造の電界効果トランジスタを有する半導体装置において、前記電界効果トランジスタの活性領域２に対してボディコンタクト部６のイオン注入領域１１を離間させて、注入イオンの活性領域２側への拡散を抑制する。 - 特許庁

When boron ions are implanted from two directions inclining against a substrate (at an angle of 45° against the substrate surface from upper left and right), implanted regions 8, 18 are formed on the opposite sides of the polysilicon film 6a.例文帳に追加

このポリシリコン膜６ａは幅が相互に異なるものであり、基板に対して傾斜した２方向（左上及び右上から基板表面に対して４５°傾斜）からボロンをイオン注入すると、ポリシリコン膜６ａの両側面に注入領域８，１８が形成される。 - 特許庁

When a source/drain regions 12, 14 are formed in CMIS, Argon is implanted into a P-type well layer 4 as a dislocation suppressive element and nitrogen is implanted into a N-type well layer 5 as the dislocation suppressive element, prior to the ion-implantation of impurities into a silicon substrate 1.例文帳に追加

ＣＭＩＳにおけるソース・ドレイン領域１２、１４の形成時、シリコン基板１に不純物をイオン注入する前に、Ｐウエル層４には転位抑制元素としてアルゴンを打ち込み、かつＮウエル層５には窒素を転位抑制元素として打ち込む。 - 特許庁

Though a large number of game nails are implanted to a game panel 30, a game nail which becomes an adjusting nail (dominant nail) is not implanted to places just over a warping entrance 34a, gates 42, a normal electric bonus accessary 43, normal prize-winning ports 44 and sleeve prize-winning ports 54.例文帳に追加

遊技盤３０には多数の遊技釘が植設されているが、ワープ入口３４ａ、ゲート４２、普通電動役物４３、普通入賞口４４及び袖入賞口５４の入口の直上には、調整釘（命釘）となる遊技釘は植設されていない。 - 特許庁

For comparison, the phosphorus ions are implanted on the polysilicon thin film at the high concentration, next, they are implanted on the polysilicon thin film at the low concentration, and then the inventive product having Vg-Id characteristics shown in a dotted line can be obtained by activating them by furnace annealing treatment.例文帳に追加

比較のために、ポリシリコン薄膜にリンイオンを高濃度で注入し、次いでポリシリコン薄膜にリンイオンを低濃度で注入し、次いで炉アニール処理による活性化を行なったところ、点線で示すＶｇ−Ｉｄ特性を有する比較品が得られた。 - 特許庁

In this stud tire, a stud pin 5 is implanted in a tread face 1 of a tread rubber layer 6, and a rubber hardness of a peripheral rubber part 6X of the tread rubber layer 6 around the implanted stud pin 5 is made higher than a rubber hardness of a main rubber part 6Y of the tread rubber layer 6 surrounding the peripheral rubber part 6X.例文帳に追加

トレッドゴム層６の踏面１にスタッドピン５を植設したスタッドタイヤであり、植設されたスタッドピン５の周りのトレッドゴム層６の周囲ゴム部６Ｘのゴム硬度を周囲ゴム部６Ｘを囲むトレッドゴム層６の主ゴム部６Ｙのゴム硬度より高くする。 - 特許庁

The method includes a step for forming an impurity implanted region by implanting cluster-type dopant ions (S200), and a step for forming an impurity doped region by performing a laser annealing step for the impurity implanted region (S210).例文帳に追加

この方法は、半導体基板にクラスタ型ドーパントイオンを注入して不純物注入領域を形成する段階（Ｓ２００）と、前記不純物注入領域にレーザアニーリング工程を実行して不純物ドーピング領域を形成する段階（Ｓ２１０）とを含む。 - 特許庁

A resist film is patterned by the backside exposure, and an impurity ion is implanted in the active silicon layer 40 to form a source- drain region using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

次に、このレジストパターンをマスクとしてアクティブシリコン層４０に不純物イオンを注入し、ソース・ドレイン領域を形成する。 - 特許庁

Then, game machine obstacle nails implanted on a game platform to be measured are scanned by the image scanner and stored as an image data.例文帳に追加

次に、被測定遊技基盤に植設された遊技機障害釘は、前記イメージスキャナーによってスキャニングされ、画像データとして保存される。 - 特許庁

To provide an implantable artificial organ which has a high mechanical strength, and shows a high stickability to biological tissue when implanted in a living body.例文帳に追加

機械的強度が高く、生体内に植え込んだときに生体組織と優れた固着性を示す植え込み人工臓器を提供する。 - 特許庁

Four clearance holes 128 are opened in the patch fixing parts 124, 125 to correspond to the four screws 115 implanted to the patch 111.例文帳に追加

当て板固定部１２４、１２５には、当て板１１１に植設された４つのビス１１５に対応して、４つのバカ孔１２８が開けられている。 - 特許庁

A WSi film 22 is formed on the amorphous silicon film 16, and the n-type impurity is implanted only in the PMOS resion (Figure 1 (C)).例文帳に追加

アモルファスシリコン膜１６の上にＷＳｉ膜２２を形成し、ＰＭＯＳ領域にのみＮ型不純物を注入する（図１（Ｃ））。 - 特許庁

The electrostimulator includes an electrode block implanted inside a living body, and a stimulation signal generating block outside the body to be connected to the electrode block.例文帳に追加

生体内に植え込まれる電極ブロックと、該電極ブロックに接続する体外の刺激信号生成ブロックとを含むものである。 - 特許庁

The p-type dopant is ion-implanted into a silicon carbide substrate through an opening in a mask to form the deep p-type implantation region.例文帳に追加

炭化シリコン基板内にマスクの開口部を通してｐ型ドーパントをイオン注入して深いｐ型注入領域を形成する。 - 特許庁

To provide a subcutaneously implanted port for reliably fixing a bottom plate for penetration prevention of a needle without increasing cost.例文帳に追加

コスト増を伴うことなく注射針の貫通防止用の底板を確実に固定することができる皮下埋込ポートを提供すること。 - 特許庁

The semiconductor substrate to be ion implanted is sequentially moved in parallel in horizontal direction at the ion implantation or after the ion implantation.例文帳に追加

イオン注入時、あるいはイオン注入後、順次被イオン注入半導体基板を水平方向に平行移動させることである。 - 特許庁