「implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

The conical body 13 is supported at the nozzle body 11 by means of a coupling shaft 13 implanted to the nozzle body 11.例文帳に追加

錐体１３は、ノズル本体１１に植設された連結シャフト１４を介して、ノズル本体１１に支持される。 - 特許庁

The bolt insertion hole of the separation block 23 has a positioning bolt 28 implanted projecting downward.例文帳に追加

なお、離間ブロック部２３のボルト挿通孔には位置決めボルト２８が下方に向けて突出するように植設されている。 - 特許庁

Then, a resist layer is applied on the p-type substrate 1, and n-type impurity ions are implanted into the p-type substrate 1 from above the resist layer.例文帳に追加

次に、ｐ型基板１上に、レジストを形成し、レジスト上方からｎ型不純物イオンを注入する。 - 特許庁

A polysilicon film 60 for a resistor element 6 has a second region 62 implanted with nitrogen ions.例文帳に追加

抵抗素子６用の多結晶シリコン膜６０の第２領域６２には窒素等がイオン注入されている。 - 特許庁

When oxygen ions are implanted subsequently, the high concentration oxygen region 10aa is spread entirely over the amorphous region.例文帳に追加

その後、酸素イオンの注入を行なうと、高濃度酸素領域１０aaがアモルファス領域全体に拡大される。 - 特許庁

Nitrogen ions are implanted in the insulating film 112 by using a resist mask 113 as a mask on the insulating film 112.例文帳に追加

絶縁膜１１２の上にレジストマスク１１３をマスクとして、絶縁膜１１２に窒素イオンの注入を行なう。 - 特許庁

The dental implant 3 is an artificial dental root that a dental implant base body is implanted from the alveolar bone 1 into the gingiva 2.例文帳に追加

歯科用インプラント３は歯科用インプラント基体が歯槽骨１から歯肉２に植え込まれる人工歯根である。 - 特許庁

An element whose lattice constant differs from that of the semiconductor substrate material is ion-implanted into the insulating film (S2).例文帳に追加

半導体基板の材料とは格子定数が異なる元素をその絶縁膜中にイオン注入する（Ｓ２）。 - 特許庁

Then, argon ions are implanted into the through-oxide film 12 for the formation of a through-oxide film 13 where damages are introduced.例文帳に追加

次に、スルー酸化膜にアルゴンのイオン注入を行い、ダメージが導入されたスルー酸化膜１３を形成する。 - 特許庁

A mask film 8 is removed and arsenic ions are implanted so as to form an n--type source/drain diffused layer 10.例文帳に追加

その後マスク膜８を除去して、砒素をイオン注入して、ｎ^-型ソース、ドレイン拡散層１０を形成する。 - 特許庁

The ions are implanted into the workpiece either in a first mode or a second mode base on the required dose amount.例文帳に追加

イオンは、第１モード又は第２モードの一方で、所望のドーズ量に基づいて加工物に注入される。 - 特許庁

Ion beams include impurity ions to be implanted, and are accelerated with energy which is not higher than acceleration energy 5 keV.例文帳に追加

注入すべき不純物のイオンを含み、加速エネルギ５ｋｅＶ以下のエネルギで加速されたイオンビームを得る。 - 特許庁

To improve the sizing accuracy by nondestructive inspection of a flaw caused in a turbine blade implanted part of an electric-generating turbine.例文帳に追加

発電用タービンのタービン翼植込部に生じるきずの、非破壊検査によるサイジング精度を向上させる。 - 特許庁

The n-epitaxial layer 3 is partially implanted with ions to form a p well 4 and a source region 5.例文帳に追加

ｎ−エピタキシャル層３の一部にイオン注入を行なって、ｐウェル４およびソース領域５を形成する。 - 特許庁

For controlling threshold voltage of the thin film transistor, impurity is ion-implanted into the polysilicon film 3.例文帳に追加

そして、薄膜トランジスタのしきい値電圧を制御するため、不純物をポリシリコン膜３の中にイオン注入する。 - 特許庁

TOOTHBRUSH IMPLANTED WITH NEEDLE-LIKE BRISTLE WITH ONLY ONE SIDE OF BRISTLE TIP SHARPENED IN TAPER SHAPE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

一側の毛先だけテーパー状に先鋭化された針状毛が植毛された歯ブラシ及びその製造方法 - 特許庁

An ion is implanted to the exposed substrate to form a common source region 120 and a drain region 122.例文帳に追加

露出された基板にイオン注入して共通ソース領域１２０及びドレイン領域１２２を形成する。 - 特許庁

The tension of the wire 17 is changed by a positional change of the implanted plate 10 with respect to the reference member 16.例文帳に追加

ワイヤ１７の張力は、着床プレート１０の基準部材１６に対する位置の変化によって変化する。 - 特許庁

A mask pattern is formed on a substrate, and ion is implanted by using the mask pattern as a mask, thereby forming an amorphous layer.例文帳に追加

基板にマスクパターンを形成し、このマスクパターンをマスクとして、イオンを注入し、非晶質層を形成する。 - 特許庁

A mask pattern 14 is formed on a semiconductor substrate 11, and oxygen ions 15 are implanted from the upper side of the substrate.例文帳に追加

半導体基板１１上にマスク・パターン１４を形成し、基板上部から酸素イオン１５を注入する。 - 特許庁

a mouse into which human, animal or artificially-processed genes have been implanted and are functioning 例文帳に追加

人間やその他の動物の遺伝子,または加工した遺伝子を組込んで,その遺伝子が体内で機能しているマウス - EDR日英対訳辞書

Impurities are implanted into a region of the conductive film located below the sidewall film adjoined to the first lateral face.例文帳に追加

第１の側面に接するサイドウォール膜の下に位置する導電膜の領域内に不純物を注入する。 - 特許庁

The subcutaneously implanted port 11 includes a housing 12, a septum 13, a bottom plate 41, and a catheter connection part 14.例文帳に追加

本発明の皮下埋込ポート１１は、ハウジング１２、セプタム１３、底板４１、カテーテル接続部１４を備える。 - 特許庁

In a developer supply roll 13, brush bristles 31 are electrostatically implanted into an adhesive layer 32 of a base material 34.例文帳に追加

現像剤供給ロール１３は、基材３４の接着剤層３２にブラシ毛３１を静電植毛している。 - 特許庁

In the toothbrush 10 where a plurality of tufts 12a and 12b consisting of a plurality of bristles 11 are implanted on a block head 14, the peripheral tuft 12a implanted at the peripheral part of an implanting face of the block head 14 is provided with a crescent-shaped cross section having acute angle parts 17 and implanted with the acute angle parts 17 facing outward.例文帳に追加

複数本のブリッスル１１からなるタフト１２ａ，１２ｂが植毛台１４に複数植設された歯ブラシ１０において、植毛台１４の植毛面の周縁部分に植毛される周縁タフト１２ａが、鋭角部１７を有する三日月形の断面形状を備え、この鋭角部１７を外側に向けて植毛されている。 - 特許庁

This fiber-implanted refractory material is formed by laminating a heat expansion refractory material layer 12 which expands by heating and a fiber-implanted base material layer 11 having numerous protruded fibers on its surface, and further laminating a substrate 13 on the refractory material layer 12.例文帳に追加

加熱されて膨張する熱膨張耐火材層１２と、表面から多数の繊維が突起する植毛基材層１１と、を積層しており、さらに前記熱膨張耐火材層１２に、基板１３が積層してなる。 - 特許庁

On the GaAs substrate 1 of a semi-insulating property, a buffer layer 2 composed of i-GaAs having a implanted impurity, and an n^+ GaAs layer 3 having an implanted high concentration n-type impurity, are sequentially formed.例文帳に追加

半絶縁性のＧａＡｓ基板１上には、不純物を注入されていないｉ−ＧａＡｓからなるバッファ層２および高濃度のｎ型不純物が注入されたｎ＋ＧａＡｓ層３が順に形成されている。 - 特許庁

The method disclosed herein utilizes an FT-IR apparatus to calculate the difference between a spectrum waveform before oxygen ions are implanted to a silicon substrate and a spectrum waveform after the oxygen ions are implanted to the silicon substrate in terms of spectrums.例文帳に追加

このためモニターした以上の元素が半導体基板中に注入されてしまい、結果として最終的なＳＩＭＯＸ製品において所望のＢＯＸ層厚み及び活性層厚みが得られない等の問題の解決を図る。 - 特許庁

The piezoelectric single-crystal substrate 1 wherein the ion-implanted layer 100 is formed is joined to a support substrate 30B (S102→S103), and heated to form a piezoelectric thin film 10 by detachment using the ion-implanted layer 100 as a detaching surface.例文帳に追加

イオン注入層１００が形成された圧電単結晶基板１を支持基板３０Ｂに接合し（Ｓ１０２→Ｓ１０３）、加熱することで、イオン注入層１００を剥離面として圧電薄膜１０を剥離形成する。 - 特許庁

An electrostatically implanted brush for sealing 15 having conductive brush bristles 15c electrostatically implanted into an adhesive 15b on a base material 15a, is disposed upstream of the developer supply roll 13 in the rotating direction of the development roll 12.例文帳に追加

現像ロール１２の回転方向における現像剤供給ロール１３の上流側に、基材１５ａ上の接着剤１５ｂに静電植毛された導電性ブラシ毛１５ｃを有するシール用静電植毛ブラシ１５を備える。 - 特許庁

To improve performance and reliability of components of a wiring layer composed of a diffused layer, etc., by forming impurity ion implanted regions in contract with the surface of an insulation film on a part of semiconductor regions formed on an SOI substrate surface, and thermally diffusing the impurity in the impurity ion implanted regions.例文帳に追加

半導体領域に不純物が拡散されている拡散層からなる配線層などの構成要素の高性能化および高信頼度化ができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

An electrostatically implanted sheet for sealing 15 having a conductive brush bristles 15c electrostatically implanted into an adhesive 15b on a base material 15a is disposed in the opening 11a between the developer container 11 and the developing roll 12.例文帳に追加

現像剤容器１１と現像ロール１２との間の開口部１１ａには、基材１５ａ上の接着剤１５ｂに静電植毛された導電性ブラシ毛１５ｃを有するシール用静電植毛シート１５が設けられている。 - 特許庁

For this purpose, in this scroll compressor, an implanted part by electrostatic implantation is formed in any one of an inner peripheral surface of a seal groove or an outer peripheral surface of a tip seal, and the tip seal is elastically held in the seal groove by the implanted part.例文帳に追加

このため、スクロールコンプレッサにおいて、シール溝の内周面またはチップシールの外周面のどちらか一方に静電植毛による植毛部を形成し、植毛部によってチップシールをシール溝に弾性的に保持した。 - 特許庁

A resist film 34 which is used as a mask when the impurities are implanted has a strip-shaped pattern 38 and a wide region pattern 40.例文帳に追加

不純物注入の際にマスクとするレジスト膜３４は、短冊状パターン３８と広域パターン４０を備える。 - 特許庁

In addition, the stem cells may be further differentiated in vitro and then implanted systemically or directly into the mammal.例文帳に追加

さらに、この幹細胞をin vitroでさらに分化させた後、哺乳動物に全身的に、もしくは直接、移植することができる。 - 特許庁

A stud bolt 40 (47, 48 and 49) comprises an implanted screw 46, a base part 45 and a complete thread 42 and a tip part 41.例文帳に追加

スタッドボルト４０（４７，４８，４９）は、植込みねじ部４６と、基部４５と、完全ねじ部４２と先端部４１とからなる。 - 特許庁

Using a photo resist 4 as a mask, N-type dopants are implanted into an N-type implantation region of the polysilicon film 3 (Fig. 1 (a)).例文帳に追加

フォトレジスト４をマスクとしてポリシリコン膜３のＮ型注入領域にＮ型不純物を注入する（図１（ａ））。 - 特許庁

Then, the oxidation of the silicon is expedited by the implanted fluorine, and only the end of the gate insulating film is made larger in thickness.例文帳に追加

このとき、注入されたフッ素によりシリコンの酸化が促進され、ゲート絶縁膜の端部のみが厚膜化する。 - 特許庁

The mass of ions to be implanted in the first implantation step is larger than that in the second implantation step.例文帳に追加

第１注入工程で注入するイオンの質量は、第２注入工程で注入するイオンよりも大きくする。 - 特許庁

To provide a light emitting element with practical stability configured such that electrons are smoothly implanted and a current flows more easily.例文帳に追加

電子の注入が円滑であり、電流がより流れやすく、実用的な安定性を有する発光素子を提供する。 - 特許庁

To give augmented compressive stress to a crack in a bone or an implanted piece in order to help fixation.例文帳に追加

固定を助けるために骨の割れ目又は移植片に増強圧縮応力を付与する骨プレート器具を提供する。 - 特許庁

The Game nail 40 is inserted in an insertion hole 3a positioned on a surface of the game board 3 to be implanted and fixed.例文帳に追加

遊技釘４０は、遊技盤３の盤面に穿設された差込孔３ａに挿入されることにより植設固定される。 - 特許庁

The additional implanted dopant has a second dopant profile 320 in the silicon layer different from the first dopant profile 310.例文帳に追加

注入された追加のドーパントは、シリコン層内で第１のドーパント・プロフィル310とは異なる第２のドーパント・プロフィル320を有する。 - 特許庁

In succession, an element to raise heat resistant temperature of the NiSi film 42 is implanted into the NiSi film 42 (element implantation process).例文帳に追加

続いて、ＮｉＳｉ膜４２の耐熱温度を高める元素をＮｉＳｉ膜４２に注入する（元素注入工程）。 - 特許庁

Then, the insulating layer of the first substrate and a second substrate 15 are laminated, and the first substrate is divided by the ion implanted layer.例文帳に追加

次いで、第１の基体の絶縁層と第２の基体１５を貼り合わせ、イオン注入層で第１の基体を分離する。 - 特許庁