「implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

A dynamic focus electrode and at least one electrode G4 placed adjacent to the dynamic focus electrode has at least a metal oxide films 100 formed on the surface of an implanted part G4P which is implanted in a insulating supporting member 21.例文帳に追加

ダイナミックフォーカス電極、及び、ダイナミックフォーカス電極に隣接して配置された電極の少なくとも１つＧ４は、少なくとも絶縁支持体２１に植設される植設部Ｇ４Ｐの表面に形成された金属酸化膜１００を備えている。 - 特許庁

A total hip prosthesis 30 includes a femoral trunk component 33 having a natural-sized femoral ball head 38 implanted in a femur 31 and an acetabular cup component 34 implanted in the acetabulum 32.例文帳に追加

全面的置換用股関節補てつ物３０は、大腿骨３１に植込んだ、実物大の大腿骨頭用球形頭部３８を有する大腿骨幹コンポーネント３３と、寛骨臼３２に植込んだ寛骨臼用カップコンポーネント３４とを備えている。 - 特許庁

In the manufacturing process of an MOSFET formed of silicon carbide, silicon ions are implanted in an epitaxial layer 16 formed on a semiconductor layer 10, a portion of a silicon ion implanted region is thermally oxidized to form the gate oxide film 17.例文帳に追加

炭化珪素からなるＭＯＳＦＥＴの製造工程において、半導体層１０上に形成されたエピタキシャル層１６に対してシリコンイオン注入を行い、シリコンイオン注入領域の一部を熱酸化してゲート酸化膜１７を形成する。 - 特許庁

The value of an element, belonging to a part where at least the additional information is to be implanted in the elements of the second quantization table, is smaller than the values of the elements belonging to a part, where the additional information is to be implanted in the first quantization table.例文帳に追加

また、第２の量子化テーブルの要素において、少なくとも付加情報が埋め込まれる部分に属する要素の値は、第１の量子化テーブルの要素において付加情報が埋め込まれる部分に属する要素の値よりも小さい。 - 特許庁

To provide a method of producing a silicon epitaxial wafer, which is capable of efficiently producing the epitaxial wafer in which plural epitaxial layers are stacked through buried ion implanted layers and by which the silicon epitaxial wafer small in diffusion of the formed ion implanted layers in the lateral direction can be obtained.例文帳に追加

埋込イオン注入層を介して複数のエピタキシャル層が積層形成されたエピタキシャルウェーハを極めて能率的に製造でき、形成されるイオン注入層の横方向拡散も少ないシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

In a method of manufacturing an SIMOX wafer including a process of implanting oxygen ions into the silicon wafer and a process of annealing the silicon wafer into which the oxygen ions have been implanted, the amount of implanted oxygen ions is adjusted in accordance with temperature unevenness of the silicon wafer.例文帳に追加

シリコンウェーハに酸素イオンを注入する工程と、酸素イオン注入したシリコンウェーハをアニールする工程とを有するＳＩＭＯＸウェーハの製造方法において、酸素イオン注入量を、シリコンウェーハの温度むらに応じて調整する。 - 特許庁

To provide an SLD reducing the intensity modulation in output beam spectrum following after beam reflection due to the rapid change in equivalent refractive index caused in the boundary between a current implanted region and a not implanted region.例文帳に追加

本発明は電流注入領域と非注入領域との境界で生じる導波路の等価屈折率の急激な変化による光の反射に伴う出力光のスペクトルの強度変調を少なくしたＳＬＤを提供する。 - 特許庁

The density of the glass fiber which is implanted into the matrix is gradually decreased from the surfaces of one side in the matrix to the surfaces of the other side in the matrix and at the same time the most depth of the implanted glass fiber is 85-100% depth of the matrix thickness.例文帳に追加

基材に打ち込まれたガラス繊維の密度が、基材の前記一方の表面から、基材の他方の表面へと徐々に減少しているとともに、打ち込まれたガラス繊維の最深部が、基材厚みの８５〜１００％の深さである。 - 特許庁

After the creep-damaged parts of a hook part of a moving blade implanted part of the turbine wheel and a hook corner part are cut off, the parts are repaired with repairing members having higher Cr component than the turbine wheel by welding, and then the members are machined to fit to the shape of the implanted parts.例文帳に追加

タービンホイールの動翼植込部のフック部およびフックコーナ部のクリープ損傷部を切除した後、タービンホイールよりもＣｒ成分の高い補修部材を用いて溶接し、その後植込形状に機械加工することを特徴とする。 - 特許庁

Consequently, when impurity ions are implanted to the selective epitaxial layers 2 in a post-process, the quantity of impurity ions implanted at a desired angle is increased, the profile of an impurity-ion region can be set at a desired value, and the characteristics of a transistor are improved.例文帳に追加

このため、後工程で選択エピタキシャル層２に不純物イオンを注入したときに、所望の角度で注入される不純物イオン量が多くなり、不純物イオン領域のプロファイルを所望の値に設定でき、トランジスタの特性がよくなる。 - 特許庁

When a virtual area Z surrounded with outlines of the respective ion feed ports 46 and an external tangent connecting the outlines is supposed in a bristle implanted surface of the brush unit 3, the bristles 40a are implanted on the wall face in the virtual area Z.例文帳に追加

ブラシユニット３のブリッスル植設面において、各イオン送出口４６の外郭線と、これら外郭線どうしを結ぶ外接線とで囲まれる仮想領域Ｚを想定するとき、仮想領域Ｚ内の壁面にブリッスル４０Ａを植設する。 - 特許庁

The hair dye applying utensil 10 has a brush part 11 formed to both sides of a base part 1, to which a plurality of plate-shaped comb teeth 5 are implanted.例文帳に追加

染毛剤塗布用具１０Ａが、基台１の両側縁部に複数の板状櫛歯５が立設したブラシ部１１を有する。 - 特許庁

Then, by covering the LDD regions with a photoresist 25, an n-type impurity is implanted into the film 13 to form drain and source regions.例文帳に追加

ＬＤＤ領域をフォトレジスト２５で被覆しソースおよびドレイン領域を形成するためｎ型不純物を注入する。 - 特許庁

Filaments 2c on the front end side of the wire brush portion 2 are implanted into the wire portion 2a so as to be inclined toward the base end side.例文帳に追加

ワイヤブラシ部２の先端部側のフィラメント２ｃは、基端部側に傾斜するようにワイヤ部２ａに植毛されている。 - 特許庁

To provide a modular femoral prosthesis including a stem member adapted to be implanted into the medullary canal of the femur.例文帳に追加

大腿骨の骨髄管の中に移植することに適合しているステム部材を備えているモジュール式大腿プロテーゼを提供する。 - 特許庁

Oxygen ions are implanted into the silicon wafer with a multilayered film, and at the same time, the multilayered film is removed at mid way of the implantation.例文帳に追加

多層膜付きシリコンウエハに酸素イオン注入するとともにこの多層膜を注入途中で除去するようにする。 - 特許庁

A flocked layer 7 implanted inclined in reverse direction to the supply direction of the fiberglass mat 1 is fixed at the circumference of the gate roller 6.例文帳に追加

ゲートローラ６の周面には、ガラスマット１の供給方向と逆方向に傾けて植毛した植毛層７を固定する。 - 特許庁

A reference member 16 is disposed at an interval from an implanted plate (objective device) 10 provided inside a hoistway 1.例文帳に追加

基準部材１６は、昇降路１内に設けられた着床プレート（対象機器）１０に対して間隔を置いて配置されている。 - 特許庁

To provide a filament allowing a bristle to be implanted to an electric toothbrush, and being excellent in durability when rotating at high speed; and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

電動歯ブラシに植毛が可能で、高速回転時、耐久力に優れたフィラメント及びその製造方法の提供。 - 特許庁

As the concentration of boron to be implanted into the body can be low, a fine adjustment of the SOI transistor performance is possible.例文帳に追加

そのためボディ部に打ち込むボロンを低濃度とすることができるので、Ｓ０Ｉトランジスタ性能の微調整が可能となる。 - 特許庁

This implanting system of the dental implant is provided with the implant fixture 1 to be implanted in the jaw bone and a fixture driver 5 transmitting a rotation torque to the fixture.例文帳に追加

顎骨に埋植されるインプラントフィクスチャー１と、該フィクスチャーに回転トルクを伝達するフィクスチャードライバ５を備える。 - 特許庁

Nickel silicide aggregation reaction is suppressed when the nitrogen ions and boron ions are implanted, respectively, in each transistor.例文帳に追加

各トランジスタにおいて、窒素イオン及びホウ素イオンがそれぞれ注入されておれば、ニッケルシリサイド凝集反応が抑制される。 - 特許庁

FLUORESCENCE MONOMER COMPOUND FOR SACCHARIDE MEASUREMENT, FLUORESCENCE SENSOR SUBSTANCE FOR SACCHARIDE MEASUREMENT, AND INTERNALLY IMPLANTED SENSOR FOR SACCHARIDE MEASUREMENT例文帳に追加

糖類測定用蛍光モノマー化合物、糖類測定用蛍光センサー物質および体内埋め込み用の糖類測定用センサー - 特許庁

Germanium ions 14A are ion-implanted to the surface region of a semiconductor substrate 11 at a prescribed acceleration voltage and in a prescribed dose amount.例文帳に追加

半導体基板１１の表面領域に、所定の加速電圧、所定のドーズ量で、ゲルマニウムイオン１４Ａをイオン注入する。 - 特許庁

The pointer placing bodies 3, 5 are engaged and released so as to rotate respectively by pins 7, 8 implanted into the meter shaft.例文帳に追加

置針体３，５は、メータ軸に植設されたピン７，８により、それぞれ回動を可能とする係合がなされたり、解除されたりする。 - 特許庁

In addition, the range of freedom for the part where the game nail 7 is implanted upright and the like can be increased.例文帳に追加

また、基盤１の表側の遊技領域を狭めたりすることもなく、遊技釘７の立設箇所等の自由度を向上できる。 - 特許庁

The seeded scaffolds are implanted into the patient at a site in need of treatment to form an organized organ or tissue structure.例文帳に追加

播種された骨格は、治療を必要とする部位で患者に埋め込まれ、組織化された臓器または組織構造を形成する。 - 特許庁

The mat M body is provided with an elastomer backing A on the underside of the basic cloth B (original fabric part S) where loop piles P are implanted.例文帳に追加

マットＭ本体は、ループパイルＰが植設された基布Ｂ（原反部Ｓ）の下面側にエラストマー製のバッキングＡが施されてなる。 - 特許庁

The temperatures at a plurality of measurement points on the surface of the implanted bone are measured and are controlled while a data bank is referenced.例文帳に追加

移植骨の表面上で複数箇所の測定点における温度を計測し、データバンクを参照しながら制御を行う。 - 特許庁

On the mold surface 1 of the mold for molding tire, a plurality of siping blades 2 are implanted in parallel at a prescribed interval (L).例文帳に追加

タイヤ成形用金型の金型表面１には、複数のサイピングブレード２が所定の間隔Ｌ で並列に植設されている。 - 特許庁

A light element is ion-implanted to a thermally oxidized active layer wafer to form a defective layer at a 0.1-0.2 μm depth from the surface.例文帳に追加

熱酸化された活性層用ウェーハに軽元素イオンを注入し、表面から0.1〜2μmの深さに欠陥層が形成させる。 - 特許庁

An opening is formed in the protective layer for exposing the implanted region of the semiconductor layer, and an electrode is formed in the opening.例文帳に追加

半導体層の注入領域を露出させるために、保護層に開口が形成され、開口内に電極が形成される。 - 特許庁

The resonance circuit constitutes an internal implant device 10 which can be implanted in vivo to be brought into contact with cancerous cells heat-transmissibly.例文帳に追加

共振回路は、癌細胞に伝熱可能に接するように体内に埋込み可能な体内インプラント機器(10)を構成する。 - 特許庁

The guide tube is arranged to mainly restrain charged particles used for neutralization of the semiconductor wafer while the semiconductor wafer is implanted.例文帳に追加

このようなガイド管は、主として、注入中にウェハの中性化に使用される荷電粒子を拘束するために設けられる。 - 特許庁

The filling member is compressed before implanted in the segment 70 or the space between the two adjusting segments of the spinal cord.例文帳に追加

充填部材は、脊髄分節７０に、あるいは二つの近接した脊髄分節間に移植される前に収縮される。 - 特許庁

To provide a device and a method for confirming the valve setting by diagnosing performance of an implanted medical device.例文帳に追加

移植されている医療装置の性能を診断してバルブ設定を確認するための装置及び方法を提供すること。 - 特許庁

Accordingly, carrier is not implanted to the active part 14 from the periphery 12 of the element in the side of the rear surface, and therefore latch-up breakdown can be avoided.例文帳に追加

よって、裏面側の素子周辺部１２からアクティブ部１４へのキャリア注入は生じず、ラッチアップ破壊が回避される。 - 特許庁

Consequently, unnecessary resonance in the stripe width direction is eliminated and then an implanted current distribution can be made uniform.例文帳に追加

このため、ストライプ幅方向の不要な共振が無くなり、かつ、それによって注入電流分布も均一にすることができる。 - 特許庁

Then ions are implanted in the semiconductor layer to make amorphous a region of the semiconductor layer to which the dopant impurity is added.例文帳に追加

次いで、半導体層にイオン注入を行い、半導体層のドーパント不純物が添加された領域をアモルファス化する。 - 特許庁

In succession, impurity element (e.g. boron) is implanted into the silicon substrate 11 through the opening.例文帳に追加

続いて、イオン注入方法にて、不純物元素（例えばホウ素）をエッチングにて開口した部分のシリコン基板１１に注入する。 - 特許庁

In a semiconductor device; p-type impurity is selectively ion-implanted only in the base of the trench, and the low concentration impurity region 12 is formed in an n-type semiconductor layer (drain region) 2 where the base of the trench is positioned.例文帳に追加

しかし、ｎ−型半導体層の不純物濃度の低減は、ドレイン抵抗の増大を招き、問題である。 - 特許庁

The temple came to be referred to as 'Tanseibutsu Ichiryu-honzan' as the founding priest Tansei serves as the principal image (a statue with implanted hair). 例文帳に追加

開山の弾誓を本尊（「植髪尊像」）として祀っているため、「弾誓仏一流本山」とも呼ばれるようになった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Furthermore, by utilizing the same mask, boron ions are ion-implanted to bottoms of the grooves 21 to form a channel-stop diffusion layer 7.例文帳に追加

更に、これらをマスクとしてボロンイオンを溝２１の底部にイオン注入することにより、チャネルストップ拡散層７を形成する。 - 特許庁

To provide a precursor stent for treating an aneurysm of particularly an abdominal aorta to be implanted into a patient's body.例文帳に追加

患者の体内に移植するための、特に、腹部大動脈の動脈瘤を治療するための前駆体ステントを提供する。 - 特許庁

Al ions are implanted into an area 10 aside a mesa stripe 6 in a ridged laser wherein a GaInNAs quantum well layer 4 is an active layer.例文帳に追加

GaInNAs量子井戸層4を活性層とするリッジ型レーザにおいてメサストライプ６の脇の10の領域にAlをイオン注入する。 - 特許庁