「implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

The exposed surface of the support substrate is implanted with ions to form substrate contact regions 12 on the support substrate.例文帳に追加

その後、支持基板の露出面上に、素子分離絶縁層を形成し、残存第2半導体層上にゲート酸化膜及びゲート電極を形成する。 - 特許庁

To properly adjust the dosage and excretion of a therapeutic agent produced by a therapeutic micro-organ implanted in a subject.例文帳に追加

被検者に移植された治療用微小器官により作成された治療薬の投薬量と、治療薬の排出量を適切に調整する。 - 特許庁

The flexible body 5 is equipped with a base 10 to be adhered to the apparatus main part and a feather-like part 11 implanted on the base 10.例文帳に追加

前記柔軟体５は前記器具本体１に接着される基部１０と該基部１０に植毛された毛様部１１を具備するものである。 - 特許庁

The backing material 4 is bonded, via an adhesive 3, to the reverse face of a base fabric 2 as a carpet gray fabric with its surface implanted with pile yarns 5.例文帳に追加

該裏打ち材４は、表面にパイル糸５を植設したカーペット生機における基布２の裏面に接着剤３により接着される。 - 特許庁

Follower pins 12B and 12C are implanted on the 2nd group frame 6, and have flange parts 12B_2 and 12C_2 and thrust abutting parts 12B_1 and 12C_1.例文帳に追加

第二群枠６には、従動ピン１２Ｂと１２Ｃが植設され、その従動ピンは、フランジ部１２Ｂ2 ，１２Ｃ2 とスラスト当接部１２Ｂ1 ，１２Ｃ1 とを有している。 - 特許庁

Then, the p-type impurity is respectively ion-implanted to portions under the gate insulating films 9, 11 to form respective body areas 19a, 19b.例文帳に追加

そして、ゲート絶縁膜９，１１下にそれぞれｐ型不純物をイオン注入してボディ領域１９ａ，１９ｂをそれぞれ形成する。 - 特許庁

The block 10 is fixed by a stud dowel 15 welded to and implanted in the under surface of the deck plate 2 so that the block 10 does not fall up to hardening the adhesive.例文帳に追加

接着剤が硬化するまでブロック１０が落下しないようにデッキプレート２下面に溶植したスタッドジベル１５でブロック１０を固定する。 - 特許庁

An Si substrate 42 for constituting a ferroelectric gate section is adjusted and B ions are implanted into the substrate 42 for forming a p-well 44.例文帳に追加

強誘電体ゲート部構成用のＳｉ基板４２を調整し、基板中にｐ−ウェル４４を形成するためＢイオンを注入する。 - 特許庁

In this invention, impurity ions are implanted into the opening while the photoresist is left, and the second body region constituting a channel region is formed.例文帳に追加

本発明は、フォトレジストを残したまま開口内に不純物イオンを注入し、チャネル領域を構成する第２ボディー領域を形成する。 - 特許庁

A plurality of terminal pins P are implanted to a bottom side of the base 1, and left and right case legs 51, 52 suspended from the side faces of the case 5 are fitted to the case 5.例文帳に追加

基台１の底面には複数の端子ピンＰを植立し、ケース５には側面から垂下する左右のケース脚５１、５２を取り付ける。 - 特許庁

Under this state, a plate cylinder 10 turns such that a pin implanted on a drive gear 74 is located at a position where a working block is advanced.例文帳に追加

この状態で、駆動ギア７４上に植設されたピン７５ａが作動ブロック７７の進出先に位置するように版胴１０が回転する。 - 特許庁

Then, an X-ray absorbing material 37 is implanted in the groove part 35 by a plating method and the whole surface is polished and flattened by a CMP method.例文帳に追加

そして、メッキ法により溝部３５にＸ線吸収材３７を埋め込み、ＣＭＰ法により表面全体を研摩して平坦化する。 - 特許庁

According to other embodiments, a surface heating source in combination with an implanted layer serves to guide fracture propagation through the cleave sequence.例文帳に追加

別の実施形態において、注入されたレイヤと組み合わされる表面加熱源は、劈開進行を通して破断伝搬を導くようにはたらく。 - 特許庁

While a metallic element centered on VIII-group, such as Ni, is implanted selectively to an amorphous silicon film, a silicon film is crystallized through heating.例文帳に追加

非晶質珪素膜に選択的に８族を中心とした金属元素例えばＮｉを導入し、加熱により珪素膜を結晶化させる。 - 特許庁

After boron ions are implanted into another part of the polysilicon film, the resulting polysilicon film is patterned to form a gate electrode 8 and a resistor film 13.例文帳に追加

ポリシリコン膜の他部にボロンのイオン注入を行なってから、ポリシリコン膜をパターニングして、ゲート電極８，抵抗体膜１３を形成する。 - 特許庁

METHOD OF REMOVING POLYMERS CONTAINING RESIDUAL METAL AND ION IMPLANTED PHOTORESIST USING OPEN AIR DOWN STREAM PLASMA JET SYSTEM例文帳に追加

大気圧ダウンストリームプラズマジェットシステムを用いて残留金属含有ポリマー物質及びイオン注入工程が行われたフォトレジストを除去する方法 - 特許庁

An ion-implanted layer 12 having an impurity ion peak is formed in an SiC substrate 11 by implanting an impurity ion into the substrate 11.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１１に不純物イオンを注入して、ＳｉＣ基板１１内に不純物イオンのピークを有する注入層１２を形成する。 - 特許庁

The antireflection film 4 is etched using the resist pattern 5 as a mask and phosphorus ions are implanted into the resist pattern 5 and the etched antireflection film 4.例文帳に追加

レジストパターン５をマスクとして反射防止膜４をエッチングした後、レジストパターン５とエッチングされた反射防止膜４とにリンイオンを注入する。 - 特許庁

Fluorine ions are implanted into a base material consisting of a Ti-Al based alloy in a fluorine ion-containing plasma by a plasma base ion implantation method.例文帳に追加

Ｔｉ−Ａｌ系合金からなる基材をフッ素イオン含有プラズマ中においてプラズマベースイオン注入法でフッ素イオンを注入する。 - 特許庁

The gallium nitride semiconductor film 13g includes a region 13h, where the implanted ion is activated and a region 13d which is kept undoped. as it is.例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体膜１３ｇは、注入イオンが活性された領域１３ｈと、アンドープのままである領域１３ｄとを含む。 - 特許庁

To provide a production process of a semiconductor device including a process for removing resist into which high dose ions are implanted.例文帳に追加

高ドーズイオンが注入されたレジストを良好に除去することができる除去工程を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A plurality of body portions 1 of interdental tooth brushes are formed in an interconnected state and implanted with brushes 3.例文帳に追加

歯間ブラシの本体部１を複数個が連結した形状に形成し、この連結した形状で固定してブラシ部３を植毛するようにした。 - 特許庁

The ion-implanted wafer is plasma-processed together with a polished support substrate wafer such that the strength of the lamination interface becomes greater.例文帳に追加

イオン注入したウェーハを、研磨した支持基板用ウェーハと共に、貼り合わせ界面の接着強度が大きくなるようにプラズマ処理を施す。 - 特許庁

A region 12a in a figure is a region where ions are implanted penetrating through the nitride film 4 and the oxide film 3 and serves as a punch-through stopper region.例文帳に追加

図中の１２ａが窒化膜４と酸化膜３を貫通してイオン注入された領域で、パンチスルーストッパ領域となる箇所である。 - 特許庁

The RFID tag or sealed container may be affixed to an AIMD 10 or surgically implanted in the body of the patient adjacent to the AIMD 10.例文帳に追加

ＲＦＩＤタグ又は密閉容器をＡＩＭＤ１０に取り付け又はＡＩＭＤに隣接して患者の体内に外科的に植え込むのがよい。 - 特許庁

As with Si (100) surface, for example, ion is implanted in the direction of (100) axis which is the normal direction against the main surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

例えばＳｉ（１００）面の場合に、半導体基板１の主面に立てた法線方向である（１００）軸方向にイオン注入する。 - 特許庁

To provide an implanted cooler for internal organs, by which a patient of intractable epilepsy or tachyarrhythmia can control disease attack by himself/herself.例文帳に追加

難治性てんかんや頻脈性不整脈発作を患者自身でコントロールすることができる完全埋め込み型臓器冷却装置を提供する。 - 特許庁

To realize an ion implantation device in which impurity concentration profile that is implanted into a target can be controlled freely, and an ion implantation method.例文帳に追加

ターゲットにイオン注入する不純物の濃度プロファイルを自由に制御できるイオン注入装置及びイオン注入方法を実現する。 - 特許庁

Next, impurities are implanted from the surface of the silicon oxide layer 4, and an impurity high density content region is formed within the silicon oxide layer 4.例文帳に追加

次に、酸化シリコン層４の表面から不純物を注入し、酸化シリコン層４内に不純物高濃度含有領域を形成する。 - 特許庁

Impurity ion with a dose amount of 1×10^14 cm^-2 or more is implanted into the semiconductor substrate using the resist film pattern as a mask.例文帳に追加

次いで、当該レジスト膜パターンをマスクとして半導体基板に１×１０^14ｃｍ^-2以上のドーズ量で不純物イオンが注入される。 - 特許庁

Impurity ions are implanted into a channel region 3C, and the implanting quantity of the impurity ions is not smaller than 1×10^12 cm^-2.例文帳に追加

チャネル領域３Ｃには不純物がイオン注入されており、不純物のイオン注入量が１×１０^１２ｃｍ^−２以上である。 - 特許庁

An amorphous silicon film 13 is then deposited on the silicon oxide nitride film 12 and impurity ions are implanted in order to form a dual gate structure.例文帳に追加

シリコン酸窒化膜１２の上にアモルファスシリコン膜１３を堆積し、デュアルゲート構造を形成するための不純物イオンの注入を行なう。 - 特許庁

Then nitrogen or fluorine is implanted in the semiconductor substrate 1 in the transistor formation region 220, 230 through the gate insulating films 3 (or 6).例文帳に追加

そして、ゲート絶縁膜３（または６）越しに、トランジスタ形成領域２２０，２３０の半導体基板１に対して、窒素またはフッ素を注入する。 - 特許庁

A surface-emitting semiconductor laser 100 oscillating at a wavelength λ includes an ion-implanted current narrowing layer 14 near an active layer 13.例文帳に追加

面発光半導体レーザ１００は、発振波長がλであり、活性層１３の近傍にイオン注入型の電流狭窄層１４を有する。 - 特許庁

Since Si+ ions are implanted, the effect of reducing stress due to ion implantation can be prevented from decreasing due to heat treatment.例文帳に追加

Ｓｉ^+イオンをイオン注入したことにより、イオン注入による応力低減効果が熱処理によって減退するのを抑えることができる。 - 特許庁

Ion-implantation of hydrogen is made in the substrate 1, and an implanted defect layer 5 is formed at a position deeper than the P-N junction interface.例文帳に追加

そして、半導体基板１に水素のイオン注入を施し、Ｐ−Ｎ接合界面より深い位置に注入欠陥層５を形成する。 - 特許庁

n-type impurities are implanted from above the substrate 1, and the gate electrode 4, a source region 6 and a drain region 7 are formed.例文帳に追加

そして、基板１の上方からｎ型の不純物を注入することで、ゲート電極４や、ソース領域６、ドレイン領域７を形成する。 - 特許庁

A layer of SiGe is deposited on a substrate and implanted with ions to form a depletion region within a SiGe material below its surface.例文帳に追加

ＳｉＧｅ層は、基板上に堆積され、イオンが注入されて、その表面の下のＳｉＧｅ材料内に欠乏領域を形成する。 - 特許庁

Conductive impurity ions are implanted only at a part 25a positioned in a capacitor formation scheduled region in the second PolySi layers 25.例文帳に追加

続いて、第２のＰｏｌｙＳｉ層２５のうち、キャパシタの形成予定領域に位置する部分２５ａのみに、導電型不純物イオンを注入する。 - 特許庁

Successively, the impurities are ion-implanted in the semiconductor substrate 4 in a state where the mask film 30 is arranged on the surface of the second gate electrode 28.例文帳に追加

続いて、第２ゲート電極２８の表面にマスク膜３０を配置した状態で不純物を半導体基板４にイオン注入する。 - 特許庁

A remote reader with an antenna is provided to selectively interrogate and provide inductive power to the implanted shunt.例文帳に追加

アンテナを備えた遠隔読み取り装置が、埋め込まれたシャントに選択的に問い合わせし、かつ誘導電力を供給するために、提供される。 - 特許庁

To prevent an impurity ion different in at least one of the mass number and energy from an objective ion from being implanted in a target.例文帳に追加

目的のイオンとは質量数およびエネルギーの内の少なくとも一方が異なる不純物イオンがターゲットに注入されることを防止する。 - 特許庁

An elementary ion is implanted from the surface of a wafer 21 for an activated layer, which has oxide films 12a, 12b on the surface thereof, and the surface of a wafer for support.例文帳に追加

表面に酸化膜１２ａ、１２ｂを有する活性層用ウェーハ２１および支持用ウェーハの表面から元素イオンを注入する。 - 特許庁

To wirelessly communicate between a radiation detector and an image display device and capture the image of a subject implanted with a pacemaker.例文帳に追加

放射線検出装置と画像表示装置との間で無線通信をし、かつ、ペースメーカを装着している被験者に対しても撮影する。 - 特許庁

Accordingly, a higher activation rate can be achieved, and crystal defects can be prevented due to the reduced amount of C implanted.例文帳に追加

このため、さらなる高活性率化を図ることができると共に、Ｃの注入量低減により結晶欠陥抑制を図ることも可能となる。 - 特許庁