「implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

The method of producing a semiconductor substrate characterised in that oxygen ions are implanted into a silicon substrate at a depth of 60-100 nm and then an SiGe layer is grown epitaxially on the silicon substrate, is used.例文帳に追加

酸素イオンをシリコン基板の深さ６０ｎｍ以上１００ｎｍ以下に注入した後、該シリコン基板上に、ＳｉＧｅ層をエピタキシャル成長させることを特徴とする半導体基板の製造方法を用いる。 - 特許庁

After embedded silicon 25 is provided on the surface of the semiconductor device 10 where the trench 22 is formed, a resist 28 is provided above the trench 22, and ions are implanted into the embedded silicon 25 from above the silicon 25.例文帳に追加

半導体装置１０のトレンチ２２が形成されている側の表面に埋込シリコン２５を配置した後、トレンチ２２の上方にレジスト２８を配置し、埋込シリコン２５の上方から埋込シリコン２５にイオンを注入する。 - 特許庁

The semiconductor substrate 100 is thermally treated at 400 to 550°C to turn the amorphous layer to a crystal layer, and then arsenic ions are implanted using the gate electrode 102 and a side wall 107 as a mask.例文帳に追加

半導体基板１００に対して４００〜５５０℃の温度の熱処理を施して、アモルファス層をクリスタル層に回復させた後、ゲート電極１０２及びサイドウォール１０７をマスクとしてヒ素イオンをイオン注入する。 - 特許庁

To achieve a semiconductor device for preventing the characteristics of a transistor from deteriorating by preventing impurities implanted into a resist mask when implanting ions from being doped at an extension formation region in ashing.例文帳に追加

イオン注入の際のレジストマスク中に注入された不純物が、アッシングの際にエクステンション形成領域にドープされることを防止して、トランジスタの特性劣化が生じない半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

A heavy metal element is ion-implanted to the semiconductor silicon single crystal wafer from the front or rear surface to form a heavy metal-existing layer, and the heavy metal-existing layer is used as a gettering layer.例文帳に追加

半導体シリコン単結晶ウェーハに表面あるいは裏面から重金属元素をイオンインプランテーションして重金属存在層を形成するとともに前記重金属存在層をゲッタリング層としたことを特徴とする。 - 特許庁

First conductivity type impurity ions are then implanted using the first mask again and a first well is formed to overlay a part of the first well isolation region 104 in the semiconductor substrate 100.例文帳に追加

第１マスクが再び用いられ、第１導電型の不純物イオンが注入され、半導体基板１００内の第１ウェル隔離領域１０４の一部上にオーバーレイされるように第１ウェルが形成される。 - 特許庁

This nitrogen-implanted C60 fullerene thin film is suitable for use as a negative resist for electron beam lithography because difference of etching rate is remarkable before and after electron beam exposure and etching selectivity to the substrate is high.例文帳に追加

この一様に窒素イオンを分布した窒素注入C60フラーレン薄膜は電子線露光前後のエッチングレートの差、基板に対する選択比がが著しく高いので、電子線リソグラフィー用ネガレジストに適している。 - 特許庁

After the lower electrode 106a of the capacitor is formed, a thermal oxidation process is performed so that impurity ions implanted into the lower electrode 106a of the capacitor are isolated on the upper surface of the lower electrode of the capacitor.例文帳に追加

キャパシター下部電極１０６ａが形成された後、キャパシター下部電極１０６ａに注入された不純物イオンがキャパシター下部電極の上部表面に隔離させるために熱酸化工程を遂行する。 - 特許庁

After a thermal oxide film 14 is selectively removed from an intermediate voltage transistor forming region MV through both a dry etching technique and a wet etching technique, ions are implanted into spots on the sides of a gate electrode 17b.例文帳に追加

ドライエッチング技術およびウェットエッチング技術を用いて、中電圧トランジスタ形成領域ＭＶの熱酸化膜１４を選択的に除去してから、ゲート電極１７ｂの両側にイオン注入を行う。 - 特許庁

To provide a shielding mask wherein ionized light ions are accelerated by a voltage and implanted in a semiconductor substrate, and selective life time control of a semiconductor substrate is performed, and a semiconductor manufacturing equipment using the shielding mask.例文帳に追加

電離させた軽イオンを電圧で加速させて半導体基板に注入し、半導体基板の選択的ライフタイム制御をおこなう遮蔽マスク、およびそのような遮蔽マスクを用いた半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

An embedded oxide film is formed within a silicon wafer 11 by implanting an oxygen ion in the silicon wafer 11, and heat treating the silicon wafer 11 after cleaning the oxygen-ion-implanted silicon wafer 11.例文帳に追加

シリコンウェーハ１１に酸素イオンを注入し、この酸素イオンを注入したシリコンウェーハ１１を洗浄した後に、このシリコンウェーハ１１を熱処理することによりシリコンウェーハ１１の内部に埋込み酸化膜を形成する。 - 特許庁

The method of removing a resist film includes a step of selectively implanting H_3O ions into the resist film on the substrate, and a step of removing the ion-implanted resist film by the H_3O ions.例文帳に追加

基板上に存在しているレジスト膜に、H_3Oイオンを選択的に注入する工程と、前記H_3Oイオンによって注入後のレジスト膜を除去する工程と、を有することを特徴とするレジスト膜の除去方法など。 - 特許庁

To prevent an ion beam, containing multiple types of ions generated in an ion source by discharge of an extraction electrode, from arriving at a target and ions having mass and energy, other than those of a desired ion, from being implanted in the target.例文帳に追加

引出電極の放電によりイオン源内で生成された複数種類のイオンを含むイオンビームがターゲットに到達して所望イオン以外の質量及びエネルギーをもったイオンがターゲットに注入されないようにする。 - 特許庁

After it is filled with a gate insulation film 12, a polysilicon layer 14 and a tungsten layer 15, upper part of an implanted part 18 for extending the source-drain is opened by etching, a spacer 19 is formed therein and contact implantation appropriate to P or N type is carried out.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１２ポリシリコン層１４タングステン層１５を充填した後、ソースドレイン拡張注入部１８の上部をエツチング開口し、スペーサ１９を形成してＰ．Ｎ適宜のコンタクト注入を行う。 - 特許庁

Thereafter, the surface layer section of the thin bonded single-crystal silicon film 5, laminated on the base wafer 7 when the thin 5 is peeled from the wafer 1, is etched back to an etching stopper layer 6', formed based on the ion-implanted layer 6 for stopping etching.例文帳に追加

そして、この剥離によりベースウェーハ７上に貼り合わされた結合シリコン単結晶薄膜５表層部を、エッチストップ用イオン注入層６に基づいて形成されたエッチストップ層６’までエッチバックする。 - 特許庁

Three hundred and twenty groups 7, 7, ... of the brushes are implanted in total on the rotary base 8 by five columns in a radial direction and 64 groups on a coaxial circumference, and the projecting amount of each group 7 of brushes from the rotary base 8 is 50 mm.例文帳に追加

ブラシ群７、７・・は、回転基板８上に、径方向に５列、同心円周上に６４個の合計３２０群植設されており、各ブラシ群７の回転基板８からの突出量は５０ｍｍとする。 - 特許庁

Six disengagement preventive pins 18 are implanted at uniform intervals on the same circumference of the part of a male helicoid screw 13 at the screwed part of the female helicoid screw 12 of a fixed frame 2 and the male helicoid screw 13 of a rotary frame 3.例文帳に追加

固定枠２の雌ヘリコイドネジ１２と回転枠３の雄ヘリコイドネジ１３との螺合部分では、雄ヘリコイドネジ１３の部分に、同一円周上で等間隔に６個の外れ防止ピン１８が植設されている。 - 特許庁

A composite segment 1 is produced by arranging a steel hull 2 composed of a skin plate 8, a main steel member 9, etc. in a mold form 20, and filling a concrete 3 in the mold form 20 implanted with the steel hull 2.例文帳に追加

スキンプレート８と主鋼材９などから形成される鋼殻２を型枠２０に配置させ、鋼殻２を配置させた型枠２０内にコンクリート３を充填させることで、合成セグメント１を製造するようにした。 - 特許庁

The clothes and attachments are obtained by making the space so as to prevent a seatbelt and other things from touching the rising part which is made after installing an implanted pacemaker by an operation, giving an external part of the space an appropriate thickness with a cloth and a material to make higher than the rising part and cover an implanted pacemaker installation part, and further applying an electromagnetic wave preventing material to a range reducing electromagnetic wave influence.例文帳に追加

手術により植え込みペースメーカーを装着した後に出来る盛り上り部分にシートベルトや他のものが触れないように空間を造りその空間の外の部分には上記盛り上がり部分より高くなるように生地及び素材で適度な厚みをもたせて植え込みペースメーカー装着部をかばうように製作し、さらに其上に電磁波防止用の素材を電磁波の影響が軽減できる範囲に施した衣類及び装着物を作る。 - 特許庁

A brush having pile yarns containing polishing powder implanted thereon is arranged in rubbing contact with the image carrier of the electrophotographic image forming apparatus as a cleaning brush or a charging brush 4, etc., to polish the surface of the image carrier.例文帳に追加

研磨紛を混入したパイル糸を植毛したブラシを、クリーニングブラシ又は帯電ブラシ４などとして、電子写真方式の画像形成装置の像担持体と接触摺擦するよう配置することにより、像担持体表面を研磨する。 - 特許庁

Each of the offensive smell removing devices D is constituted of a container 10 comprising an almost hollow cylindrical body and the microorganism implanted activated carbon fiber body 11 interposed between the inner and outer walls 10a and 10b of the container 10.例文帳に追加

そして、該臭気除去装置Ｄは、略中空状筒体でなる容器１０と、該容器１０の内壁１０ａと外壁１０ｂ間に介装した微生物（バイオ）を植付けた活性炭素繊維体１１とで構成している。 - 特許庁

To provide a rational sewage treatment technique which is capable of improving treatment efficiently by smoothing the movement of carriers implanted with microorganisms of waste water treatment equipment formed by movably packing the carriers into a treating vessel.例文帳に追加

微生物を着床させた担体が処理槽内を移動可能に充填された汚水の処理装置において、担体の移動を円滑化することで処理効率を向上させることができる合理的な汚水処理技術を提供する。 - 特許庁

Ion implanation is performed on the rear-surface silicon carbide 23, which is grown simultaneously on the rear surface of a substrate 21 at the time of growing silicon carbide 22 on the front surface of the substrate 21, and an ohmic electrode 26 is formed on the ion-implanted layer 24.例文帳に追加

基板２１に対して炭化珪素２２を表面に成長させる際に同時に成長する裏面炭化珪素２３に対して窒素イオン注入を行い、イオン注入層２４にオーミック電極２６を形成する。 - 特許庁

Thus, oxygen is implanted into a portion where the electric field is excited, and thus electric conductivity of a partial region of the transparent conductive oxide layer 19 is decreased to make the region into semiconductor, and consequently a semiconductor region is formed adjacent to a conductor region.例文帳に追加

これにより、電界が励起された部分に酸素が注入され、透明導電性酸化物層１９の一部領域の電気伝導度が低下し半導体となり、導体領域に隣接して半導体領域が形成される。 - 特許庁

In the method of manufacturing the SOI substrate 10, a buried silicon oxide layer 12 is formed in a silicon wafer 11 at a prescribed depth from the surface of the wafer 11 by annealing the wafer after oxygen ions are implanted into the wafer 11 from the surface of the wafer 11.例文帳に追加

シリコンウェーハ１１の表面から酸素イオンを注入した後、シリコンウェーハをアニール処理してウェーハ表面から所定の深さに埋込みシリコン酸化層１２を形成するＳＯＩ基板１０の製造方法である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin-film transistor wherein an impurity is evenly implanted over the entire surface of a silicon layer and no streak/spot arises on the image outputted through a liquid-crystal display device.例文帳に追加

この発明は、シリコン層の全面に亘って不純物を均一に注入でき、液晶表示装置を介して出力される画像に筋斑を生じることのない薄膜トランジスタの製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

The cardiac monitoring system (14) includes sensors (RA, LA, V1, V2, V3, V4, V5, V6, RL or LL) adapted to monitor outputs (16) generated by an implanted electronic pacemaker (12) and a data acquisition module (32).例文帳に追加

心臓監視システム（１４）は、移植式電子ペースメーカ（１２）及びデータ収集モジュール（３２）が発生させた出力（１６）を監視するように適応させたセンサ（ＲＡ、ＬＡ、Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４、Ｖ５、Ｖ６、ＲＬまたはＬＬ）を含む。 - 特許庁

To provide a toothbrush, wherein the production time and a defect generation rate are drastically reduced by simplifying steps and in addition, needle-like bristles are implanted using non-polyester-based bristles which can not be conventionally applied as materials.例文帳に追加

工程の単純化によって生産時間と不良発生率を大幅減らすことができるうえ、従来では適用不可能であった非ポリエステル系の刷毛を材料として使用して針状毛が植毛された歯ブラシを提供すること。 - 特許庁

During this crystal growth process, the Si substrate 10 gradually fractures with the ion implanted layer as the boundary, and, finally, the Si substrate 10 separates into a thin film part 11 having a thickness of about 100 nm and a main part of the substrate 10.例文帳に追加

この結晶成長過程において、上記のＳｉ基板１０は、イオン注入層を境に徐々に破断し、最終的には膜厚約１００ｎｍの薄膜部１１とＳｉ基板１０の主要部とに分離される。 - 特許庁

Thereafter, p-type impurities are ion-implanted with the oxidized film 12 as a mask, a p+-type contact region 8 is formed on the surface layer part of a p-type channel region 6, and a p+-type region 16a is formed on the Poly-Si layer 16.例文帳に追加

この後、酸化膜１２をマスクとしてｐ型不純物をイオン注入し、ｐ型チャネル領域６の表層部にｐ^+型コンタクト領域８を形成すると共に、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ層１６にｐ^+型領域１６ａを形成する。 - 特許庁

Further, the sludge is decomposed in a short term by installing plates implanted with alga produced by adding 5% to 70% of crushed shells to concrete to which the geopolymer is mixed as a gathering place for fish, in a so-called sludge area on the sea bottom.例文帳に追加

また、ジオポリマーを混入したコンクリートに粉砕貝殻を５％から７０％加えて着藻草板として製作したものを、漁礁として海底の所謂ヘドロ地域へ設置することにより汚泥を短期間に分解する。 - 特許庁

To provide a scleral prosthesis which is implanted alone or multiply in a patient's eye to partially or completely restore the accommodative power to a presbyopic eye, and to provide a system including the scleral prosthesis.例文帳に追加

単一の又は複数の強膜プロテーゼを患者の眼内へインプラントすることで、部分的に又は全体的に、老眼に調節力を回復させることができる強膜プロテーゼ、および強膜プロテーゼを含むシステムを提供する。 - 特許庁

The sheet-like member 3 is, for example, a textile sheet having a base texture part 31 and a plurality of bristle parts 33 erected from the base texture part 31, where the plurality of bristle parts 33 are implanted in the panel surface 1a in an exposed state.例文帳に追加

シート状部材３は、例えば、地組織部３１と、該地組織部３１から立ち上がった複数の立毛部３３とを有する繊維シートであり、複数の立毛部３３を露出させた状態でパネル面１ａに埋設されている。 - 特許庁

The subunit 20a is provided with an end wall 21 not parallel to the wend wall 14a, on which the subunit 20a is mounted and a plurality of bell-mouths 30 are implanted vertically on this end wall 21 for the connection with the embedded pipes.例文帳に追加

サブユニット２０ａは、当該サブユニット２０ａが取り付けられた端壁１４ａに対して非平行な端壁２１と、この端壁２１に対して垂直に埋設され、埋設管に接続するための複数のベルマウス３０とを備えている。 - 特許庁

A plurality of isolation regions 4 are formed in the SOI layer 2 on an SOI substrate and a gate electrode 5b is formed through a gate insulation film after desired impurities are implanted in the body part of an Si active layer region 2a.例文帳に追加

ＳＯＩ基板のＳＯＩ層２に複数個の素子分離領域４を形成し、Ｓｉ活性層領域２ａのボディ部に対して所望の不純物を注入してから、ゲート絶縁膜を介してゲート電極５ｂを形成する。 - 特許庁

Then, by using the resist 9B as a mask, P (phosphorus) ions of a second dosing amount larger than the first dosing amount are so implanted into the region 15C as to form an n-type diffusion region 10C adjacently to the p-type diffusion region 8D.例文帳に追加

そして、レジスト９Ｂをマスクとして、第１のドーズ量よりも大きい第２のドーズ量のＰ（リン）イオンが領域１５Ｃ上に注入され、ｐ型拡散領域８Ｄに隣接してｎ型拡散領域１０Ｃが形成される。 - 特許庁

The conditions of implantation are determined by simulation so that each implanted impurity becomes 1×10^17 cm^-3 in a thickness range of 0.5 micron from a surface.例文帳に追加

その後、不純物２（ＩＩＩ族又はＶ族元素）を打ち込んだが（図５（ｄ））、注入条件は、打ち込んだ不純物がそれぞれ表面から０．５ミクロンの厚さの範囲内で、１×１０^17ｃｍ^-3となるようにシミュレーションにより決定した。 - 特許庁

Further, while a polycrystalline silicon film 111 that becomes a low breakdown voltage MISFET gate electrode is formed on a high breakdown voltage MISFET gate electrode FG, impurities for adjusting the low breakdown voltage MISFET threshold are implanted.例文帳に追加

また、高耐圧ＭＩＳＦＥＴのゲート電極ＦＧ上に低耐圧ＭＩＦＥＴのゲート電極となる多結晶シリコン膜１１１が形成された状態で、低耐圧ＭＩＳＦＥＴの閾値調整用の不純物注入を行う。 - 特許庁

Phosphorus ions are implanted to a first conductive film formed on the diffusion layer on a substrate, and a damaged layer is formed on the surface part, and then patterning is performed with a resist film formed thereon as a mask, thereby forming a first conductive film 9B.例文帳に追加

基板上の拡散層上に形成した第１導電膜にリンイオンを注入して、その表面部にダメージ層を形成した後、その上に形成したレジスト膜をマスクにしてパターニングして第１導電膜９Ｂを形成する。 - 特許庁

Carbon particles 26 are coated on to surface of an electrolyte film 22, and then a plurality of carbon fibers 24 for supporting a catalyst are implanted at an angle of approximately 90° on the surface of the electrolyte film 22 by using an electric field implanting technique.例文帳に追加

電解質膜２２の表面にカーボン粒子２６を塗布した後に、電界植毛の技術を用いて電解質膜２２の表面に触媒を担持した複数の炭素繊維２４を略９０度の角度をもって植毛する。 - 特許庁

Then, after a side wall 6 is formed, the arsenic of dose amount 4E15 cm-2 is ion- implanted into the semiconductor substrate 2 with the energy 50 keV at an angle which does not cause a channeling phenomenon to form n+ layers 3 and 4.例文帳に追加

その後、サイドウォール６を形成した上で、ドーズ量４Ｅ１５ｃｍ^-2の砒素をチャネリング現象を起し得ない角度で且つ５０ｋｅＶのエネルギーで半導体基板２の内部に向けてイオン注入しｎ^+層３，４を形成する。 - 特許庁

The particles 3 consisting of a calcium phosphate compound are adhered to at least one surface side of a base material sheet 4 consisting of a bioabsorptive polymer material and the sheet is pressed, by which the particles 3 are partly implanted into the base material sheet 4.例文帳に追加

生体吸収性高分子物質からなる基材シート４の少なくとも片面側にリン酸カルシウム系化合物からなる粒子３を付着させプレスすることにより粒子３の一部を前記基材シート４に埋入させる。 - 特許庁

A photodiode 303 in which n-type impurities are ion-implanted is formed for each pixel at the side of the interlayer insulating film 304 of the p-type semiconductor layer 302, and a light-shielding film 305 is formed in the interlayer insulating film 304.例文帳に追加

Ｐ型半導体層３０２の層間絶縁膜３０４側にはＮ型不純物がイオン注入されてなるフォトダイオード３０３が画素毎に形成され、層間絶縁膜３０４中には遮光膜３０５が形成されている。 - 特許庁

In addition, the silicon layer 8 is patterned with dry etching using a reactive gas with the second inorganic film 8 used as a mask, an ion 12 is implanted into the silicon substrate 2 in energy of 5 MeV to 8 MeV using the silicon layer 6 as a mask.例文帳に追加

さらに、第２の無機膜８をマスクとする反応性ガスを用いたドライエッチングによりシリコン層６をパターン化し、このシリコン層６をマスクとして、５ＭｅＶないし８ＭｅＶのエネルギーでシリコン基板２にイオン１２を注入する。 - 特許庁

The rubbing roll 204 includes the rotary drum 204a, an adhesive layer 204b formed by applying an adhesive in the outer circumference of the rotary drum 204a, and a raising layer 204c comprising innumerable filaments F implanted in the adhesive layer 204b.例文帳に追加

ラビングロール２０４は、回転ドラム２０４ａと、回転ドラム２０４ａの外周に接着剤を塗布して形成した接着層２０４ｂと、接着層２０４ｂに植設された無数のフィラメントＦからなる起毛層２０４ｃとを備える。 - 特許庁