「implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of forming a device isolation film in a semiconductor device in which a performance of a device is improved by making a constant ion concentration distribution of a region where ions for controlling a threshold voltage are implanted.例文帳に追加

しきい値電圧調節のためのイオンが注入された領域のイオン濃度分布を一定にして素子の性能を向上させることを可能にする半導体素子の素子分離膜製造方法を提供する。 - 特許庁

Instead of an implanted heavy body that requires a high dose, high energy implant followed by temperature cycle, the heavy body is formed by forming a trench through the source and into the body region.例文帳に追加

高量高エネルギー注入とそれに続く温度サイクルを必要とする注入された高重基体の代わりに、高重基体が、ソースを経て基体領域へと至るトレンチを形成することによって形成される。 - 特許庁

The ink jet flocking thermally impressed sheet is obtained by printing the sheet in which flocking is conducted on a thermally adhesive white resin layer and an ink accepting layer is formed of perpendicularly implanted white short fibers and thermally impressing the fabric textile.例文帳に追加

熱接着性白色樹脂層にフロッキー加工を施し、垂直に植設された白色短繊維でインク受容層を形成したシートに、インジェットプリンターで印字し、生地に熱圧着することで可能となる。 - 特許庁

To achieve a semiconductor device for preventing the characteristics of a transistor from deteriorating by preventing impurities implanted into a resist mask when implanting ions from being doped at an extension formation region in ashing.例文帳に追加

イオン注入の際のレジストマスク中に注入された不純物が、アッシングの際にエクステンション形成領域にドープされることを防止して、トランジスタの特性劣化が生じない半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

A heavy metal element is ion-implanted to the semiconductor silicon single crystal wafer from the front or rear surface to form a heavy metal-existing layer, and the heavy metal-existing layer is used as a gettering layer.例文帳に追加

半導体シリコン単結晶ウェーハに表面あるいは裏面から重金属元素をイオンインプランテーションして重金属存在層を形成するとともに前記重金属存在層をゲッタリング層としたことを特徴とする。 - 特許庁

After the lower electrode 106a of the capacitor is formed, a thermal oxidation process is performed so that impurity ions implanted into the lower electrode 106a of the capacitor are isolated on the upper surface of the lower electrode of the capacitor.例文帳に追加

キャパシター下部電極１０６ａが形成された後、キャパシター下部電極１０６ａに注入された不純物イオンがキャパシター下部電極の上部表面に隔離させるために熱酸化工程を遂行する。 - 特許庁

This nitrogen-implanted C60 fullerene thin film is suitable for use as a negative resist for electron beam lithography because difference of etching rate is remarkable before and after electron beam exposure and etching selectivity to the substrate is high.例文帳に追加

この一様に窒素イオンを分布した窒素注入C60フラーレン薄膜は電子線露光前後のエッチングレートの差、基板に対する選択比がが著しく高いので、電子線リソグラフィー用ネガレジストに適している。 - 特許庁

After a thermal oxide film 14 is selectively removed from an intermediate voltage transistor forming region MV through both a dry etching technique and a wet etching technique, ions are implanted into spots on the sides of a gate electrode 17b.例文帳に追加

ドライエッチング技術およびウェットエッチング技術を用いて、中電圧トランジスタ形成領域ＭＶの熱酸化膜１４を選択的に除去してから、ゲート電極１７ｂの両側にイオン注入を行う。 - 特許庁

To provide a shielding mask wherein ionized light ions are accelerated by a voltage and implanted in a semiconductor substrate, and selective life time control of a semiconductor substrate is performed, and a semiconductor manufacturing equipment using the shielding mask.例文帳に追加

電離させた軽イオンを電圧で加速させて半導体基板に注入し、半導体基板の選択的ライフタイム制御をおこなう遮蔽マスク、およびそのような遮蔽マスクを用いた半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

An embedded oxide film is formed within a silicon wafer 11 by implanting an oxygen ion in the silicon wafer 11, and heat treating the silicon wafer 11 after cleaning the oxygen-ion-implanted silicon wafer 11.例文帳に追加

シリコンウェーハ１１に酸素イオンを注入し、この酸素イオンを注入したシリコンウェーハ１１を洗浄した後に、このシリコンウェーハ１１を熱処理することによりシリコンウェーハ１１の内部に埋込み酸化膜を形成する。 - 特許庁

The method of removing a resist film includes a step of selectively implanting H_3O ions into the resist film on the substrate, and a step of removing the ion-implanted resist film by the H_3O ions.例文帳に追加

基板上に存在しているレジスト膜に、H_3Oイオンを選択的に注入する工程と、前記H_3Oイオンによって注入後のレジスト膜を除去する工程と、を有することを特徴とするレジスト膜の除去方法など。 - 特許庁

First conductivity type impurity ions are then implanted using the first mask again and a first well is formed to overlay a part of the first well isolation region 104 in the semiconductor substrate 100.例文帳に追加

第１マスクが再び用いられ、第１導電型の不純物イオンが注入され、半導体基板１００内の第１ウェル隔離領域１０４の一部上にオーバーレイされるように第１ウェルが形成される。 - 特許庁

To prevent an ion beam, containing multiple types of ions generated in an ion source by discharge of an extraction electrode, from arriving at a target and ions having mass and energy, other than those of a desired ion, from being implanted in the target.例文帳に追加

引出電極の放電によりイオン源内で生成された複数種類のイオンを含むイオンビームがターゲットに到達して所望イオン以外の質量及びエネルギーをもったイオンがターゲットに注入されないようにする。 - 特許庁

After it is filled with a gate insulation film 12, a polysilicon layer 14 and a tungsten layer 15, upper part of an implanted part 18 for extending the source-drain is opened by etching, a spacer 19 is formed therein and contact implantation appropriate to P or N type is carried out.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１２ポリシリコン層１４タングステン層１５を充填した後、ソースドレイン拡張注入部１８の上部をエツチング開口し、スペーサ１９を形成してＰ．Ｎ適宜のコンタクト注入を行う。 - 特許庁

Thereafter, the surface layer section of the thin bonded single-crystal silicon film 5, laminated on the base wafer 7 when the thin 5 is peeled from the wafer 1, is etched back to an etching stopper layer 6', formed based on the ion-implanted layer 6 for stopping etching.例文帳に追加

そして、この剥離によりベースウェーハ７上に貼り合わされた結合シリコン単結晶薄膜５表層部を、エッチストップ用イオン注入層６に基づいて形成されたエッチストップ層６’までエッチバックする。 - 特許庁

Three hundred and twenty groups 7, 7, ... of the brushes are implanted in total on the rotary base 8 by five columns in a radial direction and 64 groups on a coaxial circumference, and the projecting amount of each group 7 of brushes from the rotary base 8 is 50 mm.例文帳に追加

ブラシ群７、７・・は、回転基板８上に、径方向に５列、同心円周上に６４個の合計３２０群植設されており、各ブラシ群７の回転基板８からの突出量は５０ｍｍとする。 - 特許庁

Six disengagement preventive pins 18 are implanted at uniform intervals on the same circumference of the part of a male helicoid screw 13 at the screwed part of the female helicoid screw 12 of a fixed frame 2 and the male helicoid screw 13 of a rotary frame 3.例文帳に追加

固定枠２の雌ヘリコイドネジ１２と回転枠３の雄ヘリコイドネジ１３との螺合部分では、雄ヘリコイドネジ１３の部分に、同一円周上で等間隔に６個の外れ防止ピン１８が植設されている。 - 特許庁

A composite segment 1 is produced by arranging a steel hull 2 composed of a skin plate 8, a main steel member 9, etc. in a mold form 20, and filling a concrete 3 in the mold form 20 implanted with the steel hull 2.例文帳に追加

スキンプレート８と主鋼材９などから形成される鋼殻２を型枠２０に配置させ、鋼殻２を配置させた型枠２０内にコンクリート３を充填させることで、合成セグメント１を製造するようにした。 - 特許庁

The clothes and attachments are obtained by making the space so as to prevent a seatbelt and other things from touching the rising part which is made after installing an implanted pacemaker by an operation, giving an external part of the space an appropriate thickness with a cloth and a material to make higher than the rising part and cover an implanted pacemaker installation part, and further applying an electromagnetic wave preventing material to a range reducing electromagnetic wave influence.例文帳に追加

手術により植え込みペースメーカーを装着した後に出来る盛り上り部分にシートベルトや他のものが触れないように空間を造りその空間の外の部分には上記盛り上がり部分より高くなるように生地及び素材で適度な厚みをもたせて植え込みペースメーカー装着部をかばうように製作し、さらに其上に電磁波防止用の素材を電磁波の影響が軽減できる範囲に施した衣類及び装着物を作る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin-film transistor wherein an impurity is evenly implanted over the entire surface of a silicon layer and no streak/spot arises on the image outputted through a liquid-crystal display device.例文帳に追加

この発明は、シリコン層の全面に亘って不純物を均一に注入でき、液晶表示装置を介して出力される画像に筋斑を生じることのない薄膜トランジスタの製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

The cardiac monitoring system (14) includes sensors (RA, LA, V1, V2, V3, V4, V5, V6, RL or LL) adapted to monitor outputs (16) generated by an implanted electronic pacemaker (12) and a data acquisition module (32).例文帳に追加

心臓監視システム（１４）は、移植式電子ペースメーカ（１２）及びデータ収集モジュール（３２）が発生させた出力（１６）を監視するように適応させたセンサ（ＲＡ、ＬＡ、Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４、Ｖ５、Ｖ６、ＲＬまたはＬＬ）を含む。 - 特許庁

To provide a toothbrush, wherein the production time and a defect generation rate are drastically reduced by simplifying steps and in addition, needle-like bristles are implanted using non-polyester-based bristles which can not be conventionally applied as materials.例文帳に追加

工程の単純化によって生産時間と不良発生率を大幅減らすことができるうえ、従来では適用不可能であった非ポリエステル系の刷毛を材料として使用して針状毛が植毛された歯ブラシを提供すること。 - 特許庁

During this crystal growth process, the Si substrate 10 gradually fractures with the ion implanted layer as the boundary, and, finally, the Si substrate 10 separates into a thin film part 11 having a thickness of about 100 nm and a main part of the substrate 10.例文帳に追加

この結晶成長過程において、上記のＳｉ基板１０は、イオン注入層を境に徐々に破断し、最終的には膜厚約１００ｎｍの薄膜部１１とＳｉ基板１０の主要部とに分離される。 - 特許庁

A large number of brush fibers 9 obtained by forming brass wires of a 0.15 mm diameter to have a waveform of 5.5 mm pitches are bundled in high density to make a group 7 of brushes, and a plurality of groups 7 of the brushes are implanted into a rotary base 8 to form a brush part.例文帳に追加

直径０．１５ｍｍの真鍮線を５．５ｍｍピッチの波形に形成してなるブラシ繊維９を高密度に多数束ねてブラシ群７とし、該ブラシ群７を回転基板８に多数植設してブラシ部を形成する。 - 特許庁

Each of covered areas of 40b1, 40b2, 42b1, and 42b of gate insulating layers 40 and 42 exposed each from both sides of gate layers 38I and 38II is ion-implanted into a mask, and the LDD area and source/drain area are formed at the same time.例文帳に追加

ゲート層３８Ｉ，３８ＩＩ両側からそれぞれ露出するゲート絶縁層４０，４２の各被覆領域４０ｂ_1，４０ｂ_2，４２ｂ_1, ４２ｂをマスクにイオン注入を行い、ＬＤＤ領域とソース／ドレイン領域を同時に形成する。 - 特許庁

The A layer includes: a base 14 made of extremely-thin and moisture-permeable film-like material; a primary adhesive layer 15 formed on the whole of the back surface of the base 14 to be applied to the user's body; and hair material 9 implanted into one end part of the base.例文帳に追加

Ａ層は極薄かつ透湿性のフィルム状素材からなるベース１４と、ベース１４の裏面全面に形成され人体に貼付される第１粘着層１５と、ベースの一端部に植え付けられたヘア材９とからなる。 - 特許庁

Then, by using the resist 9B as a mask, P (phosphorus) ions of a second dosing amount larger than the first dosing amount are so implanted into the region 15C as to form an n-type diffusion region 10C adjacently to the p-type diffusion region 8D.例文帳に追加

そして、レジスト９Ｂをマスクとして、第１のドーズ量よりも大きい第２のドーズ量のＰ（リン）イオンが領域１５Ｃ上に注入され、ｐ型拡散領域８Ｄに隣接してｎ型拡散領域１０Ｃが形成される。 - 特許庁

In the ion implantation method for implanting impurities into a workpiece 410, impurities are implanted into the workpiece 410 through a buffer plate 30 spaced apart therefrom.例文帳に追加

本発明のイオン注入方法は、被処理体４１０に不純物を打ち込むためのイオン注入方法であって、 前記被処理体４１０から離間された緩衝板３０を介して該被処理体４１０に前記不純物を打ち込む。 - 特許庁

The subunit 20a is provided with an end wall 21 not parallel to the wend wall 14a, on which the subunit 20a is mounted and a plurality of bell-mouths 30 are implanted vertically on this end wall 21 for the connection with the embedded pipes.例文帳に追加

サブユニット２０ａは、当該サブユニット２０ａが取り付けられた端壁１４ａに対して非平行な端壁２１と、この端壁２１に対して垂直に埋設され、埋設管に接続するための複数のベルマウス３０とを備えている。 - 特許庁

A plurality of isolation regions 4 are formed in the SOI layer 2 on an SOI substrate and a gate electrode 5b is formed through a gate insulation film after desired impurities are implanted in the body part of an Si active layer region 2a.例文帳に追加

ＳＯＩ基板のＳＯＩ層２に複数個の素子分離領域４を形成し、Ｓｉ活性層領域２ａのボディ部に対して所望の不純物を注入してから、ゲート絶縁膜を介してゲート電極５ｂを形成する。 - 特許庁

The conditions of implantation are determined by simulation so that each implanted impurity becomes 1×10^17 cm^-3 in a thickness range of 0.5 micron from a surface.例文帳に追加

その後、不純物２（ＩＩＩ族又はＶ族元素）を打ち込んだが（図５（ｄ））、注入条件は、打ち込んだ不純物がそれぞれ表面から０．５ミクロンの厚さの範囲内で、１×１０^17ｃｍ^-3となるようにシミュレーションにより決定した。 - 特許庁

Then, after a side wall 6 is formed, the arsenic of dose amount 4E15 cm-2 is ion- implanted into the semiconductor substrate 2 with the energy 50 keV at an angle which does not cause a channeling phenomenon to form n+ layers 3 and 4.例文帳に追加

その後、サイドウォール６を形成した上で、ドーズ量４Ｅ１５ｃｍ^-2の砒素をチャネリング現象を起し得ない角度で且つ５０ｋｅＶのエネルギーで半導体基板２の内部に向けてイオン注入しｎ^+層３，４を形成する。 - 特許庁

The particles 3 consisting of a calcium phosphate compound are adhered to at least one surface side of a base material sheet 4 consisting of a bioabsorptive polymer material and the sheet is pressed, by which the particles 3 are partly implanted into the base material sheet 4.例文帳に追加

生体吸収性高分子物質からなる基材シート４の少なくとも片面側にリン酸カルシウム系化合物からなる粒子３を付着させプレスすることにより粒子３の一部を前記基材シート４に埋入させる。 - 特許庁

A photodiode 303 in which n-type impurities are ion-implanted is formed for each pixel at the side of the interlayer insulating film 304 of the p-type semiconductor layer 302, and a light-shielding film 305 is formed in the interlayer insulating film 304.例文帳に追加

Ｐ型半導体層３０２の層間絶縁膜３０４側にはＮ型不純物がイオン注入されてなるフォトダイオード３０３が画素毎に形成され、層間絶縁膜３０４中には遮光膜３０５が形成されている。 - 特許庁

In addition, the silicon layer 8 is patterned with dry etching using a reactive gas with the second inorganic film 8 used as a mask, an ion 12 is implanted into the silicon substrate 2 in energy of 5 MeV to 8 MeV using the silicon layer 6 as a mask.例文帳に追加

さらに、第２の無機膜８をマスクとする反応性ガスを用いたドライエッチングによりシリコン層６をパターン化し、このシリコン層６をマスクとして、５ＭｅＶないし８ＭｅＶのエネルギーでシリコン基板２にイオン１２を注入する。 - 特許庁

Further, while a polycrystalline silicon film 111 that becomes a low breakdown voltage MISFET gate electrode is formed on a high breakdown voltage MISFET gate electrode FG, impurities for adjusting the low breakdown voltage MISFET threshold are implanted.例文帳に追加

また、高耐圧ＭＩＳＦＥＴのゲート電極ＦＧ上に低耐圧ＭＩＦＥＴのゲート電極となる多結晶シリコン膜１１１が形成された状態で、低耐圧ＭＩＳＦＥＴの閾値調整用の不純物注入を行う。 - 特許庁

Phosphorus ions are implanted to a first conductive film formed on the diffusion layer on a substrate, and a damaged layer is formed on the surface part, and then patterning is performed with a resist film formed thereon as a mask, thereby forming a first conductive film 9B.例文帳に追加

基板上の拡散層上に形成した第１導電膜にリンイオンを注入して、その表面部にダメージ層を形成した後、その上に形成したレジスト膜をマスクにしてパターニングして第１導電膜９Ｂを形成する。 - 特許庁

Carbon particles 26 are coated on to surface of an electrolyte film 22, and then a plurality of carbon fibers 24 for supporting a catalyst are implanted at an angle of approximately 90° on the surface of the electrolyte film 22 by using an electric field implanting technique.例文帳に追加

電解質膜２２の表面にカーボン粒子２６を塗布した後に、電界植毛の技術を用いて電解質膜２２の表面に触媒を担持した複数の炭素繊維２４を略９０度の角度をもって植毛する。 - 特許庁

A photoresist is coated and left through a gate insulation film on one face of the wafer divided by the gate electrode, and a first impurity layer 6 is formed while being masked by a resist 5a and implanted by a N-type impurity As+.例文帳に追加

フォトレジストを塗布しゲート絶縁膜を介しゲート電極を境にして基板面の一方だけにレジストを残して、このレジスト５ａをマスクにしＮ型不純物Ａｓ^＋を注入して第１不純物層６を形成する。 - 特許庁

To provide a heat treatment method and a heat treatment apparatus that can activate an implanted impurity while suppressing diffusion of the impurity, and can recover a crystal defect introduced during the impurity implantation.例文帳に追加

注入された不純物の拡散を抑制しつつ活性化を行うことができ、しかも不純物注入時に導入された結晶欠陥の回復をも行うことができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。 - 特許庁

The conditions of implantation are determined by simulation so that each implanted impurity becomes 1×10^17 cm^-3 in a thickness range of 0.5 micrometer from the surface.例文帳に追加

その後、不純物２（ＩＩＩ族又はＶ族元素）を打ち込んだが（図５（ｄ））、注入条件は、打ち込んだ不純物がそれぞれ表面から０．５ミクロンの厚さの範囲内で、１×１０^17ｃｍ^-3となるようにシミュレーションにより決定した。 - 特許庁

The sutures that are utilized to affix the graft material to the underlying stent structure can be modified to have a profile that allows it to lock and secure it to another stent-graft or a vessel into which it is implanted.例文帳に追加

グラフト材料を下側のステント構造体に付けるために用いられる縫合糸を、別のステントグラフト又はそれが埋植される血管にロックして固定することを可能にする輪郭を持つように変更することができる。 - 特許庁

The semiconductor substrate piece into which an impurity is previously implanted is mounted on the semiconductor substrate, so that the impurity containing part can be formed without direct implantation of impurity into the semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明のように、あらかじめ不純物が注入された半導体基板片を半導体基板に取り付けることによって、半導体基板に直接不純物を注入せずに不純物含有部を形成することが可能となる。 - 特許庁

An integrated apparatus is provided for non-contact measurement of the axial length (AL), anterior chamber depth (VKT) and cornea curvature (HHK) of the eye to calculate and select an intraocular lens (IOL) to be implanted in particular.例文帳に追加

本発明は、特に、移植する眼内レンズ（ＩＯＬ）の計算及び選択を行うために、眼の軸方向長さ（ＡＬ）、前房の深さ（ＶＫＴ）、及び角膜の曲率（ＨＨＫ）を非接触的に測定するための一体化装置に関する。 - 特許庁

Moreover, the beam tune process for acquiring a specific ion beam to be implanted may be accelerated, because the adjustment of the variable aperture may be achieved simply by mechanical operation compared with prior arts.例文帳に追加

この他、公知技術と比較すると、可変開口の調整は、機械操作により容易に達成されるので、イオンビーム調整プロセスが加速されて、イオン注入を実行する特定のイオンビームのイオンビーム調整プロセスが達成される。 - 特許庁