「include memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The plurality of peripherals include at least one among an image photographing module, a display and a flash memory.例文帳に追加

複数の周辺装置は映像撮影モジュール、ディスプレイ及びフラッシュメモリのうち少なくとも一つを含む。 - 特許庁

Such parameters might include its battery level, processing resource status and memory resource status, and the nature of its connection(s) to the network(s) (network performance).例文帳に追加

パラメータは、電池レベル、処理リソースステータスとメモリリソースステータス、ネットワークへの接続の性質である。 - 特許庁

symptoms include loss of memory, confusion, difficulty thinking, and changes in language, behavior, and personality. 例文帳に追加

その症状としては、記憶障害、混乱、思考困難、話し方や行動、人格の変化などがみられる。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

In the semiconductor device 1, memory array circuits 10 and 4010 respectively include a plurality of first memory cells for storing a plurality of pieces of data, and a plurality of second memory cells for respectively storing addresses of the first memory cells.例文帳に追加

半導体装置１において、メモリアレイ回路１０および４０１０は、複数個のデータを記憶する複数個の第１メモリセルと、第１メモリセルのアドレスをそれぞれ記憶する複数個の第２メモリセルとをそれぞれ含む。 - 特許庁

The semiconductor device includes a plurality of memory blocks which include a plurality of memory cell groups having memory cells connected to word lines and selection gates for selecting the plurality of memory cell groups, and the selection gates in the non-selective memory block are programmed at a read operation.例文帳に追加

半導体装置は、ワード線に接続されたメモリセルを含む複数のメモリセル群と該複数のメモリセル群を選択する選択ゲートとを含む複数のメモリブロックを含み、読み出し時、非選択のメモリブロック内の選択ゲートがプログラムされている。 - 特許庁

Some demonstrative embodiments include steps of generating an execution instruction of a predetermined executable format based on memory address data of a memory-access instruction representing a memory address.例文帳に追加

いくつかの説明のための実施例は、所定の実行可能なフォーマットの実行命令を、メモリーアドレスを表すメモリーアクセス命令のメモリーアドレスデータに基づき生成する段階を有する。 - 特許庁

The apparatus may include vector memory (31), a compound logic processor (34) for weighting and summing the vectors, and memory (58) for storing the summed vectors.例文帳に追加

本装置はベクトル・メモリ（３１）と、ベクトルに重み付けして加算する複合論理処理装置（３４）と、加算後のベクトルを記憶するメモリ（５８）を含むことができる。 - 特許庁

The information storage device can include a memory region including a magnetic track and a write/read unit, and a control circuit part connected to the memory region.例文帳に追加

該情報保存装置は、磁性トラック及び書込み／読取りユニットを含むメモリ領域と、メモリ領域に連結された制御回路部とを含むことができる。 - 特許庁

The first or the second memory cells each include a selection transistor connected in parallel and a resistive storage element.例文帳に追加

第一乃至第二のメモリセルの各々は、並列接続される選択トランジスタと抵抗性記憶素子とを有する。 - 特許庁

When the data include many "high" data, memory cells for storing the "high" data are constituted of empty cells where no semiconductor elements are formed.例文帳に追加

データが”ハイ”を多く含む場合、”ハイ”を記憶するメモリセルを、半導体素子を形成しない空セルで形成する。 - 特許庁

The memory devices (100, 600) include substrates (120, 220, 320, 420, 620, 720) and a plurality of self-aligning nano rectifying devices (102, 202, 302, 402) disposed on these substrates.例文帳に追加

メモリデバイス(100,600)は、基板(120,220,320,420,620,720)と、この基板上に配置された複数の自己整列型ナノ整流素子(102,202,302,402)を含む。 - 特許庁

The system can include a motor controller and a non-volatile memory storing a load torque value expected between pump cycles.例文帳に追加

システムは、モーターコントローラと、ポンプサイクルの間に期待されるロードトルク値を格納する非揮発性のメモリとを含み得る。 - 特許庁

Data stored in a memory 11 of the amplifier 1 include device ID 41, operation data, and area ID 43.例文帳に追加

アンプ１のメモリ１１に記憶されたデータには装置ＩＤ４１と動作データとエリアＩＤ４３が含まれる。 - 特許庁

The compression part 22 may include the conversion means for converting the measured integration value into the memory interval information indicating the memory interval in the memory part 23 and its integration value or the difference between previous integration value.例文帳に追加

圧縮部２２は、計測された積算値を、記憶部２３での記憶間隔を示す記憶間隔情報と、その積算値又は以前の積算値の差とに変換する変換手段を備えてもよい。 - 特許庁

The methods include: a step 502 of receiving an instruction to translate a virtual memory pointer to a physical memory address for a memory location; a step 504 of translating the virtual memory pointer into the physical memory address based on page table information; and a step 506 of returning the physical memory address and one or more page attributes.例文帳に追加

仮想メモリ・ポインタをあるメモリ位置についての物理的なメモリ・アドレスに変換する命令を受領する段階５０２と、仮想メモリ・ポインタをページ・テーブル情報に基づいて物理的なメモリ・アドレスに変換する段階５０４と、物理的なメモリ・アドレスおよび一つまたは複数のページ属性を返す段階５０６を含む。 - 特許庁

An instruction fetch unit 156 may include that receives instructions of variable length stored in an instruction memory 152.例文帳に追加

命令フェッチユニット１５６は、命令メモリ１５２中に格納される可変長の命令を受信することを含むことができる。 - 特許庁

The memory devices also include a column decoder, a data register buffer unit, a row decoder, an erase control unit, and an input/output buffer unit.例文帳に追加

メモリデバイスは、列デコーダ、データレジスタバッファ部、行デコーダ、消去制御部、及び入力／出力バッファ部とを含んでいる。 - 特許庁

The control circuit block of the memory device is constituted so as to include an address control circuit including an address transition detecting means.例文帳に追加

メモリ装置の制御回路ブロックは、アドレス遷移検出手段を含むアドレス制御回路を含んで構成される。 - 特許庁

To obtain a predistorter with good distortion compensating performance even when nonlinear characteristics of an amplifier include memory effects.例文帳に追加

増幅器の非線形特性にメモリ効果がある場合においても、良好なひずみ補償性能を有するプレディストータを得る。 - 特許庁

The locations may include one or a set of applications, or a memory unit associated with one or more applications.例文帳に追加

この位置には、１つ又は１組のアプリケーション、あるいは１つ又は複数のアプリケーションに関連するメモリユニットが含まれる。 - 特許庁

A controller is configured to include a supporting circuitry for thermally annealing dielectric charge trapping structures in the memory cells in the array.例文帳に追加

コントローラは、該アレイのメモリセル内の誘電体電荷トラップ構造を熱アニールする支援回路を備えるように構成される。 - 特許庁

The semiconductor memory device may include at least two shared memory areas commonly accessible by processors of the multiprocessor system through different ports and assigned with a predetermined memory capacity unit to a portion of a memory cell array.例文帳に追加

半導体メモリ装置において、少なくとも二つ以上の共有メモリ領域は、マルチプロセッサシステム内のプロセッサによりそれぞれ違うポートを通じて共有的にアクセスされ、メモリセルアレイの一部に予め設定されたメモリ容量単位に割当てられている。 - 特許庁

Memory circuits 621 to 625 store respectively the same digital data composed of the data unit and the error correction code, while include respectively a plurality of nonvolatile memory elements.例文帳に追加

記憶回路６２１〜６２５は、データユニットおよび誤り訂正コードからなる同一のデジタルデータを夫々記憶すると共に、複数の不揮発性メモリ素子を夫々含む。 - 特許庁

The first control module can include a memory device for storing operation instruction for the game machine, and the audio control module can include an audio memory device for storing audio data set processed by the audio processor for audio output.例文帳に追加

また、第１制御モジュールに、ゲーム機の動作命令を保管するメモリデバイスを含めることができ、オーディオ制御モジュールに、オーディオ出力を作るためにオーディオプロセッサが処理するオーディオデータセットを保管するオーディオメモリデバイスを含めることができる。 - 特許庁

This method using a memory area is to include a step for assigning a memory area to each field and a step for giving an index to a memory area of the each field in each piece of information.例文帳に追加

本発明によるメモリ領域を使用する方法において、各フィールド別にメモリ領域を割り当てるステップと、前記フィールド別のメモリ領域に各情報別にインデックスを与えるステップと、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The data that relate to data stored in a memory area may be transmitted in a data block, and the data block may include detection data.例文帳に追加

記憶領域に格納されるデータに関連するデータは、データブロックで送信され得、当該データブロックは、検知データを含み得る。 - 特許庁

When the navigation apparatus does not include a communications unit, communications by a separate PC or the like using an external memory are used.例文帳に追加

ナビゲーション装置に通信部を備えない時には、外付メモリを用いて、他のパソコン等で通信して実施することもできる。 - 特許庁

Evaluating memory allocation in the multi-node computer including calculating, in dependence upon a normalized measure of page frame demand, a weighted coefficient of memory affinity, the weighted coefficient representing desirability of allocating memory from the node, and allocating memory, may include allocating memory in dependence upon the weighted coefficient of memory affinity.例文帳に追加

ページフレームデマンドの正規化された尺度、すなわちノードからのメモリ割当ての好ましさを表すメモリ親和性の重み付けされた係数に基づいて計算することと、メモリを割当てることを含む、マルチノードコンピュータのメモリ割当てを評価することは、メモリ親和性の重み付けされた係数に基づいてメモリを割当てることを含むことができる。 - 特許庁

The memory switches include display means for displaying which one of the pairs of X-ray tubes and X-ray detectors is operated in response to the depressing operation when the memory switches are operated by depression.例文帳に追加

メモリスイッチには、それが押下げ操作されたときに、それに応答してＸ線管及びＸ線検出器のいずれの対が動作するのかを表示する表示手段が設けられる。 - 特許庁

A cross bus connecting a system bus and a memory bus and a memory transfer control part provided with a means for holding control information for controlling a memory bus control part and a system bus control part which include the formation of a connection path through the cross bus are installed.例文帳に追加

システムバスとメモリバスの間を接続する交差バスと，交差バスを介する接続路の形成を含むメモリバス制御部とシステムバス制御部を制御するための制御情報の保持手段を備えたメモリ転送制御部とを設ける。 - 特許庁

The sense amplifier arrays 148 each include a pair of bit lines blu, /blu, a sense amplifier part 102, a memory array part 101, and switch parts 114, 117.例文帳に追加

センスアンプアレイ１４８はビット線対ｂｌｕ、／ｂｌｕとセンスアンプ部１０２とメモリアレイ部１０１とスイッチ部１１４、１１７とを備える。 - 特許庁

The circuit blocks CB1 to CBN include a scan driver block SB, a power supply circuit block PB, a data driver block DB, and a memory block MB.例文帳に追加

回路ブロックＣＢ１〜ＣＢＮは、走査ドライバブロックＳＢと電源回路ブロックＰＢとデータドライバブロックＤＢとメモリブロックＭＢを含む。 - 特許庁

A plurality of battery modules 11a included in the battery 11 include a memory device 11c for storing identification information for verification.例文帳に追加

電池１１に含まれる複数の電池モジュール１１ａは、認証のための識別情報を記憶した記憶装置１１ｃを備える。 - 特許庁

The pictures selected as synthesis objects because the pictures include the pixel with the discrimination level are sequentially composited in the picture memory 4.例文帳に追加

判定レベル以上の画素が存在することにより合成の対象となった画像は画像メモリ４上で順次合成されていく。 - 特許庁

The prescribed number of erasable blocks positioned at the head of the volume area of the semiconductor memory card include volume management information.例文帳に追加

半導体メモリカードのボリューム領域において先頭に位置する所定数の消去可能ブロックはボリューム管理情報を含んいる。 - 特許庁

A memory stores information indicating a plurality of dot placements which include different dot placements of the colorless material, and correspond to an amount of the colorless material.例文帳に追加

無色色材のドット配置が異なり、無色色材の色材量に対応する、複数のドット配置を示す情報をメモリに格納する。 - 特許庁

The boot locations of each software image are the memory locations having the memory addresses equal to the image addresses of boot blocks of the software image, and the boot blocks include the memory blocks required to boot the data processing entity up to load an access function adapted to access the memory blocks of the software image.例文帳に追加

各ソフトウェア・イメージのブート位置は、ソフトウェア・イメージのブート・ブロックのイメージ・アドレスに等しいメモリ・アドレスを有するメモリ位置であり、ブート・ブロックは、ソフトウェア・イメージのメモリ・ブロックにアクセスするようになっているアクセス機能をロードするようデータ処理エンティティをブートするために必要なメモリ・ブロックを含む。 - 特許庁

The memory cells 50A, 50B include electric charges compensation circuit 56A, 56B constituted respectively of inverters, the electric charges compensation circuits 56A, 56B include P channel TFTs 562, 566 which can be formed on upper layers of bulk transistors respectively.例文帳に追加

メモリセル５０Ａ，５０Ｂは、それぞれインバータで構成される電荷補填回路５６Ａ，５６Ｂを含み、電荷補填回路５６Ａ，５６Ｂは、それぞれバルクトランジスタの上層に形成可能なＰチャネルＴＦＴ５６２，５６６を含む。 - 特許庁

Memory cells arranged in a matrix include an accumulation area in which data (electric charges) can be accumulated, and a first or second diffusion area of the memory cells is common with a first or second diffusion area of other memory cells adjoining in the row direction.例文帳に追加

行列状に配置されたメモリセルは、データ（電荷）を蓄積することができる蓄積領域を含み、メモリセルの第１または第２の拡散領域が行方向に隣接する他のメモリセルの第１または第２の拡散領域と共通である。 - 特許庁

The nonvolatile memory (EEPROM1) may include, in its memory region, a count data region 100 and a number of times managing region 200 which manages the full-counted number of times of the count data region 100.例文帳に追加

不揮発性メモリ（ＥＥＰＲＯＭ１）のメモリ領域内に、カウントデータ領域１００と、そのカウントデータ領域１００がフルカウントされた回数を管理する回数管理領域２００と、を設けた。 - 特許庁

The plurality of flash memories include two or more flash memories for storage data to be input/output in parallel, a flash memory for horizontal parity bits, and a flash memory for vertical parity bits.例文帳に追加

上記複数のフラッシュメモリは、パラレルに入出力される記憶データを分担して受け持つ２以上のフラッシュメモリと、水平パリティビットを受け持つフラッシュメモリと、垂直パリティビットを受け持つフラッシュメモリとを有する。 - 特許庁

The plurality of parameters include the first parameter P1 for reading the first content C1 from the memory cell array 4 and the second parameter P2 for reading the second content C2 from the memory cell array 4.例文帳に追加

複数のパラメータには、メモリセルアレイ４から第１のコンテンツＣ１を読み出すための第１のパラメータＰ１と、メモリセルアレイ４から第２のコンテンツＣ２を読み出すための第２のパラメータＰ２とが含まれる。 - 特許庁

Since column selection gate 27 passes through only a [L] level signal, when the selected plurality of memory cells MC include a defective memory cell MC, local IO lines LIO, /LIO are both made to a [L] level.例文帳に追加

列選択ゲート２７は「Ｌ」レベルの信号のみを通過させるので、選択した複数のメモリセルＭＣが不良メモリセルＭＣを含む場合はローカルＩＯ線ＬＩＯ，／ＬＩＯがともに「Ｌ」レベルになる。 - 特許庁

The memory units each include first to fourth diffusion layers juxtaposed along the row direction and extended in the column direction, thereby forming a pair of storage nodes.例文帳に追加

メモリユニットは、行方向に沿って並置され列方向に伸長される第１〜第４拡散層を備え一対の記憶ノードが構成される。 - 特許庁

A plurality of battery modules 11a included in the battery package 11 include a memory device 11c for storing identification information for verification.例文帳に追加

電池パッケージ１１に含まれる複数の電池モジュール１１ａは、認証のための識別情報を記憶した記憶装置１１ｃを備える。 - 特許庁