「interface mobility」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device having gate insulating film constitution with superior interface characteristics by reducing a Vfb shift and a mobility decrease.例文帳に追加

Ｖｆｂシフトと移動度低下を低減し、界面特性にすぐれたゲート絶縁膜構成を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of measuring the mobility of inverted charge carrier at the interface between a dielectric layer and a substrate rapidly, at low cost.例文帳に追加

誘電体層と基板との界面に位置する反転電荷キャリアの移動度を、迅速で安価に測定する方法を提供する。 - 特許庁

To relieve projecting/recessed parts in the interface of a polycrystalline semiconductor thin film and a gate insulating film, and to improve the mobility of a thin-film transistor.例文帳に追加

多結晶半導体薄膜とゲート絶縁膜との界面における凹凸を緩和して薄膜トランジスタの移動度を改善する。 - 特許庁

According to this method, since the mobility of carriers is improved by the displacements of the Si atoms, an enough mobility of the carriers can be obtained even when the concentration of nitrogen present in the vicinity of the interface between the SiON film 3 and the Si substrate 1 is made high.例文帳に追加

この方法によれば、Ｓｉ原子の変位によりキャリアの移動度が向上するため、ＳｉＯＮ膜３のＳｉ基板１との界面近傍の窒素濃度が高くても、十分なキャリアの移動度が得られる。 - 特許庁

METHOD FOR ENABLING WIRELESS TERMINAL MOBILITY IN LOCAL- AREA NETWORK CONFORMING TO IEEE802.1Q STANDARD, AND RADIO INTERFACE DEVICE FOR IMPLEMENTING THE METHOD例文帳に追加

ＩＥＥＥ８０２．１Ｑ規格に適合するローカルネットワークで無線端末の移動性を可能にする方法、およびこの方法を実施する無線インターフェース装置 - 特許庁

To improve surface stability between an insulating film and semiconductor interface while exhibiting high mobility, and also to obtain high on/off ratio.例文帳に追加

高い移動度を発現させつつ、絶縁膜と半導体界面の表面安定性を向上させることが可能となるとともに、高いオン／オフ比を得る。 - 特許庁

Since this treatment allows the interface state density at the interface between the silicon carbide layer 12 and the gate insulating film to be lowered, the electron mobility in an off-cut direction A is higher than that in a vertical direction to the off-cut direction A.例文帳に追加

これにより、炭化珪素層１２とゲート絶縁膜の界面において界面準位密度が低下するため、オフカット方向Ａに垂直な方向よりもオフカット方向Ａのほうが電子移動度が高くなる。 - 特許庁

In addition, since contact resistances can be reduced in an interface between the source electrode 3 and the organic semiconductor layer 8 and an interface between the drain electrode 4 and the organic semiconductor layer 8, the mobility of electric charges of the thin-film organic transistor 1 is improved.例文帳に追加

さらに、ソース電極３と有機半導体層８との界面と、ドレイン電極４と有機半導体層８との界面とにおけるコンタクト抵抗を低下できるので、薄膜有機トランジスタ１の電荷の移動度を向上できる。 - 特許庁

To provide a silicon carbide semiconductor device that is low in on-resistance by enhancing the channel mobility of an interface between a silicon carbide region and an oxide film, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

炭化珪素領域と酸化膜との界面のチャネル移動度を向上させ、低オン抵抗な炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method for manufacturing it, wherein the carrier mobility of a semiconductor layer which is the interface characteristics between a semiconductor layer and an insulating layer is prevented from falling.例文帳に追加

半導体層１２と絶縁層６との間の界面特性である半導体層のキャリヤ移動度の低下を防止した半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

Accordingly, mobility of a carrier can be improved by reducing interface state density, and the characteristic of the semiconductor device can be sufficiently improved.例文帳に追加

したがって、界面準位の密度を減少することによりキャリアの移動度を向上することができ、半導体装置の特性を十分に向上することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device where the reduction in carrier mobility of a semiconductor layer, which is an interface characteristic between the semiconductor layer and an insulating layer, is prevented; and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

半導体層と絶縁層との間の界面特性である半導体層のキャリヤ移動度の低下を防止した半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method that dispenses with a large-scale apparatus and a number of processes, such as a photolithography process, and can accurately and easily measure the electric characteristics of an SOI wafer, such as electron mobility, interface level density, hole mobility, and BOX layer charge density.例文帳に追加

フォトリソグラフィ工程のような大掛かりな装置と多数の工程を必要せず、電子移動度や界面準位密度、正孔移動度、ＢＯＸ層電荷密度などのようなＳＯＩウエーハの電気特性を正確かつ簡便に測定する方法を提供する。 - 特許庁

To reduce interface level density on an interface between a silicon substrate and a gate insulating film, and to improve the mobility of a carrier on the gate insulating film in a field effect transistor provided with the gate insulating film, consisting of a high dielectric film containing hafnium.例文帳に追加

ハフニウムを含む高誘電体膜からなるゲート絶縁膜を備えた電界効果トランジスタにおいて、シリコン基板とゲート絶縁膜との界面における界面準位密度を低減し、ゲート絶縁膜におけるキャリアの移動度を高めることにある。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor crystal and a method for growing the same, by which an interface of a δ dope layer is made sharper and the mobility of electrons is improved in either MOVPE method or MBE method.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ法であれＭＢＥ法であれ、δドープ層界面をよりシャープにして電子移動度の向上を図った化合物半導体結晶及びその成長法を提供すること。 - 特許庁

At the same time, the electronic supply layer is formed to have a composition rich in Al in the vicinity of the hetero interface, whereby the high sheet carrier density and the high electronic mobility are obtained.例文帳に追加

同時に、電子供給層が、ヘテロ界面近傍においてＡｌリッチな組成を有するように形成されることによって、高いシートキャリア濃度と高い電子移動度とが実現されてなる。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor device capable of reducing an interface state between a GaN layer and an insulating layer, and realizing good electric characteristics by improving a mobility, and a method for manufacturing the device.例文帳に追加

ＧａＮ層と絶縁層との間の界面準位を低減し、移動度を向上させて優れた電気特性を実現する化合物半導体装置、その製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has oxide on a surface of a group III nitride-based compound semiconductor, the interface level density of an interface between the group III nitride-based compound semiconductor and oxide being made small and the mobility being made high.例文帳に追加

III族窒化物系化合物半導体の表面上に酸化物を備えた半導体装置であって、上記III族窒化物系化合物半導体と上記酸化物との間の界面の界面準位密度を小さくでき、移動度を高くできるものを提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film transistor substrate in which the thin film transistor substrate having high mobility as a transistor and low interface level density of a gate insulating film can be manufactured at low cost.例文帳に追加

トランジスタとしての移動度が高く、ゲート絶縁膜の界面準位密度が低い薄膜トランジスタ基板を低コストで製造することができる薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon carbide semiconductor device and its manufacturing method that can reduce the interface state at an interface between an oxide insulating film, whose major ingredient is a silicon dioxide film, and a silicon carbide semiconductor substrate so as to improve channel mobility, thereby decreasing on-resistance.例文帳に追加

シリコン酸化膜を主成分とする酸化絶縁膜と炭化珪素半導体基板との界面における界面準位を低減して、チャネル移動度を改善してオン抵抗を小さくすることのできる炭化珪素半導体装置とその製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the high electron mobility transistor, which has a heterostructure consisting of an In_xGa_1-xN channel layer/In_yAl_zGa_1-y-zN wide band gap layer, the Al crystal ratio of the wide band gap layer is reduced with separation from hetero-interface, to accelerate the electronic mobility of the two-dimensional electron gas flowing through a channel layer.例文帳に追加

Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＮチャネル層／Ｉｎ_ｙＡｌ_ｚＧａ_１−ｙ−_ｚＮワイドバンドギャップ層からなるヘテロ構造を有する高電子移動度トランジスタにおいて、そのワイドバンドギャップ層のＡｌ混晶比をヘテロ界面から離れるに従って小さくすることにより、チャネル層を流れる２次元電子ガスの電子移動度を高速化する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for controlling increase in an electrical resistance at an interface in a source/drain region or between a source/drain region and a silicide layer while improving carrier mobility by giving distortion to a channel region.例文帳に追加

チャネル領域に歪みを与えてキャリア移動度を向上させつつ、ソース・ドレイン領域またはソース・ドレイン領域とシリサイド層の界面における電気抵抗の増加を抑えることのできる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a system for giving comfortable interface having mobility to users while connection to a soft-phone application is maintained in regard to a telephone handset providing connection to a personal computer for bothway processes to VoIP clients.例文帳に追加

ＶｏＩＰクライエントとの双方向処理のためパソコンへの接続を提供する電話ハンドセットに関し、ソフトフォンアプリケーションへの接続を維持しながらユーザーに機動性と快適なインターフェースを与えるシステムを提供する。 - 特許庁

By applying a voltage between the semiconductor layer 11 and the oxide barrier layer 12, a carrier gas of a high mobility is generated on the interface of the semiconductor layer 11, which is in contact with the oxide barrier layer 12.例文帳に追加

上記半導体層１１と酸化物障壁層１２との間に電圧を印加することによって、酸化物障壁層１２に接する半導体層１１の界面に高移動度のキャリアガスを生ぜしめる。 - 特許庁

A light emitting layer has at least a host material, a light emitting material and a separate material having a lower ionizing potential and a hole mobility equal to or higher than a compound constituting the light emitting layer interface.例文帳に追加

発光層にホスト材料と発光材料と発光層界面側を構成する化合物と比較して、イオン化ポテンシャルが小さく、かつ、ホール移動度が同程度かまたは速い、別の材料を少なくとも設ける。 - 特許庁

By using at least one kind of the glycol diether represented by the formula, mobility on solid/liquid interface is increased, and the internal resistance of a battery is decreased to enhance output characteristics.例文帳に追加

この一般式で表されるグリコールジエーテル類を少なくとも１種以上使用することによって固液界面のリチウムイオンの移動性が高くなり、電池の内部抵抗を低減させて出力特性を良好にできる。 - 特許庁

When the lower interface 101-a loses its connection obtained using the care-of-address CoA.BS1, a multiple access decision unit instructs a mobility support unit to set up the home-address HoA.1 and either of the home-address HoA.2 or the care-of-address CoA.BS2 of the other lower interface 101-b.例文帳に追加

下位インターフェイス１０１−ａは、気付アドレスＣｏＡ．ＢＳ１を用いて得た接続を失う時に、マルチアクセス判定ユニットは、モビリティサポートユニットに対して、ホームアドレスＨｏＡ．１と、他の下位インターフェイス１０１−ｂのホームアドレスＨｏＡ．２または気付アドレスＣｏＡ．ＢＳ２の何れかとの間に結合を設定するよう指示する。 - 特許庁

Since the interface of the gate oxide film 7 and the surface channel layer 5 can be brought into a state substantially containing no residual carbon, higher channel mobility can be obtained and ON resistance can be reduced furthermore.例文帳に追加

このようにすれば、ゲート酸化膜７と表面チャネル層５との界面が残留炭素をほぼ含まない状態にすることができ、さらに高いチャネル移動度を実現できると共に、オン抵抗のさらなる低減を図ることができる。 - 特許庁

To provide a method of producing an SiC semiconductor element having good characteristics by removing carbon clusters which occur in a MOS interface during thermal oxidation of a silicon carbide semiconductor substrate and which reduce, for example, mobility of a silicon carbide MOSFET.例文帳に追加

炭化けい素半導体基板の熱酸化時にＭＯＳ界面に生じ、例えば炭化けい素ＭＯＳＦＥＴの移動度を低下させるカーボンクラスタを除去し、良好な特性のＳｉＣ半導体素子を作成する方法を提供する。 - 特許庁

Since the interface between the first and second layers 10 and 11 has a very small uneven surface, that is, a smooth surface, carriers moving through the channel region are not subjected to surface scanning and thus the transistor has a high carrier mobility.例文帳に追加

第１の炭化珪素半導体層１０と第２の炭化珪素半導体層１１との界面の凹凸は非常に小さく平滑なため、チャネル領域を走行するキャリア担体が表面散乱されることなく高い移動度を持つ。 - 特許庁

To provide a normally off type MOS field effect transistor using a nitride-based group III-V compound semiconductor which has a small ohmic resistance, a small interface level and a large mobility, while requiring fewer number of steps, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

少ない工程でオーミック抵抗が小さく、界面準位が少なく、移動度が大きい窒化物系III−Ｖ族化合物半導体を用いたノーマリオフ型のＭＯＳ電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SiC semiconductor element, having a satisfactory characteristic by removing a carbon cluster which is generated in a MOS interface in the thermal oxidation operation of a carbide semiconductor substrate and which lowers the mobility of, e.g. a silicon carbide MOSFET.例文帳に追加

炭化けい素半導体基板の熱酸化時にＭＯＳ界面に生じ、例えば炭化けい素ＭＯＳＦＥＴの移動度を低下させるカーボンクラスタを除去し、良好な特性のＳｉＣ半導体素子を作製する方法を提供する。 - 特許庁

To add a metal capable of forming an electric dipole for reducing a threshold voltage at the interface of an oxide film formed on the surface of a semiconductor substrate and a high electric constant insulating film, while suppressing increase in EOT and decrease in carrier mobility.例文帳に追加

ＥＯＴの増大及びキャリア移動度の低下を抑制しつつ、半導体基板表面に形成されている酸化膜と高誘電率絶縁膜との界面に、しきい値電圧を低減する電気双極子を形成可能な金属を添加する。 - 特許庁

To provide a transistor whose manufacturing process is simplified and reduced in cost but which is provided with excellent ON/OFF characteristics, mobility and conductivity under a low-off current low in interface ranking, by employing the same material for the formation of a semiconductor active layer and a gate insulating film.例文帳に追加

半導体活性層およびゲート絶縁膜の形成に用いる材料を同一にすることにより、製造プロセスを簡略化し低コスト化した、界面順位の低い低オフ電流で、良好なオン／オフ特性、移動度、導電率を持つトランジスタを提供すること。 - 特許庁

To significantly improve the operational performance and reliability of an element by reducing the interfacial level in the interface between the semiconductor layer and insulating layer of an SOI substrate and improving the carrier mobility of the substrate when improving the operating speed of a semiconductor device, reducing the power consumption of the device, and so on, by using the SOI substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板を用いてデバイスの高速動作化や低消費電力化等を図るに際して、ＳＯＩ基板の半導体層と絶縁層との界面準位を低減し、キャリア移動度を向上させて素子動作性能及び信頼性の大幅な向上をもたらす。 - 特許庁

To provide an inexpensive mobile apparatus wherein operability is improved by easily paying and receiving digital money, sufficient security is ensured to distribute digital money by enabling quick payment within the range deposited to a financial institution, mobility is improved, and human interface is improved.例文帳に追加

デジタルマネーの出し入れが簡単にでき、操作性を向上させ、金融機関に預けた範囲内で、即時の支払いを可能とし、十分なセキュリティ確保してデジタルマネーを流通させることを可能とし、携帯性を向上させ、ヒューマンインタフェースを向上させ、低価格な携帯機器を提供する。 - 特許庁

To reduce the thickness of a silicon oxynitride film used for the gate insulating film of a CMOS transistor or the tunnel oxide film or a flash memory, and in addition, to improve the reliability of the film, by making the stress resistance of the film secured, while increase in interface state density, the deterioration in carrier mobility, etc., are suppressed.例文帳に追加

絶縁膜に関し、ＣＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜やフラッシュ・メモリのトンネル酸化膜などに用いるシリコン酸窒化膜を薄膜化し、しかも、界面準位密度の増加やキャリヤ易動度の劣化などを抑制しつつストレス耐性を確保できるようにして信頼性を向上させる。 - 特許庁

To realize a thin film transistor device having a high mobility by providing a technique for grain enlarging (pseudo-single crystal) a low temperature poly-Si thin film as an element material of the thin film transistor device in a state in which the thin film is aligned in an plane-orientation having an optimum lattice structure considering an interface distortion from a substrate and controlling a crystal position.例文帳に追加

薄膜トランジスタ装置の素子材となる低温poly-Si薄膜を、基板との界面歪みを考慮した最適格子構造を持つ面方位に揃えた状態で大粒径化（擬似的な単結晶）し、かつ結晶位置を制御するための技術を提供することで高移動度の薄膜トランジスタ装置を実現することにある。 - 特許庁

An organic semiconductor device comprises an organic semiconductor layer which constitutes an active layer of the organic semiconductor thin film transistor and has an electric field effect mobility; source-drain electrodes formed in the organic semiconductor layer; and an organic compound molecular layer for controlling the threshold voltage formed in the organic semiconductor layer at the source-drain electrodes in piles, and forming a charge transfer interface at an interval to the semiconductor layer.例文帳に追加

有機半導体薄膜トランジスタの活性層を構成し、電界効果移動度を有する有機半導体層と、有機半導体層に形成されたソース、ドレイン電極と、ソース・ドレイン電極間の該有機半導体層に重ねて形成され、有機半導体層との間において電荷移動界面を形成するしきい値電圧制御用有機化合物分子層を備えたことを特徴とする有機半導体装置によって解決される。 - 特許庁