「intermediary layer」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A protective layer 16 having a stress relaxation effect is formed on the board 12 through the intermediary of an adhesive layer 14.例文帳に追加

基板１２上に、接着剤層１４を介して、応力緩和効果を有する保護層１６を形成する。 - 特許庁

An upper electrode 31 serving also as the upper magnetic shield layer is electrically connected to the free layer 27 through the intermediary of an upper metal layer 29.例文帳に追加

上部磁気シールド層を兼ねる上部電極３１は、上部金属層２９を介して、フリー層２７と電気的に接続される。 - 特許庁

An Al gate electrode 17 is formed on the surface of the P+ diffusion layer 18 through the intermediary of a Ta2O5 layer 15 and a TiN layer 16.例文帳に追加

ｐ^+ 拡散層１８の表面に、Ｔａ_2 Ｏ_5 層１５及びＴｉＮ層１６を介してＡｌゲート電極１７が形成されている。 - 特許庁

The bus bar 8 is joined to the back electrode layer 4 through the intermediary of a conductive paste 5.例文帳に追加

バスバー８は、導電性ペースト５を介して裏面電極層４に結合されている。 - 特許庁

A lower backing wiring 23 is provided on a gate wiring 21 through the intermediary of an insulating layer 22, and an upper backing wiring 25 is formed thereon through the intermediary of an insulating layer 24.例文帳に追加

ゲート配線２１の上に絶縁層２２を介して下側裏打ち用配線２３が設けられ、さらにその上層に絶縁層２４を介して上側裏打ち用配線２５が設けられる。 - 特許庁

In each groove 27, depletion layer forming conductor layers 35, 36, and 37 are arranged through the intermediary of a depletion layer forming insulating film 34a.例文帳に追加

溝２７の中に空乏層用絶縁膜３４ａを介して空乏層用導体層３５、３６、３７を配置する。 - 特許庁

A plurality of single-layer ceramic boards 10 are bonded together through the intermediary of the adhesive layer 40 for the formation of a multilayer wiring board 50.例文帳に追加

複数の単層セラミック基板１０を、接合層４０を介して接合して、多層配線基板５０を構成する。 - 特許庁

An Al gate electrode 17 is formed on the tensile strain Si channel layer 13 through the intermediary of a Ta2O5 layer 15 and a TiN layer 16.例文帳に追加

引っ張り歪みＳｉチャネル層１３上にＴａ_2 Ｏ_5 層１５及びＴｉＮ層１６を介してＡｌゲート電極１７が形成されている。 - 特許庁

Height of the intermediary lining layer is set higher than that of the piezoelectric oscillator and a lining plate member 110 is disposed to abut against the intermediary lining part.例文帳に追加

裏打ち仲介部の高さは、圧電振動子の高さよりも高く、裏打ち板部材１１０が裏打ち仲介部に当接するように配置されている。 - 特許庁

An upper electrode 31 serving also as an upper magnetic shield layer is electrically connected to the free layer 26 through the intermediary of a base layer 30 of the upper electrode 31 and the upper metal layer 27.例文帳に追加

上部磁気シールド層を兼ねる上部電極３１は、上部電極の下地層３０及び上部金属層２７を介して、フリー層２６と電気的に接続される。 - 特許庁

The solder ball mounting solder layer 19 is formed on the surface of the BGA pad 13 only through the intermediary of the Au layer 51.例文帳に追加

また、ハンダボール取付用ハンダ層１９も、Ａｕ層５１のみを介してＢＧＡパッド１３表面上に形成させてなる。 - 特許庁

In such a constitution, the first wiring layer 8 is electrically connected to the second wiring layer 12 through the intermediary of the second conductor plug 11 in contact therewith as well as to the gate electrode 4 through the intermediary of the first conductor plug 7.例文帳に追加

第１配線層８は、それと接触する第２導電体プラグ１１を介して電気的に接続され、さらに第１導電体プラグ７を介してゲート電極４に電気的に接続される。 - 特許庁

A second conductive wiring layer 14A is formed through the intermediary of a first insulating layer 15, so that a multilayer interconnection can be realized.例文帳に追加

また、第１の絶縁層１５を介して第２の導電配線層１４Ａを形成するので、多層配線を実現することができる。 - 特許庁

A semiconductor chip 1a is provided with a chip back protective layer 4 bonded on its back side through the intermediary of an adhesive layer 5, and is mounted on a circuit board 11 through the intermediary of solder bumps 9 formed on the surface of the circuit board 11 (Fig. (a)).例文帳に追加

粘着層５を介して裏面に接着されたチップ裏面保護層４を有する半導体チップ１ａを、表面上に形成されたはんだバンプ９を介して回路基板１１上にマウントする（図３（ａ））。 - 特許庁

A semiconductor crystal GaN layer 14 is grown on a sapphire base substrate 11 through the intermediary of an AlN isolation layer 12 and a GaN buffer layer 13.例文帳に追加

サファイアよりなる基礎基板１１に、ＡｌＮよりなる分離層１２およびＧａＮよりなるバッファ層１３を介してＧａＮよりなる半導体結晶層１４を成長させる。 - 特許庁

A wide-band gap semiconductor is formed on the Si substrate through the intermediary of a buffer layer to form the Schottky barrier diode, and the buffer layer is a cubic boron phosphide layer.例文帳に追加

Ｓｉ基板上にバッファー層を介してワイドバンドギャップ半導体が形成されているショットキーバリアダイオードであって、バッファー層は、立方晶リン化ホウ素層である。 - 特許庁

A resource providing system is provided with a user agent EG1, an intermediary layer agent EG2, and a resource agent EG3.例文帳に追加

リソース提供システムに、ユーザエージェントＥＧ１、中間層エージェントＥＧ２、およびリソースエージェントＥＧ３を設ける。 - 特許庁

Sub-mount boards 602 are each bonded on both the surfaces of a laser diode 601 through the intermediary of a hard solder layer 603.例文帳に追加

レーザダイオード６０１の両面に夫々ハードソルダー６０３を介してサブマウント基板６０２が接合されている。 - 特許庁

Meanwhile, an insulating film 11 and a conductive layer 13 are formed on the capacitor, and the conductive layer 13 is connected to the substrate 1 through the intermediary of a contact hole 12.例文帳に追加

また、キャパシタの上には、絶縁膜１１、導線層１３が形成され、導電層１３はコンタクトホール１２を介して基板１と接続している。 - 特許庁

The primary electrode layer 101 is connected to a lower electrode layer 250, located below through the intermediary of a connection hole 251, and a lower projection 240 is provided below the lower electrode layer 250.例文帳に追加

主電極層１０１は、接続孔２５１を介して下方に位置する下側電極層２５０と接続され、下側電極層２５０の下側には、下側突出部２４０が設けられる。 - 特許庁

A control gate 3 is formed on the channel region through the intermediary of an ONO film 5 as a charge storage layer, crossing the trench at right angles.例文帳に追加

チャネル領域上に、電荷蓄積層としてのＯＮＯ膜５を介して、コントロールゲート３をトレンチ９と直交して形成する。 - 特許庁

A gate electrode 8 is provided on a channel 11 formed in a diffusion layer region 3 through the intermediary of a gate insulating film 7.例文帳に追加

拡散層領域３に形成されたチャネル１１の上には、ゲート絶縁膜７を介してゲート電極８が設けられている。 - 特許庁

Semiconductor thin films 3, 4, and 5 are formed on an invar alloy substrate 14 through the intermediary of an adhesive layer 15 for the formation of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体薄膜３、４、５が、接着層１５を介して、インバー型合金基板１４に形成された半導体素子。 - 特許庁

A polyimide resin film is formed on the surface of an R-Fe-B permanent magnet through the intermediary of an oxide film layer.例文帳に追加

Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系永久磁石表面に、酸化被膜層を介して、ポリイミド樹脂被膜を有することを特徴とする。 - 特許庁

An inter-contact layer insulating layer 15 is formed over the parts between the protrudent patterns, and an air gap 17 located above the protrudent patterns through the intermediary of the insulating layer 12; and is provided with a through-hole 15a.例文帳に追加

コンタクト層間絶縁層１５は、複数の凸状パターン間および複数の凸状パターン上に絶縁層１２を介して位置する空隙部１７を覆い、かつ貫通孔１５ａを有している。 - 特許庁

The wiring board 1 is equipped with the solder bump 18 formed on the surface of the FC pad 11 only through the intermediary of an Au layer 51.例文帳に追加

この配線基板１においては、ハンダバンプ１８を、Ａｕ層５１のみを介してＦＣパッド１１表面上に形成させてなる。 - 特許庁

After a primary annealing, the liquid die attaching material becomes half-cured and is formed into a compact adherent intermediary layer (step 6).例文帳に追加

一回目の焼き作業を行うと、液体ダイアタッチ材料は半硬化状態になり緻密粘着仲介層に形成される（ステップ６）。 - 特許庁

The circuit board has two conductive layers 23 (e.g., electroplated copper foils) bonded (e.g., laminated) to an intermediary dielectric layer 17.例文帳に追加

２つの導電層２３（例えば、電気メッキを施した銅箔）が中間絶縁層１７に接合（例えば積層）されている回路基板。 - 特許庁

Recesses (scribe line) 45 are cut in the P--type Si layer 25 beyond the N+-type Si layer 24, and a positive electrode 32 is filled into the recess 45 through the intermediary of a P+-type Si layer 26.例文帳に追加

半導体層２４、２５の裏面に、ｎ^+型Ｓｉ層２４を超えｐ^-型Ｓｉ層２５をもえぐる凹部（スクライブライン）４５があり、前記凹部４５のなかにｐ^+型Ｓｉ層２６を介して正電極３２が埋め込まれている。 - 特許庁

A hard biased layer 32 is provided on each side of a free magnetic layer 26 in the widthwise direction of a track, and a ferromagnetic layer 34 is formed on the element ends C of the free magnetic layer 26 through the intermediary of a non-magnetic intermediate layer 27 as it extends even over the hard biased layers 32.例文帳に追加

フリー磁性層２６のトラック幅方向の両側にはハードバイアス層３２が設けられ、前記フリー磁性層２６の素子両側端部Ｃ上で非磁性中間層２７を介して形成された強磁性層３４が、前記ハードバイアス層３２上にまで延びている。 - 特許庁

The adhesive layer 14 may be composed of a contact layer 16 having unevenness contacting the cloth surface along the unevenness of the cloth surface to conform to the unevenness of the cloth surface, and an intermediary layer 15 having unevenness contacting the contact layer 16 along the unevenness of the contact layer 16 to conform to the unevenness of the contact layer 16.例文帳に追加

布帛表面の凹凸に沿って布帛表面に接触して布帛表面の凹凸に沿った凹凸を有する接触層１６と、その接触層１６の凹凸に沿って接触層１６に接触して接触層１６の凹凸に沿った凹凸を有する媒介層１５とによって接着層１４を構成してもよい。 - 特許庁

Furthermore, an intermediary lining layer 330 including at least the piezoelectric layer 70 is formed in each region on on the other side of the elastic film corresponding to the barrier wall 11 between adjacent pressure generating chambers.例文帳に追加

隣接する圧力発生室間の隔壁１１に対応する弾性膜の他側面の各領域に、少なくとも圧電体層７０を含む裏打ち仲介部３３０が形成される。 - 特許庁

The trench gate semiconductor device is equipped with a semiconductor layer 20, a trench 23 formed in the semiconductor layer 20, and a trench gate electrode 24 buried in the trench 23 through the intermediary of an insulating film 30.例文帳に追加

トレンチゲート型半導体装置は、半導体層２０と、半導体層２０に形成されたトレンチ２３に絶縁膜３０を介して埋込まれたトレンチゲート電極２４を備えている。 - 特許庁

A second conductive layer 5 is formed on the insulating layer 4 and inside the openings 4a and 4b and connected to the positive electrode 2a through the intermediary of a conductive adhesive agent 6.例文帳に追加

絶縁層４上と開口部４ａおよび４ｂの内部には、第２導電層５が形成されており、導電性接着剤６を介して正極２ａと接続されている。 - 特許庁

The internal electrode is made to intersect the adjacent internal electrode at an angle (intersection angle) of approximately, 90° through the intermediary of a varistor forming material layer.例文帳に追加

また、内部電極の、バリスタ構成材料層を介して隣接する内部電極と交差する角度（交差角度）を略９０゜とする。 - 特許庁

The underlayer board members 160 and the top layer board members 170 are supported by corner studs 120C and intermediary studs 120M.例文帳に追加

これらの下張りボード部材１６０及び上張りボード部材１７０は、コーナースタッド１２０Ｃ及び中間スタッド１２０Ｍによって支持されている。 - 特許庁

The P-side ohmic metal electrodes 3A and 3B and the semiconductor crystal are electrically connected together through the intermediary of the metal layer 2 in an ohmic manner.例文帳に追加

Ｐ側オーミックメタル電極部３Ａ，３Ｂと半導体結晶１との金属層２を介しての電気接続はオーミック特性を有している。 - 特許庁

Lateral growth of the GaN-based crystal is suppressed by the protrusions and recesses (or a level difference) on the surface of the crystal substrate and the surface is planarized with no intermediary of the buffer layer.例文帳に追加

結晶基板表面の凹凸（または段差）によって、ＧａＮ系結晶は横方向の成長を抑制され、バッファ層を介さずとも平坦化する。 - 特許庁

A second grounding layer 13 on the rear surface of an external circuit board 2 is connected to a second auxiliary grounding layer 14 on the surface of the external circuit board 2 through the intermediary of a second via-hole conductor 19.例文帳に追加

外部回路基板２の裏面の第２のグランド層１３は、第２のビアホール導電体１９を介して外部回路基板２の表面の第２の補助グランド層１４に接続されている。 - 特許庁

An n-type GaN epitaxial layer 2, n-type GaN nano-columns 3, multiple quantum well nano-columns 4, and p-type GaN nano-columns 5, are successively grown in lamination on a sapphire substrate 1 through the intermediary of a low-temperature buffer layer (Figure 1 (a)).例文帳に追加

サファイア基板１上に、低温バッファ層を介して、ｎ型ＧａＮエピ層２、ｎ型ＧａＮナノコラム３、多重量子井戸ナノコラム４、ｐ型ＧａＮナノコラム５を、順次積層成長させる（図１（ａ））。 - 特許庁

As shown in Fig. (a), a wiring film forming metal layer 102 is formed on a releasing sheet 100, and a bump forming metal layer 104 is formed on the wiring film forming metal layer 102 through the intermediary of an etching stop layer 103 for the formation of a multilayer metal plate.例文帳に追加

図１（ａ）に示すように、剥離性シート１００の上に、配線膜形成用金属層１０２が形成され、さらにその配線膜形成用金属層の上にエッチングストッパー層１０３を介してバンプ形成用金属層１０４が形成された多層金属板を用意する。 - 特許庁

The problem is solved by the organic thin film solar battery in which the control is carried out in the orientation of the organic semiconductor molecules constituting the organic semiconductor layer, by providing an orientation control layer containing an orientation control agent adjacent to the organic semiconductor layer or via an intermediary layer.例文帳に追加

有機半導体層を構成する有機半導体分子の配向制御が、配向制御剤を含有する配向制御層を、該有機半導体層に隣接して又は仲介層を介して設けることによってなされている有機薄膜太陽電池により課題を解決した。 - 特許庁

A nitride semiconductor laser device has a structure where an N-type nitride semiconductor layer 2, an active layer 3, and a P-type nitride semiconductor layer 4 are successively laminated on a substrate 1, and a P- electrode 6 is formed on the P-type nitride semiconductor layer 4 through the intermediary of a current constriction insulating film 5 of SiO2.例文帳に追加

基板１上にｎ型窒化物半導体層２、活性層３、およびｐ型窒化物半導体層４が順に積層された構造を有し、このｐ型窒化物半導体層４上面にＳｉＯ_2よりなる電流狭窄用絶縁膜５を介して、ｐ電極６を形成する。 - 特許庁

The TFT is equipped with a semiconductor layer 22, a gate electrode 20 provided below the semiconductor layer 22 through the intermediary of a gate insulating film 21, and a source electrode 23 and a drain electrode 24 which are both provided so as to come into contact with a part of the semiconductor layer 22.例文帳に追加

半導体層２２と、半導体層２２の下側にゲート絶縁膜２１を介して設けられたゲート電極２０と、半導体層２２の一部と接するように設けられたソース電極２３及びドレイン電極２４とを具備する。 - 特許庁

To prevent variations from being caused among the droplet ejection characteristics of nozzles because wrinkles occur on a single-layer part of a resin layer, forming a diaphragm area, of a diaphragm member which keeps the resin layer joined to a metallic member without the intermediary of an adhesive.例文帳に追加

樹脂層を金属部材に接着剤を介することなく接合した振動板部材にあって、振動板領域を形成する樹脂層単層部分で皺が発生して、ノズル間での滴吐出特性にバラツキが生じることを防止する。 - 特許庁