「junction」に関連した英語例文の一覧と使い方(183ページ目) - Weblio英語例文検索

Photocurrent generated in the second pin junction having the i-type microcrystal semiconductor 108 is less by 0.8 mA/cm^2 or more than photocurrent generated in adjacent first and third pin junctions.例文帳に追加

ｐｉｎ接合を３組直列に設ける光起電力素子において、光入射側からｉ型非晶質半導体１１１を有する第１のｐｉｎ接合と、次にｉ型微結晶半導体１０８，１０５を有する第２と第３のｐｉｎ接合とにより構成され、ｉ型微結晶半導体１０８を有する第２のｐｉｎ接合で発生する光電流が隣接する第１および第３のｐｉｎ接合で発生する光電流より０．８ｍＡ／ｃｍ^２以上少ないことを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element 1 includes: a first semiconductor layer 17 buried spreading over a superconducting first electrode 13 and an insulating layer 14; a second semiconductor layer 18 brought into contact with the first semiconductor layer 17 and buried spreading over the insulating layer 14 and a superconducting second electrode 15; and a semiconductor quantum dot region 19 provided in a junction surface between the first semiconductor layer 17 and the second semiconductor layer 18.例文帳に追加

半導体発光素子１は、超伝導の第１電極１３と絶縁層１４とに跨って埋め込まれた第１半導体層１７と、第１半導体層１７と接するとともに、絶縁層１４と超伝導の第２電極１５とに跨って埋め込まれた第２半導体層１８と、第１半導体層１７と第２半導体層１８との接合面に設けられた半導体量子ドット領域１９とを備えている。 - 特許庁

At least one projecting part in a rectangle shape which is depressed from the outside principal surface of the lid is formed on the principal surface of the container junction side of the lid.例文帳に追加

矩形状の絶縁性容器の内部に電子素子が搭載されており、この絶縁性容器の側壁頂部には絶縁性容器の開口部を覆う形態の金属製の矩形状の蓋体が配置されており、この蓋体と前記側壁頂部に設けた金属層とを固着し絶縁性容器内の電子素子を気密封止している電子部品用パッケージにおいて、蓋体の容器接合側主面にこの蓋体の外側主面から窪んだ矩形状の突起部が少なくとも一つ形成されている電子部品用パッケージである。 - 特許庁

A method for writing and reading information to/from the memory cell includes: switching a magnetization direction of the memory layer to write data into the memory layer during write operation; aligning magnetization direction of the sense layer to a first aligned magnetization direction during read operation; and comparing the write data with the first aligned magnetization direction by measuring a first resistance value of the magnetic tunnel junction.例文帳に追加

本開示はまた、メモリセルに書き込み、かつ読み出すための方法であって、書き込み動作中に、データを前記記憶層に書き込むために前記記憶層の磁化方向を切り替えることと、読み出し動作中に、前記センス層の磁化方向を第１の配向される磁化方向に配向することと、前記磁気トンネル接合部の第１の抵抗値を測定することによって、前記書き込みデータを前記第１の配向された磁化方向と比較することと、を含む方法に関する。 - 特許庁

A junction interface between the placing part and the support part is sintered into one body substantially without a gap.例文帳に追加

凹部が設けられたセラミックス緻密質焼結体からなる支持部と、セラミックス粉末とガラスから構成された多孔質体の載置部とからなり、前記セラミックス粉末がガラスにより結合されて多孔質体が得られるとともに、前記多孔質体のガラスにより該多孔質体と前記支持部とが接合されて、前記凹部に多孔質体の載置部が形成されてなる真空吸着装置であって、前記載置部と前記支持部との接合界面が実質的に隙間なく一体的に焼成されてなることを特徴とする真空吸着装置。 - 特許庁

The solar battery further includes a junction reinforcing layer 13 including an Al which contacts with both the conductive layer 12 and the light absorbing layer 14 between the conductive layer 12 and the light absorbing layer 14.例文帳に追加

太陽電池の構成を、基体１１と、基体１１上に形成された導電層１２と、導電層１２上に形成されたＩｂ族元素、IIIｂ族元素及びVIｂ族元素を含有する化合物半導体を含む光吸収層１４と、光吸収層１４上に形成された透明導電層１７とを含み、導電層１２と光吸収層１４との間に、導電層１２と光吸収層１４との双方に接触したＡｌを含有する接合強化層１３を更に含む構成とする。 - 特許庁

In a solid state imaging device comprising a plurality of pixel cells, each pixel cell includes a photoelectric conversion element provided in a semiconductor substrate and storing signal charges by performing photoelectric conversion of incident light, and a transistor for transferring the signal charges stored in the photoelectric conversion element to a floating junction wherein at least one transfer transistor has a gate electrode covering the photoelectric conversion element.例文帳に追加

本発明の１態様による固体撮像装置は、複数の画素セルを具備する固体撮像装置であって、各画素セルは、半導体基板中に設けられ、入射光を光電変換して信号電荷を蓄積する光電変換素子と、前記光電変換素子に蓄積された前記信号電荷をフローティングジャンクションに転送する転送トランジスタとを含み、少なくとも１個の前記転送トランジスタは、前記光電変換素子の上方を覆って設けられたゲート電極を具備する。 - 特許庁

To provide a conductive material for shrinking a photosensitive resin by heating to its softening temperature, and generating the junction between conductive fillers for reducing resistance after applying light to a photosensitive liquid resin containing the photosensitive resin and the conductive filler made of a low-melt-point metal for curing; and to provide an electronic component packaging structure having high connection reliability, a low-cost wiring board, and their manufacturing methods.例文帳に追加

感光性樹脂と低融点金属からなる導電性フィラーとを含む感光性液状樹脂に対して光照射を行い硬化させた後、感光性樹脂の軟化温度まで加熱して感光性樹脂を収縮させるとともに導電性フィラー相互間の接合を生じさせることで低抵抗を実現できる導電性材料と、接続信頼性の高い電子部品実装構造体および低コストの配線基板ならびにこれらの製造方法とを提供する。 - 特許庁

To provide a thermoelectric conversion material which can be improved in an essential thermoelectric conversion performance by reducing its electric resistance in an arbitrary temperature zone without setting a direction of temperature gradient, a direction of applying a magnetic field, and a direction of arranging electrodes, or a direction of pn junction to complicated ones; and also to provide a thermoelectric conversion device using the same.例文帳に追加

任意の温度領域において電気抵抗が減少する熱電変換材料及び該熱電変換材料を具備した熱電変換装置を用いることにより、複雑な方向に温度勾配の方向、磁場を印加する方向及び電極を配置する方向あるいはｐｎ接合する方向を一致させることを必要とせず、本来の熱電変換材料の有する熱電変換性能を向上できる熱電変換材料及び熱電変換装置を提供する。 - 特許庁

A chemical vapor deposition system 10 includes: a housing 12 having an entry 30 and an exit 32; and a deposition chamber 14 defined by lower and upper housing 16, 18 having a seal assembly 22 at their horizontal junction which is higher than both the entry 30 and the exit 32, through which glass substrates G to be coated are introduced and exited from the deposition chamber 14.例文帳に追加

化学蒸着システム１０は、入口３０及び出口３２を備えたハウジング１２を備え、下側及び上側ハウジング部分１６，１８によって構成される堆積チャンバ１４を有し、下側及び上側ハウジング部分１６，１８の水平結合部にシールアセンブリ２２を備え、水平結合部は前記入口３０及び出口３２の双方よりも高い位置にあり、前記入口３０は、コーティングされるガラスシート基板Ｇをチャンバ１４に導入し、前記出口３２は該コーティングガラスシート基板をチャンバ１４から出す。 - 特許庁

In this tine, the junction 13 has an opening 15, which has an angle of circumference of 180° or larger around the central axis (a) of an imaginary hollow cylindrical part 17 with the maximum diameter part of the tip-inserting part 11 extended in the direction of the basal end grip 12.例文帳に追加

本発明のタインは、先端に向かって細くなるテーパー状で中空円筒状の先端差込部１１と、該先端差込部１１から離間した基端把持部１２と、前記先端差込部１１と基端把持部１２とを接続する連結部１３とからなり、該連結部１３に開口１５を有し、該開口１５が、前記先端差込部１１の最大径部を前記基端把持部１２方向に延長した仮想中空円筒部１７の中心軸ａを中心として１８０゜以上の円周角を有することを特徴とする。 - 特許庁

The multi-junction solar cell formed by stacking a plurality of solar cell elements in layers has a light transmittance control layer formed on a light receiving surface thereof and also has a control IC, electrically connected to electrode layers of the solar cell elements, formed adjacently to the solar cell elements, and is characterized in that the light transmittance of the light transmittance control layer is controlled by the control IC to increase with time from a state of small light transmittance.例文帳に追加

複数の太陽電池素子を層状に積み重ねて形成した多重接合型太陽電池の受光面上に、透過率制御層が形成されるとともに、前記太陽電池素子に設けられた電極層と電気的に接続された制御ＩＣが該太陽電池素子に隣接させて形成されて、前記透光率制御層の透光率が、経時的に、小さな状態から大きくなるように前記制御ＩＣにより制御されることを特徴として多重接合型太陽電池を構成する。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device wherein the electrode of the semiconductor and a connection terminal for an outer circuit and/or the semiconductor electrodes themselves are connected via the connecting material comprises the steps of connecting the electrode to the connecting terminal with the connecting material and coating at least the junction of the electrode with the connecting material and/or the connecting terminal with the connecting material by the plating material.例文帳に追加

半導体の電極と外部回路に対する接続用端子及び／又は半導体の電極同士が接続材料を介して接続される半導体装置の製造方法であって、前記電極と前記接続用端子とを接続材料で接続する工程と、少なくとも前記電極と前記接続材料との接合部及び／又は前記接続用端子と前記接続材料との接合部をめっき材料によりコーティングする工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 特許庁

However, although Fushimi-momoyama Station is situated at the center of Fushimi Ward, no express trains, limited express trains, or K-limited express trains stop there due to the following reasons: Tanbabashi Station, located adjacent to this station, started to be used by Nara Electric Railway (presently the Kintetsu Kyoto Line) as well, so express trains began making stops at Tanbabashi Station instead of Fushimi-momoyama Station; Chushojima Station, the next stop to the south of this station became the junction station for the Keihan Uji Line due to land acquisition and other issues; and the platforms could not support eight-car trains because pedestrian crossings are located to the north and south of the station. 例文帳に追加

しかし隣の丹波橋駅が奈良電気鉄道（現・近鉄京都線）との接続駅となったことから急行停車駅の座を奪われ、さらに京阪宇治線の分岐駅が土地買収などの関係で南隣の中書島駅となったことや、駅南北を踏切に挟まれてホームの8両対応化が不可能であることから、伏見区の中心部に所在するにもかかわらず、急行や特別急行列車・K特急が通過という状態となっている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

This manufacturing method is carried out in a manner, where a phosphorus junction layer 2 provided with an N++ part heavily doped with phosphorus on its surface is formed on a P-type silicon substrate 1, a surface electrode 6 is formed on the N++ part 3, and a back face electrode 7 is formed on the rear of the P-type silicon substrate 1.例文帳に追加

少なくともＰ型シリコン基板１に、リンが高濃度にドープされたｎ^^++部を表面に有するリン接合層２を形成した後、該ｎ^++部３上に表面電極６を形成し、Ｐ型シリコン基板裏面に裏面電極７を形成する太陽電池の製造方法において、前記リン接合層の形成は、リンを含んだ有機シリカ化合物ペースト１５を表面電極が形成されるパターンに対応してＰ型シリコン基板１に印刷し、該Ｐ型シリコン基板に気相リン拡散熱処理を施すことにより、ｎ^++部３を表面に有するリン接合層を形成する太陽電池の製造方法。 - 特許庁

As for the membrane-electrode junction for a solid polymer fuel cell having a positive ion exchange resin membrane, to both surfaces of which, an anode electrode and a cathode electrode are joined, the positive ion exchange resin membrane is composed of two membrane members of a positive ion exchange resin (A) arranged at the anode electrode side, and a positive ion exchange resin (B) arranged at the cathode electrode side.例文帳に追加

陽イオン交換樹脂膜の両面にアノード電極とカソード電極が接合された固体高分子型燃料電池用の膜電極接合体において、陽イオン交換樹脂膜は、アノード電極側に配置される陽イオン交換樹脂（Ａ）と、カソード電極側に配置される陽イオン交換樹脂膜（Ｂ）との２つの膜部材から構成され、且つ、各膜部材中における酸基濃度値（酸基１個あたりの陽イオン交換樹脂の分子量）は、（Ａ）、（Ｂ）中における酸基濃度値をそれぞれａ、ｂとすると、下記の式（１）に示す関係を満足することを特徴とする膜電極接合体により提供。 - 特許庁

In a method of manufacturing a filter device, plating layers by copper or silver formed on the entire surface of pipes 31 are provided in resonant elements 23, and junction sections are provided, where the plating layers of lower end faces 31b of at least the pipes 31 are joined to an inner surface of a casing 22 by solders 28.例文帳に追加

本発明は、この課題を解決するために共振素子２３にはパイプ３１の表面全体に形成された銅もしくは銀によるメッキ層を有し、少なくともパイプ３１の下端面３１ｂのメッキ層と筐体２２内面とがはんだ２８によって接合された接合部を設けたフィルタ装置の製造方法において、枠体２４もしくは蓋２５のいずれかへ共振素子２３を装着するとともに、前記接合部の位置へクリーム状のはんだ２８を塗布する工程では、前記接合部において前記はんだ２８は共振素子２３の内周面と筐体２２内面とが交差する位置の近傍へ塗布されたものである。 - 特許庁

The thickness of the light emitting layer is 5Å to 90Å, the lattice constant of the light emitting layer is larger than the lattice constant of the lower layer, and a compression stress is exerted to the light emitting layer in the junction direction.例文帳に追加

Ｇａ_bＡｌ_cＮ（式中、０＜ｂ≦１、０≦ｃ＜１、ｂ＋ｃ＝１）よりなる下地層と、該下地層よりバンドギャップの小さいＩｎ_xＧa_yＡｌ_zＮ（式中、０＜ｘ≦１、０≦ｙ＜１、０≦ｚ＜１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）よりなるノンドープの発光層と、該発光層よりバンドギャップが大きくＧａ_b'Ａｌ_c'Ｎ（式中、０＜ｂ’≦１、０≦ｃ’＜１、ｂ’＋ｃ’＝１）よりなるノンドープの保護層とをこの順に有機金属気相成長法により積層し、かつ該発光層の膜厚を５Å以上９０Å以下とし、該発光層の格子定数が該下地層の格子定数より大きく、かつ発光層に対して接合方向に圧縮応力が加わるようにすることを特徴とする発光素子の製造方法。 - 特許庁