「junction」に関連した英語例文の一覧と使い方(175ページ目) - Weblio英語例文検索

The junction of a potential supply terminal 3 for supplying potential to an electrode layer and an electrode 5 includes the side face of the top end 3a of the potential supply terminal, and the top end face of the potential supply terminal 3 is not included in a surface insulating dielectric layer 6 so that the potential supply of an electrostatic chuck can be configured by a first means.例文帳に追加

第一の手段は、電極層に電位を供給する電位供給端子３と電極５との接合が電位供給端子の先端３ａの側面をふくみ、かつ電位供給端子３の先端面が表面絶縁誘電層６内にふくまれない静電チャックの電位供給部とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that stably exhibits a high reverse recovery withstand independently of the existence and nonexistence of the defects caused during the wafer process for manufacturing the semiconductor device, even if the semiconductor device is a pn-junction diode having a structure, in which an anode electrode is formed on an outer circumferential portion surface of a p-type anode diffusion region with an insulating film interposed.例文帳に追加

ｐ型アノード拡散領域の外周部表面に絶縁膜を介してアノード電極が設けられる構造を有するｐｎ接合ダイオードであっても、該ダイオードを製造する際のウエハプロセスに起因する欠陥の有無に依らず、安定的に高い逆回復耐量を有する半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an electrode support member of an electrochemical sensor, formed of a glass composition which is improved in weldability with a sensing part, such as a glass-sensing film, a platinum electrode or the like or a junction made of porous ceramics, having relatively low-temperature softening properties and proper processability, fine processability, resistance to water, weatherability and transparency, and provide also an electrochemical sensor.例文帳に追加

ガラス感応膜、白金電極などの感応部、或いは多孔質セラミックス製ジャンクションとの熔着性が良く、比較的低温軟化性で加工性、細工性が良く、しかも耐水性、耐候性、透明性も良好なガラス組成物で形成された電気化学式センサの電極支持部材及び電気化学式センサを提供する。 - 特許庁

When the cover 100 closes the opening of the package 60, the light-transmissive member 114 is disposed off a junction part of the cover 100, to the frame wall part 64 so as to overlap the second metal film forming region 58 and the recognition mark 55 so as to avoid overlapping the first metal film forming region 56.例文帳に追加

光透過性部材１１４は、蓋１００がパッケージ６０の開口を塞いだときに、第２の金属膜形成領域５８及び認識マーク５５とオーバーラップするが第１の金属膜形成領域５６とはオーバーラップしないように、蓋１００の枠壁部６４との接合部から離れた位置に配置されている。 - 特許庁

The superconducting quantum arithmetic circuit is realized which does not use any amorphous material by constituting a Josephson junction of the superconducting quantum arithmetic circuit with a single-crystal nano-thin wire 103 between two superconductor electrodes 101 and 102 so as to prevent the quantum coherence from being lost owing to fluctuations caused in the circuit.例文帳に追加

超伝導量子演算回路のジョセフソン接合を、２つの超伝導体電極１０１、１０２間の単結晶ナノ細線１０３で構成し、非晶質材料を用いない超伝導量子演算回路を実現することで、回路に内在する揺らぎによる量子コヒーレンスの消失を防ぐ。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor substrate comprises the steps of forming an oxide film 14 having a trench forming pattern on the surface of an n-type silicon semiconductor substrate 11, forming a trench 16 for a super junction on the semiconductor substrate 11 with a mask of the oxide film 14, and conducting an epitaxial growing to bury the trench 16 with a p-type semiconductor 17.例文帳に追加

ｎ型シリコン半導体基板１１の表面にトレンチ形成パターンを有する酸化膜１４を形成し、この酸化膜１４をマスクとして半導体基板１１に超接合用トレンチ１６を形成し、エピタキシャル成長をおこなって超接合用トレンチ１６をｐ型半導体１７で埋める。 - 特許庁

Further, a structure where a bonding junction can be made directly to the current collection electrodes D1, D2 in the section 2 and to a bonding pad P1 formed on a control circuit section 3 is prepared, thereby to decrease the region, by reducing the pad region of element surroundings which is conventionally require, resulting in the reduction of the manufacturing cost.例文帳に追加

さらに、パワー素子部２においては直接集電電極Ｄ１，Ｄ２に、制御回路部３においては制御回路部３上に形成したボンディングパッドＰ１にボンディング接続できる構造とし、従来必要とした素子周辺部のパッド領域を削減して省面積化すると共に、製造経費を低減する。 - 特許庁

A secondary-side circuit B is provided with a protective circuit 30 which controls the voltage of a gate terminal so as not to allow a synchronous rectifier MOS transistor 21 which makes a third quadrant action, to conduct when the source-drain junction of the synchronous rectifier MOS transistor 21 is forward biased (the polarity in which an inner parasitic diode is backward biased).例文帳に追加

二次側回路Ｂ内に、第三象限動作をする同期整流ＭＯＳ２１トランジスタのソース・ドレイン間が順方向にバイアス(内部寄生ダイオードが逆バイアスされる極性)場合に、ゲート端子の電圧を制御して同期整流ＭＯＳトランジスタ２１を導通させない保護回路３０を設ける。 - 特許庁

The junction 1 is formed by jointing the terminals of a pair of members 10 and 20 to be jointed having a plurality of terminals each other wherein the gap 41 of at least a part of terminals is filled with an insulating sealing material 40 for sealing the gap between the pair of members 10 and 20.例文帳に追加

本発明の接合体１は、複数の端子を具備する一対の被接合部材１０、２０の端子同士が接合されたもので、少なくとも一部の端子間隙４１に、一対の被接合部材１０、２０間を封止する絶縁性の封止材４０が充填されていることを特徴とする。 - 特許庁

P+ or N+ material at P-N junction of a photodiode is a distributed one, and two parts in the region are separated from each other by a distance in the range of Xd-2Xd, with the Xd being a single-sided joint void width, which shortens the distance that a carrier advances for raising electric field and band width.例文帳に追加

フォトダイオードのＰＮ接合でのＰ＋またはＮ＋材料は分散形のデザインであり、この領域の２つの部分はＸｄから２Ｘｄの範囲の距離離れており、ここでＸｄは片側接合空乏幅であり、電界を高め帯域幅を高めるためのキャリアが進む距離を短くする。 - 特許庁

The electrical junction box 20 includes an electrical circuit, formed into a desired pattern and coating with an insulator, the flat wiring 24, on which an electrical part 7 or an electronic component 6 is mounted, a heat sink plate 23 thermally connected to the flat wiring, and cases 21, 22 for housing the flat wiring and the heat sink plate.例文帳に追加

電気回路が所望パターンに形成されて絶縁被覆されると共に、電気部品７或いは電子部品６が搭載されたフラット配線体２４と、フラット配線体と熱的に接続される放熱板２３と、フラット配線体と放熱板とを収容するケース２１，２２とを備えた電気接続箱２０。 - 特許庁

In this semiconductor device 1, a semiconductor element 10 is mounted approximately at the center of a base 2, the semiconductor element 10 is surrounded from above by placing a top cover 3 on this base 2, and a junction portion 4 between the base 2 and the top cover 3 is equipped with a moisture absorption region S having a cavity part 5 for moisture absorption.例文帳に追加

基台２の略中央に半導体素子１０を搭載し、この基台２上に上蓋３を載置して半導体素子１０を上方から包囲するもので、基台２と上蓋３との接合部分４に吸湿用の空洞部５を備えた吸湿領域Ｓを設ける半導体装置１である。 - 特許庁

To provide a holding sheet which can be simply and surely joined electrically, also never distorts an electronic part due to a load applied from one direction, and in which electrical junction member existing between an element represented by a metal ball and an electrical wiring for grinding does not need to be cut off, and an electronic part grinding device.例文帳に追加

簡易で、確実に電気的接合ができ、かつ、一方向からの負荷を与え電子部品が歪ませることがなく、研磨終了後に金属ボールに代表される素子と研磨用電気配線との間に介在する電気的接合部材を切断する必要がない保持シート及び電子部品研磨装置を提供すること。 - 特許庁

The upper layer 101 is equipped with a second conductivity-type well region 102 opposite to the first conductivity, and an edge passivation zone equipped with a junction terminal expansion(JTE) depletion region 403, where the depletion region 403 is provided with an extension 406 which is separate from the well region 102 and extends under it.例文帳に追加

上側層１０１は、第１の導電型とは逆の第２の導電型のウェル領域１０２と、接合終端拡張（ＪＴＥ）空乏領域４０３を具えるエッジパシベーションゾーンを具え、空乏領域４０３は、ウェル領域１０２から離れ、かつその下に延在する部分４０６を具える。 - 特許庁

In the radiation detector, four normal conductors 3A to 3D which are separated mutually form an NIS junction in such a way that a superconductor 2 as a single body is used in common, and electric connection bodies 5A to 5C are constituted to be electrically connected in a state that their thermal insulation is maintained mutually.例文帳に追加

この発明の放射線検出器は、相互に分離された４個の常伝導体３Ａ〜３Ｄが単体の超伝導体２を共通して使うようにＮＩＳ接合を形成するとともに、電気接続体５Ａ〜５Ｃを相互に熱的絶縁を維持した状態で電気的に連結された構成をしている。 - 特許庁

An interlayer dielectric 11 with the copper wire 14 filled in is formed on the semiconductor base material with an electronic component including a transistor and a magnetic tunnel junction element formed on the semiconductor substrate, and a silicon nitride film having a film density of not less than 2.5 g/cm^3 as the liner film 15 is formed on the interlayer dielectric 11.例文帳に追加

半導体基板上にトランジスタと磁気トンネル接合素子とを含む電子部品を形成した半導体基材上に、銅配線１４を埋め込んだ層間絶縁膜１１を形成し、この層間絶縁膜１１上にライナ膜１５として２．５ｇ／ｃｍ^3以上の膜密度を有するシリコン窒化膜を形成する。 - 特許庁

In the metal plate junction body 12, a plurality of metal plates 15 having many holes 15a formed therein at predetermined intervals are laminated in the state wherein the centers of the holes 15a formed in the adjacent metal plates 15 are displaced by 1/2 pitch from each other, and the overlapping portions of the adjacent metal plates 15 are joined together.例文帳に追加

金属板接合体１２は、多数の孔１５ａが所定間隔で形成された複数枚の金属板１５が、隣接する金属板１５に形成された孔１５ａの中心が１／２ピッチずれる状態で積層されるとともに、隣接する金属板１５の重なり部分が接合されて構成されている。 - 特許庁

To provide a powder solder material which maintains joinability without attaining perfect melting in a process of a temperature area of SnAg-based solder or the like in a post stage by using the powder solder material containing no lead and is excellent in strength and heat resistance as junction reliability, and a joining material.例文帳に追加

鉛を含まない粉末はんだ材料を用いて、後工程にてＳｎＡｇ系はんだなどの温度域の工程において完全溶融に至らず接合性を保持するとともに、かつ、接合部信頼性として、強度、耐熱性にすぐれることを特徴とする粉末はんだ材料および接合材料を提供する。 - 特許庁

As a result, an oxide film on the surface of the metal ball 5 formed instantly from the spark, and a shell by deposit are broken, the new surface of the metal ball 5 is exposed for integrating with the new surface of the electrode 4, no heat and ultrasonic waves should be applied to junction, and the stress to the semiconductor device can be reduced.例文帳に追加

したがって、スパークから瞬時に形成される金属ボール５表面の酸化膜や付着物による殻を破り、金属ボール５の新生面を露出させ、電極４の新生面と一体化させることができ、接合に熱や超音波を加える必要はなく、半導体素子へのストレスを軽減できる。 - 特許庁

An electrical junction box has a wiring board 30 incorporated in housings, bus bars 40 wired on the wiring board 30, a connector block 60 which is fixed to the housing and mated with a corresponding external apparatus, and tab terminals 50 whose tip parts are brought into contact with terminals on the apparatus side.例文帳に追加

本発明の電気接続箱は、ハウジング内に組み付けられる配線板３０と、この配線板３０に配設されるバスバー４０と、ハウジングに固定されて相手側の機器と嵌合するコネクタブロック６０と、このコネクタブロック６０に機器が嵌合したときに機器側の端子と先端部が接触するタブ端子５０とを備える。 - 特許庁

The back face of a wafer is ground, and wet etching is carried out, and when a chip is joined to a junction object body using ultrasonic waves, surface roughness along the vibrating direction of ultrasonic waves is made substantially the same between chips, and ultrasonic wave combined thermal press-fitting is carried out, and the chip is joined through a golden ball bump to a lead frame.例文帳に追加

ウェハの裏面を研削した後、ウエットエッチングを行って、チップを超音波を用いた被接合体へ接合するときに超音波の振動方向に沿った表面粗さがチップ間で実質的に同一となるようにした後、超音波併用熱圧着を行ってリードフレームにチップを金ボールバンプを介して接合する。 - 特許庁

In a power module substrate 3, metal layers 6 and 7 are laminated on both faces of a ceramic substrate 2, a heat sink 5 is joined to the metal layer 7, and a porous part 9 absorbing excess flux forced out from a junction between the metal layer 7 and the heat sink 5 is provided in a side surface 7a of the metal layer 7.例文帳に追加

セラミックス基板２の両面に金属層６，７が積層されるとともに、その一方の金属層７にヒートシンク５が接合されたパワーモジュール用基板３であって、金属層７の側面部７ａに、金属層７とヒートシンク５との接合部からの余剰フラックスを吸収する多孔質部９が設けられている。 - 特許庁

A source region 12, a source extension region 10 connected with the source region 12, and a junction field effect transistor (JFET) extension region 11 connected with a JFET region are formed in each well region 20, and the region between the source extension region 10 and the JFET extension region 11 becomes a channel region.例文帳に追加

各ウェル領域２０には、ソース領域１２、当該ソース領域１２に接続したソースエクステンション領域１０、およびＪＦＥＴ領域に接続したＪＦＥＴエクステンション領域１１が形成され、ソースエクステンション領域１０とＪＦＥＴエクステンション領域１１の間がチャネル領域となる。 - 特許庁

To perform a carrying operation in a small device area without causing any interference between the carriers of a transfer section and a junction port section, and to simplify the control of the two carriers.例文帳に追加

コンソール列Ｌ１の第１の受け渡し位置と、コンソール列Ｌ２（トランスファー部）の第２の受け渡し位置との間で、カセットを移動させるジャンクションポート部を有したカセットライブラリ１において、少ない装置面積で、トランスファー部とジャンクションポート部の各搬送機が干渉することなく搬送動作が行えるようにし、且つ該２つの搬送機の制御を簡単化する。 - 特許庁

An emergency shutdown system 10 includes an emergency shutdown valve, a control line to carry a signal determinative of positioning of the emergency shutdown valve, a solenoid assembly coupled to the control line to effectuate the positioning of the emergency shutdown valve, and a junction device coupled to the control line and the solenoid assembly.例文帳に追加

緊急遮断システムは、緊急遮断弁と、緊急遮断弁の位置決めを決定する信号を搬送する制御回線と、緊急遮断弁の位置決めを実現する制御回線に結合されたソレノイド組立体と、制御回線およびソレノイド組立体に結合されたに中継器とを備えている。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a surface protective film 16 composed of SiO_2 and coating the surface of an SiC pn junction diode 10, a polyimide resin film 22 coating the surface protective film 16 (1 μm thick), and a coating part 23 composed of a silicon resin and coating the polyimide resin film 22.例文帳に追加

この半導体装置は、ＳｉＣ ｐｎ接合ダイオード１０の表面を被覆すると共にＳｉＯ_２で作製された表面保護膜１６と表面保護膜１６(膜厚１μｍ)を被覆するポリイミド樹脂膜２２、およびポリイミド樹脂膜２２を被覆するシリコン樹脂で作製された被覆部２３を備えた。 - 特許庁

Since the FPC junction is supported to the electric board 24 with a gap G1 in relation to the electric board 24, displacement (a flange back L) of the image-taking element due to thermal deformation of the electric board 24 due to soldering, shrinkage in cooling of the solder or a secular change of the electric board 24 can be prevented.例文帳に追加

そのＦＰＣ接続部は、電気基板２４に対して空隙Ｇ1 のある状態で支持されていることから半田付けによる電気基板２４の熱変形、半田の冷却時の収縮の作用、あるいは、電気基板２４の経年変化による撮像素子の位置（フランジバックＬ）ずれ発生が防止できる。 - 特許庁

To provide a membrane-electrode assembly having an excellent jointing strength and a polymer electrolyte fuel cell which is provide with the assembly and has a high power generation performance, a fuel barrier performance, and strength, as well as an electrolyte material composition for forming the assembly, a membrane and electrode jointing agent, and an electrolyte membrane with the junction layer.例文帳に追加

接合強度に優れた膜−電極接合体、該接合体を備え、高い発電性能、燃料バリア性及び強度を有する固体高分子形燃料電池、並びに該接合体を作製するための電解質材料組成物、膜−電極接合剤及び接合層付き電解質膜の提供。 - 特許庁

Therefore, the wiring boards 6 and 9 can be mounted on the case 1 on the basis of the common projecting sections 4 and, when the boards 6 and 9 are joined to lands 2, 7a, 10a, and 10b formed on the case 1 in this state, the stress applied to each junction can be reduced.例文帳に追加

従って、プリント配線基板６及びフレキシブルプリント配線基板９をケース１上に、共通の突起部４を基準にして搭載することができ、この状態で、各基板６、９及びケース１に形成されたランド２、７ａ、１０ａ、１０ｂ同士を接合することにより、各接合部にかかる応力を低減することが出来る。 - 特許庁

Each switch SW_n, which is provided between a corresponding photodiode PD_n and a common output line L, performs opening and closing operation in response to instruction from the open/close instruction part 23A, and outputs charges accumulated thus far, in a junction capacitance part of the photodiode PD_n to the common output line L by closing.例文帳に追加

各スイッチＳＷ_ｎは、対応するフォトダイオードＰＤ_ｎと共通出力線Ｌとの間に設けられており、開閉指示部２３Ａにより指示されて開閉動作を行い、閉じることで、それまでにフォトダイオードＰＤ_ｎの接合容量部に蓄積されていた電荷を共通出力線Ｌへ出力する。 - 特許庁

To provide a member for electroacoustic converters, having improved heat resistance, junction strength, and corrosion resistance and to provide a manufacturing method of the member, which is used for electroacoustic converters, such as loudspeakers used in electronic equipment and audio equipment.例文帳に追加

本発明は、電子機器や音響機器に使用されるスピーカ等の電気音響変換器に用いられる電気音響変換器用部材およびその製造方法に関するものであり、耐熱性、接合強度、耐食性に優れた電気音響変換器用部材およびその製造方法を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

And the Omi merchants dispersed in various areas in Japan, changing Kamigata area to a collection and distribution center and financial center of Japan (the Edo shogunate directly controlled Kamigata area, and moreover, among three privileged branches of Tokugawa family, placed the Kishu Tokugawa family on the Tomogashima Channel in the eastward sea route, and the Owari Tokugawa family on the junction of Tokai-do Road and Nakasen-do Road). 例文帳に追加

また、近江商人が日本各地に分散して上方を日本の物資の集散地および金融の中心地へと変えた（江戸幕府は、上方を直轄地とし、さらに御三家の内、東廻り航路の友ヶ島水道に紀州徳川家、東海道・中山道合流地に尾張徳川家を置いた）。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

This is the solid polymer fuel cell provided with a membrane electrode junction in which electrodes including catalyst layers are joined on both faces of an electrolyte membrane, and with a peroxide decomposition catalyst containing a hardly soluble carbide, boride and/or a silicide fixed to the electrolyte membrane and/or the electrode.例文帳に追加

本発明に係る固体高分子型燃料電池は、電解質膜の両面に触媒層を含む電極が接合された膜電極接合体と、前記電解質膜及び／又は電極に固定された、難溶性の炭化物、ホウ化物及び／又はケイ化物を含む過酸化物分解触媒とを備えている。 - 特許庁

To provide an N-type Schottky barrier penetrating transistor of high performance which is stable and has low schottky barrier to electrons by forming a schottky junction on a silicon 111 plane generated through anisotropic etching (in a semiconductor having a crystal structure, a mirror index indicating its crystal orientation).例文帳に追加

異方性エッチングを通じて生成されるシリコン１１１面（結晶構造を有する半導体においてその結晶方向を示すミラー指数）にショットキー接合を形成させることによって、安定的で、且つ電子に対して低いショットキー障壁を有する高性能のＮ−型ショットキー障壁貫通トランジスタを提供する。 - 特許庁

The Kyoto Prefectural Road Public Corporation will operate the section between the Kyotanba-wachi Interchange and the Ayabe Ankokuji Interchange, which was scheduled to open in the period from summer to autumn of 2008, when the Corporation would take responsibility for the section between the Ayabe Ankokuji Interchange and the Ayabe Junction, and on this occasion the current toll-free section would become a toll road. 例文帳に追加

2008年夏～秋頃に開通予定の京丹波わちIC～綾部安国寺は、京都府道路公社の管理となる予定であり、その際に同時に綾部安国寺IC～綾部JCTも京都府道路公社の管理となる予定の為、現在無料区間となっている綾部安国寺IC～綾部JCTも、有料化される予定である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The development of this bypass is being promoted in order to relieve congestion on the Keihan National Highway, whose traffic volume has exceeded its capacity, and on the section between the Suita Junction/Suita Interchange of the Kinki Jidoshado Expressway and the Kadoma Interchange (the Kinki Jidoshado Expressway) (as well as the congestion occurring around the Tennouzan Tunnel and the Kyoto Minami Interchange of the Meishin Expressway, as associated with the heavy traffic in the section mentioned above). 例文帳に追加

飽和状態にある京阪国道および近畿自動車道の吹田ジャンクション・吹田インターチェンジと門真インターチェンジ(近畿自動車道)間の渋滞緩和（加えて、これに付随する名神高速道路の天王山トンネル付近と京都南インターチェンジ付近の渋滞緩和）を目的として整備が進んでいる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The semiconductor optical detecting device 1 includes: a p-type semiconductor region 18 that is formed at the side of a surface 3a of a semiconductor substrate 3 and composes a photodiode 28 by a pn junction 26 with the semiconductor substrate 3; and a signal processing circuit section 9 formed at the side of the surface 3a of the semiconductor substrate 3.例文帳に追加

半導体光検出装置１は、半導体基板３の表面３ａ側に形成されており、半導体基板３とのｐｎ接合２６によりフォトダイオード２８を構成するｐ型半導体領域１８と、半導体基板３の表面３ａ側に形成されている信号処理回路部９と、を備えている。 - 特許庁

A photodiode small in junction capacity is made of an N-type epitaxial layer 6 and a P-type epitaxial layer 3, and the photodiode is surrounded by a P+-type buried isolated diffused layer 4 and a P-type isolated diffused layer 7 and electrically isolated from a signal processing circuit including a MOS structure of transistor.例文帳に追加

Ｎ型エピタキシャル層６とＰ型エピタキシャル層３とにより接合容量の小さいフォトダイオードが形成され、そのフォトダイオードが、Ｐ^+型埋め込み分離拡散層４およびＰ型分離拡散層７によって取り囲まれて、ＭＯＳ構造のトランジスタを含む信号処理回路と電気的に分離される。 - 特許庁

By causing the potential at the area where the impurity is diffused to float, the charges generated by the light made incident to the scribe of the sensor can be stored efficiently in the P-N junction, constituted of the area containing the diffused dopant and semiconductor substrate.例文帳に追加

前記半導体基板と異なる極性の不純物を拡散した領域の電位をフローティングとすることで、半導体基板と異なる極性の不純物を拡散した領域と半導体基板で構成するPN接合に、スクライブに入射した光により発生する電荷を効率良く蓄積することができる。 - 特許庁

In this electrostatic chuck 30 which is provided with a pedestal 31 which is composed of semiconductive ceramic and in which an electrode plate 32 is embedded and a semiconductive or conductive insert ring 33 which is arranged adjacent to an outer periphery of the pedestal 31, an insulating film 34 is arranged on a junction interface between the pedestal 31 and the insert ring 33.例文帳に追加

内部に電極板３２が埋設された半導電性のセラミックからなるペデスタル３１と、ペデスタル３１の外周に隣接して配置された半導電性又は導電性のインサートリング３３とを備えた静電チャック３０において、ペデスタル３１とインサートリング３３との接合界面に絶縁膜３４を設ける。 - 特許庁

To obtain the surface of a substrate having an easy management of a polishing thickness when polishing the surface of the substrate by a planarization, a high uniformity of the thickness in a film plane after the polishing, and a decrease in contamination, after forming a trench on a semiconductor substrate and a parallel pn junction structure by growing a semiconductor epitaxial in the trench.例文帳に追加

半導体基板にトレンチを形成し、その中に半導体をエピタキシャル成長させて並列ｐｎ接合構造を形成した後、平坦化処理によって基板表面を研磨する際の削り厚さの管理が容易であり、研磨後に面内膜厚均一性が高く、かつ汚染の少ない基板表面を得ること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element capable of preventing overlap of a doped region by cell channel ion implantation with a junction region by source/drain ion implantation and damage of a substrate in isotropic etching for formation of a valve pattern of a valve-shaped recess, improving refreshing characteristics of the element, and stabilizing a process.例文帳に追加

セルチャネルイオン注入によるドーピング領域とソース／ドレインイオン注入による接合領域とのオーバーラップ、及び、バルブ型リセスのバルブパターン形成のための等方性エチング時の基板の損傷を防止し、素子のリフレッシュ特性の改善及び工程の安定化が可能な半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a support structure for a concrete foundation capable of economically preventing a deterioration in durability due to corrosion of core steel arranged in a junction between the concrete foundation and a pile in regard to a support structure for a concrete foundation supporting the concrete foundation in a mounted state on the pile.例文帳に追加

コンクリート造基礎を杭に載置した状態で支持するコンクリート造基礎の支持構造において、コンクリート造基礎と杭との接合部に配筋された芯鋼材の腐食による耐久性の低下を経済的に防止することができるコンクリート造基礎の支持構造を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device for achieving the suppression of thermal resistance and the suppression of large size in the case of integrally bonding a structure including a semiconductor element to its support, and for suitably achieving the suppression of stress immanent in the structure and the support after the completion of junction.例文帳に追加

半導体素子を含む構造体をその支持体に一体に接合するに際し、熱抵抗の抑制や大型化の抑制はもとより、接合完了後にそれら構造体及び支持体に内在する応力についても、その好適な抑制を図ることのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The junction type field effect transistor formed on a semiconductor substrate 100 is constituted with inclusion of a source region 101, a drain region 102, a channel region 103 formed between the source region 101 and the drain region 102, and a gate region 107 formed under at least the channel region 103.例文帳に追加

半導体基板１００に形成された接合形電界効果トランジスタは、ソース領域１０１と、ドレイン領域１０２と、ソース領域１０１とドレイン領域１０２との間に形成されたチャネル領域１０３と、少なくともチャネル領域１０３の下に形成されたゲート領域１０７とを含で構成される。 - 特許庁