「junction」に関連した英語例文の一覧と使い方(173ページ目) - Weblio英語例文検索

In the junction box for the automobile which has a power system where fuse upstream wiring and fuse downstream wiring are connected with each other via a fuse, the upstream side of the fuse is composed of individual bus bars, and the downstream side of the fuse is composed of a general-purpose terminal and a cable.例文帳に追加

ヒューズ上流側配線とヒューズ下流側配線とがヒューズを介して接続された電源体系を有する自動車用ジャンクションボックスにおいて、ヒューズ上流側が個別のバスバーで構成され、ヒューズ下流側が汎用端子と電線で構成されたことを特徴とする自動車用ジャンクションボックス。 - 特許庁

The armature 20 has an armature winding 22 arranged opposite to the permanent magnets 14 via a magnetic clearance, and Hall sensors 25 with a pole detection function coupled to one longitudinal winding end of the armature winding 22 and arranged opposite to yoke junction surfaces 141 of the permanent magnets 14.例文帳に追加

電機子２０は、永久磁石１４と磁気的空隙を介して対向配置された電機子巻線２２と、この電機子巻線２２の巻線長手方向一方側端部に連結され、永久磁石１４のヨーク接合面１４１に対向配置された磁極検出機能を有するホールセンサ２５とを有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an SOI structure capable of preventing the deterioration of elements by providing pn junction diode with large currents applicable thereto, and making a diode perform only a forward operation when a surge voltage is impressed to protecting circuits arranged at input/output terminals.例文帳に追加

ＳＯＩ構造を有する半導体装置において、大電流を流すことのできるＰＮ接合ダイオードを提供し、さらに入出力端子に設けた保護回路にサージ電圧が印加された際に、ダイオードが順方向動作のみを行い、素子の劣化を防ぐことが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

Near the junction 2, protection tubes 3 installed on the positive pole wire 1a and the negative pole wire 1b of the thermocouple which are very fine wires.例文帳に追加

熱電対の温接点２の近傍に、熱電対用極細素線の＋極線１ａ及び−極線１ｂに熱電対素線と同一材質の金属線を螺旋状に形成した保護管３を装着し、保護管３は熱電対の温接点２と接触しないように構成され、保護管３の一端は絶縁材料中に埋め込まれてなる。 - 特許庁

To provide a program, a method, and a system for autonomous action control, which can perform a very precise control in a short time by detecting information concerning a T type junction point even though an input signal is a low resolution image from a photoelectric element with a small number of pixels and also by single eye.例文帳に追加

少ない画素数の受光素子からの低解像度の入力信号であって、しかも単眼による入力信号であっても、Ｔ型接合点に関する情報を検知して短時間にしかも精度の高い制御を行うことができる自律行動制御装置とその方法及びそのプログラムを提供することである。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light-emitting device with high reliability and high productive efficiency which does not need any short of a pn junction like a metallic adhesion layer and any thickness control nature for suppressing a light absorption and is obtained by an adhesion layer for raising an adhesiveness between a resonator end surface and an end surface coat film.例文帳に追加

金属の密着層のようにｐｎ接合のショートおよび光の吸収を抑制するための膜厚制御性を必要とせず、かつ共振器端面と端面コート膜の密着性を向上させる密着層により、信頼性、生産効率の高い窒化物半導体発光素子を提供することである。 - 特許庁

To provide an production method of composite IC card which can be applied in both contact way and non-contact way, facilitating the junction between antenna coil and IC module which are formed on the substrate, which production process is cost efficient and suited for mass production of the composite IC card when high precision is not required.例文帳に追加

本発明は、接触方式及び非接触方式の両方式に使用することができ、カード基材に形成するアンテナコイルとＩＣモジュールとの接続を容易とし、製造工程も高度の精度を要求されない製造コスト及び量産性に優れた複合ＩＣカードの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide insulating structure which can realize class "F" insulation or more obtained by method of insulation process of water cooled coil which makes it possible to perform the class "F" or more insulation so that usage of a hose made of fluororesin is enabled in junction of cooling water hose in cooled coil of an electric appliance as well as the process.例文帳に追加

電気機器の水冷コイルにおける冷却水ホース接合部において、フッ素樹脂製ホースの使用を可能とし、Ｆ種以上の絶縁を達成することが可能な水冷コイルの絶縁処理方法及びこの処理によって得られるＦ種以上の絶縁を実現し得る絶縁構造を提供すること。 - 特許庁

Such a bump junction and the first resin layer 6 are formed by aligning the solder bump 5 and the wiring pad 2 of the wiring board 1 for fixing temporarily to heat and joint them after a layer made of a resin containing flux constituent is formed by a squeegeeing system at the outer periphery of the solder bump 5 of the semiconductor chip 3.例文帳に追加

そして、このようなバンプ接合および第１の樹脂層６の形成は、半導体チップ３のはんだバンプ５の外周に、スキージング方式などによりフラックス成分含有樹脂の層を形成した後、はんだバンプ５と配線基板１の配線パッド２とを位置合わせし仮固定し、加熱して接合することにより行われる。 - 特許庁

Since a junction opening 10a for joining a hemispherical end part 21a of a handrail rod 21 is provided, the handrail rod 21 having the hemispherical end part 21a can be crossed at an optional angle with a handrail rod 22 with an end part inserted in an insertion opening 10b, and the handrail rods 21 and 22 can be attached at the optional angle.例文帳に追加

手摺り棒２１の半球状の端部２１ａが接合する接合口１０ａを設けたので、挿入口１０ｂに端部を挿入した手摺り棒２２のに対し、半球状の端部２１ａを有する手摺り棒２１を任意の角度で交差でき、手摺り棒２１，２２を任意の角度で取り付けることができる。 - 特許庁

Image forming processing is performed for paper sheets existing downstream of the jam position 2000, and after waiting passing of all the paper sheets through a junction point 1500 from the paper sheet feeding stage 1210a to a paper sheet carrying route in a step 68, the image forming processing is continued by changing paper sheet feeding from the paper sheet feeding stage 1210a in a step 69.例文帳に追加

ジャム位置２０００より下流にある用紙に対して画像形成処理を順に行い、給紙段１２１０ａから紙搬送路への合流地点１５００を全ての用紙が通過するのを待ち（ステップ（６８））、給紙段１２１０ａからの給紙に切り替わり画像形成処理は継続する（ステップ（６９））。 - 特許庁

When it is assumed that the charge amounts are made to coincide with each other, design of each part can be easily carried out, and a JBS (junction barrier Schottky diode) capable of balancing provision of a high breakdown voltage with reduction of resistance of the p-type layers 8a-8e for forming a PN diode can be easily designed.例文帳に追加

このようにチャージ量を一致させることを前提とすれば、各部の設計を容易に行うことが可能となると共に、高耐圧を得ることとＰＮダイオードを構成するためのｐ型層８ａ〜８ｅを低抵抗にすることの両立を図ることができるＪＢＳを容易に設計することが可能となる。 - 特許庁

Since the conductive patterns 11b, 11b that become component junction electrodes provided at the component packaging surface of the circuit component 20 are buried to the component packaging surface of the conductive layer at the inner-layer side, the circuit component 20 is packaged on the component packaging surface with nearly no gap between the lower surface of the component and the component packaging surface.例文帳に追加

回路部品２０の部品実装面部に設けられた部品接合電極となる導電パターン１１ｂ，１１ｂが内層側導電層の部品実装面に埋設された構造であることから、回路部品２０は、部品下面と部品実装面部との間に殆ど隙間ができない状態で部品実装面に実装される。 - 特許庁

To provide a vapor deposition mask 1 for an organic EL element maintaining a good junction between a mask body 2 and a frame 3 by preventing deterioration of an adhesive layer 8 interposed between the mask body 2 and the frame 3, contributing to improvement of reliability of precision reproducibility of a light-emitting layer, and to provide a manufacturing method of the same.例文帳に追加

マスク本体２と枠体３との間に介在された接着剤層８の変質を防いで、マスク本体２と枠体３との良好な接合状態を長期にわたって維持し、以て発光層の再現精度の信頼性向上に寄与できる有機ＥＬ素子用蒸着マスク１およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the thermoelectric conversion module for generating power by providing a temperature difference for a pn junction pair obtained by joining a p-type oxide thermoelectric conversion material and an n-type oxide thermoelectric conversion material, at least one of a pair of surfaces 20a and 20b to be provided with a temperature difference is covered with insulating films 21a and 21b.例文帳に追加

ｐ型酸化物熱電変換材料とｎ型酸化物熱電変換材料とを接合させたｐｎ接合対に温度差を与えて電力を発生させる熱電変換モジュールにおいて、温度差を与えるべき一対の面２０ａ，２０ｂのうち、少なくとも一方の面を絶縁膜２１ａ，２１ｂで被覆する。 - 特許庁

The device has a PNPN junction structure, having a diffusion layer of a second conductive type, formed in a well of a first conductive type and a diffusion layer of a first conductive type, formed in a well of a second conductive type, with an external resistor being connected to one of the wells to allow limiting a current between an anode and a cathode.例文帳に追加

この装置は、第１導電型のウェルに第２導電型の拡散層が形成され、第２導電型のウェルに第１導電型の拡散層が形成されたＰＮＰＮ接合構造において、アノード及びカソードの間の電流を制限することができる外部抵抗をウェルに連結した構造である。 - 特許庁

To provide a piezoelectric film lamination structure capable of preventing any exfoliation and crack from occurring owing to reduction in strength of a junction interface between a substrate material and a PZT film, upon heat treatment in formation of the PZT film and upon continuous driving as an actuator and having high reliability and excellent piezoelectric characteristics, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ＰＺＴ膜形成時の熱処理時やアクチュエータとしての連続駆動時に、基板材料とＰＺＴ膜との接合界面の強度低下によるハクリやクラックなどが発生しない、高信頼性を有する圧電特性の優れた圧電膜積層構造体およびその製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a pressurization method of fuel cell material advantageous to improve power generation performance of a fuel cell, where the pressurization method of fuel cell material can keep the porosity of a membrane electrode junction or a gas diffusion layer on an air outlet side relatively higher than a porosity on an air inlet side, and can ensure exhaust performance of water from the air outlet side.例文帳に追加

膜電極接合体またはガス拡散層の空気出口側の気孔率が、空気入口側よりも相対的に高めに維持することができ、空気出口側の水の排出性を確保することができ、燃料電池の発電性能を向上させるのに有利な燃料電池素材の加圧方法を提供する。 - 特許庁

A thermal infrared detecting element or a semiconductor p-n junction element whose temperature changes by absorbing infrared rays from a subject and whose resistance value changes with the temperature change, is characterized in that a direct-current component of a signal is passed through a constant current circuit 103 and the remainder component is led to an amplifying circuit 106.例文帳に追加

被写体からの赤外線を熱吸収して温度変化し、温度変化によって抵抗値が変化する熱型赤外線検出素子または半導体ｐｎ接合素子において直流成分を定電流回路１０３にバイパスし残りの信号分を増幅回路１０６に導くことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a dielectric resonator, that is improved in reliability with respect to the heat cycle fatigue of the junction between a conductive cavity and a dielectric core to be arranged in the cavity, without having to increase the material cost or the working cost, and to provide a filter and a duplexer using the resonator and communication equipment equipped with the filter and duplexer.例文帳に追加

材料コストや加工コストを増大させることなく、導電性を有するキャビティとそのキャビティ内に配置すべき誘電体コアとの接合部分の熱サイクル疲労に対する信頼性を高めた誘電体共振器、それを用いたフィルタ、デュプレクサおよびそれらを備えた通信装置を構成する。 - 特許庁

This luminaire has an integrated lens 2 in which a preplaced lens 4 and a postplaced lens 3 are connected, standing ribs 31 and 41 are provided backward from a lens surface along a junction part of these lenses 3 and 4, and a height of the standing rib 41 of the preplaced lens 4 is raised higher than a height of the standing rib 31 of the postplaced lens 3.例文帳に追加

先打ちしたレンズ４と後打ちしたレンズ３が接合され、これらレンズの接合部に沿ってレンズ面から後方に向けて立ち上げリブ３１，４１が設けられている一体化レンズ２を有しており、先打ちレンズ４の立ち上げリブ４１を後打ちレンズ３の立ち上げリブ３１よりも立ち上げ高さを高くする。 - 特許庁

A mask 10 having an opening 11 of a fixed thickness is brought into contact with a substrate 30, having a concave portion 32 and a pattern 31 on the top surface, and the opening 11 is filled with solder 50 by squeegee equipment 20, having many segmented squeegees 21, with their vertical and movement directions limited to form a solder junction 51.例文帳に追加

凹部３２を有し、上面にパターン３１を有する基板３０に、厚さが一定の開口部１１を有するマスク１０を当接させ、上下及び移動方向を制限した複数の分割スキージ２１を有するスキージ装置２０により、開口部１１に半田５０を充填し、半田接合部５１を形成する。 - 特許庁

Among a plurality of end faces of the photodiode 18, a pn junction is extended to an end face near a region where laser light 16 for monitoring emitted from at least a laser light emission surface 15 for monitoring of the semiconductor laser diode 12 is incident, to obtain a stable photo sensitive characteristic against a change in temperature.例文帳に追加

このホトダイオード１８の複数の端面のうち、少なくとも半導体レーザダイオード１２のモニタ用レーザ光出射面１５から出射されるモニタ用レーザ光１６が入射する領域近辺の端面までｐｎ接合部が形成されることにより、温度変化に対して安定した受光感度特性が得られる。 - 特許庁

The stacked photovoltaic element characterized in that comprising a plurality of unit photovoltaic elements each composed of a pn- or pin-junction, connected to each other in series, wherein a zinc oxide layer is provided at least in one position between the unit photovoltaic elements, and the zinc oxide layer has resistivity varying in the thickness direction.例文帳に追加

複数のｐｎ接合またはｐｉｎ接合からなる単位光起電力素子を直列に積層してなる光起電力素子であって、前記単位光起電力素子間の少なくとも一ヶ所に酸化亜鉛層を配置しており、該酸化亜鉛層の抵抗率が層厚方向で異なることを特徴とする。 - 特許庁

In an n-channel type MOSFET 1, the front edge of a depletion layer does not reach up to a low-concentration drain diffusion region 5 when potential is applied among gate electrodes 15, and source electrodes 9 and a drain electrode 5 and a semiconductor substrate 1a and the depletion layer is expanded from the junction surfaces of the semiconductor substrate 1a and a well 3.例文帳に追加

ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ１において、ゲート電極１５、ソース電極９およびドレイン電極５と、半導体基板1ａとの間に電位を印加して、半導体基板1ａとウェル３との接合面から空乏層を拡張させたとき、この空乏層の先端縁が、低濃度ドレイン拡散領域４にまで到達しない。 - 特許庁

The first switch circuit 6 includes a diode composed of a HBT (hetero junction bipolar transistor, Tr3) provided between the signal path and an input section of the band select signal, and the second switch circuit 7 includes an HBT (Tr4) provided between the signal path and ground and the base of which is connected to the input section of the band select signal.例文帳に追加

第１のスイッチ回路６が、信号経路とバンドセレクト信号の入力部との間に設けられたＨＢＴ（Ｔｒ３）からなるダイオードを含み、第２のスイッチ回路７が、信号経路とグランドとの間に設けらるとともにベースがバンドセレクト信号の入力部に接続されたＨＢＴ（Ｔｒ４）を含む - 特許庁

This reference electrode for electrochemiluminescent detector comprises a liquid junction section 2 to which a porous ceramics with 6-14 % water absorption adheres and a housing made of an opaque plastic material, wherein an internal electrode is a silver-silver chloride electrode and its internal liquid contains supersaturated potassium chloride solution and silver chloride powder.例文帳に追加

液絡部に吸水率が６〜１４％の多孔性セラミックが固着され、筐体が光透過性のないプラスチック材料よりなり、内部電極が銀／塩化銀電極でその内部液が過飽和塩化カリウム溶液及び塩化銀粉末から構成されている電気化学発光検出器用比較電極。 - 特許庁

In the first embodiment, this semiconductor device is provided with an isolated first electrode constituting a very small tunnel junction element, and a second electrode which controls the first electrode and uses the amount of charges which are made to flow during a fixed period of time when the second electrode performs voltage sweeping is used as information.例文帳に追加

第１の構成は、微小トンネル接合素子を構成する孤立した第１の電極と、この第１の電極を制御する第２の電極とを備える半導体装置であって、前記第２の電極による電圧の掃引により一定周期の間に流れる電荷量を情報として用いる。 - 特許庁

The semiconductor mesa 14 includes: an n-ty pe first clad layer 18 provided on an n-type clad layer 18 provided on the n-type InP substrate 12; an n-type second clad layer 24 provided on the first clad layer 18; an active layer 20 provided between the first clad layer 18 and second clad layer 24; and a tunnel junction layer 22.例文帳に追加

半導体メサ１４は、ｎ型ＩｎＰ基板１２上に設けられたｎ型の第１クラッド層１８と、第１クラッド層１８上に設けられたｎ型の第２クラッド層２４と、第１クラッド層１８及び第２クラッド層２４の間に設けられた活性層２０と、トンネル接合層２２とを備える。 - 特許庁

At that time, a seal member 26 is buried in the junction interface between the heat sink 15 and the retaining frame 16 by injection molding the retaining frame 16 to cover the peripheral edge of the heat sink 15 in the state wherein the seal member 26 made of an elastic material is arranged in a recessed groove 25 formed in the peripheral edge of the heat sink 15.例文帳に追加

その際、ヒートシンク１５の外周縁に形成した凹溝２５に弾性材料製のシール部材２６を配置した状態でヒートシンク１５の外周縁を覆うように保持枠１６を射出成形することで、ヒートシンク１５と保持枠１６との接合界面にシール部材２６を埋設する。 - 特許庁

By joining a terminal connecting part formed on the back surface of nearly central part of the gyroscope vibrating reed 10 with the top surface of each apical part of each electrode lead 6a to 6f, the structure supported can be achieved, while forming a gap T to avoid contact of the gyroscope vibrating reed 10 with the TAB substrate except junction.例文帳に追加

この各電極リード６ａ〜６ｆの各先端部上面に、ジャイロ振動片１０の略中央部裏面に形成された端子接続部を接合して、ジャイロ振動片１０が接合部以外の部位においてＴＡＢ基板と接触しないように空隙Ｔを形成しながら支持される構造とした。 - 特許庁

With this composition, a recrystallization region of a molten ball 2 is shortened, thereby a bump height L is shortened and stabilized and a distance between a tip of the wire W and a discharge rod g is stabilized, which enables successive bump formation by preventing occurrence of machine stop due to a spark error and achieves improvement of long-term junction reliability.例文帳に追加

この組成であると、溶融ボール２の再結晶領域が短くなってバンプ高さＬが短く安定化し、かつ、ワイヤＷの先端と放電棒ｇの距離が安定するため、スパークエラーによるマシンストップが発生することなく連続でバンプ形成が可能となるとともに、長期接合信頼性を向上し得る。 - 特許庁

Thus the control portion 5 applies a modulated signal obtained by modulating carrier by the data to the metal piping 2 and the surface conductor portion 1 through the signal wire and the junction circuits 6a, 6b, takes out the modulated signal from the metal piping 2 and the surface conductor portion 1, and demodulates the modulated signal to acquire the data.例文帳に追加

これにより、制御部５は搬送波をデータで変調した変調信号を信号線と接合回路６ａ、６ｂを介して金属配管２と表面導体部１に印加し、金属配管２と表面導体部１から変調信号を取り出し、この変調信号を復調してデータを取得する。 - 特許庁

As to a ferromagnetic tunnel junction element provided with a tunnel barrier layer pinched between ferromagnetic layers, the ferromagnetic layer (stationary layer) located on an anti-ferromagnetic layer side is formed of, at least, a two or more-layered ferromagnetic film.例文帳に追加

また、磁気抵抗効果素子は、強磁性層間にトンネルバリア層を挟み、一方の強磁性層の外側に反強磁性層を配置した強磁性トンネル接合素子において、反強磁性層側に位置する強磁性層（固定層）が少なくとも二層以上の強磁性体の多層膜より構成されることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light-emitting device comprising a junction layer capable of sufficiently absorbing the stress to prevent the cracking etc. of a semiconductor layer occurring due to the difference in thermal expansion coefficient between the semiconductor layer and the support substrate, while maintaining the thermal dissipation, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

放熱性を維持しつつ、半導体層と支持基板との間の熱膨張率の違いによって発生する半導体層の亀裂等を防止するために、応力を十分吸収できるような接合層を備えた窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子製造方法を提供する。 - 特許庁

An impurity concentration of the first diffusion region 101 is higher than that of a depletion layer extended from a junction surface between the first diffusion region 101 and the semiconductor substrate 100 and formed in the main whole part of the first diffusion region 101 at the time of applying a voltage to the second diffusion region 108.例文帳に追加

第１拡散領域１０１の不純物濃度は、第２拡散領域１０８に電圧を印加した際に、第１拡散領域１０１と半導体基板１００との接合面から拡張する空乏層が第１拡散領域１０１の主たる部分全般に形成される濃度より高い濃度である。 - 特許庁

A separator junction 6 which is made by integrating a plurality of laminated separators 5 to joint them is provided on plural positions at surrounding of the positive electrode 3 and the negative electrode 4, and the plural positions are positions for regulating movement of the positive electrode 3 and the negative electrode 4 with respect to a direction of crossing the lamination direction of the electrode laminate 1.例文帳に追加

積層された複数のセパレータ５をまとめて接合したセパレータ接合部６が、正極３及び負極４の周囲の複数の位置に設けられ、複数の位置が、電極積層体１の積層方向に交差する方向に対する正極３及び負極４の移動を規制する位置である。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a hetero-junction bipolar transistor improving a current gain β as HBT characteristics by preventing the damage of the surface of a base layer by an H_2 gas flow made to flow for preventing the formation of a transition layer (the layer composed of InGaPAs) on the interface of GaAs base/InGaP emitter.例文帳に追加

ＧａＡｓベース／ＩｎＧａＰエミッタ界面において、遷移層（ＩｎＧａＰＡｓからなる層）の形成を防止するために流すＨ_2ガスフローがベース層の表面を傷めるのを防止して、ＨＢＴ特性である電流利得βを向上させるヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁

A detecting sensor of magnetic variables is composed from a sensor body outputting detected signals for detecting rotating speed of a detected object B through a cable 4 and a metal plate made sensor setting stripe 6 protruding from the sensor body into its flank, wherein the aforementioned sensor body is a wheel speed sensor P where junction of the aforementioned cable 4 is coated by resin mold.例文帳に追加

被検出体Ｂの回転速度検出用の検出信号をケーブル４を介して出力するセンサ本体と、そのセンサ本体からその側方に突出する金属板製取付片６とからなり、前記センサ本体は、前記ケーブル４の接続部を樹脂モールド被覆した車輪速センサＰである。 - 特許庁

A first negative voltage is applied to the first well region to induce a reverse bias higher than a junction withstand voltage between the first well region and the memory electrode near the second gate electrode, so that hot electrons can be injected into the charge storage region (6), and moreover the electrons can be injected into the charge storage region (6) from the well region.例文帳に追加

前記第１ウェル領域に第１負電圧を与え前記第２ゲート電極寄りのメモリ電極との間で接合耐圧以上の逆バイアス状態を形成してホットエレクトロンを電荷蓄積領域に注入可能にされ、また、エレクトロンをウェル領域から電荷蓄積領域に注入可能にされる。 - 特許庁

It is furthermore constituted so that terminal characteristic of the connection terminal 23A provided to the second semiconductor element 23 shows characteristic of mirror inversion to terminal characteristic of the connection terminal 22A of the first semiconductor element 22, and the connection terminal 23A is subjected to flip chip junction on the connection terminal 22A which is subjected to wire connection.例文帳に追加

かつ、第２の半導体素子２３に設けられる接続端子２３Ａの端子特性が第１の半導体素子２２の接続端子２２Ａの端子特性に対してミラー反転した特性を示すよう構成し、この接続端子２３Ａをワイヤー接続された接続端子２２Ａ上にフリップチップ接合した構成とする。 - 特許庁

In the optical rosette for junction connection between connectors for optical cables using adapters for optical connection and for protection of the connection point, a tunnel-like connector housing for mutually connecting two optical connectors P1 and P2 is integrally formed in an approximately center on an upper surface of a base plate forming an optical rosette body 1.例文帳に追加

光接続用アダプタを用いた光ケーブル用コネクタ同士の中継接続と同時に該接続点を保護するための光ローゼットにおいて、ローゼット本体１を形成するベース板２の上面略中央に、二つの光コネクタ相互Ｐ１、Ｐ２を接続するためのトンネル状のコネクタハウジング５を一体形成する。 - 特許庁

The first data state of the MISFET is written in by bringing the second source- drain 7 to 0 V, applying a positive control voltage for turning the channel on to the gate 5, applying a positive control voltage to the first source-drain 6, and injecting majority carriers into the channel body 3 in the vicinity of the first source-drain junction.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴの第１のデータ状態は、第２のソース／ドレイン７を０Ｖとし、ゲート５にチャネルをオンさせる正の制御電圧を印加し、第１のソース／ドレイン６に正の制御電圧を印加して、第１のソース／ドレイン接合近傍でチャネルボディ３に多数キャリアを注入することにより書き込まれる。 - 特許庁

When acquiring image data, a MOS transistor T8 is turned on to allow a MOS transistor T9 to carry out resetting, and thereafter, controlling a signal ϕVPS resets a logarithmic transform MOS transistor T1, in response to a threshold voltage and provides an output in response to an incident light to a P-N junction photodiode PD.例文帳に追加

撮像データ取得時に、ＭＯＳトランジスタＴ８をオンにし、ＭＯＳトランジスタＴ９によるリセットを行った後、信号φＶＰＳを制御することによって対数変換用ＭＯＳトランジスタＴ１を閾値電圧に応じてリセットし、その後ＰＮ接合フォトダイオードＰＤへの入射光に応じた出力を行う。 - 特許庁

By this, since adhesive property to the conductive base body becomes good comparing with the electrode-applied film of which the binder is constituted from the polyvinylidene fluoride system polymer independent, cell capacity reduction by degrading of the electric junction between the electrode-applied film and the conductive base body, according to the repetitions of a charge/discharge electricity, can inhibited.例文帳に追加

これにより、バインダーがポリビニリデンフルオライド系ポリマー単独で構成された電極塗膜に比べ導電性基体との接着性が良好となるので、充放電の繰り返しにより、電極塗膜と導電性基体の間の電気的接合が劣化して電池容量が減少するのを抑制することができる。 - 特許庁