| 意味 | 例文 |
laser diffractionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 711件
Forwarding lights L outputted from a semiconductor laser element 1 are made incident on a diffraction element 3 as a P-polarized light and diffracted.例文帳に追加
半導体レーザ素子1から出力された往路光Lは、P偏光として回折素子3に入射し、回折される。 - 特許庁
The semiconductor laser device is used, which includes the active layer 4, and the diffraction grating layer 8 placed above the active layer 4 as its upper layer.例文帳に追加
活性層4と、活性層4の上層に位置する回折格子層8とを有する半導体レーザ装置を用いる。 - 特許庁
The light path is bent by the total reflection prism 33, and then the laser beam is projected on a diffraction-type light valve 25.例文帳に追加
そして、このレーザビームは、全反射プリズム33によりその光路が折り曲げられた後、回折型ライトバルブ25に照射される。 - 特許庁
To provide a semiconductor laser where single-mode oscillation specified due to Bragg diffraction lattice is realized over a wide temperature range.例文帳に追加
ブラッグ回折格子により規定される単一モード発振を広い温度範囲において実現可能な半導体レーザを提供する。 - 特許庁
The optical pickup device is provided with a 3-wavelength laser 101 having three laser elements 101a to 101c of different emitted wavelengths housed in the same casing, and a diffraction-grating 102 for axis correction for making the optical axes of laser beams emitted from laser elements nearly coincident.例文帳に追加
光ピックアップ装置は、出射波長の異なる3つのレーザ素子101a〜101cを同一筺体内に収容した3波長レーザ101と、各レーザ素子から出射されたレーザ光の光軸をほぼ一致させる軸補正用回折格子102を備えている。 - 特許庁
A semiconductor laser light emitting device has an optical waveguide 15 formed on a substrate 11 and the semiconductor laser element 20 mounted on the optical waveguide 15, and includes a diffraction grating 18 with a periodic structure formed in the optical waveguide 15, the semiconductor laser element 20 being mounted on the diffraction grating 18.例文帳に追加
基板11上に形成された光導波路15と、前記光導波路15上に実装された半導体レーザ素子20を有し、前記光導波路15に周期構造を有する回折格子18が形成され、前記半導体レーザ素子20は前記回折格子18上に実装されている。 - 特許庁
The optical axis matching of a laser diode (1) and a diffraction type optical element (2) provided with reflection surfaces (R1 and R2) composed of an axially asymmetrical free curved surface and a transmission surface (T1) composed of an eccentric axially symmetrical diffraction surface is performed.例文帳に追加
レーザダイオード(1)と、非軸対称な自由曲面から成る反射面(R1,R2)や偏芯した軸対称回折面から成る透過面(T1)を有する回折型光学素子(2)と、の光軸合わせを行う。 - 特許庁
In an exposure device for an optical master disk, a diffraction optical element 2 is provided between a laser beam 1 and an object lens 3 and a means for making a luminous flux 6 formed by the diffraction optical element incident on the object lens 3.例文帳に追加
光ディスク原盤露光装置において、レーザ光1と対物レンズ3との間に回折光学素子2を設け、これにより成形した光束6を対物レンズ3に入射する手段を有する。 - 特許庁
When a liquid crystal control section 29 applies a voltage to a liquid crystal 22, since laser light transmitted through the liquid crystal 22 is not polarized, non-diffracted light 26a is outputted without diffraction in a diffraction grating 23.例文帳に追加
液晶制御部29が液晶22に電圧を印加すると、液晶22を透過するレーザ光は偏光しないので、回折格子23では回折が生じず、非回折光26aが出力される。 - 特許庁
To obtain an optical pickup device which is capable of easily positioning a diffraction grating and hologram element and prevents the diffraction grating and the hologram element from being adversely affected by the heat generation of a semiconductor laser.例文帳に追加
回折格子及びホログラム素子の位置決めを簡単にでき、半導体レーザーの発熱による悪影響が回折格子及びホログラム素子に及ぶことのない光ピックアップ装置を実現すること。 - 特許庁
To provide a distribution feedback semiconductor laser device capable of completely covering a diffraction grating by a clad layer without allowing a void to be generated, when the clad layer adjacent to the diffraction grating re-grows.例文帳に追加
回折格子と隣接したクラッド層を再成長する際に、ボイドを発生させないでクラッド層により回折格子を完全に覆うことができる分布帰還半導体レーザー装置を提供する。 - 特許庁
To provide the method of forming a diffraction grating which can reduce a defect in the pattern of the diffraction grating without strongly pushing a mold to a resin body, and the method of manufacturing a distributed feedback semiconductor laser.例文帳に追加
モールドを樹脂体に強く押し付けなくとも回折格子のパターン欠陥を低減できる回折格子の形成方法および分布帰還型半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁
In the distribution feedback semiconductor laser element 10 with the resonator whose length is 1200 μm, respective diffraction patterns 26 configuring a diffraction grating 15 are structured such that one of every three patterns is thinned out.例文帳に追加
共振器長が1200μmの分布帰還型半導体レーザ素子10では、回折格子15を構成する個々の回折パターン26が、3本毎に1本が間引かれた構成を有している。 - 特許庁
The diffractive optical element 1 is composed so that, out of the diffraction lights on one diffractive surface 13 among multiple kinds of laser beams, a diffractive order of diffraction light with the maximum light amount, and the diffractive order of at least one of other diffraction lights are mutually different.例文帳に追加
回折光学素子1は、複数種類のレーザー光線のうちのひとつの回折面13における回折光のうち最大の光量を有するものの回折次数と、少なくとも他のひとつの同回折次数とが相互に異なるように構成されている。 - 特許庁
A laser beam emitted from a laser diode 101 is collimated by a collimator lens 102, divided into three beams by the diffraction grating 103, and converged on the center of each transmitting opening of plural diffraction gratings 106 having different cycles by an objective lens 105.例文帳に追加
レーザダイオード101から射出されたレーザビームは、コリメートレンズ102でコリメートされ回折格子103で3つのビームに分割され、対物レンズ105で異なる周期を有する複数の回折格子106の各透過開口中央部に集光される。 - 特許庁
A height H of the fuse element 20 is larger than a depth of focus DOF of a laser beam to be given, and the diameter D of the fuse element 20 is smaller than a diffraction limit DL of the laser beam.例文帳に追加
ヒューズ素子20の高さHは、照射するレーザビームの焦点深度DOFよりも大きく、ヒューズ素子20の径Dは、レーザビームの回折限界DLよりも小さい。 - 特許庁
To provide a method for producing a semiconductor laser excellent in wavelength controllability by having diffraction gratings of different depths in an element, and a semiconductor laser.例文帳に追加
本発明は、素子内で深さの異なる回折格子を有することにより波長制御性に優れた半導体レーザの作製方法及び半導体レーザを提供することを目的とする。 - 特許庁
The DFB laser is a laser element having a diffraction grating where an oscillation wavelength λ_e is set independently of the light gain distribution of an active layer near the active layer in a resonator structure.例文帳に追加
本DFBレーザは、活性層の光利得分布とは独立に発振波長λ_eを設定した回折格子を共振器構造内の活性層の近傍に備えたレーザ素子である。 - 特許庁
The distributed-feedback semiconductor laser 1 comprises an active region 30 for generating the gain of the laser beam and a diffraction grating 13 formed in the active region 30.例文帳に追加
レーザ光の利得を発生させる利得発生領域30と、利得発生領域30の内部に形成された回折格子13と、を備える分布帰還型半導体レーザ1である。 - 特許庁
It allows a laser beam from a wavelength stabilization laser 20 to be obliquely-entered in this diffraction grating G and allows a first optical heterodyne interference device 30 to provide an optical heterodyne interference for a diffractive light.例文帳に追加
波長安定化レーザ20からのレ−ザ光をこの回折格子Gに斜め入射させ、回折光を第一光ヘテロダイン干渉装置30で光ヘテロダイン干渉させる。 - 特許庁
The x-ray diffraction apparatus includes: an x-ray emitter 13 for applying an x-ray to a measuring object OB; a table 27 for receiving the x-ray diffracted by the measuring object OB and fixing an imaging plate 28 for recording a diffraction ring; and a laser detection device PUH for applying a laser beam to the imaging plate 28 and reading out a shape of the diffraction ring.例文帳に追加
測定対象物OBにX線を照射するX線出射器13、測定対象物OBにて回折したX線を受光して回折環を記録するイメージングプレート28を固定するテーブル27及びレーザ光をイメージングプレート28に照射して、回折環の形状を読み取るレーザ検出装置PUHを設ける。 - 特許庁
The spatial couplement or spatial separation of the laser beams having different wavelengths is attained by using a bulk diffraction grating 27.例文帳に追加
異なる波長を有するレーザービームの空間的結合または空間的分離は、バルク回折格子を使用することによって達成される。 - 特許庁
To stably obtain a resonance output by a diffraction grating even when the wavelength of beams projected from a laser element is not stabilized.例文帳に追加
レーザー素子から出射される光線の波長が安定しない場合でも回折格子により安定的に共振出力を得る。 - 特許庁
An incidence position of the light originating in the laser light is obtained by moving a region emitting the diffraction light in GLV 32.例文帳に追加
GLV32において回折光を出射する領域を移動することにより、レーザ光に由来する光の入射位置が求められる。 - 特許庁
The laser beam 91 is diffracted by a diffraction grating 20, so that a plurality of diffracted beams 92, 93 diffracted in different directions are produced.例文帳に追加
レーザ光91を回折格子20によって回折し、回折方向が互いに異なる複数の回折光92,93を生成する。 - 特許庁
To prevent an increase in the laser resistance due to the pile-up of silicon, which is accompanied by the embedded growth of a p type InGaAsP diffraction grid layer.例文帳に追加
p型のInGaAsP回析格子層の埋め込み成長にともなうシリコンのパイルアップによるレーザ抵抗の増大を防止する。 - 特許庁
To provide a distributed feedback semiconductor laser capable of reducing lattice defects of a diffraction grating forming layer, as compared with the prior art.例文帳に追加
従来に比して、更に、回折格子形成層の格子欠陥を低減することができる分布帰還型半導体レーザが提供される。 - 特許庁
To provide a hologram recording and playback device controlling a light beam from an external resonator type semiconductor laser to enhance diffraction efficiency.例文帳に追加
外部共振器型半導体レーザーからの光ビームを制御して回折効率を向上させるホログラム記録再生装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor laser element including a two-dimensional diffraction grating having good characteristic which will give the effect on the light of short wavelength.例文帳に追加
短波長の光に効果を及ぼす、良好な特性を持った2次元回折格子を有する半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁
In a casing (20), such members are arranged that a laser diode (10) which is a light source, a diffraction grating (11), a polarizing beam splitter (12), and a collimator lens.例文帳に追加
筐体(20)に、光源であるレーザダイオード(10)、回折格子(11)、偏光ビームスプリッター(12)、コリメータレンズ等の部材を配置する。 - 特許庁
The photodetector 2 is formed for monitoring on a substrate 18 of a first diffraction grating 3 fixed to a semiconductor laser element (light source) 1.例文帳に追加
モニタ用受光素子2を、半導体レーザ素子(光源)1に対して固定された、第1回折格子3の基板18に形成している。 - 特許庁
To evaluate the phase difference of beams at each diffraction order for a laser beam machining projection lens with high accuracy and ease.例文帳に追加
レーザ加工用投影レンズにおける各回折次数での光の位相差を、実使用状態において高い精度で且つ簡易に評価する。 - 特許庁
A main beam and a sub beam which have different intensity distributions are generated from light emitted from a semiconductor laser 1 by means of a diffraction optical element 3a.例文帳に追加
半導体レーザ1の出射光から回折光学素子3aにより、強度分布が異なるメインビーム、サブビームを生成する。 - 特許庁
The semiconductor laser element 1 includes a photonic crystal layer 7 as a two-dimensional diffraction grating and an active layer 5 as a light emitting layer.例文帳に追加
半導体レーザ素子1は、2次元回折格子としてのフォトニック結晶層7と発光層としての活性層5とを備える。 - 特許庁
A semiconductor laser 1 and the optical element 1 are fixed with one and the same continuous member and an optical element 2 is a diffraction optical element.例文帳に追加
半導体レーザ1と光学素子1は同一の連続した部材によって固定されており、光学素子2は回折光学素子である。 - 特許庁
The first diffraction grating 102 makes an optical axis of a laser beam for DVD (wavelength:655 nm) incident to a reference optical axis.例文帳に追加
第1の回折格子102は、回折作用によって、DVD用レーザ光(波長:655nm)の光軸を基準光軸に一致させる。 - 特許庁
The semiconductor laser device 1A includes: an n-type semiconductor substrate 3; an active layer 12; a diffraction lattice layer 15; and an n-type clad layer 18.例文帳に追加
半導体レーザ素子1Aは、n型半導体基板3、活性層12、回折格子層15、及びn型クラッド層18を備える。 - 特許庁
To provide a semiconductor laser light source device that can realize the temperature compensation of a condensing lens without relying on a diffraction ring zone structure.例文帳に追加
回折輪帯構造によらず集光レンズの温度補償を実現することができる半導体レーザ光源装置を提供すること。 - 特許庁
Light reflected by a laser diode 1 and an optical disk 8 is converged on a light receiving element 4 for detecting a signal by a diffraction grating 6a.例文帳に追加
レーザダイオード1と、光ディスク8にて反射された光が、回折格子6aにて信号検出用受光素子4に集光される。 - 特許庁
This infrared imaging/laser range finder shares the objective lens of the two optical systems of the infrared imaging optical system and the laser range finding receiving optical system, and has a dichroic mirror 6 using an objective diffraction lens 5 having a diffraction surface on one surface or both surfaces, arranged in the rear of the objective diffraction lens 5, reflecting infrared radiation for imaging and transmitting a range finding laser beam, as the objective lens.例文帳に追加
赤外線撮像用光学系及びレーザ測距用受信光学系の二つの光学系の対物レンズを共用する赤外線撮像・レーザ測距装置であって、前記対物レンズとして、片面または両面に回折面を有する対物回折レンズ5を用いると共に、前記対物回折レンズ5の後方に配置され、撮像用の赤外線を反射し、測距用のレーザ光を透過するダイクロイックミラー6を備える。 - 特許庁
To provide a laser annealing method and a laser annealing device for irradiating an irradiation surface with a linear beam with homogeneous intensity, in which the irradiation surface can be irradiated with the linear laser beam without causing stripes due to light diffraction by blocking a part of the laser beam with low energy intensity.例文帳に追加
レーザ光のエネルギー強度の弱い部分を遮断し、かつ光の回折による縞を発生させることなく、線状レーザ光を照射面に照射することができる、照射面上に均一強度の線状ビームを照射するレーザアニール方法及びレーザアニール装置の提供。 - 特許庁
The semiconductor laser system causes a polarizing diffraction grating 15 arranged in front of the semiconductor laser 8 to diffract reflected light according to the polarization direction of reflected light made incident thereon and to deviate the reflected light from a direction heading toward the semiconductor laser 8, thereby preventing the reflected light from returning to the semiconductor laser 8.例文帳に追加
この半導体レーザ装置は、半導体レーザ8の前方に配置された偏光回折格子15が、入射する反射光の偏光方向に応じて、反射光を回折させて、反射光を半導体レーザ8に向かう方向から逸らし、反射光が半導体レーザ8に戻らないようにする。 - 特許庁
From the diffracted lights reflected by the etched object 6 and a diffraction grating pattern 7, the height H1 of the diffraction grating pattern 7 before etching, the distance from the long wavelength semiconductor laser for measurement-side surface of the diffraction grating pattern 7 after etching to the bottom face of a trench, and the depth of the trench, are found.例文帳に追加
エッチング対象物6および回折格子パターン7による回折光に基づいて、エッチング前の回折格子パターン7の高さH1と、エッチング後の回折格子パターン7の測定用長波長半導体レーザ側の表面から溝の底面までの距離と、溝の深さとを求める。 - 特許庁
Luminous flux emitted from a semiconductor laser 1 and made linear polarization is passed through an optical element 2 including a diffraction lattice 13 dividing incident luminous flux and a polarization diffraction lattice 10 in which diffraction efficiency depends on a polarization direction of the incident luminous flux, and made incident on a coupling lens 3.例文帳に追加
半導体レーザ1から出射して直線偏光となっている光束は、入射する光束を分割する回折格子13と、入射する光束の偏光方向に回折効率が依存する偏光性回折格子10とを含む光学素子2を通過し、カップリングレンズ3に入射する。 - 特許庁
To provide a diffraction type beam homogenizer capable of previously preventing the damage of a work and a transfer optical system by keeping a converging point from being produced on the back side from an image face, in the diffraction type beam homogenizer which converges laser beams and simultaneously, fairs them into a prescribed sectional intensity distribution by using a diffraction type optical component.例文帳に追加
回折型の光学部品を用いてレーザビームを集光しつつ所定の断面強度分布に整形する回折型ビームホモジナイザにおいて、像面より後方に集光点が発生しないようにして、ワークや転写光学系の損傷を未然に防止する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a fiber grating semiconductor laser, having a semiconductor optical amplifier which is provided with a light emitting device, on end of which is a reflector and an optical fiber with a diffraction grating in the proximity of its end and is constituted, in such a way that the reflector and the diffraction grating form a laser resonator.例文帳に追加
一方の端面を反射器とする発光素子と、端部近傍に回折格子を備えた光ファイバとを備え、反射器と回折格子がレーザ共振器を形成するように構成された半導体光増幅器を備えるファイバグレーティング半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁
The external resonator-type wavelength-variable light source selecting the wavelength of light from a semiconductor laser using a diffraction grating is characterized in that an achromatic prism produced by laminating two types of glass materials with Abbe numbers different from each other, is provided between the semiconductor laser and the diffraction grating.例文帳に追加
半導体レーザからの光を回折格子を用いて波長選択する外部共振器型の波長可変光源において、前記半導体レーザと前記回折格子との間に、アッベ数の異なる2種の硝材を貼り合わせた色消しプリズムを設けたことを特徴とするもの。 - 特許庁
The laser beam L is emitted to the measuring object 2, diffraction light S thereof turn in to a shadow side of the measuring object 2 is photoreceived, and the shape of the measuring object 2 is determined using the photoreceived intensity of the received diffraction light S.例文帳に追加
測定物2にレーザ光Lを照射し、測定物2の陰側に回り込むその回折光Sを受光し、受光した回折光Sの受光強度を利用して測定物2の形状を判別する。 - 特許庁
In this player, the diffraction pattern 13 of a diffraction device 3 diffracting light beams emitted from a semiconductor laser 2 is formed by using a thin film which has a electrically resisting property and translucency and a film which has a light shielding property by heat.例文帳に追加
半導体レーザ2から出斜された光を回折する回折装置3の回折パターン13を電気抵抗性を有する透光性のある薄膜と熱により遮光性を有す膜を用いて形成する。 - 特許庁
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