「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(296ページ目) - Weblio英語例文検索

This adhesive tape or sheet for winding and stopping the lithium ion battery element is characterized by having a base material formed of a porous film, and an an adhesive layer formed on one surface of the base material in a fiber-like form.例文帳に追加

本発明のリチウムイオン電池素子巻止用粘着テープ又はシートは、多孔質フィルムで構成された基材と、この基材の片面に繊維状に設けられた粘着剤層とを有することを特徴とする。 - 特許庁

Then, an ink 21 made of a content of an organic EL membrane (display composition) and a hydrocarbon system solvent is selectively applied using an ink jet head 30 on the place where the picture element is formed on the insulating layer.例文帳に追加

次に、有機ＥＬ膜（表示用組成物）の成分及び炭化水素系溶媒から成るインク２１を、インクジェットヘッド３０を用い、絶縁層上において画素を形成するべき場所に、選択的に塗布した。 - 特許庁

A solder resist 6 is formed to cover a part of the gold plating layer 5 and the wiring pattern in the border region 4b and the wiring region 4a and has a predetermined opening 6a for connection with the semiconductor element.例文帳に追加

ソルダーレジスト６は、金めっき層５の一部、及び境界領域４ｂと配線領域４ａの配線パターンを被覆して形成され、半導体素子との接続を行うための所定の開口部６ａを有する。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion element allowing an electrolytic solution constituting an electrolyte layer to be colorless and transparent, or to be sufficient thin color without impairing photoelectric conversion characteristics too much, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

光電変換特性をあまり低下させずに電解質層を構成する電解液の無色透明化あるいは十分な弱着色化が可能な光電変換素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

An insulating resin layer 27 on which ruggedness is formed on a TFT element 24 and a signal wiring pattern, and a pixel electrode 29 and an EC thin film 30 of metal with a high reflectivity are laminated on it.例文帳に追加

ＴＦＴ素子２４および信号配線パターン上に、凹凸が形成された絶縁性樹脂層２７を形成し、その上に反射率の高いメタルの画素電極２９とＥＣ薄膜３０とを積層する。 - 特許庁

A three-layer film of first metal, a metal nitride film and second metal is formed beneath the lower electrode of the ferroelectric capacitive element wherein the metal nitride film is composed of a nitride of the first or second metal.例文帳に追加

強誘電体容量素子の下部電極の下に、第１の金属、金属窒化膜、第２の金属を順に積層した３層膜を形成し、該金属窒化膜を第１の金属または第２の金属の窒化物で構成する。 - 特許庁

To provide a post-processing method of metal wiring for semiconductor element in which the reliability of the wiring can be enhanced by using an aluminum oxide as the protective layer for the wiring.例文帳に追加

本発明はアルミニウム酸化膜を金属配線の保護層として使用することによって金属配線の信頼度を増進させることができる半導体素子用の金属配線の後処理方法を提供する。 - 特許庁

Further, unlike GaInNAs and GaAsSb, which have been used in a conventional heterojunction bipolar transistor, the base layer is a single element crystal, so that composition control is not required and a crystal manufacturing process is easy.例文帳に追加

また、従来のヘテロ接合バイポーラトランジスタに用いられていたＧａＩｎＮＡｓやＧａＡｓＳｂと異なり、ベース層１が単元素の結晶であるため、組成制御の必要がなく結晶製造プロセスが容易である。 - 特許庁

In the organic electroluminescent element, which has an emitter layer containing a host compound and a phosphorescent compound, and the host compound is the compound which contains boron atom.例文帳に追加

ホスト化合物およびリン光性化合物を含有する発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、ホスト化合物がホウ素原子を含有する化合物であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display element excellent in brightness, contrast and color reproducibility by forming an overcoat consisting not only of a non-solvent resin on a hologram without breaking the layer structure of the hologram and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

無溶剤の樹脂に限らないオーバーコートをホログラムの層構造を破壊せずにホログラム上に形成することで、明るさ、コントラスト、色再現性の優れた液晶表示素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The compound represented by general formula (I'), the organic thin film made of the compound and the organic electroluminescence element in which at least one organic compound layer sandwiched between a pair of electrodes contains the compound are provided.例文帳に追加

一般式（Ｉ’）で表される化合物、この化合物からなる有機薄膜、及び一対の電極に挟持された有機化合物層の少なくとも一層が、上記化合物を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子である。 - 特許庁

A display element is provided with an electrolyte between a display electrode and a counter electrode and forms, on the surface of the display electrode on the counter electrode side, a display layer including an electrochromic compound represented by general formula (I).例文帳に追加

表示電極と対向電極間に電解質を備え、表示電極の対向電極側の表面に、下記一般式（Ｉ）で表されるエレクトロクロミック化合物を含む表示層を形成して表示素子とする。 - 特許庁

The optical element has multilayer film configuration in which crystalline substrate and its first layer are amorphous films having optical film thickness of 0.480 to 0.520λ0 when the λ0 is defined as the center wavelength of design.例文帳に追加

結晶質基板とその第一層目がλ０を設計中心波長とすると０．４８０〜０．５２０λ０の光学的膜厚の非晶質膜である多層膜構成を特徴とする光学素子を提供する。 - 特許庁

In the switching element constituted of the gate electrode, an active layer, a source electrode and the drain electrode, one side of a part which is overlapped with the drain electrode in one side of the gate electrode is constituted in a shape bent inside.例文帳に追加

ゲート電極とアクティブ層とソース電極及びドレーン電極で構成されるスイッチング素子において、ゲート電極の一辺の中上記ドレーン電極と重なる部分の一辺を内側に折れた形状で構成する。 - 特許庁

To provide a method of suppressing the fracture of a nitride semiconductor layer when a different substrate is separated in the method of manufacturing a nitride semiconductor wafer or a nitride semiconductor element including a process that separates the different substrate.例文帳に追加

異種基板を剥離する工程を含む窒化物半導体ウエハ又は窒化物半導体素子の製造方法において、異種基板剥離時の窒化物半導体層の破断を抑制する方法を提供する。 - 特許庁

In the dye-sensitized type photoelectric conversion element having a working electrode 10, an opposite electrode 20, and an electrolyte containing body 30, dyes are carried on a metal oxide semiconductor layer 12 of the working electrode 10.例文帳に追加

作用電極１０および対向電極２０と共に電解質含有体３０を備えた色素増感型の光電変換素子において、作用電極１０の金属酸化物半導体層１２に色素が担持されている。 - 特許庁

Thereafter, the first N-type polysilicone film 12 in the emitter electrode forming area and an emitter base separating and oxidizing film 10 in the emitter electrode forming area are removed by etching to expose the surface of a bipolar element forming semiconductor layer.例文帳に追加

その後、エッチングにより、エミッタ電極形成領域にある第１のＮ型ポリシリコン膜１２とエミッタ・ベース分離酸化膜１０とを除去して、バイポーラ型素子形成用半導体層の表面を露出させる。 - 特許庁

The EL element is manufactured by successively laminating an electroluminescent film 103 containing an organic compound performing electroluminescence, a floating electrode 104, an electron transmitting auxiliary layer 105, and a cathode 102 on an anode 101.例文帳に追加

陽極１０１上に、電界発光できる有機化合物を含む電界発光膜１０３と、フローティング電極１０４と、電子輸送補助層１０５と、陰極１０２と、を順次積層してなるＥＬ素子を作製する。 - 特許庁

To accurately measure insulation resistance of each element even when insulation resistance is measured simultaneously for a plurality of elements when a thin film magnetic head in which a substrate and a shield layer are connected is manufactured.例文帳に追加

基板とシールド層を接続した薄膜磁気ヘッドを製造する際に、複数の素子に対して同時に絶縁抵抗を測定する場合であっても、各素子の絶縁抵抗を正確に測定できるようにする。 - 特許庁

The selective placement of the region containing the metal element allows whisker to be generated effectively in the active material layer formed on the current collector, and also allows the generation region to be controlled.例文帳に追加

該金属元素を含む領域を選択的に配置することで、集電体上に形成される活物質層においてウィスカーを効果的に発生させることができ、また、その発生領域を制御することが可能となる。 - 特許庁

A capacitor element is formed by winding an anode electrode foil, made of valve-acting metal such as aluminum and having an oxide coating layer formed on a surface, and a cathode electrode foil with a separator made of manila paper interposed.例文帳に追加

アルミニウム等の弁作用金属からなり表面に酸化皮膜層が形成された陽極電極箔と、陰極電極箔とを、マニラ紙等よりなるセパレータを介して巻回してコンデンサ素子を形成する。 - 特許庁

Thus, the AlBGaN layer of a thickness of 100 nm or more can be formed without causing cracks, and the nitride semiconductor can be materialized which suppresses the resistance of the element and has a high breakdown voltage.例文帳に追加

これによって、クラックを生じることなく、１００ｎｍ以上の厚いＡｌＢＧａＮ層を形成することができ、素子の抵抗を抑えつつ、降伏電圧の高い窒化物半導体を実現することができる。 - 特許庁

To manufacture a photoelectric conversion element capable of achieving high photoelectric conversion efficiency by facilitating diffusion of an n-type dopant into a light absorption layer comprising a CIGS compound semiconductor in a uniform and sufficient diffusion density.例文帳に追加

ＣＩＧＳ系化合物半導体からなる光吸収層へのｎ型ドーパントの拡散を容易に、均一かつ十分な拡散密度とし、高い光電変換効率を達成可能な光電変換素子を製造する。 - 特許庁

The electrode for a power storage device is provided by selectively placing a region containing a metal element serving as a catalyst on a current collector and then forming an active material layer, and a power storage device including the electrode is provided.例文帳に追加

集電体上に、触媒として機能する金属元素を含む領域を選択的に配置した後、活物質層を形成した蓄電装置用電極およびこれを用いた蓄電装置を提供する。 - 特許庁

An anode foil and a cathode foil having an oxide film layer formed on the surface are wound through a separator principally comprising nylon fibers using PVA as binder to form a capacitor element which is then subjected to restoration formation.例文帳に追加

表面に酸化皮膜層が形成された陽極箔と陰極箔を、ナイロン繊維を主体繊維とし、ＰＶＡをバインダーとしたセパレータを介して巻回してコンデンサ素子を形成し、このコンデンサ素子に修復化成を施す。 - 特許庁

The nitride semiconductor light-emitting element comprises: an n-type nitride semiconductor 104; a p-type nitride semiconductor 106; and an active layer disposed between the n-type nitride semiconductor 104 and the p-type nitride semiconductor 106.例文帳に追加

窒化物半導体発光素子は、ｎ型窒化物半導体１０４と、ｐ型窒化物半導体１０６と、ｎ型窒化物半導体１０４とｐ型窒化物半導体１０６との間に配置される活性層と、を備える。 - 特許庁

In semiconductor devices prepared by sealing a semiconductor element using a following epoxy resin composition, the area mounting type semiconductor device is characterized by having 20-200 μm thickness of its epoxy resin composition-cured layer.例文帳に追加

下記のエポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子を封止して得られる半導体装置が、該エポキシ樹脂組成物の硬化物層を２０〜２００μｍ有することを特徴とするエリア実装型半導体装置。 - 特許庁

In an element with an MIM insulation layer of a 9.6 nm thickness, a diode current Id exponentially rises from around 4.8 V together with and an emission current Ie exponentially rises from 4.7 V.例文帳に追加

ＭＩＭ絶縁層の膜厚が９．６ｎｍの素子では、電圧と共にダイオード電流Ｉｄは４．８Ｖ付近から指数関数的に立ち上がり、エミッション電流Ｉｅは４．７Ｖから指数関数的に立ち上がる。 - 特許庁

To provide a method of forming the contact of a semiconductor element which can prevent diffusion of impurity ions and reduce the contact resistance and leakage current by forming an embedded layer for preventing ion diffusion.例文帳に追加

イオン拡散防止埋込み層を形成することにより、不純物イオンの拡散を抑制し、コンタクト抵抗及び漏れ電流を低減することができる半導体素子のコンタクト形成方法に関するものである。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor light-emitting element of n-side up type made from an epitaxial wafer comprising a group III nitride semiconductor crystal layer of cubic and hexagonal systems with different crystal structure.例文帳に追加

立方晶と六方晶の結晶構造型を相違するＩＩＩ族窒化物半導体結晶層を備えたエピタキシャルウェーハから作製したｎサイドアップ型のＩＩＩ族窒化半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The thin film transistor element for liquid crystal displays includes a gate electrode formed on a transparent insulating substrate, a gate insulating film formed with glass composite, a semiconductor layer, a source electrode, and a drain electrode.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置用薄膜トランジスター素子は、透明絶縁基板上に形成されたゲート電極、ガラス組成物で形成されたゲート絶縁膜、半導体層及びソース電極とドレーン電極を含む。 - 特許庁

The protective layer 15 covers the element-side electrode 18b and has an opening 13 for connecting the electrode 18b to the pixel electrode 6.例文帳に追加

素子側電極１８ｂと画素電極６との間に保護層１５を設け、その保護層１５は素子側電極１８ｂを覆うと共にその素子側電極１８ｂを画素電極６とを接続させるための開口１３を有する。 - 特許庁

An organic power generation element includes a power generation layer 4 formed by mixing an electron-donative semiconductor and a hole-donative semiconductor, between electrodes 2 and 6 at least one of which is transparent to external light.例文帳に追加

電子供与性半導体とホール供与性半導体とを混合して形成される発電層４を、少なくとも一方は外来光に対して透明である電極２，６の間に備えた有機発電素子に関する。 - 特許庁

An amorphous semiconductor film 3 containing silicon is formed on a substrate 1; and a metal containing layer 4 is formed by adding, to the amorphous semiconductor film 3, a metal element which promotes crystallization of the amorphous semiconductor film 3.例文帳に追加

基板１上に珪素を含む非晶質半導体膜３を形成し、非晶質半導体膜３に該非晶質半導体膜３の結晶化を促進する金属元素を添加して金属含有層４を形成する。 - 特許庁

In the laminated piezoelectric element 1, the relaying common electrode 6 connected electrically with respective adjacent common electrodes 4, 4 in the laminating direction is also formed on the piezoelectric material layer 3 on which individual electrodes 2 are formed.例文帳に追加

積層型圧電素子１では、個別電極２が形成された圧電体層３には、積層方向において隣り合うコモン電極４，４のそれぞれに電気的に接続された中継コモン電極６も形成されている。 - 特許庁

In the semiconductor module including electrode terminals 3, 4 being connected electrically with the electrode layer of IGBT elements 2, 2, a spring electrode 6 is provided between the IGBT element 2 and the electrode terminal 4.例文帳に追加

ＩＧＢＴ素子２、ＩＧＢＴ素子２の電極層と電気的に接続される電極端子３，４を備えた半導体モジュールにおいて、ＩＧＢＴ素子２と電極端子４との間にばね電極６を設ける。 - 特許庁

Irradiation of an excitation beam 6 is received, and the excitation beam intensity is increased by a resonant structure containing interference filters sandwiching the wavelength conversion layer 3, and the luminescent efficiency of the wavelength conversion element 8 is enhanced.例文帳に追加

励起光６の照射を受けて、波長変換層３をサンドイッチしている干渉フィルターを含む共振構造により励起光強度が増大され、波長変換素子８の発光効率が高められる。 - 特許庁

The organic switching element is formed on each pixel part and includes a source electrode electrically connected to the data line, a gate electrode electrically connected to the gate line, and an organic semiconductor layer formed on the gate electrode.例文帳に追加

有機スイッチング素子は各画素部に形成され、データ線と電気的に連結されたソース電極とゲート線、電気的に連結されたゲート電極、及びゲート電極上に形成された有機半導体層を含む。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor package, a surface active process is performed ununiformly using plasma discharge at least to a region on a surface insulation layer where a semiconductor element is mounted.例文帳に追加

少なくとも該半導体素子が搭載される表層絶縁層上の領域に対しプラズマ放電を利用した表面活性処理を不均一に施すことを特徴とする該半導体パッケージの製造方法。 - 特許庁

In the laser element having an active layer where a plurality of quantum wells and barriers are laminated repeatedly, a tunnel junction is inserted into the barrier between the quantum wells.例文帳に追加

複数の量子ウェルと障壁とが反復的に積層されてなされる活性層を備えたレーザー素子であって、量子ウェルの間の障壁内にトンネル接合が挿入されていることを特徴とするレーザー素子である。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element in which an optimum internal structure is given to a barrier layer that includes manganese formed on an open surface of a copper wiring body and which can fully display barrier function.例文帳に追加

銅配線本体の開放表面に形成されるマンガンを含むバリア層に最適な内部構成を持たせて、そのバリア機能を充分に発揮させることができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a technique for forming a nitride semiconductor layer superior in planarity and crystallinity on a GaN substrate while improving manufacturing characteristics of a semiconductor element utilizing a gallium nitride substrate (GaN substrate).例文帳に追加

窒化ガリウム基板（ＧａＮ基板）を利用した半導体素子の製造性を向上しつつ、ＧａＮ基板上に平坦性及び結晶性に優れた窒化物系半導体層を形成することが可能な技術を提供する。 - 特許庁

A surface emission semiconductor laser element chip having an oscillation wavelength of 1.1-1.7 μm and a resonator structure including reflectors provided above and below a light emitting active layer is employed.例文帳に追加

レーザチップは発振波長が１．１μｍ〜１．７μｍであり、光を発生する活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップとする。 - 特許庁

The rectification-variable element X has a laminate structure including an electrode 1, an electrode 2 containing Ta, and an oxide layer 3 interposed between the electrodes 1 and 2 and consisting of a Co-based perovskite oxide.例文帳に追加

本発明の整流性変化型素子Ｘは、電極１と、Ｔａを含んでなる電極２と、電極１，２間に介在し且つＣｏ系ペロブスカイト酸化物よりなる酸化物層３と、を含む積層構造を有する。 - 特許庁

A power generation element includes: a pair of electrodes; a spacer disposed with the electrodes spaced from each other; and an intermediate layer formed of pyrrolidinium-based ion liquid provided in a space formed by the electrodes and the spacer.例文帳に追加

一対の電極と、前記一対の電極を離間配置させるスペーサと、前記一対の電極と前記スペーサとによって設けられた空間にピロリジニウム系イオン液体よりなる中間層を設けてなる発電素子とする。 - 特許庁