「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(299ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a manufacturing method of a nitride semiconductor element by which a magnesium activation rate after annealing is made equal to or larger than a predetermined value irrespective of the Al composition of a p-type nitride semiconductor layer and the concentration of remaining hydrogen by forming the p-type nitride semiconductor layer by performing doping with magnesium and carbon such that the concentration ratio between magnesium and carbon in the layer reaches a predetermined concentration ratio.例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体層を、マグネシウムおよび炭素を、それらマグネシウムと炭素の層中の濃度比が所定の濃度比になるようにドープすることによって形成することにより、ｐ型窒化物半導体層のＡｌ組成や残留する水素濃度にかかわらず、アニール後のマグネシウム活性化率を所定値以上とすることができる窒化物半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The gas sensor element comprises an oxygen ion-conductive solid electrolyte, a measured gas side electrode and a reference gas side electrode, respectively provided on one surface and the other surface of the solid electrolyte, a diffusion resistance layer 12 which allows a measured gas to be transmitted while covering the measured gas side electrode, and a catalyst support trap layer 2 supporting catalyst 22 formed on lateral surface 120 of the diffusion resistance layer 12.例文帳に追加

酸素イオン伝導性の固体電解質体と、該固体電解質体の一方の面と他方の面とにそれぞれ設けた被測定ガス側電極及び基準ガス側電極と、被測定ガス側電極を覆うと共に被測定ガスを透過させる拡散抵抗層１２と、該拡散抵抗層１２の外側面１２０に形成された触媒２２を担持させた触媒担持トラップ層２とを有するガスセンサ素子。 - 特許庁

The electric field emission cathode element includes a cathode substrate, a grid installed on the surface of the cathode substrate, a first insulating layer which is installed on the surface of the grid opposite to the surface adjoining the cathode substrate, a cathode electrode installed on the surface of the first insulating layer opposite to the surface adjoining the grid, and an electron emission layer which is installed on the surface of the cathode electrode.例文帳に追加

本発明の電界放出陰極素子は、陰極基板と、該陰極基板の表面に設置されたグリッドと、該グリッドの、前記陰極基板に隣接する表面とは反対の表面に設置された第一絶縁層と、該第一絶縁層の、前記グリッドに隣接する表面とは反対の表面に設置された陰極電極と、前記陰極電極の表面に設置された電子放出層と、を含む。 - 特許庁

In this semiconductor device, the bipolar transistor is formed to have an epitaxial base region, formed on a semiconductor substrate and formed of a silicon mixed crystal layer 9 consisting of silicon layers 9A, 9C and a layer 9B having silicon and other group IV element, and a silicide 11 is formed on the part of the silicon mixed crystal layer 9 which serves as an extraction electrode via a polycrystalline silicon film 10.例文帳に追加

半導体基体上に、シリコン層９Ａ，９Ｃとシリコン及び他の第IV族元素を有する層９Ｂにより成るシリコン混晶層９によって形成されたエピタキシャルベース領域を有するバイポーラトランジスタが形成されて成り、シリコン混晶層９のうちベース引出し電極部となる部分の上に、多結晶シリコン膜１０を介してシリサイド１１が形成されて成る半導体装置を構成する。 - 特許庁

This is the electron emitting element which efficiently emits high density electrons by utilizing a large internal electric field by a spontaneous polarization and a piezo polarization generated in the nitride semiconductor and a resonance tunnel effect by an AIN/GaN multiplex barrier layer, and the AIN/GaN multiplex barrier layer and a GaN surface layer of dozens of nanometers are formed on the n-type GaN, and a surface electrode for electron extraction is fitted.例文帳に追加

窒化物半導体に生じる自発分極やピエゾ分極による大きな内部電界とＡｌＮ／ＧａＮ多重障壁層による共鳴トンネル効果を利用し、高密度電子を効率的に放出させる電子放出素子に関するもので、ｎ型ＧａＮ上へＡｌＮ／ＧａＮ多重障壁層と数十ナノメートルのＧａＮ表面層を作製し、電子取出用の表面電極を取り付けたものである。 - 特許庁

The method of manufacturing the optical power generation element having a substrate 50 and a metal electrode layer 51 provided on the substrate 50 includes a supercritical fluid state-forming step of forming a supercritical fluid state of a silicon halide compound, and a silicon polycrystal layer-forming step of forming the silicon polycrystal layer on the metal electrode layer 51 provided on the substrate 50, by carrying out plasma discharge under the formed supercritical fluid state of the silicon halide compound.例文帳に追加

基板５０と基板５０上に設けた金属電極層５１を有する光発電素子の製造方法であって、ハロゲン化ケイ素化合物の超臨界流体状態を形成する超臨界流体状態形成工程と、形成されたハロゲン化ケイ素化合物の超臨界流体状態においてプラズマ放電を行い、基板５０上に設けた金属電極層５１上にシリコン多結晶層を形成するシリコン多結晶層形成工程と、を有することを特徴とする光発電素子の製造方法。 - 特許庁

The organic electroluminescent element and its manufacturing method is capable of improving product reliability, by forming the auxiliary electrode line to be in contact with the second electrode power supply line to remove an organic layer on the auxiliary electrode line and minimize the organic layer on a pixel region, thereby preventing pixel shrinkage that results from degradation of organic emission layer due to the phenomenon of outgassing from the organic layer.例文帳に追加

本発明は有機電界発光素子の補助電極ライン形成時第２電極電源供給ラインと補助電極ラインがコンタクトするよう形成することによって前記補助電極ライン上部の有機膜を除去して、画素領域内に存在する有機膜を最小化することによって前記有機膜からのアウトガス現象による有機発光層の劣化による画素収縮現象を防止して製品の信頼性を向上させる有機電界発光素子及びその製造方法に関する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a light emitting substrate capable of forming a layer containing a nano particule iron silicide on a surface region in a simple manufacturing process and a light emitting element manufactured by using this method.例文帳に追加

簡易な作製工程で、表面領域にナノ粒子状鉄シリサイドを含有する層を形成することを可能とする発光基板の作製方法、および、その作製方法を用いて作製した発光素子を提供すること。 - 特許庁

To provide an optical pickup having a phase-modulating liquid crystal element which can perform a desired aberration correction even if the thickness of a liquid crystal layer is different from a designed thickness due to a change of environmental temperature, an error in production of liquid crystal elements, or the like.例文帳に追加

環境温度変化や液晶素子の製造誤差などにより液晶層厚みが設計値と異なっても、所望の収差補正を行うことができる位相変調用の液晶素子を有する光ピックアップを提供すること。 - 特許庁

To provide a composition having hygroscopicity, capable of easily regenerating (80-200°C) hygroscopicity, and not causing corrosion of other members of an element (e.g. a passivation film or a light-emitting material layer), and to provide a cured product obtained from the composition.例文帳に追加

吸湿性を有し、容易に（８０〜２００℃）吸湿性を再生することができ、素子の他の部材（たとえば、パッシベーション膜や発光材料層など）を腐食せしない組成物、ならびに該組成物から得られる硬化物を提供すること。 - 特許庁

Thus, the difference in refractive index is reduced between a semiconductor forming the light-emitting element 1 whose refractive index is very high and the sealing material of sealing layer 2, discouraging total reflection of the light coming out of the semiconductor.例文帳に追加

これにより、発光素子部１を形成している屈折率が非常に大きな半導体と、封止層２の封止材料の屈折率との差を小さくでき、半導体内部から外へ出る光について全反射が生じにくくなる。 - 特許庁

An optical film 10 is made by laminating a first translucent substrate 12, a polarizing layer 14, a second translucent substrate 16 and a phase difference optical element 18 in which nematic liquid crystal is cross-linked with its alignment regulated.例文帳に追加

第１の透光性基材１２と、偏光層１４と、第２の透光性基材１６と、ネマチック液晶が配向規制された状態で架橋された位相差光学素子１８と、をこの順で積層して光学フィルム１０を構成した。 - 特許庁

Scribe lines 31 and grooves 34 over the element forming region 32 are formed on an upper face of the silicon wafer 30 along the scribe lines 31, and SiO_2 is deposited on the upper face of the silicon wafer 30 so as to form a glass layer 40.例文帳に追加

シリコンウエハ３０の上面に、スクライブライン３１と、素子形成領域３２に跨る溝３４をスクライブライン３１に沿って形成した後、ＳｉＯ_２をシリコンウエハ３０の上面に堆積させることでガラス層４０を形成する。 - 特許庁

To provide a circuit board having a terminal structure (device structure) such that a wiring layer connected to a circuit element provided on the board and an external wiring terminal can be excellently connected, and to provide a connecting method for the circuit board.例文帳に追加

基板上に設けられた回路素子に接続された配線層と外部配線端子部とを良好に接続することができる端子構造（デバイス構造）を備えた回路基板、及び、当該回路基板の接続方法を提供する。 - 特許庁

This organic EL device includes: a substrate 10 having a ferromagnetic property; and an element layer including organic electroluminescence elements 82, 88 and 90, and driving circuits 54, 56, 58, 60, 62, 64, 66 and 78 and arranged on one-side surface of the substrate.例文帳に追加

本発明の有機ＥＬ装置は、強磁性を有する基板(10)と、有機エレクトロルミネッセンス素子(82,88,90)及び当該有機エレクトロルミネッセンス素子に接続される駆動回路(54,56,58,60,62,64,66,78)とを含み、上記基板の一方面上に配置される素子層と、を備える。 - 特許庁

The health heater 1 is constituted by laying a fired ceramics and a mineral ore 3 between a fabric cloth layer 2 formed by carrying a ceramics powder on the fabric cloth and a face shape heating element 4 and radiates far-infrared ray by heating the ceramics or the mineral ore 3.例文帳に追加

健康ヒータ１は、セラミック粉末を布生地に担持させてなる布生地層２と面状発熱体４間に焼結したセラミックや鉱石３を敷き詰めてなり、セラミックや鉱石３を加熱して遠赤外線を放射する。 - 特許庁

A wavelength conversion layer which contains a substance, e.g. a phosphor, generating visible light according to incident light at a wavelength shorter than that of the visible light is formed on the light receiving face of a semiconductor light receiving element, whose light receiving sensitivity with reference to the visible light is high.例文帳に追加

可視光に対する受光感度の高い半導体受光素子１０の受光面にこれよりも短波長の入射光に応じて可視光を発生する物質、例えば蛍光体を含む波長変換層２１を設ける。 - 特許庁

To provide a sealing plate for a top emission type EL element and its manufacturing method wherein light from a light-emitting layer can be taken out sufficiently while suppressing deterioration of an EL laminated film, as well as provide a mother glass substrate for multiple arrangement of the sealing plate.例文帳に追加

ＥＬ積層膜の劣化を抑制しつつ、発光層からの光を充分に取り出すことができるトップエミッション型のＥＬ素子用封止板及びその製造方法、並びに該封止板多面取り用マザーガラス基板を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal aligning agent having excellent vertical alignment property, giving liquid crystal alignment layer wherein accumulated charge is reduced while a voltage retention ratio is maintained and having excellent printability and to provide a liquid crystal display element using the same.例文帳に追加

垂直配向性に優れ、電圧保持率を維持しつつ、かつ蓄積電荷を低減させる液晶配向膜を与え、さらに優れた印刷性を備えた液晶配向剤およびそれを用いた液晶表示素子を提供する。 - 特許庁

The element conduction part 71 and connection part 61 are formed of the same layer with the power line 15, and disposed on one side along the width (Y direction) of the power line 15 across the driving transistor Tdr when viewed vertically to the substrate 10.例文帳に追加

素子導通部７１および接続部６１は、電源線１５と同層から形成され、基板１０に垂直な方向からみて、駆動トランジスタＴdrを挟んで電源線１５の幅方向（Ｙ方向）における一方の側に位置する。 - 特許庁

To provide EL phosphor with little deterioration in brightness with which a dense coating layer can be formed and an EL element using the same, for one used for a display part, illumination of an operating part or the like of electronic equipment.例文帳に追加

各種電子機器の表示部や操作部の照明等に用いられるＥＬ素子に関し、緻密な被覆層の形成が可能で、輝度の劣化が少ないＥＬ蛍光体及びこれを用いたＥＬ素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a conductive polymer composite, by using which an actuator element, an electricity storage device or the like excellent in workability, integrated in a conductive polymer layer and a collector, and achieving higher strength can be easily manufactured.例文帳に追加

本発明の導電性高分子複合体を用いることにより、作業性に優れ、導電性高分子層と集電体が一体化した、より強度の高いアクチュエータ素子や蓄電デバイス等を容易に作製することができる。 - 特許庁

Next, after an internal wall oxide film 7 is formed by forming a recess 16 in the inactive region 3 using a silicon nitride film 51 as a mask, an embedded insulating layer 8 formed of silicon oxide is formed in order to form an STI element isolating structure 9.例文帳に追加

次に、窒化シリコン膜５１をマスクとして不活性領域３に凹部１６を形成し、内壁酸化膜７を形成した後、酸化シリコンからなる埋め込み絶縁層８を形成し、ＳＴＩ素子分離構造９を形成する。 - 特許庁

The electro-optic element 1 includes: a first substrate 11 having a first electrode 12 on one face; a second substrate 13 having a second electrode 14 on one face; and a liquid crystal layer 15 disposed between the one face of the first substrate and the one face of the second substrate.例文帳に追加

電気光学素子1は、一面側に第１電極12を有する第１基板11と、一面側に第２電極14を有する第２基板13と、第１基板の一面と第２基板の一面との間に設けられた液晶層15と、を備える。 - 特許庁

The input resistive element of a differential voltage amplification circuit bearing a high potential difference is constituted through solder connection of eight chip resistors 131-138 secured to the surface of a printed board 6 in one row with conductor layer patterns 70-78.例文帳に追加

高い電位差を負担する差動電圧増幅回路の入力抵抗素子は、プリント基板６の表面に一列に固定された８本のチップ抵抗１３１〜１３８を導体層パターン７０〜７８にハンダ接続して構成される。 - 特許庁

To provide a vacuum molding device and a method for producing a large size two layer sheet element continuously at a low cost, wherein waviness of a woven fabric during a heating process and a preheating molding process can be prevented.例文帳に追加

大きなサイズの二層シート要素の連続的且つ低コストでの製造のために、加熱作業中及び予備加熱成形作業中における生地織物のたるみを防止した真空成形機および二層シートの製造方法の提供。 - 特許庁

The second element has a dielectric oxidation film 14 and a negative electrode layer made of a solid-state electrolyte 15 and a conductive member 16, all provided on both sides of the valve action metallic base 1 to form a negative electrode part 20 for forming the transmission line.例文帳に追加

第２の素子は、弁作用金属基体１の両面に誘電体酸化被膜１４、固体電解質１５および導電性部材１６からなる陰極電極層を設けて、伝送線路形成用の陰極部２０とする。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes: a semiconductor element 30 having a P-type well 9 and an N-type diffusion layer 2 to be formed on the P-type well 9; and a P-type diffusion resistance 40 to be formed on the N-type well 8.例文帳に追加

本発明による半導体装置１００は、Ｐ型ウェル９とＰ型ウェル９上に形成されるＮ型拡散層２とを備える半導体素子３０と、Ｎ型ウェル８上に形成されるＰ型拡散抵抗４０とを具備する。 - 特許庁

A gas sensor element consists of a solid electrolyte 10, the electrode 12 on the side of reference gas and electrode 11 on the side of gas to be measured provided thereto and the porous protective layer 13 provided so as to cover the surface of the electrode 11 on the side of the gas to be measured.例文帳に追加

固体電解質体１０とこれに設けられた基準ガス側電極１２及び被測定ガス側電極１１と，被測定ガス側電極１１の表面を覆うように設けられた多孔質の保護層１３とからなる。 - 特許庁

In the stacked electronic components, the electrical length of a connection electrode (via hole 11a) for connecting the pattern electrode 5a for a capacitor element 5 made in the inner layer part of a stack 3 with its surface electrode 14a is tuned up.例文帳に追加

積層型電子部品において、積層体３の内層部分に形成されたコンデンサ素子５用のパターン電極５ａと表面電極１４ａ間を接続する接続電極（ビアホール１１ａ）の電気長を調節する。 - 特許庁

Further, the difference from the refractive index difference from the core is large, the majority of a light electric field is confined in the core layer, and mode overlap integration of signal light and control light becomes large, so the conversion efficiency of the wavelength conversion element can be increased.例文帳に追加

また、コアとの屈折率差が大きく、光電界の大部分はコア層に閉じ込められて、信号光と制御光のモードの重なり積分が大きくなるので、波長変換素子の変換効率を上げることができる。 - 特許庁

To provide a configuration to prevent an operating current from increasing without any increase in cost even when a memory mixedly mounted logic chip mounted with a phase change memory and a logic circuit is configured such that the phase change element is disposed below lowest-layer wiring.例文帳に追加

相変化メモリとロジック回路とを搭載するメモリ混載ロジックチップにおいて、相変化素子を最下層配線よりも下に配設した構成においても、コストの増大をもたらさず、動作電流の増大も防止した構成を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic tunnel joint element and a method for manufacturing it wherein a barrier film is easily formed with no residue of a metal film nor corrosion of a lower magnetic layer, for higher magnetic tunnel resistance change rate.例文帳に追加

金属膜の残存及び下磁性層の侵食が生じることなく容易にバリア膜を形成することができ、これにより、磁気トンネル抵抗変化率を高めることができる磁気トンネル接合素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In an oxygen sensor (gas sensor) 1, a detection element 2 to detect gas concentrations includes at least a base part 2c and a heater part 2p laminated on the base part 2c, and the heater part 2p has a two-layer structure.例文帳に追加

ガス濃度を検出する検出素子２が、少なくとも基体部２ｃとこの基体部２ｃに積層されるヒータ部２ｐとを備える酸素センサ（ガスセンサ）１において、前記ヒータ部２ｐを二層構造とすることにより上記課題を解決する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for making a high-quality organic functional element by forming a suitable thick-film organic functional layer without thickness unevenness or variations, in one manufactured by the use of a letterpress printing method.例文帳に追加

凸版印刷法を用いて製造される有機機能性素子において、膜厚ムラ・バラツキがなく、好適な膜厚の有機機能層を形成することによって、高品質な有機機能性素子を作製する製造方法を提供する。 - 特許庁

To accurately carry out an analysis of a profile of element in such a manner that in the case a specimen is prepared from the back and thinned, a region exists at the back of the thinned specimen in parallel with an objective layer, and the region is easily identified.例文帳に追加

試料を裏面側から削って薄片化した場合に、その薄片化後の裏面側に目的層に平行な領域が存在し、且つ当該領域が簡単に識別でき、元素プロファイルの分析が正確に行えるようにする。 - 特許庁

In the metal mold for producing a contact element, oxide films are formed on the base having a recess in the main surface and a metal layer arranged on it and having at least an opening for exposing the recess.例文帳に追加

接触子製造用の金型は、主面に凹所を有する基台と、前記主面に配置された金属層であって少なくとも前記凹所を露出させる開口を有する金属層とに酸化皮膜を形成したことを特徴とする。 - 特許庁

Then, the field oxide films 4 are made at the same time in the element isolating region of a semiconductor substrate 1, and above between the regions where the electrode ends of the resistance elements are made, and then a silicide layer is made on the source and drain region.例文帳に追加

そして、フィールド酸化膜４は、半導体基板１の素子分離領域と、抵抗素子の電極端子が形成される領域間上部とに、同時に形成し、その後、ソース・ドレイン領域上にシリサイド層を形成する。 - 特許庁

To provide a bismuth layer structure ferroelectric (BLSF) which is capable of controlling a coercive electric field to a desired value and operat ing under an operation voltage corresponding to each application, to provide a method of producing the same and a dielectric/electrostrictive element using the ferroelectric.例文帳に追加

抗電界を所望の値に制御することができ、用途に応じた作動電圧で動作し得るビスマス層状構造強誘電体（ＢＬＳＦ）、その製造方法およびこれを用いた圧電・電歪素子をを提供すること。 - 特許庁

A contrast improving film 15 having a locally minimum value of transmittance in the range of 530-590 nm in a visible region of 400-700 nm is formed on the light extraction side of an EL element 11 wherein a luminescent layer 14 is formed between electrodes 12, 13 opposite to each other.例文帳に追加

対向する２つの電極12,13間に発光層14が設けられたＥＬ素子11の光取出し側に、400nm〜700nmの可視領域において、530nm〜590nmの範囲に透過率の極小値を有するコントラスト向上膜15が設けられている。 - 特許庁

When the magnetic fields along the X axis, Y axis and Z axis are applied to a free layer of a magnetic storage element storing "1" in combination according to a second magnetic field application sequence, the magnetization LM and the magnetization UM are inverted.例文帳に追加

“１”を記憶する磁気記憶素子の自由層に対して、第２磁場印加シーケンスに従って、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に沿った磁場が組み合わされて印加されると、磁化ＬＭ，ＵＭが反転する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for manufacturing an electronic component, capable of fully pressing resin without causing mechanical damages on an element-mounting substrate and accurately setting the thickness, in a normal line direction of a sealing layer.例文帳に追加

素子搭載基板に機械的ダメージを作用させることなく樹脂を十分に加圧でき、且つ、封止層の基板法線方向の厚みを精緻に設定することが可能な電子部品の製造方法および製造装置の提供。 - 特許庁

The dry immune analysis element is obtained by applying any of methods of (1) increasing the speed at which the maltoses are turned to a lower molecular compound of glucose (first pattern), and (2) removing the maltoses before reaching the reagent layer (second pattern).例文帳に追加

１）マルトースがグルコースに低分子化される速度を大きくする（第一の形態）、又は２）マルトースが試薬層に達する前に除去する(第二の形態)、のいずれかの方法を適用した乾式免疫分析要素によって解決される。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element which has no variance of polarization angle rotation even when mounted on a heat sink, etc., by a junction down joining system and does not generate a crack damaging an active layer even when cleaved.例文帳に追加

ジャンクションダウン接合方式でヒートシンク等にマウントしても、偏光角回転がばらつくようなことがなく、また劈開しても活性層に損傷を与えるようなクラックを発生させないような構成の半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

The floating surface protective film of a magnetic head is made of a thin carbon film, and its lowest layer in contact with the magnetic element has a small mass density as compared with a thin carbon film constituting other adjacent layers.例文帳に追加

磁気ヘッド浮上面保護膜は、炭素薄膜を備えて成り、前記浮上面保護膜の磁気素子側に接する最下層が、隣接する他の層を構成する炭素薄膜に比較し質量密度を低くしていることを特徴とする。 - 特許庁