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layer elementの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 18197



例文

To provide a method for forming an alignment mark capable of suppressing deformation of the shape of a plurality of the recesses of the alignment mark when the alignment mark is dug out by etching a regrown semiconductor layer, and to provide a method for manufacturing an optical semiconductor element.例文帳に追加

再成長された半導体層をエッチングしてアライメントマークを掘り出す際に、アライメントマークの複数の凹部の形状の崩れを抑制できるアライメントマーク形成方法及び光半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

As a result, there can be so solved the problem that electric fields are concentrated in microscopic protruding portions present on the surface of a lower electrode layer 6 as to make possible the realizations of thinning the capacitor element, the improvement of its withstanding voltage, and the reduction of its leakage current.例文帳に追加

その結果、下部電極層6の表面において微視的な凸部に電界が集中する問題を解決でき、薄膜化を実現できるとともに耐圧の向上、リーク電流の低減を図ることができる。 - 特許庁

In impurity regions 102 and 103, concentration gradient is given to the concentration distribution of an impurity element where a one-conductivity type is added, thus decreasing concentration at the side of a channel formation region 101, and increasing the concentration at the side of a semiconductor layer end section.例文帳に追加

不純物領域102、103において、一導電型を付与する不純物元素の濃度分布に濃度勾配を持たせ、チャネル形成領域101側で濃度が小さく、半導体層端部側で濃度が大きくする。 - 特許庁

In the liquid crystal display element 1 comprising a liquid crystal layer 4 sealed between a pair of substrates 2 and 3 at least one of which is transparent, prescribed steps are scatteringly provided on at least one of faces opposed to each other of the pair of substrates 2 and 3.例文帳に追加

少なくとも一方が透明な一対の基板間2、3に液晶層4を封止してなる液晶表示素子1において、一対の基板2、3の対向面の少なくとも一方に所定の段差を散在させて設けた。 - 特許庁

例文

The photoconductive layer 102 is formed of a non-monocrystalline material mainly composed of silicon, and contains an element of the thirteenth group of the periodic table in an atomic concentration ranging from 2.5×10^14 [l/cm^3] to10^15 [l/cm^3].例文帳に追加

光導電層102は、シリコンを主体とする非単結晶材料により構成され、周期律表第13族元素を2.5×10^14[1/cm^3]以上4×10^15[1/cm^3]以下の原子濃度で含んでいる。 - 特許庁


例文

The liquid crystal device is equipped with an illumination means 115 to emit light toward a liquid crystal element, and a translucent reflection film 114 with a linearly shaped opening portion arranged thereon is disposed between a liquid crystal layer 103 and the illumination means 115.例文帳に追加

液晶素子に向けて光を出射する照明装置115とを備えており、液晶層103と照明装置115との間にはライン形状の開口部を設けた半透過反射膜114が配置されている。 - 特許庁

To provide a memory element wherein a recording mark whose edge part is clear and which is fine as compared with a pattern by a conventional method can be formed, to provide a recording and reproducing method to a recording layer and to provide a recording device.例文帳に追加

従来の方法によるパターンと比較して、記録マークのエッジ部分が明瞭で、かつ、より微細な記録マークを形成することができるメモリ素子、記録層に対する記録再生方法、及び記録装置を提供する。 - 特許庁

To improve an emission intensity in a semiconductor light emitting element of the structure in which electrodes for applying a bias to an n-type region and a p-type region of a light emitting semiconductor layer are formed at the same surface side of a supporting substrate.例文帳に追加

発光半導体層のn型領域とp型領域にバイアス印加するための電極をそれぞれ支持基板の同一面側にて形成した構造の半導体発光素子において、発光強度を向上させる。 - 特許庁

Between the connection pad and the active element forming region, there is formed a reinforcement structure which is respectively provided on at least one wiring layer and consists of a dummy pattern that doesn't contribute to a logic function of the semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

接続パッドと活性素子形成領域との間には、少なくとも1つの配線層のそれぞれに設けられた、半導体集積回路の論理機能に寄与しないダミーパターンからなる補強構造が形成されている。 - 特許庁

例文

This organic luminescent element is composed by stacking a transparent electrode, and an organic luminescent layer and a back electrode on a base material in this order, and is characterized in that the mean square of the unevenness on the surface of the transparent electrode is 50 nm or smaller.例文帳に追加

基材上に透明電極、有機発光層及び背面電極をこの順に積層してなり、該透明電極の表面における凹凸の2乗平均が50nm以下であることを特徴とする有機発光素子である。 - 特許庁

例文

In addition, in order to surely inject the tunnel current Im into the base electrode B of the transistor 11, an array of the transistor 11 and trigger element is formed by providing a low-resistance layer in a semiconductor substrate.例文帳に追加

また、確実に、トンネル電流Imを寄生バイポーラトランジスタ11のベース電極Bに注入するため、半導体基板内に低抵抗層を設けること、寄生バイポーラトランジスタ11とトリガ素子との配列を工夫することを提案する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of preventing floating capacitance and capable of achieving high speed and low power consumption by forming an element on a GaAs layer formed above a cavity in a GaAs device, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

GaAsデバイスにおいて、空洞上に浮遊するGaAs層に素子形成を行うことにより、浮遊容量を抑え、高速化・低電力化を図ることが可能な半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To enable an element on a first substrate to adhere on an adhesive layer formed on a second substrate by minutely adjusting parallelism between substrates while measuring a distance between the substrates and holding the first and second substrates in parallel.例文帳に追加

基板間の距離を測定しながら基板間の平行を微調整することで、第1基板と第2基板とを平行に保持して、第1基板上の素子を第2基板に形成された接着層に接着させることを可能とする。 - 特許庁

Afterwards, a negative electrode composed of an organic EL thin film having at least luminous layer and aluminum is laminated in this order, and a sealing member is joined to a periphery of the transparent substrate by means of a sealer, and sealed, and the organic EL element is obtained.例文帳に追加

その後、少なくとも発光層を有する有機EL薄膜及びアルミニウムからなる陰極を、この順に積層し、透明基板の周縁に封止部材を封止剤により接合し、封止して、有機EL素子を得る。 - 特許庁

The edge part of the semiconductor layer (intrinsic region 3) in a current direction is formed into a P+ diffusion region, so the edge part serves as an anode electrode 6 to prevent a current determining the performance of the optical sensor element from flowing through the edge part.例文帳に追加

電流方向における半導体層(真性領域3)のエッジ部分をP+拡散領域にしたので、このエッジ部分がアノード電極6となり、光センサ素子の性能を決める電流がエッジ部分に流れることを防止できる。 - 特許庁

To provide an optical switching element and its manufacturing method, a device, an optical writing type recording medium, a display and a writing device wherein sensitivity is not deteriorated even when an upper electric charge generating layer is formed by applying a dispersion liquid.例文帳に追加

上部電荷発生層を分散液塗布により形成した場合でも感度の劣化が生じない光スイッチング素子およびその製造方法、デバイス、光書き込み型記録媒体、表示装置および書き込み装置を提供すること。 - 特許庁

A sealing material 12 is applied onto the face of the sealing plate 4 opposed to the substrate 2 and the sealing plate 4 is pasted to the substrate 2 across the light emitting element 3 in the state that both ends of the organic layer 5 extend outside the sealing region 11.例文帳に追加

次に封止板4の基板2に対向する面に封止材料12を塗布して、有機層5の両端部が封止領域11の外に延伸した状態で、発光素子3を挟んで封止板4を基板2に貼り合わせる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a laminated type electronic component that has a small number of cracks and chips, reliably exposes the edge of an internal electrode layer from the end face of an element body for improving connection to a terminal electrode, and has excellent productivity.例文帳に追加

割れや欠けが少なく、しかも素子本体の端面から内部電極層の端部を確実に露出させて端子電極との接続が良好で、生産性に優れた積層型電子部品の製造方法を提供すること。 - 特許庁

This white light emitting organic electro-luminescent element is characterized by including at least one kind of phosphor compound selected among compounds having a specified structure in at least one layer thereof, and the emitted light is substantially white.例文帳に追加

少なくとも1つの層に特定構造を有する化合物から選ばれる少なくとも1種の蛍光性化合物を含有し、かつ発光が実質白色であることを特徴とする白色発光有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

To provide an amplifier for charge transfer devices and a solid-state imaging element, capable of preventing the charge detection sensitivity of an amplifier from decreasing, by preventing an impurity diffusion layer from being formed on a semiconductor substrate where a floating diffusion amplifier has been formed.例文帳に追加

フローティングディフュージョンアンプを形成した半導体基板に不純物拡散層が形成されることを防止することで、アンプの電荷検出感度の低下を防止できる電荷転送素子用アンプ及び固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

The side wall film 6 located to be under the polycrystal silicon film 7 is formed to extend across the boundary 50 between the active region 2a and the element isolating film 3, and has the upper part that is above the upper surface of the n-type diffusion layer 5.例文帳に追加

多結晶シリコン膜7の下に位置する側壁膜6は、活性領域2aと素子分離膜3との境界50にまたがって設けられ、且つ、側壁膜6の上部は、n型拡散層5の上面より上側に位置している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that is constituted by bonding a structure to the rear surface of a thinned semiconductor element and can be made to secure mounting reliability by appropriately setting the thickness of an adhesive layer.例文帳に追加

薄化された半導体素子の裏面に構造体を接着して成る半導体装置において、接着層の厚みを適正に設定して実装信頼性を確保することができる半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light-emitting element of superior electrostatic breakdown voltage whose light-emitting output is improved so that a range of application to various applied products is widened with the use of an active layer of a multiple quantum well structure.例文帳に追加

多重量子井戸構造の活性層を用い種々の応用製品への適用範囲の拡大を可能とするため、発光出力がより向上し、静電耐圧が良好な窒化物半導体発光素子を提供することである。 - 特許庁

Also, to surely inject a tunnel current Im to the base electrode B of the parasitic bipolar transistor 11, a low-resistance layer is provided in a semiconductor substrate, and the alignment of the parasitic bipolar transistor 11 and the trigger element are devised.例文帳に追加

また、確実に、トンネル電流Imを寄生バイポーラトランジスタ11のベース電極Bに注入するため、半導体基板内に低抵抗層を設けること、寄生バイポーラトランジスタ11とトリガ素子との配列を工夫することを提案する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting element in which crystallinity and emission efficiency are enhanced by suppressing a crystal system separation and phase separation caused by adding As, P or Sb to an InGaN based well layer.例文帳に追加

InGaN系井戸層にAs、PまたはSbを含有させることによって生じる結晶系分離および相分離を抑制し、結晶性および発光効率の向上した窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

A semiconductor element is constituted in a structure that a high-concentration B-doped semiconductor diamond layer is formed on an insulative high-pressure synthetic diamond single crystal substrate 1, and semiconductor layers 2a and 2b used as source and drain regions are formed on the substrate 1 by a reactive ion etching.例文帳に追加

絶縁性の高圧合成ダイヤモンド単結晶基板1上に、高濃度Bドープ半導体ダイヤモンド層を形成し、反応性イオンエッチングにより、ソース及びドレイン領域となる半導体ダイヤモンド層2a及び2bを形成する。 - 特許庁

At least a part of each on the bistable device and the bistable memory element is composed of an organic microcrystal, and an organic bistable layer is incorporated which changes the resistance depending on the bias voltage, thus assuring the characteristic control capability, low-cost fabrication and reduced variation in the characteristics.例文帳に追加

少なくとも一部が有機微結晶で構成され、バイアス電圧に応じて抵抗値が変化する有機双安定層を有することにより、特性制御が可能で、安価に作製でき、かつ特性ばらつきが少なくなる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an organic EL display device by which the organic EL display device with high quality and excelling luminous efficiency for an organic EL element, having no display unevenness due to thin film unevenness of a functional layer can be obtained.例文帳に追加

機能層の薄膜ムラによる表示ムラを生じることのない、有機EL素子の発光効率に優れた高品質の有機EL表示装置を得ることが可能な有機EL表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A heater unit 30 is made by integrally molding a foaming resin heat insulating layer 36 on a surface heating element 35 of fusing a linear PTC heater A on a soaking plate 31 by foaming molding in a mold of a foaming resin.例文帳に追加

均熱板31の上に線状PTCヒータAを融着した面発熱体35の上に発泡性樹脂の型内発泡成形により発泡樹脂の断熱層36を一体成形してなるヒータユニット30を作る。 - 特許庁

Similarly, a source 42SB and a gate 44B of the active layer 42 are connected to a second power supply line 102 on the other N-channel type thin film transistor TRB, and its drain 42D is connected to one end of a resistor element 45B.例文帳に追加

同様に、他方のNチャネル型薄膜トランジスタTRBでは、能動層42のソース42SBとゲート44Bが第2の電源線102に接続されており、そのドレイン42Dは抵抗素子45Bの一方の端に接続されている。 - 特許庁

To provide a light-emitting element mounting substrate having a reflection layer of high light reflection rate and small lowering of reflection rate due to corrosion, and featuring an improved light extracting efficiency and heat dissipation property and a light-emitting device using the same.例文帳に追加

光反射率が高く、かつ腐食による反射率の低下の少ない反射層を備え、光の取出し効率と熱放散性が向上された発光素子搭載用基板とその基板を用いた発光装置を提供する。 - 特許庁

The bonding is carried out in a state in which the warp of the metal structure 20 and the warp of the piezoelectric element 30 are in the same direction, thereby, a layer of the conductive adhesive 23 is made to be uniform in thickness, to improve performance of the optical scanner.例文帳に追加

金属構造体20の反りと圧電素子30の反りの向きを合わせて接着するので、導電性接着剤23の層の厚みを均一にすることができるので、光走査装置の性能を向上することができる。 - 特許庁

In the semiconductor device, the active element 10 is approximately as high as the conductive post 25, and the area of an opening 30 formed on the first insulating layer 26 is smaller than the area of the top face of the conductive post 25.例文帳に追加

この半導体装置において、能動素子10の高さと、導電性ポスト25の高さが略同一であり、第1の絶縁層26に形成される開口部30の面積が導電性ポスト25の上面の面積よりも小さい。 - 特許庁

To provide a radiation image conversion panel having a phosphor layer formed by a vapor phase deposition method, which is free from color due to a free element in phosphor and has a high sensitivity, and to provide a method of manufacturing a radiation image conversion panel.例文帳に追加

気相堆積法によって形成された蛍光体層を有する放射線像変換パネルであって、蛍光体の遊離元素に起因する着色の無い、高感度な放射線像変換パネルおよび製造方法を提供する。 - 特許庁

A transmission layer 12 is an optical element disposed in an optical path of the light for irradiating the recording medium 2 before the light reaches the recording medium 2, and configured to transmit the light within a predetermined range in terms of an incident angle and a wavelength.例文帳に追加

透過層12は、記録媒体2に対して照射される光が記録媒体2に到達するまでの光路に設けられ、入射角および波長が決められた範囲に属する光を透過させる光学素子である。 - 特許庁

To provide a light-emitting device excellent in light extraction efficiency by suppressing the deterioration (sulphiding) of a silver-containing layer which is formed on the front surface of a metallic member arranged in the substrate of a semiconductor light-emitting element, and keeping high reflectance.例文帳に追加

半導体発光素子の基体に配されている金属部材の表面に形成されている銀含有層の劣化(硫化)を抑制し、高い反射率を維持し、優れた光取り出し効率を有する発光装置を提供する。 - 特許庁

The Nd-Fe-B magnet 4 includes crystal grains 7, each composed of a main phase 5 formed of Nd_2Fe_14B and a grain boundary layer 6 formed of M_2Fe_14B (M is a heavy rare earth element such as Dy or Tb).例文帳に追加

本発明のNd−Fe−B系磁石4は、Nd_2Fe_14Bからなる主相5と、M_2Fe_14B(MはDy又はTbの重希土類元素)からなる粒界層6とで構成される結晶粒7を有する。 - 特許庁

To provide an active matrix liquid crystal display element with which an excellent display quality and a high-speed response is obtained by reducing liquid crystal layer thickness without generating display defect due to gathering of impurities inside a pixel part.例文帳に追加

画素部内に不純物の集まりによる表示欠陥を発生させること無く液晶層厚を小さくし、良好な表示品質と高速応答性を得ることができるアクティブマトリックス型液晶表示素子を提供する。 - 特許庁

In a cold cathode device, a surface layer comprised of a boron oxide (B_2O_3) or boron(B), platinum(Pt) and titanium(Ti) is formed on a field emission cold-cathode electron source of a field emission element FED mainly comprised of titanium(Ti).例文帳に追加

チタン(Ti)を主体とする電界放射型素子FEDの電界放射冷陰極電子源に酸化硼素(B_2O_3)または硼素(B)と白金(Pt)チタン(Ti)からなる表面層を形成する冷陰極装置および製造方法。 - 特許庁

To provide an upper-emission-type organic EL element in which the emission brightness hardly deteriorates with time and to provide an Al-alloy sputtering target used for forming a reflection film constituting an anode layer of the same.例文帳に追加

発光輝度の経時的低下の小さい上部発光型有機EL素子および前記上部発光型有機EL素子の陽極層を構成する反射膜の形成に用いられるAl合金スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

This organic light-emitting element has the anode 12, having the two-layer constitution by respectively forming the polycrystalline transparent conductive film 12a on the surface of a glass substrate 11, and the amorphous transparent conductive film 12b on the film 12a.例文帳に追加

ガラス基板11の面上に、多結晶質の透明導電性膜12aを、その上に非晶質の透明導電性膜12bを各々膜形成した2層構成の陽極12を備えた有機発光素子となっている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of resolving faults caused by provision of a conductive layer with a good heat conductivity, and enhancing accuracy in temperature detection of a semiconductor element by setting a temperature difference ΔTjs to a small value.例文帳に追加

良熱伝導層を設けることによる不具合を解消することができるとともに、温度差ΔTjsを小さく設定することにより、半導体素子の温度検出の高精度化を図ることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting element, having high optical output performance for making appropriate the area of at least one layer between two types of layers configuring a DBR laminate.例文帳に追加

DBR積層体を構成する2種類の層のうちの少なくとも一方の層の面積の適正化を図ることにより、高光出力性能を有することができる半導体発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Reflectors 7 are provided on the rear surface side of the antenna device at a prescribed angle with respect to the surface of the radiating element, and the reflectors 7 are made to conduct to the ground conductor plate or an auxiliary conductor plate 9 provided through the third dielectric layer.例文帳に追加

そしてアンテナ・ユニットの裏面側に、地導体板と導通させて、或いは第3の誘電体層を介して設けた補助導体板9と導通させて、放射素子の面に対して所定の角度をなしてリフレクタ7を設ける。 - 特許庁

The OBO flat surface waveguide element 1 is equipped with an Si substrate 102, an SiO_2 layer 103 formed on the Si substrate 102, and a plurality of mutually parallel Si optical waveguides 104 arranged on the Si substrate 102.例文帳に追加

OBO平面導波路素子1は、Si基板102と、Si基板102上に形成されたSiO_2層103と、Si基板102上に設けられた互いに平行な複数のSi光導波路104とを備えている。 - 特許庁

The method of manufacturing the rare-earth magnet includes a process of forming the protective layer on the surface of an elemental magnet body containing a rare-earth element by irradiating an electromagnetic wave upon the body in an oxidizing atmosphere.例文帳に追加

本発明の希土類磁石の製造方法は、希土類元素を含有する磁石素体に、酸化性雰囲気下で電磁波を照射することにより、磁石素体の表面に保護層を形成する工程を有するものである。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element capable of preventing mutual diffusion of a low melting metal and Si of a Si substrate on a rear surface of the Si substrate while forming a silicide layer on a surface of the Si substrate.例文帳に追加

本発明は、Si基板の表面にシリサイド層を形成しつつ、Si基板の裏面における低融点金属とSi基板のSiとの相互拡散を防止できる半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To enhance the convergency of an electron beam in an electron emission element which is formed by stacking a cathode electrode, an insulating layer, and a gate electrode, and in which a through hole is formed by removing a part of the gate electrode so as to expose the cathode electrode.例文帳に追加

カソード電極、絶縁層、ゲート電極が積層され、ゲート電極の一部分がカソード電極が露出するように取り除かれた貫通孔が形成された電子放出素子において、電子ビームの収束性を高める。 - 特許庁

With the electrostatic adsorption and desorption of the side gate on and from the suspended nano wire channel, the thickness of the dielectric layer on the equivalent side gate is quickly changed to quickly change over an element in a switching condition or change the initial voltage of the channel.例文帳に追加

サイドゲートの静電力のサスペンデッドナノワイヤチャネルに対する吸着と分離により、等価サイドゲートの誘電層厚さを快速に変化させ、素子がスイッチ状態上で快速に切り換わる、或いは、チャネルの初期電圧を変化させる。 - 特許庁

例文

To provide a new 1,3,5-triphenylbenzene derivative for forming a new phosphor material, especially for forming a wide-gaped electron-transporting layer suitable for a blue-colored phosphor material, and a new organic electroluminescent element using the same.例文帳に追加

新規なリン光材料、特に青色リン光材料に適したワイドギャップな電子輸送層を形成する為の新規な1,3,5−トリフェニルベンゼン誘導体の提供、及びこれを用いた新規な有機エレクトロルミネッセンス素子の提供。 - 特許庁




  
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