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layer elementの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 18197件
To effectively use the light irradiated to a light receiving surface to increase an output per element, reducing an amount used of element material, which cuts down the cost of a low light condensing type spherical solar cell including a supporting body which individually separates to support a plurality of spherical photoelectric conversion elements having a second semiconductor layer outside a first semiconductor and has a reflecting mirror surrounding the side surface of each element.例文帳に追加
第1半導体の外側に第2半導体層を有する複数の球状光電変換素子を個々に分離して支持する支持体を具備し、この支持体が各素子の側面を囲む反射鏡を有する低集光型球状太陽電池において、受光面に照射される光を有効に活用して素子当たりの出力を高め、素子の素材の使用量を低減することにより、低コスト化を計る。 - 特許庁
The high frequency element module comprises an insulating substrate 12 provided with electrodes 13a and 13b on the surface and a ground substrate 13 on the backside, a high frequency element 15 provided on the insulating substrate and having terminals 16a and 16b connected with the electrodes, a potting material 18 covering the high frequency element, and a metal layer 19 provided on the potting material and connected with the ground substrate.例文帳に追加
表面に電極13a、13bが設けられ裏面に接地基板13が設けられた絶縁基板12と、この絶縁基板に設けられ、この素子の端子16a、16bが前記電極と接続された高周波素子15と、この高周波素子を覆うポッティング材18と、このポッティング材の上に設けられ、前記接地基板と接続された金属層19と、を有することを特徴とする高周波素子モジュール。 - 特許庁
The light emitting device includes: the organic EL element 8 including a pixel electrode 13 and a counter electrode, which are constructed on a substrate, and a light emitting function layer, which is held between them; a relay line 61 electrically connecting between the pixel electrode 13 and a driving transistor 9 driving the organic EL element; and a Hall element 500 detecting magnetic field generated by a current flowing to the relay line.例文帳に追加
発光装置は、基板上に構築される画素電極13及び対向電極、並びに、これらに挟持される発光機能層を含む有機EL素子8と、前記画素電極13及び有機EL素子を駆動する駆動トランジスタ9間を電気的に連絡する中継線61と、この中継線に流れる電流によって発生する磁場を検知するホール素子500と、を備える。 - 特許庁
A semiconductor element 300 with bumps, where at least one resistor bump 22 and at least one dielectric bump 23 other than regular bumps 21 are formed on an electrode of the semiconductor element 10, is mounted on a printed wiring board 40, and thus obtaining the semiconductor device 400 where the bumps 21, the resistor bump 22 and the dielectric bump 23 of the semiconductor element with bumps are electrically connected to a wiring layer 49.例文帳に追加
半導体素子10の電極上に通常のバンプ21の他に、少なくとも一つの抵抗体バンプ22及び少なくとも一つの誘電体バンプ23が形成されたバンプ付き半導体素子300をプリント配線板40に実装して、バンプ付き半導体素子のバンプ21、抵抗体バンプ22及び誘電体バンプ23が配線層49と電気的に接続された半導体装置400を得る。 - 特許庁
The element comprises an element main body, a film formed on the element main body directly or through a intermediate layer, and a unicolor chromophore film formed on the outside of the film and transmitting or reflecting a part of an incident light and of a specific wavelength band, wherein the unicolor of the unicolor chromophore film is a blue color of 450-490 nm wavelength or a yellow color of 560-590 nm wavelength.例文帳に追加
部材本体と、前記部材本体上に直接または中間層を介して形成された膜と、前記膜の外側に形成されており、入射光のうち特定範囲の波長領域の成分のみを透過または反射する単一色発色被膜とを具備し、該単一色発色被膜の単一色は、波長450〜490nmの青色または波長560〜590nmの黄色であることを特徴とする。 - 特許庁
The image forming method having a photoconductive layer composed of a non-single crystalline material consisting of silicon atoms as its parent body comprises using toners containing at least a binder resin, coloring agents and particulates containing at least a zinc oxide at 0.5 to 30 mol% in terms of a zinc element and metallic elements exclusive of the zinc element at 0.1 to 30 mol% of the zinc element in the zinc oxide.例文帳に追加
シリコン原子を母体とする非単結晶材料で構成された光導電層を有する画像形成方法において、結着樹脂と、着色剤と、少なくとも酸化亜鉛を亜鉛元素換算で0.5〜30mol%含有し且つ亜鉛元素以外の金属元素を前記酸化亜鉛中の亜鉛元素に対して0.1〜30mol%含有する微粒子とを少なくとも含有するトナーを用いることを特徴とする。 - 特許庁
This method includes following steps for: preparing a unit having the tubular element and a layer of a fixing compound covering the whole outer periphery of the tubular element, at least over a fraction of its length; positioning the unit at an appropriate position along the inside wall of the cavity; and applying activation treatment to the compound in such a way that the tubular element is fixed on the inside wall.例文帳に追加
方法は以下のステップを含む:前記チューブ要素および前記チューブ要素の全外側表面を、少なくともその全長のある部分に渡って覆う固定用コンパウンドの層を備えるユニットを用意すること;前記ユニットを前記キャビティの内壁に沿って適切な場所に置くこと;および前記チューブ要素を前記内壁に固定するようなやり方で前記コンパウンドに活性化処理を行うこと。 - 特許庁
This ceramic electronic part is equipped with a ceramic element, outer electrodes provided to the ceramic element, lead terminals connected to the outer electrodes with solder that contains a Cu component but no Pb component, and a resin outer sheath which is formed so as to cover the ceramic element and outer electrodes where a Cu-Sn intermetallic compound layer is provided at an interlayer between the outer electrodes and solder.例文帳に追加
本発明のセラミック電子部品は、セラミック素体と、セラミック素体に設けられた外部電極と、Cu成分を含有しPb成分を含有しない半田により外部電極に接続されたリード端子と、セラミック素体と外部電極を覆うように形成された外装樹脂とからなるセラミック電子部品であって、外部電極と半田との界面に、CuSn金属間化合物層を備えることを特徴とする。 - 特許庁
An inter-layer insulating film structure which includes at least a copper contact or copper wire line connected to the lower contact and a copper diffusion preventive film for preventing copper diffusion of the copper contact or copper wiring and having an optical element opening part for collecting light from the surface of its top part of the optical element through the copper diffusion preventive film above the optical element is formed inside on the lower insulating film.例文帳に追加
下部絶縁膜上の内部に下部コンタクトと接続する少なくとも一つの銅コンタクトまたは銅配線ラインと銅コンタクトまたは銅配線の銅拡散を防止するための銅拡散防止膜を含み、光素子上部にその最上部表面から銅拡散防止膜を通過するように光を収集するための光素子開口部を有する層間絶縁膜構造物を形成する。 - 特許庁
In an electrochromic display element having a display layer, containing an electrochromic composition carrying an organic electrochromic compound in conductive or semiconductor particulates, on a transparent conductive substrate, a display element formed by a manufacturing method including a step of pressurization press processing after at least the transparent substrate is coated with a film containing conductive or semiconductive particulates is used for the electrochromic display element.例文帳に追加
透明導電基板上に、導電性または半導体性微粒子に有機エレクトロクロミック化合物を担持したエレクトロクロミック組成物を含んだ表示層を有するエレクトロクロミック表示素子において、少なくとも透明導電基板上に導電性または半導体性微粒子を含んだ膜を塗布した後、加圧プレス処理する工程を含む作製方法で作成した表示層をエレクトロクロミック表示素子に用いる。 - 特許庁
The method of manufacturing the composition for organic electroluminescent element wherein at least a thin layer is formed between a positive electrode 102 and a light emitting layer 105 in the organic electroluminescent element includes: preparing a composition solution where a hole injection/transport material and/or an electron accepting compound is dissolved in a solvent; and storing the prepared composition solution for at least 24 hours.例文帳に追加
有機電界発光素子の陽極と発光層との間に設けられる少なくとも1層の薄層を形成する有機電界発光素子用組成物の製造方法であって、正孔注入・輸送性材料及び/又は電子受容性化合物を溶媒に溶解した組成物溶液を調製し、調製された組成物溶液を少なくとも24時間保管することを特徴とする有機電界発光素子用組成物の製造方法。 - 特許庁
The semiconductor device 1 comprises a plurality of constitutive layers 2 each formed of any one of a substrate 3 or a semiconductor element 4, a resin layer 5 interposed between adjoining constitutive layers 2, and a functional element 8 mounted on at least any one constitutive layer 2 and functioning to perform at least any one of reception of a signal or information externally and transmission of a signal or information externally.例文帳に追加
半導体装置1は、基板3または半導体素子4のいずれかで各々形成された複数の構成層2と、隣り合う構成層2との間に介装される樹脂層5と、構成層2の少なくともいずれか一つに実装され、外部からの信号若しくは情報の受信、または、外部への信号若しくは情報の送信の少なくともいずれか一方を行い機能することが可能な機能素子8とを備える。 - 特許庁
To provide an ESD element and manufacturing method of the same which can improve the problems associated with dispersion of device characteristics, efficiency of mounting to PCB, and heat-resistance, caused by forming of a transient voltage protecting layer 6 into round shape like a dome in the manufacturing method of ESD element including the process of forming a transient voltage protecting layer 6 on an upper electrode 3 on a base material 2.例文帳に追加
基材2に上電極3が形成された上部に液状の過渡電圧保護材料を付着硬化させて過渡電圧保護層6を形成する工程を含むESD素子1の製造方法について、過渡電圧保護層6が丸くドーム状に形成されることに伴う問題点、即ち、デバイス特性のばらつきと、PCBへの実装効率と、耐衝撃性を改善できるようなESD素子とその製造方法の提供。 - 特許庁
The ink jet printing method of improving the water resistance stability of an ink jet image comprises the steps of preparing an ink jet recording element containing a carrier having an image recording layer of a cross- linking gelatin and mordant, adapting like an image the liquid ink droplets of an anionic water dye in the image recording layer, and allowing the element to be immersed in a mordant solution to have gelatin cross-linked.例文帳に追加
a)架橋性ゼラチンおよび媒染剤を含む画像記録層を有する支持体を含んでなるインクジェット記録要素を用意すること、 b)当該画像記録層にアニオン性水溶性染料の液体インク液滴を像様適用すること、並びに c)当該要素を硬膜剤の水溶液中に浸して当該ゼラチンを架橋させること、を含む、インクジェット画像の耐水堅牢度を向上させるためのインクジェット印刷方法。 - 特許庁
To provide an economically excellent manufacturing method of a dye-sensitized photoelectric conversion element in which adhesion (wet peeling durability) of a porous semiconductor fine particle layer and a conductive substrate can be maintained for a long term at a photoelectrode responsible for power generation even under a wet environment due to the liquid electrolyte of a charge transport layer, and to provide a dye-sensitized solar cell using the photoelectric conversion element.例文帳に追加
電荷輸送層の液状電解質によるウエットな環境下においても、発電を担う光電極での多孔質半導体微粒子層と導電性基板との密着性(ウエット剥離耐久性)を長期間維持することができる色素増感型光電変換素子の経済性に優れた製造方法及び当該光電変換素子、並びに当該光電変換素子を用いた色素増感型太陽電池を提供する。 - 特許庁
The semiconductor element comprises a semiconductor substrate, having a source/drain region, a gate electrode formed on the semiconductor substrate, a first IMD formed on the semiconductor substrate and having a first damascine pattern, a first barrier layer formed inside the damascine pattern, a first metal wiring formed on the first barrier layer, and a first metal cap layer formed inside the first damascine pattern.例文帳に追加
本発明による半導体素子は、ソース/ドレーン領域を有する半導体基板、前記半導体基板上に形成されたゲート電極、前記半導体基板上に形成されて,第1ダマシンパターンを有する第1のIMD、前記ダマシンパターン内に形成される第1バリア層、前記第1バリア層上に形成される第1金属配線、前記第1ダマシンパターン内に形成される第1メタルキャップ層、が含まれる。 - 特許庁
To provide a semiconductor wafer with an adhesive layer manufacturing method which can obtain a semiconductor wafer with an adhesive layer that can sufficiently reduce voids in a bump part and sufficiently minimize warp after grinding, and provide a manufacturing method of a semiconductor device using such semiconductor wafer with the adhesive layer, and a semiconductor wafer with a semiconductor element manufacturing method.例文帳に追加
バンプ部分のボイドが十分に低減されており、なおかつ研削後の反りを十分小さくすることができる接着剤層付き半導体ウェハを得ることができる接着剤層付き半導体ウェハの製造方法、並びに、そのような接着剤層付き半導体ウェハを用いる、半導体装置の製造方法、及び半導体素子付き半導体ウェハの製造方法の製造方法を提供すること。 - 特許庁
In the conductive element having a pair of electrodes for fitting organic compound layers and applying power to organic compound layers, at least one layer of the organic compound layers is liquid crystal property of organic compound layer consisting of liquid crystal property of organic compound, also, the liquid crystal property of organic compound layer exhibits supercooling crystal phase in the state fitted between the electrodes.例文帳に追加
少なくとも有機化合物層を挟持して対向すると共に有機化合物層に電圧を印加する一対の電極を備えた導電性素子であって、該有機化合物層のうち少なくとも一層が液晶性有機化合物からなる液晶性有機化合物層であり、かつ該液晶性有機化合物層が電極間に挟持された状態にて過冷却液晶相状態を呈する導電性素子。 - 特許庁
The surface emission semiconductor laser element has a mesa post of multilayer structure comprising a multilayer reflector 22 of compound semiconductor layer and an Al oxide layer 44 for forming a current constriction region in the multilayer reflector, wherein the Al oxide layer is provided annularly at the outer circumferential part of the mesa post to surround a current injection region in the center of the mesa post.例文帳に追加
本面発光型半導体レーザ素子は、化合物半導体層の多層膜からなる多層膜反射鏡22と、多層膜反射鏡内に設けられ、電流狭窄領域を形成するAl酸化層44とを有する積層構造をメサポストとして備え、Al酸化層が、メサポストの中央部の電流注入領域42を取り囲むようにしてメサポストの外周部に環状に設けられている。 - 特許庁
This organic electroluminescent element has a substrate 1, a pair of electrodes 2, 6, and a plurality of basic constitutions 10 comprising a hole transportation band 3, a luminescent band 4, and an electron transportation band 5 installed between the electrodes 2, 6, and a portion connecting the basic constitution 10 is a porphyrin compound containing layer 7, or an aromatic amine compound containing layer, or a metal complex compound containing layer.例文帳に追加
本発明は、基板1と一対の電極2、6と、一対の電極2、6の間に、正孔輸送帯3と発光帯4と電子輸送帯5からなる基本構成10を複数設けた有機電界発光素子であって、基本構成10を接続する部分がポルフィリン化合物含有層7、または芳香族アミン化合物または金属錯体化合物を含有する層であることを特徴とする。 - 特許庁
This photoelectric conversion element comprises a polycrystalline semiconductor substrate 13 having a region of one type of conductivities and a region of the opposite type of conductivity, an insulating layer 16 formed on at least a part of the main surface of the polycrystalline semiconductor substrate 13 on the former region side and containing hydrogen, and a film layer of one type of conductivities 18 formed on the polycrystalline semiconductor substrate 13 via the insulating layer 16.例文帳に追加
一導電型領域と逆導電型領域とを有する多結晶半導体基板13と、多結晶半導体基板13の一導電型領域側の主面の少なくとも一部に形成され、且つ、水素を含有する絶縁層16と、絶縁層16を介して多結晶半導体基板13上に形成された一導電型を示す薄膜層18とを有する光電変換素子とする。 - 特許庁
The shot for peening is made of an iron-chromium-nickel alloy, which is used for a surface modification method where a compressive residual stress layer is formed on the surface layer of a material, and chromium as an element having high corrosion resistance is applied to the surface of the material; wherein the content of chromium in the surface layer 2 of the shot to be used is higher than that in the central part 1.例文帳に追加
本発明に係る鉄−クロム−ニッケル合金製ピーニング用ショットは、材料表層に圧縮残留応力層を形成させ、材料表面に高耐食性を有する元素であるクロムを付与する表面改質方法に使用する鉄−クロム−ニッケル合金製ピーニング用ショットであって、使用するショットの表面層2のクロム量が中心部1に比べて多いことを特徴とする。 - 特許庁
The wavelength conversion element has at least one wavelength conversion layer comprising a matrix layer composed of a curable resin material or an inorganic material having a band gap of 3 eV or larger, and particles having grain size of 3-20 nm composed of a wavelength conversion composition provided in the matrix layer and performing wavelength conversion to the light having energy lower than that of the light absorbed, for a specific wavelength region of the light absorbed.例文帳に追加
波長変換素子は、バンドギャップが3eV以上の硬化樹脂材または無機材からなるマトリクス層と、このマトリクス層内に設けられ、吸収した光の特定の波長領域に対して、この吸収した光よりも低いエネルギーの光に波長変換する波長変換組成物からなり、かつ粒経が3nm〜20nmである粒子とを備える波長変換層を少なくとも1層有する。 - 特許庁
The electrochromic element (1) includes a first electrode (2), a second electrode (3) for which voltage is applied between the first electrode (2) and it, an electrochromic layer (4) made of electrochromic material electrically connected to the first electrode (2), and an ion conductive layer (6) that is arranged between the second electrode (3) and the electrochromic layer (4) and is constituted by ion conductive solid.例文帳に追加
第1の電極(2)と、前記第1の電極(2)との間で電圧が印加される第2の電極(3)と、前記第1の電極(2)に電気的に接続されたエレクトロクロミック材料製のエレクトロクロミック層(4)と、前記第2の電極(3)と前記エレクトロクロミック層(4)との間に配置されたイオン伝導性の固体により構成されたイオン伝導層(6)と、を備えたことを特徴とするエレクトロクロミック素子(1)。 - 特許庁
In the organic EL element forming an organic compound thin film having a luminous layer or a plurality of layers containing the luminous layer between a pair of electrodes, at least one layer of the organic compound thin film contains the new compound.例文帳に追加
(R^1〜^8は、H、C5〜30の単環基又はC10〜30の縮合多環基、R^9〜^10はフェニル基、Ar^3〜^4は、置換基を有していてもよいフェニル基である。m及びnは1〜3の整数であるが、m=nの場合を除く。)一対の電極間に発光層または発光層を含む複数層の有機化合物薄膜を形成してなる有機EL素子において、該有機化合物薄膜の少なくとも一層が、上記新規化合物を含有する。 - 特許庁
In a multilayer wiring substrate provided with a plurality of wiring layers including a wiring layer with detour-shaped wiring comprising linear elements and bent elements arranged in such a manner as to adjust the length of wiring, wiring arrangement in the wiring layer other than the wiring layer with the detour-shaped wiring arranged is prohibited in a zone corresponding to the bent element and its peripheral vicinity of the detour-shaped wiring.例文帳に追加
配線長さを調整すべく直線状要素と屈曲要素から成る迂回形状配線が配置された配線層を含む複数の配線層を備えた多層配線基板において、前記迂回形状配線のうちの屈曲要素及びその周辺近傍に対応する領域では、当該迂回形状配線が配置された配線層以外の配線層での配線配置を禁止したことを特徴とする。 - 特許庁
Then photoluminescence light intensity and film quality are similarly measured with respect to an amorphous or polycrystalline reference oxide semiconductor formed in the same processes with the oxide semiconductor layer to be inspected and having the same element composition and film thickness with the oxide semiconductor layer to be inspected to obtain a relationship between the photoluminescence light intensity and film quality, and the film quality of the oxide semiconductor layer is estimated based upon the relationship.例文帳に追加
そして、被検査酸化物半導体層と同じ工程で作製され、被検査酸化物半導体層と同じ元素組成と膜厚とを有する、非晶質又は多結晶性の参照用酸化物半導体層に対し、同じフォトルミネッセンス光強度の測定と、膜質の測定とを行い、フォトルミネッセンス光強度と膜質との関係を得て、この関係に基づいて酸化物半導体層の膜質を推定する。 - 特許庁
The multilayer piezoelectric element comprises a plurality of piezoelectric ceramics layers and a plurality of internal electrode layers including a first phase of conductive material and a second phase of ceramics laid in layers alternately wherein adhesion strength cannot be ensured between the internal electrode layer and the piezoelectric ceramics layer if the second phase is insufficient and the internal electrode layer does not exhibit its function sufficiently if the second phase is excessive.例文帳に追加
複数の圧電セラミックス層と、導電材料からなる第1の相及びセラミックスからなる第2の相を含む複数の内部電極層とが交互に積層された積層型圧電素子において、内部電極層は第2の相が少なすぎると内部電極層と圧電セラミックス層の接着強度を確保することができず、逆に第2の相が多すぎると内部電極層がその機能を発揮しがたくなる。 - 特許庁
This polyester film for the antireflection film provided at least on one side with an easy adhesion layer containing an organic compound having a metal element and having the reflectance of the easy adhesion layer surface against an arbitray wavelength within a range of 350 to 800 nm is ≥4.0%, and the antireflection film characterized by that antireflection function is given on the easy adhesion layer side, are provided.例文帳に追加
少なくとも片面に易接着層を有するポリエステルフィルムであり、当該易接着層は、金属元素を有する有機化合物を含有し、波長350〜800nmの任意の波長に対する前記易接着層表面の反射率が4.0%以上であることを特徴とする反射防止フィルム用ポリエステルフィルム、および前記易接着層側に反射防止機能を付与したことを特徴とする反射防止フィルム。 - 特許庁
The organic electroluminescent element including at least one light-emitting layer sandwiched between an anode and a cathode has a first organic layer containing, as a ligand, at least one metal complex compound containing at least one partial structure selected from among phenylpyrazole, phenyloxazole and phenylthiazole; and a second organic layer containing a fluorene-based compound.例文帳に追加
陽極と陰極により挟まれた少なくとも1層の発光層を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、配位子にフェニルピラゾール、フェニルオキサゾール、またはフェニルチアゾールから選択される少なくとも一つの部分構造を含む金属錯体化合物を少なくとも1つ含有する第1の有機層を有し、且つ、フルオレン系化合物を含有する第2の有機層を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁
The heat processable image-forming element includes (a) a polyester base, (b) a thermographic or photothermographic image forming layer containing a poly(vinyl acetal) binder and (c) an adhesive middle layer bonding the image-forming layer to the base and containing a polymer having glycidyl functional groups, and mol% of repeating units, each having a glycidyl functional group in the polymer which exceeds 75 mol%.例文帳に追加
(a)ポリエステル支持体、(b)ポリ(ビニルアセタール)バインダーを含んでなるサーモグラフまたはフォトサーモグラフ画像形成層、および(c)前記画像形成層と前記支持体を結合する接着性中間層であって、グリシジル官能基を有するポリマーを含んでなり、このポリマーにおいてグリシジル官能基を有する繰り返し単位のモル%が75モル%を超える接着性中間層を含んでなる熱処理可能な画像形成要素。 - 特許庁
This multilayer analysis element for liquid specimen analysis is a multilayer analysis material for liquid specimen analysis made by layering/unifying at least one functional layer and at least one granular structure developing layer in this order on one side of a water-impermeable and light-transmissive planar support body and is characterized in that the developing layer is not broken by 20 times or less of 25g continuous load surface abrasion repetition tests.例文帳に追加
水不透過性光透過性平面支持体の片面上に、少なくとも1つの機能層と少なくとも1つの粒状構造物展開層がこの順に積層一体化された液体試料分析用多層分析材料において、該粒状構造物展開層が25gの連続荷重表面擦り繰り返し試験において20回以下では破壊しないことを特徴とする液体試料分析用多層分析要素。 - 特許庁
In the optical element transfer foil, at least the film-like base material, a release layer formed by curing a first radiation cured resin, and a relief pattern layer formed by curing a second radiation cured resin are laminated in this order, and wavelength of radiation which hardens the first radiation cured resin is shorter than wavelength of radiation which hardens the second radiation cured layer.例文帳に追加
少なくとも、フィルム状の基材と、第一の放射線硬化型樹脂を硬化させた離型層と、第二の放射線硬化型樹脂を硬化させたレリーフパターン層がこの順に積層された光学素子転写箔であって、前記第一の放射線硬化型樹脂を硬化させた放射線の波長が、前記第二の放射線硬化型樹脂を硬化させた放射線の波長より短いことを特徴とする光学素子転写箔。 - 特許庁
The organic electroluminescence element has at least one layer of an organic compound layer having a luminous layer, containing the new hydrocarbon compound.例文帳に追加
X_n −Ar_1 ・・・(1) (式中、Ar_1 は、置換もしくは未置換の炭素原子数6〜40の芳香族環基、置換もしくは未置換の炭素原子数6〜40のアリールアミノ基、置換もしくは未置換の炭素原子数6〜60のジアミノアリール基、置換もしくは未置換の炭素原子数6〜60のトリアミノアリール基、置換もしくは未置換の炭素原子数3〜40の複素環基又は置換もしくは未置換のエテニレン、Xはフルオランテン構造を有する一価の基、nは2〜4の整数である。) - 特許庁
In a field effect transistor having a gate recess structure, a plurality of recess layers are formed between a barrier layer and a contact layer, and the carrier concentration of the lowermost recess layer among the recess layers is set to one third to three times those of other recess layers, thus obtaining a heterojunction field effect transistor, that is high in element breakdown strength and low in series resistance during operation.例文帳に追加
ゲートリセス構造を有している電界効果トランジスタにおいて、障壁層とコンタクト層との間に複数の層からなる目空き層を形成し、目空き層の最下層である目空き層下層のキャリア濃度に対して、目空き層の他の層のキャリア濃度を1/3倍から3倍の範囲にすることにより、高い素子耐圧を有し、かつ、動作時の直列抵抗を小さいヘテロ接合電界効果トランジスタを実現した。 - 特許庁
The method includes a process of fusing at least a portion of a semiconductor layer (13) formed on a substrate (11) by irradiating the semiconductor layer with laser light (a), a process of subjecting elements doped in the semiconductor layer to abrasion by irradiating a target material (2) containing the element with laser light (a'), and a process of doping the fused semiconductor laser with the elements subjected to the abrasion.例文帳に追加
基板(11)に形成された半導体層(13)にレーザ光(a)を照射することにより前記半導体層の少なくとも一部を溶融させる工程と、前記半導体層中にドーピングされるべき元素を含むターゲット材(2)にレーザ光(a′)を照射して前記元素をアブレーションさせる工程と、前記アブレーションした元素を、溶融した前記半導体層にドーピングさせる工程とを具備してなることを特徴とする。 - 特許庁
The stain-resistant film comprises a substrate and an organic-inorganic composite layer having a crosslinking structure formed by hydrolysis and condensation polymerization of an alkoxide of an element selected from Si, Ti, Zr and Al in a graft polymer layer composed of a graft polymer chain directly bonded to the surface of the substrate and is obtained by subjecting the surface of the organic-inorganic composite layer to water-repellent and oil-repellent treatment.例文帳に追加
本発明の防汚性フィルムは、支持体と、該支持体表面に直接結合したグラフトポリマー鎖からなるグラフトポリマー層中に、Si、Ti、Zr、Alから選択される元素のアルコキシドの加水分解及び縮重合により形成された架橋構造を含んでなる有機−無機複合層と、を備え、該有機−無機複合層表面に撥水撥油処理を施してなることを特徴とする。 - 特許庁
The lower side of a high dielectric member 4 having a specific dielectric constant of 20 or more with an electrode 5 provided at the upside is adhered through a resin layer 3 to a wiring conductor layer 2 formed on a dielectric substrate 1, to thereby form a capacitance element C1 with the wiring conductor layer 2 and the electrode 5 used as opposite electrodes and the high dielectric member 4 used as a dielectric for generating capacitance.例文帳に追加
誘電体基板1上に形成された配線導体層2上に、上面に電極5が設けられた比誘電率が20以上の高誘電性部材4の下面を、樹脂層3を介して接着させたことにより、配線導体層2と電極5とを対向電極としかつ少なくとも高誘電性部材4を静電容量発生用の誘電体とする容量素子C1を形成した。 - 特許庁
The light emitting device 100 is provided with a light emitting element 13 in which a first electrode 14, a functional layer 25 containing a light emitting layer 15 and a second electrode 17 are successively laminated on a substrate 12, wherein the first electrode 14 and the second electrode 17 have light reflectiveness, and the second electrode 17 has an opening 17a to pass light from the light emitting layer 15 through.例文帳に追加
基体12上に第1の電極14と、発光層15を含む機能層25と、第2の電極17とを順次積層してなる発光素子13を具備してなる発光装置100であって、前記第1の電極14及び第2の電極17は光反射性を有しており、前記第2の電極17は、発光層15からの光を透過する開口部17aを有していることとする。 - 特許庁
The method for manufacturing a flexible display device, by using a resin substrate comprises the steps of forming the resin substrate on a fixed substrate, having a separation layer; forming at least a TFT element on the resin substrate; and peeling the resin substrate from the fixed substrate within the separation layer at an interface thereof, by irradiating the separation layer with a laser beam.例文帳に追加
分離層を有する固定基板上に樹脂基板を形成する工程と、前記樹脂基板上に少なくともTFT素子を形成する工程と、前記分離層にレーザー光を照射することにより、前記分離層の層内または界面において前記固定基板から前記樹脂基板を剥離する工程とを行い、前記樹脂基板を用いた柔軟性を有する表示装置を作製する。 - 特許庁
The manufacturing method of the organic EL element consisting of a first electrode patterned on a substrate, an organic layer containing an organic light-emitting layer arranged on the first electrode, and a second electrode arranged on the organic layer, includes a process in which the first electrode is formed by patterning with the use of printing of resist liquid or etchant liquid.例文帳に追加
基板上にパターニング配設された第一電極、該第一電極上に配設された有機発光層を含む有機層および該有機層上に配設された第二電極からなる有機エレクトロルミネッセンス素子の作製方法において、前記第一電極は、レジスト液またはエッチャント液の印刷を用いたパターニングにより形成されて工程を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の作製方法。 - 特許庁
This light emitting device 100 is provided with a light emitting element 13 in which a first electrode 14, a functional layer 25 containing a light emitting layer 15 and a second electrode 17 are successively laminated on a substrate 12, wherein the first electrode 14 and the second electrode 17 have light reflectiveness, and the second electrode 17 has an opening 17a to pass light from the light emitting layer 15 therethrough.例文帳に追加
基体12上に第1の電極14と、発光層15を含む機能層25と、第2の電極17とを順次積層してなる発光素子13を具備してなる発光装置100であって、前記第1の電極14及び第2の電極17は光反射性を有しており、前記第2の電極17は、発光層15からの光を透過する開口部17aを有していることとする。 - 特許庁
To provide a nonaqueous electrolyte secondary battery having high output by using polyimide as binder resin, enhancing binding between a negative electrode core and a negative electrode mix layer even if rolled copper foil is used as the negative electrode core, preventing peeling off of the negative electrode mix layer from the negative electrode core, and hardly forming a resistive element on the interface between the negative electrode core and the negative electrode mix layer.例文帳に追加
ポリイミドをバインダー樹脂として用いるとともに、圧延銅箔を負極芯体として用いても、負極芯体と負極合剤層との結着力を向上させて、負極芯体から負極合剤層が剥離しないような負極を得るとともに、負極芯体と負極合剤層との界面に抵抗体が形成されにくくして、高出力の非水電解質二次電池を提供する。 - 特許庁
The organic light emitting element 10 has an organic layer 16 including at least a light emitting layer sandwiched between an anode 14 and a cathode 18 wherein the light emitting layer contains a hole-transporting luminescent material, an electron-transporting host material, and an electrically inert material and the concentration of the hole-transporting luminescent material is increasing gradually from the cathode side toward the anode side.例文帳に追加
陽極14と陰極18との間に少なくとも発光層を含む有機層16が挟まれた有機発光素子であって、前記発光層中に、正孔輸送性の発光材料、電子輸送性のホスト材料、及び電気的に不活性な材料を含み、前記正孔輸送性の発光材料の濃度が、前記陰極側から前記陽極側に向けて漸増していることを特徴とする有機発光素子10。 - 特許庁
In the organic EL element 100 composed of sequentially laminating the color filter layer 13, the gas barrier layer 20, and the organic EL structure 30 on the substrate 11, the gas barrier layer 20 is an amorphous thin film composed of AlxTiyOz which is a metal oxide of Al and Ti, and the ratio of the number of atoms of Ti to Al in a composition ratio of this AlxTiyOz is 10 atom% or more.例文帳に追加
基板11上にカラーフィルタ層13、ガスバリア層20、および有機EL構造体30が順次積層されてなる有機EL素子100において、ガスバリア層20は、AlとTiの金属酸化物であるAlxTiyOzからなるアモルファス薄膜であり、且つこのAlxTiyOzの組成比におけるAlに対するTiの原子数比率が10atom%以上のものである。 - 特許庁
In the manufacturing method of a solid electrolytic capacitor where a dielectric oxide layer is set to an anode and a solid electrolyte layer is set to a cathode, a remaining heat in the range of 40-150°C is given to the capacitor element 1 where the solid electrolyte layer is formed by a hot plate 10, thus preventing electrical characteristics such as the decrease in capacitance and increase in equivalent series resistance(ESR).例文帳に追加
誘電体酸化皮膜を陽極とし、固体電解質層を陰極とした固体電解コンデンサの製造方法において、前記固体電解質層を形成したコンデンサ素子1に、ホットプレート10により40〜150℃の範囲から余熱を与えて、吸湿を抑制している間に組立てを行うことで、静電容量の減少と等価直列抵抗(ESR)の増大等の電気的特性の劣化を防ぐ。 - 特許庁
This organic EL display includes: a substrate 12; the plurality of organic EL elements 16 arranged on the substrate 12; insulation members 14 disposed between the adjacent organic EL elements 16; and a first protection layer 18 which is sequentially formed from a region between the lower layer electrode 24 and the function layer 26 of the organic EL element 16 to the surface of the insulation member 14 and composed by containing fluorine.例文帳に追加
基板12と、基板12上に配列される複数の有機EL素子16と、隣接する有機EL素子16間に配置される絶縁部材14と、有機EL素子16が有する下層電極24と機能層26との間の領域から絶縁部材14の表面にかけて連続的に形成され、フッ素を含んで構成される第1保護層18と、を備えている有機ELディスプレイ。 - 特許庁
The fuse element 25 comprises a lower side soldering material layer 27 formed by using first soldering material having a higher melting point than a peak temperature under reflow conditions of reflow soldering method to mount the chip fuse on a circuit board, and an upper side soldering material layer 29 directly formed on the lower side soldering material layer 27 by using second soldering material having a lower melting point than the above peak temperature.例文帳に追加
ヒューズ素子25を、チップ型ヒューズを回路基板に実装するリフローソルダリング方法のリフロー条件におけるピーク温度よりも高い融点を有する第1の半田材料を用いて形成された下側半田材料層27と、前述のピーク温度よりも低い融点を有する第2の半田材料を用いて下側半田材料層27の上に直接形成された上側半田材料層29とから構成する。 - 特許庁
A second metal cathode layer 13 containing thin and long metal particles has low specific resistance in the direction of layers, and its surface in contact with the first metal cathode layer 12 has also low contact resistance, and the resistance of the metal cathode layer, which becomes a problem when charge is extracted from the whole capacitor element and made to pass through a cathode lead-out terminal 6, can be reduced.例文帳に追加
また外層側の金属微粒子よりも大きく、細長い形状である金属粒子を含有している第2金属陰極層13は、層に平行な方向の固有抵抗が低く、第1金属陰極層12との接触抵抗も低いため、コンデンサ素子全体から容量を引き出して陰極引き出し端子6に電荷を通過させる際に問題となる金属陰極層の抵抗を低減させる。 - 特許庁
Between a 1st electrode and a 2nd electrode, which counters this 1st electrode, in an order from the above 1st electrode side, an electron hole transportation layer, a light emitting layer formed of an organic compound, and the laminating structure containing an electric charge control layer formed of a material chosen from phenanthroline dimers, phenanthroline trimers, or those derivatives are formed, and the organic light emitting element is obtained.例文帳に追加
第1電極と該第1電極に対向する第2電極との間に、前記第1電極側から順番に、正孔輸送層と、有機化合物により形成される発光層と、フェナントロリン2量体及びフェナントロリン3量体並びにそれらの誘導体のうちのいずれかから選択される材料により形成される電荷制御層とを含む積層構造を形成して、有機発光素子を得る。 - 特許庁
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