「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(303ページ目) - Weblio英語例文検索

The hydrogen generation unit has a container 5 and a hydrogen generation element 4 contained in the container 5, and the hydrogen generation unit 4 is characterized by including a porous carrier in which a thin film layer of aluminum or an aluminum alloy is formed.例文帳に追加

容器５と、前記容器５に収容される水素発生素子４とを有し、前記水素発生素子４は、アルミニウム又はアルミニウム合金の薄膜層が形成された多孔質の担体からなることを特徴とする水素発生ユニット。 - 特許庁

The terahertz electromagnetic wave radiation element comprises: a semiconductor substrate 1 having a depletion layer 4; an upper electrode 2 on the semiconductor substrate 1; and a lower electrode 3 contacting with the semiconductor substrate 1 and formed separated from the upper electrode 2.例文帳に追加

テラヘルツ電磁波放射素子は、空乏層４を有する半導体基板１と、半導体基板１と上部電極２と、半導体基板１と接触し、かつ上部電極２と分離して形成される下部電極３とを備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element superior in emission efficiency and reliability by using a transparent conductive oxide film as an electrode and making the electrode superior in adhesiveness with a semiconductor layer while sufficient transparency is maintained.例文帳に追加

電極として透明な導電性酸化物膜を用い、十分な透明性を維持しながら半導体層との密着性に優れた電極とすることで、発光効率及び信頼性に優れた半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

In one embodiment, the method includes preparing the surface of the diffusion barrier layer not substantially containing an element metal and forming a metal film on at least a part of the surface by deposition using an organic metal precursor.例文帳に追加

１つの態様において、この方法は、元素金属を実質的に含まない拡散バリア層の表面を用意し、この表面の少なくとも一部分に有機金属前駆体を使用して被着により金属膜を形成することを含む。 - 特許庁

A semiconductor memory device includes first and second memory cells each including a variable resistance element 19 and a diode D and having a pillar shape, and an insulating layer 20 provided between the first memory cell and the second memory cell and including a void 21.例文帳に追加

半導体記憶装置は、可変抵抗素子１９及びダイオードＤを有し、かつピラー状の第１及び第２のメモリセルと、第１のメモリセル及び第２のメモリセル間に設けられ、かつボイド２１を有する絶縁層２０とを含む。 - 特許庁

To provide an aluminum paste composite capable of preventing the generation of blisters or aluminum balls on a rear surface electrode layer in baking, and a solar battery element provided with an electrode formed utilizing the composite.例文帳に追加

焼成時においてブリスターやアルミニウムの玉が裏面電極層に発生するのを抑制することが可能なアルミニウムペースト組成物と、その組成物を用いて形成された電極を備えた太陽電池素子を提供することである。 - 特許庁

To provide a method for producing a nitride semiconductor element for laminating each layer of a nitride semiconductor on the surface of a GaN substrate having a stripe-shaped dislocation concentrated region penetrated from the surface to the back with a uniform thickness.例文帳に追加

表面から裏面に貫通したストライプ状の転位集中領域を有するＧａＮ基板の表面に窒化物系半導体各層を均一な膜厚で積層する窒化物系半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Electrons are supplied to the active layer of the semiconductor light emitting element by the entered electron beam, holes are implanted from an anode electrode, and the electrons and the holes are recombined with each other, and light having a predetermined wavelength is emitted.例文帳に追加

半導体発光素子の活性層には、入射した電子線により電子が供給され、アノード電極からホールが注入され、これら電子とホールは活性層において再結合して所定の波長光が放出される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method capable of simultaneously forming a p pad electrode 15 and an n electrode 16 in a face-up-type group III nitride semiconductor light-emitting element provided with a transparent electrode comprising ITO on a p-type layer.例文帳に追加

ｐ型層上にＩＴＯからなる透明電極が設けられたフェイスアップ型のIII 族窒化物半導体発光素子において、ｐパッド電極１５とｎ電極１６を同時に形成することができる製造方法の実現。 - 特許庁

To provide a device for producing continuously a polyurethane sandwich element containing a porous polyurethane layer which is incorporated in the outer layers at the upper and lower sites and their intermittent places and tightly bound to both of the outer layers.例文帳に追加

上側外側層及び下側外側層、並びにそれらの間に配されて、両外側層にしっかりと結合された多孔質ポリウレタンの層を有してなるポリウレタンサンドイッチエレメントを連続的に製造するためのデバイスの提供。 - 特許庁

The organic EL element 9 comprises a pair of electrodes 2, 4 opposed to each other, and an organic layer 3 disposed between the electrodes 2, 4 and containing a non-conjugated polymer having a structural unit represented by formula (1).例文帳に追加

互いに対向して配置された一対の電極２，４と、該電極２，４間に配置され、下記式（１）で表される構造単位を有する非共役系ポリマーを含有する有機層３と、を備えることを特徴とする有機ＥＬ素子９。 - 特許庁

To provide an isolation method of an element having a semiconductor layer of such as silicon/germanium, having lattice strain which is weak with respect to high temperature process, and to ensure reliability by reducing leakage current at the isolation edge.例文帳に追加

高温プロセスに弱い、シリコン・ゲルマニウムのような格子歪みを有する半導体層を持つ素子の分離方法を提供し、素子分離端でのリーク電流を低減し、信頼性の確保を可能にすることを目的としている。 - 特許庁

In the liquid crystal display element having a binder and a liquid crystal layer containing a liquid crystal composition distributed into the binder between a pair of electrodes, the liquid crystal composition contains chiral nematic liquid crystal and a physical gelling agent and the binder is made of gelatin.例文帳に追加

一対の電極間に、バインダとバインダに分散した液晶組成物を含む液晶層とを有する液晶表示素子において、液晶組成物は、カイラルネマチック液晶と物理ゲル化剤を含み、バインダはゼラチンである。 - 特許庁

Since the organic acid anhydride and ketones have reducibility to copper, the barrier layer consisting of the compound of the additional metal and the constituting element in the insulating film can be formed while suppressing the oxidation of copper contained in the alloy film.例文帳に追加

有機酸、有機酸無水物及びケトン類は銅に対して還元性を持つため、合金膜に含まれる銅の酸化を抑えつつ、添加金属と絶縁膜中の構成元素との化合物からなるバリア層を形成することができる。 - 特許庁

To provide a totally new field emission display having emission luminance far exceeding that of a conventional organic electroluminescent element by arranging an organic electroluminescent emission layer instead of an inorganic fluorescent film of a field emission display (FED).例文帳に追加

フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）の無機蛍光膜に代えて有機エレクトロルミネセンス発光層を配することで、従来の有機エレクトロルミネセンス素子の発光輝度をはるかに上回る全く新しい電界放出ディスプレイを提供する。 - 特許庁

To provide an exothermic element mitigating chill feeling given to human body when applied and at early stages of its use and suitably usable as e.g. an exothermic sheet preparation having a hydrous hydrophilic gel adhesive layer of good usability.例文帳に追加

貼付時及び使用初期においての身体に与えるひんやり感を低減し、使用性に優れた含水親水性ゲル粘着剤層を有する発熱性シート剤等として使用して好適な発熱体を提供すること。 - 特許庁

To provide the contact forming method of a semiconductor device and a semiconductor memory element manufactured thereby for minimizing a contact resistance and a parasite capacitance by minimizing damage produced on the exposed face of a lower layer brought into contact with a contact.例文帳に追加

コンタクトと接触する下部層の露出面に発生する損傷を最小化し、コンタクト抵抗と寄生キャパシタンスを最小化する半導体素子のコンタクト形成方法及びそれにより製造された半導体メモリ素子を提供する。 - 特許庁

This solid-state imaging element is provided with each pixel 4 having: a P-type epitaxial growth layer 51; a P-type well 52 arranged on that; and an N-type charge accumulation part 53 arranged on the well 52 for accumulating photoelectrically converted charge.例文帳に追加

固体撮像素子は、Ｐ型エピタキシャル成長層５１と、その上に配置されたＰ型ウエル５２と、ウエル５２に配置され光電変換された電荷を蓄積するＮ型電荷蓄積部５３を有する各画素４と、備える。 - 特許庁

To provide a wiring circuit board which is capable of coping sufficiently with a reduction in its thickness, and preventing a sealing material used for sealing up a semiconductor element from leaking out to a cover insulating layer around a terminal at the same time.例文帳に追加

配線回路基板の軽薄化に十分に対応することができながら、半導体素子を封止する封止材の、端子部の周囲のカバー絶縁層に対する流出を防止することのできる、配線回路基板を提供すること。 - 特許庁

In this organic EL element in which an organic layer is disposed between a lower electrode and an upper electrode on a substrate, there is an extraneous material on the lower electrode, and an insulating material is disposed only in a gap part between the extraneous material and the lower electrode.例文帳に追加

基板上にある下部電極と上部電極との間に有機層が配置されてなる有機ＥＬ素子において、下部電極上に異物があり、前記異物と下部電極との隙間部分のみに絶縁物が配置されている。 - 特許庁

MOS-type capacitance element 20, having a comparatively large area has a polysilicon layer 23 formed on an N-type lightly-doped region (N-region) 21 via a capacitor insulation film 22 (e.g., oxide film) on a semiconductor substrate 11.例文帳に追加

比較的大きな面積のＭＯＳ型容素子２０は、半導体基板１１上のＮ型の低濃度不純物領域（Ｎ^-領域）２１にキャパシタ絶縁膜２２（例えば酸化膜）を介してポリシリコン層２３が形成されている。 - 特許庁

To provide a heating element capable of improving heat conductivity from a heating member to a heated body while having high reliability by improving adhesion between a solder connecting layer and an electrical insulating member holding the heating member.例文帳に追加

半田接続層と加熱体が挟持された絶縁体との密着性を向上させて高信頼性をもたせると共に、発熱体から被加熱体への熱伝導性を向上させることの可能な発熱素子を提供する。 - 特許庁

To provide a capacitor element which can realize low ESR on a level of a stacked ceramic capacitor by reducing the interface resistance between each layer and the next, without having to pass through a complicated process, and to provide its manufacturing method and an electrolytic capacitor which uses it.例文帳に追加

複雑なプロセスを経ずに各層間の界面抵抗を低減することで積層セラミックコンデンサ並みの低ＥＳＲ化を実現しうるコンデンサ素子と、その製造方法、並びにそれを用いた電解コンデンサを提供する。 - 特許庁

Immediately below the electrode terminal section 104 of a circuit board 103 which is connected to bumps 102 formed in an electrode terminal section on the surface of a semiconductor element 101, a stress relieving layer 105 which can be deformed easily in accordance with applied stresses is provided.例文帳に追加

半導体素子１０１面の電極端子部に形成したバンプ１０２と接続する回路基板１０３の電極端子部１０４直下に、加えられた圧力に応じて容易に変形可能な応力緩和層１０５を設ける。 - 特許庁

The ceramic basic material 2 is integrated with the heating element 12 by sintering them integrally and a CVD layer 19 of SiC excellent in thermal conduction is formed on the heating surface 17 of the heater 1.例文帳に追加

セラミック基材２と発熱体１２とを一体焼結することにより、セラミック基材２と発熱体１２とを一体化するとともに、ヒータ１の加熱面１７に熱伝導性に優れたＳｉＣのＣＶＤ層１９を形成する。 - 特許庁

The intermediate layer 18 obstructs the concentration increase of the niobium or the concentration increase of the additive element or lessens the concentration increase to the extent that the crazing in the weld bonded zone based on the concentration increase of the niobium is surely averted.例文帳に追加

中間層１８は、後続の溶接シーム１９における、ニオブの濃度増加または該付加的な元素の濃度増加を阻止、もしくはニオブ濃度増加に基づく溶接結合部の亀裂が確実に回避される程度にまで減少させる。 - 特許庁

The fine graphite powder contains a substance containing a specific element mainly on a part or total of the surface layer of the powder particle, the electroconductive resin composition is produced by using the fine graphite powder and the molded resin article is produced by using the electroconductive resin composition.例文帳に追加

特定の元素を含む物質が主に表層部の一部または全部に存在している黒鉛微粉、この黒鉛微粉を用いた導電性樹脂組成物、導電性樹脂組成物から得られた樹脂成形体。 - 特許庁

To provide a means for preventing a deterioration in a light emitting element caused by a difference in the temperature characteristics between an interlayer insulating film and an anode in a light emitting device having the anode, an organic compound layer, and a cathode.例文帳に追加

陽極、有機化合物層及び陰極からなる発光素子を有する発光装置において、層間絶縁膜と陽極との温度特性の違いにより生じる発光素子の劣化を防ぐ手段を提供することを課題とする。 - 特許庁

Then, the reflecting surface 21a is configured so as to reflect laser emission light generated in the light emitting layer 6 of the semiconductor laser element part 20 in a direction inclined for an angle θ_2 (=about 34°) to the light emitting surface 20a.例文帳に追加

そして、反射面２１ａは、半導体レーザ素子部２０の発光層６で発生したレーザ出射光を、光出射面２０ａに対して角度θ_２（＝約３４°）傾斜した方向に反射するように構成されている。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion element without causing any short circuit between a hole transport material and an electrode even when using the hole transport material which is made to easily permeate a photoelectric conversion layer by a low molecular weight organic compound etc.例文帳に追加

低分子量有機化合物等により光電変換層内に浸透し易くしたホール輸送材料を用いても、当該ホール輸送材料と電極との間で短絡を発生させることのない光電変換素子を提供する。 - 特許庁

The element conduction part 71 and connection part 61 are formed of the same layer as the power line 15, and disposed on one side along the width (Y direction) of the power line 15 across the driving transistor Tdr when viewed vertically to the substrate 10.例文帳に追加

素子導通部７１および接続部６１は、電源線１５と同層から形成され、基板１０に垂直な方向からみて、駆動トランジスタＴdrを挟んで電源線１５の幅方向（Ｙ方向）における一方の側に位置する。 - 特許庁

In the optical head device in which light emitted from a light source is reflected by an information recording layer of an optical disk and guided to a photodetector, a hologram element in which a region is divided is provided in an optical path from the optical disk to the photodetector.例文帳に追加

光源から出射する光を光ディスクの情報記録層で反射し光検出器に導く光ヘッド装置において、光ディスクから光検出器までの光路中に、領域分割されたホログラム素子を設ける。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting element, a composite buffer layer 12, formed by alternately laminating a plurality of Al_xB_yGa_1-x-yN first layers 12A and a plurality of Al_aB_bGa_i-a-bN second layers 12b upon another is provided on a low-resistance silicon substrate 11.例文帳に追加

低抵抗のシリコンから成る基板１１の上にＡｌ_xＢ_xＧａ_1-x-yＮから成る第１の層１２ａとＡｌ_aＢ_bＧａ_i-a-bＮから成る第２の層１２ｂとを交互に複数積層した複合層構造のバッファ層１２を設ける。 - 特許庁

To improve the low-noise characteristics of a semiconductor laser element and to reduce its operating current and improve its temperature characteristics and reliability, by adding silicon, selenium, zinc, beryllium, sulphur or carbon into an active layer as an impurity at a predetermined concentration.例文帳に追加

低雑音特性が向上され、動作電流が低減されるとともに、温度特性および信頼性が向上された半導体レーザ素子、それを備えた投受光ユニットおよび光ピックアップ装置を提供することである。 - 特許庁

To enlarge a specific band width, while shortening a slot width, even when separating a feed layer and a radiative element, and to improve return loss and an intercoupling amount, even when constituted in a polarized wave common usage.例文帳に追加

給電層と放射素子とを分離した場合においても、スロット幅を短くしつつ、比帯域幅を拡大することが可能となるとともに、偏波共用構成としたときにも、反射減衰量および相互結合量を改善する。 - 特許庁

Accordingly, only the single cycle of the input and output is required after formation of the element to the electrons (or holes) for the floating gate and thereafter read and write of the information are conducted only with the mechanical operation of the floating gate layer, thereby requiring the input and output of electrons no longer.例文帳に追加

これにより浮遊ゲートに対する電子（または正孔）の出し入れは素子形成後１回のみ行えばよく、その後の読み書きは浮遊ゲート層の機械的動作によってのみ行い電子の出し入れが不要となる。 - 特許庁

In this head of an engraved channel which is engraved from a supply port of a substrate to this side of each ejection pressure generating element, a filter layer, in which a plurality of holes or slits are opened, covers an engraved part.例文帳に追加

基板の供給口から各々の吐出圧力発生素子の手前までが掘り込まれている彫込み流路のヘッドであって、彫込みの上に複数の孔またはスリットが開けられたフィルター層が被さっている構成とする。 - 特許庁

An electrode (1A) for an electric element (1) includes a conductive body (5) having a dielectric surface (10), and an amorphous layer (15) which is located on the body (5) and has a rate of surface area of approximate 50-500 m^2/g and SiO_2.例文帳に追加

誘電性の表面（１０）を有する導電性ボディ（５）と、前記ボディ（５）上に配置された、約５０〜５００ｍ^２／ｇの比表面積を有するＳｉＯ_２を有するアモルファス層（１５）とを有する電気素子（１）用の電極（１Ａ）。 - 特許庁

To provide a vertical alignment type liquid crystal aligning agent which has excellent printing properties and with which such a liquid crystal alignment layer can be obtained, that has excellent vertical alignment properties, is short in afterimage erasure time and is suitable for a liquid crystal display element.例文帳に追加

垂直配向性に優れ、液晶表示素子の残像消去時間が短く、印刷性に優れた液晶表示素子に好適な液晶配向膜を得られる垂直配向型液晶配向剤を提供する。 - 特許庁

The Zn-Al-Mg alloy plating layer contains, in some cases, 0.002 to 0.05 mass% at least one kind of the easily oxidizable element selected from Zr, Y, Si and rare earth elements, and is disposed on the surface of the steel plate at a coating weight of ≥180 g/m^2 in total of both surfaces.例文帳に追加

Zn-Al-Mg合金めっき層は、Zr，Y，Si，希土類元素から選ばれた少なくとも一種の易酸化性元素を0.002〜0.05質量％含む場合もあり、両面合計の付着量：180g/m^2以下で鋼板表面に設けられる。 - 特許庁

The luminescent layer 4 of this inorganic thin film EL element for a display device contains MSb_2O_X (M is any of Mg, Ca, Sr and Ba or a combination thereof; and X=4, 5 or 6) as a matrix, and it is activated with the luminescent center by Mn ions or the like.例文帳に追加

表示装置用の無機薄膜ＥＬ素子の発光層４において、ＭＳｂ_２Ｏ_Ｘ（ＭはＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａのいずれか、あるいはこれらの組合せ；Ｘ＝４，５，６）を母体材料とし、これにＭｎイオン等による発光中心を付活する。 - 特許庁

This element has a structure, where a stacked matter S which contains a p-n junction structure and is constituted of a GaN crystal layer is formed on a crystal substrate 1 and a p-type side electrode Q1 and an n-type side electrode Q2 are formed on the stacked matter.例文帳に追加

結晶基板１上に、ｐｎ接合構造を含みＧａＮ系結晶層からなる積層体Ｓを形成し、これにｐ型側電極Ｑ１、ｎ型側電極Ｑ２を形成した構造を有する受光素子。 - 特許庁

To provide a coating process which satisfies required characteristics, such as film quality, the film sticking property of a film, a deposition speed, the simplicity of the coating process and environmental load, when a ceramic substrate material of a functional ceramic element is coated with an electrically conductive layer.例文帳に追加

機能性セラミックス素子のセラミックス基板材料に導電層をコーティングする場合、膜質、皮膜の密着性、成膜速度、コーティングプロセスの簡便性、環境低負荷等の要求特性を満足するコーティングプロセスが望まれている。 - 特許庁

In the semiconductor light emitting element, a composite laminated buffer layer 12, formed by alternately laminating a plurality of Al_xIn_yGa_1-x-yN first layers 12a and a plurality of Al_aIn_bGa_i-a-bN second layers 12b upon another, is provided on a low-resistance silicon substrate 11.例文帳に追加

低抵抗のシリコンから成る基板１１の上にＡｌ_xＩｎ_xＧａ_1-x-yＮから成る第１の層１２ａとＡｌ_aＩｎ_bＧａ_i-a-bＮから成る第２の層１２ｂとを交互に複数積層した複合層構造のバッファ層１２を設ける。 - 特許庁

To provide a rolling element for a toroidal type continuously variable transmission and a working method therefor, in which a machining cost can be reduced and a residual compressive stress layer of which the internal depth is deep is added, and of which the rolling fatigue-bearing life can be prolonged.例文帳に追加

加工費用を低減でき、転動面の表層に内部深さが深い圧縮残留応力層を付加し、転動疲労寿命の向上を図り得るトロイダル型変速機用の転動体およびその加工方法を提供する。 - 特許庁