「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(307ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of inspecting a printer head for readily and surely detecting presence or absence of a damage of a protection layer by applying the method to a print head particularly in a type of ejecting ink drops by heating a heating element.例文帳に追加

本発明は、プリンタヘッドの検査方法に関し、特に発熱素子の加熱によりインク液滴を飛び出させる方式のプリンタヘッドに適用して、保護層の損傷の有無を簡易かつ確実に検出することができるようにする。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion material capable of manufacturing a satisfactory photoelectric conversion layer in which a donor/acceptor phase separation structure is controlled in a photoelectric conversion element for use in a photovoltatic power generation apparatus, a photovoltatic power generation system, or the like.例文帳に追加

太陽光発電装置や太陽光発電システムなどに用いられる光電変換素子において、ドナー／アクセプターの相分離構造が制御された、良好な光電変換層を作製できる光電変換材料を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin-film semiconductor element which can easily turn a semiconductor thin film into a p-type one even if the semiconductor thin film consisting of a zinc oxide or a zinc sulfide formed by epitaxial growth is used as a buffer layer.例文帳に追加

バッファ層としてエピタキシャル成長により形成される酸化亜鉛または硫化亜鉛の半導体薄膜を用いる場合にも前記半導体薄膜のｐ型化を容易にする薄膜半導体素子の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a heating element capable of easily obtaining a heat insulating layer with a required dimension, improving heating efficiency of a heater part, and obtaining a uniform and good quality of printing, and its manufacturing method.例文帳に追加

所望の大きさの断熱層を容易に得ることができるとともに、ヒータ部の発熱効率を向上させることができて、均一かつ良好な印字品質を得ることができる発熱体およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a display device which prevents a light emitting layer of an organic EL element from being formed in uneven film thickness, and achieves uniform light emitting luminance in an entire device and the same pixel, and a display device manufacturing method.例文帳に追加

有機ＥＬ素子の発光層が不均一な膜厚で形成されることを防止し、装置全体および同一画素内で均一な発光輝度を実現できる表示装置および表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a partial electric wiring layer of multilayer wiring including electric wiring for pads for electrically connecting pad electrodes to a static protection element, and electric wiring for power electrically connected to a power source, and used as the electric wiring for power, the electric wiring for pads and the electric wiring for power are arranged at the center of a region with the static protection element formed therein without being superposed on each other on the static protection element.例文帳に追加

パッド電極と静電気保護素子とを電気的に接続するパッド用電気配線と、電源と電気的に接続する電源用電気配線とを、有し、当該電源用電気配線として用いられている多層配線の一部の電気配線層において、パッド用電気配線と、電源用電気配線とが、静電気保護素子上では重ならないように、静電気保護素子が形成されている領域の中央に配置する。 - 特許庁

A method for manufacturing organic EL devices comprises a first step for heating an inorganic laminated element including a substrate and a hale charging electrode formed on one side thereof, and processing the application of bias voltage on the inorganic laminated element, and a second step for forming another laminated element including an organic emissive layer and an electron injection electrode at the opposite side to the substrate of the hale charging electrode subsequent to the first step.例文帳に追加

上記課題を解決する本発明の有機ＥＬ素子の製造方法は、基板及びその一側に形成されたホール注入電極を備える無機積層体を加熱して、その無機積層体にバイアス電圧の印加処理を行う第１工程と、第１工程の後にホール注入電極の基板と反対側に有機発光層及び電子注入電極を備える積層体を形成する第２工程とを有するものである。 - 特許庁

An energy curable resin is supplied to the optical surface of a mold or the molding surface of an optical element base material, and the mold and the optical element base material are allowed to approach relatively to spread the resin under pressure to form the desired resin layer between the mold and the optical element base material.例文帳に追加

金型光学面または光学素子基材の成形面にエネルギー硬化型の樹脂を供給し、金型と光学素子基材とを相対的に接近させることにより樹脂を押し広げて金型と光学素子基材との間に所望の樹脂層を形成する際、前記金型光学面と樹脂の接触後における前記金型と前記光学素子基材の相対的な接近動作を、第一の速度での接近と停止を繰り返す断続的な動作で行う。 - 特許庁

The power semiconductor module includes a semiconductor element which has an Ni layer formed on an electrode surface, a metallic conductor pattern, and solder joining the semiconductor element and semiconductor pattern together, wherein the solder consists of Sn and 3 to 10 wt.% Cu, and an inter-metal compound formed near an interface between the semiconductor element and solder is 6 to 50 μm thick.例文帳に追加

本発明のパワー半導体モジュールは、電極表面にＮｉ層が形成された半導体素子と金属製導体パターンと前記半導体素子と前記導体パターンを接合したはんだとを備え、前記はんだの組成比がＳｎ−３ｗｔ％Ｃｕ〜Ｓｎ−１０ｗｔ％Ｃｕであり、前記半導体素子とはんだとの界面付近に形成された金属間化合物の厚さが、６μｍ〜５０μｍであることを特徴とするパワー半導体モジュール。 - 特許庁

For the purpose of forming the LDD regions having such concentration gradients of the impurity element, a gate electrode 607 having a tapered part and a gate insulating film 605 having a tapered part are provided, and an ionized impurity element for the conductivity-type control is passed through the gate insulating film 605 to be added to the semiconductor layer.例文帳に追加

このような不純物元素の濃度勾配を有するＬＤＤ領域を形成するために、本発明ではテーパー部を有するゲート電極６０７とテーパー部を有するゲート絶縁膜６０５とを設け、イオン化した導電型制御用の不純物元素を、ゲート絶縁膜６０５を通過させて半導体層に添加する方法を用いる。 - 特許庁

The split-gate type flash memory element is provided with a silicon epitaxial layer which is formed in an active region of a bulk silicon substrate, and an insulating film for preventing distrubances which is formed on the bulk silicon substrate between the source and the drain of the element, wherein the insulating film for distrubance prevention is formed, using an STI formation process.例文帳に追加

バルクシリコン基板の活性領域に形成されているシリコンエピタキシャル層と、素子のソース及びドレイン間のバルクシリコン基板に形成されているディスターバンス防止用絶縁膜とを備えるスプリットゲート型フラッシュメモリ素子であり、該スプリットゲート型フラッシュメモリ素子では、ディスターバンス防止用絶縁膜は、ＳＴＩ形成工程を利用して形成される。 - 特許庁

The electrooptical device 2 includes an element substrate 12 having a pixel region 20 where a plurality of pixels each provided with a pixel transistor 38 are arranged and a plurality of heater layers 28 formed by using a wiring material of the pixel transistor 38 in a wiring layer on the element substrate 12, heated by current flow and electrically independent of each other.例文帳に追加

電気光学装置２は、画素トランジスタ３８を備えた画素が複数配列された画素領域２０が形成された素子基板１２と、素子基板１２上の配線層にて、画素トランジスタ３８の配線材料で形成され、電流が流れることによって加熱される各々が電気的に独立する複数のヒータ層２８と、を有する。 - 特許庁

In other words, after forming a transparent inorganic material membrane on a glass substrate, by ion-injecting the rare-earth element, Si or Ge being a fluorescent material into the inorganic material membrane, or by forming the transparent inorganic material membrane while adding the rare-earth element, Si or Ge, the color conversion layer of the organic EL display is formed.例文帳に追加

すなわち、ガラス基板上に透明な無機材料膜を形成した後、無機材料膜に蛍光材料となる希土類元素、ＳｉまたはＧｅをイオン注入する、あるいは、希土類元素、ＳｉまたはＧｅを添加しながら透明な無機材料膜を形成することにより、有機ＥＬディスプレイの色変換層を形成することを特徴とする。 - 特許庁

Therefore, since ions of impurities deteriorating the display quality of the liquid crystal display element and invading during the manufacturing process and from the exterior are adsorbed by the ion adsorbing agent 17 in the columnar spacers 18 formed on the light shielding layer 14 having nothing to do with display, the reduction of the display quality of the liquid crystal display element is not generated.例文帳に追加

これにより、液晶表示素子の表示品位を劣化させる製造プロセス中に侵入する不純物イオンや外部から侵入する不純物イオンを、表示には無関係の遮光層１４上に形成した柱スペーサ１８中のイオン吸着剤１７が吸着するため、液晶表示素子の表示品位の低下が生じない。 - 特許庁

The solid electrolite memory element is provided with an insoluble cathode electrode 210, an eluting anode electrode 240, and a solid electrolyte layer 230 having a defective portion between the above insoluble cathode electrode 210 and the eluting anode electrode 240, wherein its method for manufacturing the solid electrolyte memory element includes a process to form the desired defective portion in the above solid electrolyte matrix.例文帳に追加

不溶性カソード電極２１０、溶出性アノード電極２４０、および、上記不溶性カソード電極２１０と溶出性アノード電極２４０との間の欠陥部位を有する固体電解質層２３０を備える固体電解質メモリー素子の製造方法において、上記固体電解質マトリックスに所望の欠陥部位を形成する工程を含んでいる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method capable of easily manufacturing a fluorescent display device with high reliability and stability, having high smoothness and sharpness of a field electron emission element or high vacuum of a space between substrates in the fluorescent display device executing desired display by irradiating a fluorescent layer with electrons from the electron emission element, at low costs.例文帳に追加

電界電子放出素子からの電子を蛍光層に照射して所望の表示を行う蛍光表示装置における基板間の空間の真空度や電子放出素子の先鋭度および平滑度が高く、信頼性および安定性のよい蛍光表示装置を容易・安価に製造することのできる製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a solid state color imaging device comprising a color filter and a convex lens formed for the light receiving element in the sensor in which photosensitivity can be enhanced without causing any trouble even in case of a solid state imaging device where a light shielding layer is present partially on the central plane of the light receiving element.例文帳に追加

固体撮像素子の受光素子に対して、少なくともカラーフィルタおよび凸レンズ体を形成したカラー固体撮像素子において、受光素子中央面に遮光性の電極層が部分的に存在している種類の固体撮像素子にあっても、不具合を生ぜず光感度の向上が図れるカラー固体撮像素子を提供すること。 - 特許庁

An organic substance acting on the basis of a one-dimensional charge transfer mechanism, such as DCDDC, is used in at least one layer of light emitting layers nipped between mutually faced electrodes (anode and cathode), thereby realizing the organic electroluminescence element material having an excellent luminous color purity and an excellent luminous efficiency, and the organic electroluminescence element uses the material.例文帳に追加

対向する電極（陽極及び陰極）間に挟持される発光層の少なくとも一層に、ＤＣＤＤＣなどの一次元の電荷移動機構に基づき動作する有機物質を使用することで、色純度と発光効率に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子材料およびこれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子を実現する。 - 特許庁

When water is accumulated by dew condensation between the wavelength conversion member and the sensor substrate 10, a dark current sometimes increases, causing coupling of an ion component included in the water with the photoelectric conversion element (electrode or the like of the photoelectric conversion element), but the dark current is difficult to occur because such coupling is inhibited due to the providing of the nonionic layer 20.例文帳に追加

波長変換部材とセンサー基板１０との間に、結露によって水が溜まると、水に含まれるイオン成分と光電変換素子（光電変換素子の電極等）とのカップリングが生じ、暗電流が増加することがあるが、非イオン性層２０が設けられていることにより、そのようなカップリングが抑制され、暗電流が生じにくい。 - 特許庁

The method for producing a solid electrolytic capacitor comprises a step for admixing an alkoxy benzenesulfonic acid metal salt or an alkyl sulfonic acid metal salt, as an oxidizing agent, to a solvent along with a conductive polymer, and a step for immersing a capacitor element 2 into the mixture solvent and forming a conductive polymer layer in the capacitor element 2 through thermal polymerization reaction.例文帳に追加

固体電解コンデンサの製造方法は、アルコキシベンゼンスルホン酸金属塩、又はアルキルスルホン酸金属塩を酸化剤として、導電性高分子とともに溶媒に混合する工程と、該混合溶媒内に、コンデンサ素子２を浸漬し、熱重合反応により、コンデンサ素子２内に導電性高分子層を形成する工程を具えている。 - 特許庁

The amorphous semiconductor film is doped with a catalytic element, a crystal semiconductor film is formed by a first heat treatment, the catalytic element is transferred to an n-type dopant layer formed on the crystal semiconductor film by a second heat treatment, and the first/second island-like crystal semiconductor films are formed on the first/second gate electrodes by patterning.例文帳に追加

非晶質半導体膜に触媒元素を添加し、第１の加熱処理により結晶性半導体膜を形成し、第２の加熱処理により、結晶性半導体膜に設けられたＮ型不純物層に、触媒元素を移動させ、パターニングして第１／第２のゲイト電極上に第１／第２の島状の結晶性半導体膜を形成する。 - 特許庁

The lighting system 1 is provided with a light emitting diode lamp 2 having a light emitting diode element 4 sealed with a glass sealing part 6, and a phosphor layer 13 which emits wavelength conversion light by being excited by receiving emission light emitted from the light emitting diode element 4 is disposed on the lighting object side of the light emitting diode lamp 2.例文帳に追加

ガラス封止部６によって封止された発光ダイオード素子４を有する発光ダイオードランプ２を備えた照明装置１であって、発光ダイオードランプ２の照明対象側には、発光ダイオード素子４から放射される放射光を受けて励起されることにより波長変換光を放射する蛍光体層１３が配設されている。 - 特許庁

The piezoelectric element 1 includes a plurality of piezoelectric layers 11 laminated in a thickness direction, an element body 10 including a plurality of first and second counter electrodes 12a, 12b alternately disposed to face each other via the piezoelectric layer 11 in the thickness direction, and first and second external electrodes 13a, 13b.例文帳に追加

圧電素子１は、厚み方向に積層されている複数の圧電体層１１と、厚み方向において、圧電体層１１を介して互いに対向するように交互に配置されている複数の第１及び第２の対向電極１２ａ、１２ｂとを有する素子本体１０と、第１及び第２の外部電極１３ａ、１３ｂとを備える。 - 特許庁

The catalytic electrode layer for the fuel cell has an nonwoven fabric nano-fiber with the catalytic particulate supported thereon, wherein the carbon nano-fiber has a nitrogen element with an aspect ratio (length/diameter ratio) in a range of 40 to 50,000, and the catalytic particulate combined with the nitrogen element.例文帳に追加

本発明は、窒素元素を有し、アスペクト比（長さ／直径）が４０〜５０，０００の範囲内であるカーボンナノファイバーと、上記窒素元素に結合した触媒微粒子とを有する不織布状の触媒微粒子担持カーボンナノファイバーを含有することを特徴とする燃料電池用触媒電極層を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

The invention relates to the optical element comprising the dispersion of layered minute particulate materials in a binder, and the layered materials have a layer thickness, concentration of particulate materials in the binder, and a basal plane spacing sufficient to provide the element having light transmissivity of at least 50%.例文帳に追加

本発明は、バインダー中に層状の微小な粒子状物質の分散体を含んで成る光学要素であって、前記層状物質が、少なくとも５０％の光透過率を有する要素を提供するのに十分な層厚さ、バインダー中の粒子状物質濃度及び基底面間隔を有することを特徴とする光学要素に関する。 - 特許庁

A silicon based electric insulation film containing a second element with respect to silicon is formed beneath an isolation trench between adjacent power generating regions formed by shaping a second electrode layer and the content of the second element in the silicon based electric insulation film is made uneven in the film thickness direction thus obtaining a multilayer thin film solar cell.例文帳に追加

第２電極層の形状加工により形成される隣接する発電領域間の分離溝下に、シリコンに対し第２の元素を含むシリコン系電気絶縁膜が形成され、このシリコン系電気絶縁膜における第２の元素の含有量がその膜厚方向に不均一である集積型薄膜太陽電池により、上記の課題を解決する。 - 特許庁

After side walls 6 are formed on both sides of the groove 4 formed in the element isolation region R1 and, at the same time, a thermally oxidized film 7 is formed on the bottom of the groove 4, an inversion preventing electrode 9 embedded in the groove 4 is formed and an inversion preventing layer is formed in the element isolation region R1 by applying a negative voltage upon the electrode 9.例文帳に追加

素子分離領域Ｒ１に形成された溝４の側壁にサイドウォール６を形成するとともに、溝４の底に熱酸化膜７を形成した後、溝４に埋め込まれた反転防止用電極９を形成し、反転防止用電極９に負の電圧を印加することにより、素子分離領域Ｒ１に反転防止層を形成する。 - 特許庁

To provide a thermosetting resin composition excellent in the relaxation effect of strain generated in a semiconductor element and a wiring board and a connecting electrode, capable of easily forming a sealing resin layer in the gap between the semiconductor element and the wiring board, and requiring no flux cleaning process, and a semiconductor device therewith and a method of its manufacture.例文帳に追加

半導体素子と配線回路基板および接続用電極に生ずる応力の緩和効果に優れ、半導体素子と配線回路基板との空隙に容易に封止樹脂層を形成することができかつフラックスの洗浄工程を必要としない、熱硬化性樹脂組成物ならびにそれを用いた半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The light emitting device is provided with a light emitting element wherein a pair of the electrodes are formed to a side opposite to the substrate face and that is mounted on a base by directing the substrate side downward; a plurality of granular bodies placed between the light emitting element 10 and the base; and a reflecting layer formed on the surface of the granular bodies.例文帳に追加

基板面と反対側に一対の電極が形成され、且つ前記基板面側を下にしてマウントされる発光素子と、前記発光素子がマウントされる基台と、前記発光素子と前記基台との間に配置される複数の粒状体と、及び前記粒状体の表面に形成される反射層と、を備える発光装置。 - 特許庁

The thin film device includes: the substrate; an electric field shielding plate formed above the substrate, the electric filed shielding plate having conductivity; and an active layer having a thin film element formed on the electric field shielding plate, the electric field shielding plate being connected to a potential of any electrode of the thin film element or a ground potential.例文帳に追加

本発明の薄膜装置は、基板と、前記基板の上に形成された、導電性を有する電界遮蔽板と、前記電界遮蔽板の上に形成された、薄膜素子を含む能動層と、を備え、前記電界遮蔽板は、前記薄膜素子のいずれか電極の電位又は接地電位に接続されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion element exhibiting high photoelectric conversion efficiency (high sensitivity) and low dark current and having high light selectivity (an absorption maximum wavelength in a thin film absorption spectrum of a photoelectric conversion layer is within a range between 400-520 nm) relative to B light for exhibiting a low color mixture rate, an image pickup device, and a method for driving the photoelectric conversion element.例文帳に追加

高光電変換効率（高感度）、低暗電流を示し、かつ、低い混色率を示すための高度なＢ光に対する光選択性（光電変換層の薄膜吸収スペクトルにおける吸収極大波長が４００〜５２０ｎｍの範囲内）を有する光電変換素子、撮像素子、及び光電変換素子の駆動方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display element achieving a desired response time and/or expression of improved display quality, a liquid crystal alignment layer achieving a desired response time and/or improved display quality with the liquid crystal display element and a production method thereof, and a liquid crystal aligning agent capable of forming the same.例文帳に追加

所望の応答時間及び／または改善された表示品位の発現が達成される液晶表示素子、この液晶表示素子において所望の応答時間及び／または改善された表示品位の発現を達成させる液晶配向膜とその製造方法、及びそれを形成する事ができる液晶配向剤を提供する。 - 特許庁

The light irradiation parts 30A and 30B disposed in multiple stages are disposed to be deviated in a direction orthogonal to the conveyed direction of the optical alignment layer so that a boundary part of the polarizing element 11 of the light irradiation part in each stage may not be superimposed on the boundary part of the polarizing element 11 of the light irradiation part in the other stages.例文帳に追加

そして、各段の光照射部の偏光素子１１の境界部が、他の段の光照射部の偏光素子１１の境界部と光配向膜５１の搬送方向に対して互いに重ならないように、各段に配置された光照射部３０Ａ，３０Ｂを、光配向膜の搬送方向に直交する方向に位置をずらして配置する。 - 特許庁

To provide a photosensitive composition for a partition in order to obtain an organic EL element which is high in light-emitting efficiency, and superior in element service life, and an organic EL display device to have the partition formed by using this photosensitive composition for the barrier rib in the organic EL display device in which an organic layer is formed in a region partitioned with the partition by a coating method.例文帳に追加

隔壁で仕切られた領域に塗布法により有機層が形成された有機ＥＬ表示装置において、発光効率が高く、また、素子寿命に優れた有機ＥＬ素子を得るための隔壁用感光性組成物、およびこの隔壁用感光性組成物を用いて形成された隔壁を有する有機ＥＬ表示装置を提供する。 - 特許庁

The mold for molding an optical glass element, having excellent mold releasability from an optical glass element after press molding is obtained by subjecting a molding face formed on the surface of a preform for a mold to etching treatment by a reverse sputtering process to control the surface roughness (Ra^1) of the molding face to 0.01 to 50 nm and further subjecting the molding face to a sputtering process to thereby form a protective layer.例文帳に追加

金型用母材の表面に形成された成形面を逆スパッタリング法によってエッチング処理して、前記成形面の表面粗さ（Ｒａ^１）を０．０１〜５０ｎｍとし、さらにスパッタリング法によって保護層を形成して得た、プレス成形後の光学ガラス素子との離型性に優れる、光学ガラス素子成形用金型。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor laser which is formed from a compound semiconductor layer in which a ridge contains Ga, includes a process (step 12) wherein the semiconductor laser is energized with element current until the characteristics of the semiconductor laser is restored after it is degraded by energization of the element current.例文帳に追加

本発明は、リッジ部がＧａを含む化合物半導体層で形成された半導体レーザの製造方法において、半導体レーザの特性が素子電流の通電により劣化した後回復するまで、前記半導体レーザに前記素子電流を通電する工程（ステップ１２）を有することを特徴とする半導体レーザの製造方法である。 - 特許庁

The infrared transmission member 10 comprises: a lens element 1 formed with composite material which includes resin material having infrared transmissivity and inorganic material fine particles dispersed in the resin material, having infrared transmissivity and water solubility; and a protective layer 2 formed so as to cover the whole surface of the optical element with a material having hydrophobicity.例文帳に追加

赤外透過部材１０は、赤外透過性を有する樹脂材料と、樹脂材料中に分散された赤外透過性及び水溶性を有する無機材料粒子とを含む複合材料によって形成されたレンズ素子１と、疎水性を有する材料により光学素子の表面全体を覆うように形成される保護層２とを備える。 - 特許庁

The nonvolatile memory element includes: an oxide of fluorite structure including cerium and a metal element which can be trivalent differing from cerium; and a recording layer in which transition is made possible between a plurality of states having mutually different resistances according to at least either voltage to be applied or current to be energized.例文帳に追加

セリウムと、３価を取り得る金属元素であってセリウムとは異なる金属元素と、を含む蛍石型構造の酸化物を含み、印加される電圧及び通電される電流の少なくともいずれかによって互いに異なる抵抗を有する複数の状態の間を遷移可能な記録層を備えたことを特徴とする不揮発性記憶素子が提供される。 - 特許庁

It also includes a plurality of element formation areas 22, first insulation walls 32 surrounding the respective element formation areas 22, conductive walls 34 surrounding the first insulation walls 32, and second insulation walls 36 surrounding the conductive walls 34 when viewing the cross section parallel to the surface of the active layer 20.例文帳に追加

活性層２０を表面に平行する断面で観察すると、複数の素子形成領域２２と、各々の素子形成領域２２を囲繞している第１絶縁側壁３２と、各々の第１絶縁側壁３２を囲繞している導電側壁３４と、各々の導電側壁３４を囲繞している第２絶縁側壁３６が観測される。 - 特許庁

To provide a micro optical resonator of light wavelength size used for a light-emitting element and a laser element wherein a light-emission intensity is raised in non-linearity of at least single-multiplication of an input power related to light emission intrinsic to a light-emission layer, for improved dependency of the light-emission intensity on the input power.例文帳に追加

本発明は、発光素子やレーザー素子などに使用される光波長サイズの微小光共振器に係わり、発光強度の入力パワーに対する依存性を改善しようとするもので、具体的には、発光層固有の発光において入力パワーの１乗以上の非線形に発光強度を増大できる微小光共振器を提供する。 - 特許庁

A region where at least one element of the electrode composition material and one element of the solid electrolyte composition material composes a compound is formed on the interface of at least one of electrodes and the solid electrolyte, and the region is made of at least either of an oxide, a hydroxide, and a nitride, and the thickness of the region layer is made to be 0.01 nm-300 nm.例文帳に追加

少なくとも一方の電極と固体電解質との界面に少なくとも電極構成材料の一元素と固体電解質構成材料の一元素が化合物を構成する領域を形成し、その領域は酸化物、水酸化物、窒化物の少なくともいずれからなり、なおかつ領域層の厚みを０．０１ｎｍ〜３００ｎｍとする。 - 特許庁

After a capacitor element formed by winding anode electrode foils and cathode electrode foils via separators is impregnated with a mixed solution formed by mixing a 3,4-ethylene dioxy thiophene with an oxidiizng agent, a stage for leaving it for 15 hours or 2 hours at 25°C or 100°C is repeated by a predetermined number of times, and the solid electrolyte layer is formed in the interior of the capacitor element.例文帳に追加

３，４−エチレンジオキシチオフェンと酸化剤とを混合した混合溶液を、陽極電極箔と陰極電極箔とをセパレータを介して巻回したコンデンサ素子に含浸したのち２５℃ないし１００℃で１５時間ないし２時間放置する工程を所定回数繰り返し、固体電解質層をコンデンサ素子の内部において生成する。 - 特許庁

The semiconductor substrate which has the initial thickness (first thickness) has only the element formation portion made thin to a second thickness and after a metal layer is formed on its backside, the initial peripheral part which still has the initial thickness (first thickness) of the semiconductor device is ground from the backside to a third thickness to form a peripheral portion which has a small step with the element formation portion.例文帳に追加

初期の厚み（第１の厚み）を有する半導体基板の、素子形成部のみを第２の厚みまで薄化し、その裏面に金属層を形成した後、初期の半導体基板の厚み（第１の厚み）を残した初期周辺部を裏面側から第３の厚みになるまで研削し、素子形成部との段差が少ない周辺部を形成する。 - 特許庁

In the semiconductor device comprising a semiconductor element, wiring for inputting/outputting signals, and a heat dissipating plate, the heat dissipating plate is made of a composite material of Cu and at least one kind of particles of Cu2O, Al2O3 and SiO2 and a metal layer bonded to an insulating substrate or the semiconductor element is bonded directly to the heat dissipating plate.例文帳に追加

半導体素子と、信号を入出力する配線と、放熱板とを有する半導体装置において、前記放熱板はＣｕとＣｕ_2Ｏ，Ａｌ_2Ｏ_3及びＳｉＯ_2の少なくとも１種の粒子との複合材であり、絶縁基板に接合されている金属層、あるいは半導体素子に接合されている金属層は放熱板と直接接合されている。 - 特許庁

In the semiconductor device manufactured by an SBSI (separation by bonding silicon island) method, an element isolation layer 13 is formed into a planar shape of "surrounding an element forming region 10, segmenting an SOI forming region 1a from an SOI forming region 1c within the surrounded region and segmenting an SOI forming region 1b from an SOI forming region 1d therewithin".例文帳に追加

ＳＢＳＩ法よって製造される半導体装置であって、素子分離層１３を「素子形成領域１０を囲み、囲んだ範囲内でＳＯＩ形成領域１ａとＳＯＩ形成領域１ｃとの間を仕切ると共に、ＳＯＩ形成領域１ｂとＳＯＩ形成領域１ｄとの間を仕切る」平面形状に形成している。 - 特許庁