「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(309ページ目) - Weblio英語例文検索

The wide angle directional antenna has an antenna region consisting of an antenna element 20 formed on a first surface 11 being a principal surface of a dielectric substrate 10 and having directivity in a direction perpendicular to the first surface, and a ground layer 30 formed planarly on a second surface 12 parallel with the first surface in a region including at least the lower region of the antenna element.例文帳に追加

誘電体基板１０の主面である第１面１１に形成され、その第１面に垂直な方向に指向性を有するアンテナ素子２０と、第１面に平行な第２面１２において、アンテナ素子の少なくとも下方領域を含む領域において面状に形成されたグランド層３０とにより構成されるアンテナ領域を有する。 - 特許庁

A semiconductor element 1, in which a base film 3 and a silicon film 4 are stacked in this order on a transparent substrate 2, is characterized in that the base film 3 has a higher thermal conductivity than that of the semiconductor film 4, and the semiconductor film 4 is a layer of semiconductor that is melted by irradiating the semiconductor element 1 with laser and then crystallized.例文帳に追加

透明基板２上に、下地膜３、シリコン膜４の順に積み重ねられた半導体素子１であって、下地膜３は、半導体膜４よりも熱伝導度が高く、半導体膜４は、半導体素子１をレーザ照射することにより溶融された半導体が結晶化された層であることを特徴とする半導体素子。 - 特許庁

The optical signal light exiting upward in the direction orthogonal to the element substrate from the planar light emitting semiconductor laser element enters the inclined face of the first optical waveguide branch with high optical coupling efficiency; the light is reflected to propagate through the core layer of the optical waveguide by total reflection; and the light passes the Y-branch and exits outward from the optical waveguide body 14a.例文帳に追加

面発光半導体レーザ素子から素子基板に直交する上方方向に出射された光信号光は、高い光結合効率で第１の光導波路枝の傾斜面に入射し、そこで反射して光導波路のコア層内を全反射により伝搬し、Ｙ分岐部を経て光導波路本体１４ａにより外部に出る。 - 特許庁

The sensor/guidewire assembly 21 for intravascular measurement of a physiological variable in a living body comprises a sensor element 22, a sensor/guidewire 23 including a core wire 28, and at least one signal transmission cable 31 connected to the sensor element, wherein a polymer layer 27 is provided including a portion of the core wire and at least one signal transmission cable 31.例文帳に追加

生体内の生理変数を血管内測定するためのセンサ・ガイドワイヤ組立体２１は、センサ・エレメント２２と、コアワイヤ２８を含むセンサ・ガイドワイヤ２３と、前記センサ・エレメントに接続された少なくとも１つの信号送信ケーブル３１とを備え、前記コアワイヤの一部分と前記少なくとも１つの信号送信ケーブルとを包むポリマー層２７を設けてある。 - 特許庁

To assure discharge of an internal electrode layer operating as a capacitor at a lower cost in the piezoelectric element, for example, in the piezoelectric element for a piezo-actuator (1) to manipulate mechanical structural members, in which a voltage is applied to the internal electrode allocated between the piezo-layers (2) with the multilayer structure of the piezo-layers (2).例文帳に追加

圧電素子、たとえば機械的構成部材を操作するためのピエゾアクチュエータ（１）のための圧電素子であって、ピエゾ層（２）の多層構造によって、ピエゾ層（２）の間に配置された内部電極が電圧によって印加される形式のものにおいて、キャパシタとして作用する内部電極層の放電を、低コストで保証できるようにすることである。 - 特許庁

The surface acoustic wave element 120 including a piezoelectric material layer 121, interdigital electrodes 122 and 123 and reflectors 124 and 125 is formed on the surface of a dielectric board 110, and an inductor L, a variable capacitor Cv and a capacitor CL formed by a micromachine process are arranged at positions away from the effective propagation area A of the surface acoustic wave element 120.例文帳に追加

誘電体基板１１０の表面上に圧電体層１２１、すだれ状電極１２２，１２３、反射器１２４，１２５を含む弾性表面波素子１２０が形成され、この弾性表面波素子１２０の有効伝播領域Ａから外れた位置に、マイクロマシンプロセスによって形成されたインダクタＬ、可変コンデンサＣｖ、コンデンサＣＬが配置されている。 - 特許庁

In a fuel injection valve, a surface layer of at least one (in an embodiment, a valve seat) of mutually abutting parts of a valve element and the valve seat is heated and softened in a step S13, and then the valve element and the valve seat are pressed against each other and the mutually abutting parts are fitted in a step S14.例文帳に追加

燃料噴射弁において、ステップＳ１３において弁体と弁座とが相互に当接する部分のうち少なくともいずれか一方（例えば弁座）の表層を加熱して軟化させる処理を施した後、ステップＳ１４において弁体と弁座とを相互に押圧して相互に当接する部分をなじませる処理を施すようにした。 - 特許庁

The fuse resistor includes a hollow rectangular parallelepiped shape box; a resistance element arranged inside the box; and a cement layer surrounding the periphery of the box, and the box includes a storage space for storing an element body; and a partitioning wall arranged adjacent to the storage space and separating an operation space which has the operation part of a fuse mechanism arranged.例文帳に追加

中空直方体形状の箱体と、箱体内部に配される抵抗素子と、箱体周囲を取り囲むセメント層からなる抵抗器であって、箱体は、素子本体を収容する収容空間と、収容空間に隣接するとともにヒューズ機構の作動部が配される作動空間を区画する隔壁を備えるヒューズ抵抗器である。 - 特許庁

A step of manufacturing the semiconductor device 100 includes a step of forming a pair of electrode groups 24 and 16 which are connected with a main electrode on the surface of the semiconductor multilayer portion 11 in the element region 100a, and a step of forming a sputter layer 12 on the surface of the semiconductor multilayer portion 11 in the element isolation region 100b by using a sputtering method.例文帳に追加

半導体装置１００は、素子領域１００ａ内の半導体積層部１１の表面に、主電極に接続する一対の電極群２４，１６を形成する電極群形成工程と、素子分離領域１００ｂ内の半導体積層部１１の表面に、スパッタ法を用いてスパッタ層１２を形成するスパッタ工程を備えている。 - 特許庁

The element includes a glass substrate 51; an anode electrode 52; an organic EL layer 55; a cathode electrode 56; a transparent electrode 52-1 for drawing out the cathode electrode 56 outward; and a wiring 52-2 connected to the electrode 52-1 to discharge electric charge charged in the cathode electrode 56, outside the element.例文帳に追加

有機ＥＬ素子は、ガラス基板５１、アノード電極５２、有機ＥＬ層５５、カソード電極５６、前記カソード電極５６と接続され、カソード電極５６を外部に引き出すための透明電極５２−１を含んでおり、前記透明電極５２−１に接続され、前記カソード電極に５６に蓄積された電荷を素子の外部に放出させるための配線５２−２を含む。 - 特許庁

The radiation detection device includes a sensor panel 100 for arranging the scintillator layer 11 for converting a radiation into light on a photoelectric conversion element array 12 arranged two-dimensionally; and a light-generating part 102 for irradiating the photoelectric conversion element array 12 with a light that includes a polarizing plate 101 between the light-generating unit 102 and the sensor panel 100.例文帳に追加

２次元に配列された光電変換素子アレイ１２上に放射線を光に変換するシンチレータ層１１を配置したセンサーパネル１００と、光電変換素子アレイ１２に光を照射するための光発生部１０２とを備えた放射線検出装置において、光発生部１０２とセンサーパネル１００の間に偏光板１０１を具備している。 - 特許庁

The organic EL panel 1 for lighting has a transparent substrate 11 formed by laminating EL light-emitting layers, an element electrode 12 led to the outer periphery of the rear surface of the transparent substrate 11, an auxiliary electrode 13 connected with the element electrode 12 by butting and supplying power from the outside, and a sealing section 14 protecting the EL light-emitting layer by sealing.例文帳に追加

照明用有機ＥＬパネル１は、ＥＬ発光層が積層してある透明基板１１、透明基板１１の裏面の外周に導出された素子電極１２、素子電極１２に当接して接続され外部から電力を供給する補助電極１３、ＥＬ発光層を封止して保護する封止部１４を備える。 - 特許庁

The metal wiring layer 6 includes a bonding pad portion 6a, which is disposed overlaying the semiconductor element portion 20 with the interlayer insulating film 5 interposed, and the interlayer insulating film 5 includes a polyimide film 5b with a flat upper surface disposed at least in a region right below the bonding pad portion 6a and a region right above the semiconductor element portion.例文帳に追加

金属配線層６は、ボンディングパッド部６ａを含み、ボンディングパッド部６ａは、層間絶縁膜５を介して、半導体素子部２０と重なるように配置され、層間絶縁膜５は、少なくともボンディングパッド部６ａの真下の領域、および、半導体素子部の真上の領域に配置される平坦な上面を有するポリイミド膜５ｂを含む。 - 特許庁

The liquid crystal panel 100 includes the liquid crystal cell 10, including a liquid crystal layer containing homogeneously aligned liquid crystal molecules in the absence of an electric field; polarizers 20 and 20' arranged on both sides of the liquid crystal cell; a first optical element 30 arranged between one polarizer and the liquid crystal cell; and a second optical element 40 arranged between the other polarizer and the liquid crystal cell.例文帳に追加

液晶パネル100は、電界がない状態でホモジニアス配向させた液晶層を備える液晶セル10と、液晶セルの両側に配置された偏光子20,20'と、偏光子のうちの一方と液晶セル間に配置された第１光学素子30と、偏光子のうちの他方と液晶セルとの間に配置された第２光学素子40とを備える。 - 特許庁

A growth speed of 10 μm/Hr or over is obtained by decreasing a V/III ratio under a prescribed condition by the MOVPE method, and this is applied to the growth of an a-plane nitride group semiconductor layer on an r-plane sapphire substrate so as to apply the growth method to a light emitting element and an electron transit element using the a-plane nitride group semiconductor.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ法において一定条件下でＶ／ＩＩＩ比を下げることにより、１０μｍ／Ｈｒ以上の成長速度が得られ、またこれをr面サファイア基板上のａ面窒化物系半導体層の成長に適用することにより、ａ面窒化物系半導体を用いた発光素子および電子走行素子への応用を行うこと。 - 特許庁

Spherical or elliptical magnetic powder containing iron, palladium and nitrogen, further containing at least one element selected from a rare earth element, silicon and aluminum, including an iron nitride phase represented by general formula Fe_16N_2 and having 5 to 30 nm average particle size is used as the magnetic powder incorporated in a magnetic layer.例文帳に追加

磁性層に含有させる磁性粉末として、鉄とパラジウムと窒素とを含有し、かつ希土類元素、シリコンおよびアルミニウムの中から選ばれる少なくともひとつの元素を含有し、さらに一般式Ｆｅ_16Ｎ_2 で表される窒化鉄相を少なくとも含む、平均粒子サイズが５〜３０ｎｍの球状ないし楕円状の磁性粉末を使用する。 - 特許庁

The module further comprises a focusing unit 100 and a shielding layer 103 in the photodetector, so that an ultraviolet curable resin 105 formed at a position avoiding the shielding layer to a light incident direction between the chip and the optical element and the optical element is fixed to the chip via the resin.例文帳に追加

受光素子配列を備えた半導体チップ１０４と、受光素子配列上に光を導くための光学素子１０１、１０２とを有する撮像モジュールにおいて、光学素子は結像作用部１００と遮光層１０３とを備え、半導体チップと光学素子との間であって且つ光の入射方向に対して前記遮光層を避けた位置に形成された紫外線硬化型樹脂１０５を有し、紫外線硬化型樹脂を介して光学素子と半導体チップとが固着されている。 - 特許庁

The organic EL panel 100 composed of an element substrate 101, a sealing substrate 106, and organic EL elements 111 arranged in an airtight space between the element substrate 101 and the sealing substrate 102, is provided with a resin layer 112 having humidity absorbing rate of not less than 5% and a humidity trapping member 110 fitted on the sealing substrate 106 containing humectant 113 contained in the resin layer 112.例文帳に追加

本発明の一態様にかかる有機ＥＬパネルは、素子基板１０１と、封止基板１０６と、素子基板１０１と封止基板１０６との間の気密空間内に配置された有機ＥＬ素子１１１とを有する有機ＥＬパネル１００であって、封止基板１０６上に設けられた捕水部材１１０であって、５％以上の吸水率特性を有する樹脂層１１２と、樹脂層１１２に含有された吸湿剤１１３を含む捕水部材１１０を備えているものである。 - 特許庁

The laminated structure 120 includes the element separating groove 117 formed outside the current shutoff part for the current injection part and penetrating the p-type electron barrier layer, and a current block groove 116 formed between the electron injection part and current shutoff part, and the bottom face of groove is positioned above the lower face of the p-type electron barrier layer.例文帳に追加

積層構造体１２０は、電流注入部に対して電流遮断部の外側に形成され且つｐ型電子障壁層を貫通する素子分離溝１１７と、電流注入部と電流遮断部との間に形成され且つその底面がｐ型電子障壁層の下面よりも上側に位置する電流ブロック溝１１６とを有している。 - 特許庁

To provide a new light emitting element capable of emitting light at high luminance by impressing a voltage between electrodes (substrates with conductive films) since a porous phosphor layer has pores having sizes in a prescribed range, and a discharge gas is filled in the porous phosphor layer, and suitably usable for various lighting systems and display devices since it is inexpensive.例文帳に追加

多孔質蛍光体層が所定範囲の大きさの細孔を有し、この多孔質蛍光体層に放電ガスが封入されているために、電極（導電膜付基板）間に印加することによって高輝度で発光し、安価でもあることから各種照明装置、表示装置に好適に用いることのできる新規な発光素子に関する。 - 特許庁

On the surface 7a of an electronic component, i.e. a multilayer piezoelectric element, a lead wire is soldered to a second electrode layer 23 on the other end side in the longitudinal direction for one of adjacent terminal electrodes 17 and soldered to a second electrode layer 23 on one end side in the longitudinal direction for the other terminal electrode 17.例文帳に追加

電子部品である積層型圧電素子の表面７ａでは、隣り合う端子電極のうち一方の端子電極１７に対しては、その長手方向における他端側の第２の電極層２３に、他方の端子電極１７に対しては、その長手方向における一端側の第２の電極層２３にリード線が半田付けされる。 - 特許庁

This element is composed of a transparent electrode 14 formed out of a transparent electrode material such as ITO or SnO2 on a flexible transparent substrate surface 10, a luminescent layer 20 comprising an organic EL material laminated on the electrode 14, and a back plate 22 layered on the luminescent layer 20 and formed to be opposed to the transparent electrode 14.例文帳に追加

可撓性を有した透明基板表面１０にＩＴＯやＳｎＯ_２等の透明な電極材料により形成された透明電極１４と、透明電極１４に積層された有機ＥＬ材料からなる発光層２０と、この発光層２０に積層され、透明電極１４に対向して形成された背面電極２２とからなる。 - 特許庁

In the division method of a nitride semiconductor wafer, having a process for cleaving the nitride semiconductor wafer for obtaining a nitride semiconductor element 1, where a p electrode 10 is laminated on a nitride semiconductor layer 3, the p electrode 10 is pressed down to the nitride semiconductor layer 3 by an electrode hold-down film 51, before the process of cleaving the nitride semiconductor wafer.例文帳に追加

窒化物半導体層３上にｐ電極１０を積層してなる窒化物半導体素子１を得るための窒化物半導体ウエハを劈開する工程を備えた窒化物半導体ウエハの分割方法において、窒化物半導体ウエハを劈開する工程の前に、ｐ電極１０を電極押込膜５１で窒化物半導体層３に押さえ込む。 - 特許庁

In the process for manufacturing a flexographic printing plate from the photosensitive element, the photopolymerizable layer is imagewise exposed to actinic radiation to form polymerized portions and unpolymerized portions in the layer and processing for removing the unpolymerized portions is carried out to form a relief surface suitable for printing.例文帳に追加

一方、その感光性エレメントからフレキソ印刷版を作製する方法としては、光重合性層を化学線にイメージに従って露光してその層中に重合した部分と重合していない部分を形成し、重合していない部分を除去する処理をし、印刷に適したレリーフ表面を形成することを含む方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device provided by the present invention comprises the steps of: printing a metal nano-paste 802 containing metal nano-particles by an inkjet method to form a metal nano-paste layer 350; firing the metal nano-paste layer 350 to form wiring; and making a semiconductor element conductive to the wiring.例文帳に追加

本発明によって提供される半導体装置の製造方法は、金属ナノ粒子を含む金属ナノペースト８０２を、インクジェット方式によって印刷することにより、金属ナノペースト層３５０を形成する工程と、金属ナノペースト層３５０を焼成することにより、配線を形成する工程と、上記配線に半導体素子を導通させる工程と、を有する。 - 特許庁

In the capacitor element including a pair of electrode layers and a dielectric layer held between the electrode layers, a well area into which ions are injected is formed in the dielectric layer, and a C-V curve between the electrode layers is shifted or shifted and expanded at least to either one of the plus direction and minus direction of a voltage axis.例文帳に追加

対となる電極層と、当該電極層に挟まれた誘電体層とを含むキャパシタ素子において、当該誘電体層中にイオンを注入したウエル領域を設け、当該電極層間のＣ−Ｖ曲線を電圧軸に関し、プラス方向とマイナス方向との少なくともいずれか一方向にシフトさせまたはシフトかつ拡大させるようにする。 - 特許庁

The provided optical element has a supporting member and an optical functional layer comprising a polymerizable liquid crystal material hardened with specified liquid crystal regularity on the supporting member and is characterized by having an elastic modulus of the optical functional layer to be 1.2 MPa or more in 20-200°C range.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明は、支持材と、上記支持材上に重合性液晶材料が所定の液晶規則性を有して硬化されてなる光学機能層とを有する光学素子であって、上記光学機能層の弾性率が、２０℃から２００℃の温度範囲において１．２ＭＰａ以上であることを特徴とする光学素子を提供する。 - 特許庁

In the dust core which is formed by press-forming soft magnetic metallic particles having an insulation oxide film on their surfaces, the soft magnetic metallic particle contains iron, and a metallic layer which is formed mainly of a magnetic element with higher equilibrium oxygen pressure than iron is provided between the soft magnetic metallic layer and the insulation oxide film.例文帳に追加

表面に絶縁酸化被膜を有する軟磁性金属粒子をプレス成形して形成されてなる圧粉磁心において、前記軟磁性金属粒子が鉄を含有し、前記軟磁性金属粒子と前記絶縁酸化被膜の間に、鉄より平衡酸素圧の高い磁性元素を主成分とする金属層を有することを特徴とする圧粉磁心。 - 特許庁

In the manufacturing method of an organic electronics element wherein a transparent conductive membrane is formed on a substrate, next at least an organic compound layer and a counter electrode layer are formed on the transparent conductive membrane, a process is provided in which moisture amount in the substrate before forming the transparent conductive membrane is controlled.例文帳に追加

基材上に透明導電膜を形成し、次いで、該透明導電膜上に、少なくとも有機化合物層および対向電極層を形成する、有機エレクトロニクス素子の製造方法において、該透明導電膜を形成する前の基材の水分量を制御する工程を有することを特徴とする有機エレクトロニクス素子の製造方法。 - 特許庁

The phase change memory element includes a first electrode 103, a second electrode 107, a first phase variation material layer 114 formed between the first electrode 103 and the second electrode 107 for connecting the electrode 103 with the second electrode 107 electrically, and an oxide collar construction 112a for covering the side wall of first phase variation material layer 114.例文帳に追加

相変化メモリ素子では、第１電極１０３および第２電極１０７と、第１電極１０３および第２電極１０７の間に形成され、第１電極１０３を第２電極１０７と電気的に接続する第１相変化材料層１１４と、第１相変化材料層１１４の側壁を覆う酸化物襟構造１１２ａとを備える。 - 特許庁

The thin film magnetic head includes at least an MR read head element having the upper and lower shield layers and an MR layer formed between the upper and the lower shield layers, wherein the upper shield layer appearing on an ABS has obtuse or round shapes at upper angle parts of ends in a track width direction.例文帳に追加

下部シールド層、上部シールド層並びに下部シールド層及び上部シールド層間に形成されたＭＲ層を有するＭＲ読出しヘッド素子を少なくとも含む薄膜磁気ヘッドであって、上部シールド層のＡＢＳに現れる形状が、トラック幅方向端の上側角部において鈍角形状又は丸みを帯びた形状を有する。 - 特許庁

The method of manufacturing the electron emission element using the carbon nanotube is that laser beams 1 are irradiated to a carbon nanotube layer grown on a substrate after focal distance and a focal diameter of the laser beams are adjusted to form removing parts in the carbon nanotube layer, and thereby, many projections having the same shape comprising the carbon nanotubes are formed at designated pitches.例文帳に追加

基板上に成長させたカーボンナノチューブ層にレーザー光１ をその焦点距離および焦点径を調整して照射して同層に除去部を形成することにより、カーボンナノチューブからなる多数の同形の突出体を所定ピッチで形成することを特徴とするカーボンナノチューブを用いた電子放出素子の製造方法である。 - 特許庁

To eliminate a failure like dissolution or flaking of a conductive wiring layer, improve a process yield greatly and enhance reliability in insulation between circuits in a manufacturing method, in which a conductive wiring layer is formed on a conductive frame in an electrolytic plating method and a frame is removed after the mounting and sealing of the semiconductor element.例文帳に追加

導電性フレーム上に電解メッキ法によって導体配線層を形成し、半導体素子の実装、封止後に導電性フレームを除去する工程を含む半導体装置の製造方法において、導体配線層の溶解や剥離などの不具合をなくし、工程歩留まりの大幅な改善と回路間の絶縁信頼性の向上を提供する。 - 特許庁

To provide a method of producing a light-emitting diode using zinc oxide, by which a gallium nitride nuclei forming layer is formed on a lithium aluminate substrate using a zinc oxide buffer layer like a single-crystal film, defective concentration of the gallium nitride is reduced, excellent lattice matching and crystal interface quality can be obtained and light emission efficiency and finished element function are improved.例文帳に追加

単結晶フィルム状である酸化亜鉛バッファ層でアルミン酸リチウム基板上に窒化ガリウム核形成層を生長させることができ、窒化ガリウムの欠陥密度が低減され、また、優れた格子マッチングと結晶界面品質が得られ、発光効率と完成済みの素子機能が向上される酸化亜鉛による発光ダイオードの作製方法を提供する。 - 特許庁

The rectifier element 10 can select a state where the difference in potential between the Schottky electrodes 3, 5 and the cathode electrode 4 changes, thereby applying a current between the Schottky electrode 5 and the cathode electrode 4 and a state where the n^- semiconductor layer 2 between the Schottky electrode 5 and the cathode electrode 4 is made into a depletion layer to disconnect a current path.例文帳に追加

ショットキー電極５およびショットキー電極３と、カソード電極４との電位差が変化することにより、ショットキー電極５とカソード電極４との間に電流を流す状態と、ショットキー電極５とカソード電極４との間に存在するｎ^-半導体層２を空乏層化することによって電流経路を遮断する状態とを選択可能である。 - 特許庁

In an organic electroluminescent element provided with a plurality of thin layers having at least one light emitting layer between a pair of electrodes, at least one layer of a plurality of thin layers contains a principal component and an accessory component (dopant), and a volume ratio of the principal component to the accessory component varies in proportion to a distance from an electrode terminal.例文帳に追加

一対の電極間に、少なくとも１つの発光層を有する複数の薄層を備えた有機電界発光素子において、前記複数の薄層の少なくとも１層が主成分と副成分（ドーパント）とを含有し、前記主成分と副成分の体積比が電極端子からの距離に比例して変化することを特徴とする有機電界発光素子。 - 特許庁

This allows the high-quality silicon oxide layer to be formed regardless of being formed at the low temperature, and uniformity of the thickness of the silicon oxide layer to be within 30% on the silicon surface of the side wall section of the recess in the element isolation region.例文帳に追加

シリコン酸化膜中にＫｒを含有させることにより、シリコン酸化膜中および、シリコン／シリコン酸化膜界面でのストレスを緩和することにより、低温で形成したにもかかわらず高品質なシリコン酸化膜を形成し、素子分離領域凹部分の側壁部のシリコン表面においてシリコン酸化膜の厚さの均一性を３０％以内にする。 - 特許庁

In the display element including an auxiliary compound layer disposed in contact with a non-display side electrode and an electrolyte layer containing a metal salt compound and a 6 to 18 membered saturated heterocycle compound represented by general formula (G1) between facing electrodes, black and white colors are displayed by applying voltage between the facing electrodes.例文帳に追加

対向電極間に、非表示側電極に接して配置された補助化合物層と、金属塩化合物と下記一般式（Ｇ１）で表される６〜１８員の飽和ヘテロ環化合物とを含有した電解質層とを有し、かつ該対向電極間に電圧を印加することにより、黒色と白色を表示することを特徴とする表示素子。 - 特許庁

The ultrasound inspection method for noisy materials and the related probe are disclosed to inspect defects in a cast material that uses a polycarbonate delay (14) layer having a first surface configured to be disposed on a surface of the cast material and an acoustic crystal element (12) disposed on a second surface of the polycarbonate delay layer.例文帳に追加

鋳造材料の欠陥を検査するために、鋳造材料の表面上に配置されるように構成された第１の表面を有するポリカーボネートディレイ（１４）層と、該ポリカーボネートディレイ層の第２の表面上に配置された音響水晶素子（１２）とを用いた、雑音のある材料の超音波検査方法及び関連するプローブが開示される。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element having high reliability and excellent characteristics, in which the meeting areas of growth layers are actually limited to one point, a growth area of which the size is 8 to 30 μm e.g. can be easily obtained as a growth layer having sufficiently low dislocation density and the growth layer has a shape suited to the formation of a light emitting diode.例文帳に追加

成長層の会合領域が事実上一点に限られ、転位密度が十分に低い成長層として大きさが例えば８〜３０μｍのものを容易に得ることができ、しかもその成長層は発光ダイオードの形成に適した形状を有し、信頼性および特性に優れた半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a fixing apparatus which attains a uniform fixing ability by making the temperature distribution on a fixing roller surface uniform by uniforming a heat generated amount distribution by preventing the occurrence of variance in electric resistance value in the flowing direction of current in a heat generating layer in the heat generating layer composed of a sheet heating element formed on a roller surface.例文帳に追加

ローラ表面に形成された面状発熱体からなる発熱層において、発熱層の電流の流れ方向における電気抵抗値バラツキが発生するのを防止して発熱量分布の均一化が可能となり、定着ローラ表面の温度分布を均一化して、均一な定着能力が達成可能な定着装置を提供する。 - 特許庁

This resistance memory element is formed of a resistive layer 22, including the metal oxide and the metal ion dopant, and an upper electrode 23 on a lower electrode 21 in the order, wherein an electrode material usually used for semiconductor device can be used for the lower electrode 21 and the upper electrode 23, and the resistive layer 22 includes a metal oxide and the metal ion dopant.例文帳に追加

抵抗メモリ素子は、下部電極２１上に金属酸化物及び金属イオンドーパントを含めた抵抗層２２と、上部電極２３が順次に形成されており、下部電極２１及び上部電極２３は、通常的に半導体素子に使われる電極物質を使用でき、抵抗層２２は、金属酸化物及び金属イオンドーパントを含む。 - 特許庁

To materialize a protecting film which does not decompose an underlying organic layer by heat with improved adhesion property with the underlying organic layer, for an organic EL element having a structure composed of an organic layers including organic luminous materials arranged between opposing electrodes, and the protecting film covering the outer surface of the structure.例文帳に追加

互いに対向する一対の電極間に有機発光材料を含む有機層を配置してなる構造体と、この構造体の外表面を被覆する保護膜とを備える有機ＥＬ素子において、成膜時に下地の有機層を熱分解させることなく且つ下地の有機層との密着性を向上させた保護膜を実現する。 - 特許庁

The semiconductor element is constituted by forming an AIN-based or GaN-based semiconductor layer 2 on a single-crystal substrate 1 and also bonding an electrode 3 onto the semiconductor layer 2, and the electrode 2 is formed of diboride single crystal represented as a general chemical formula XB_2 (X includes at least one kind from Ti and Zr).例文帳に追加

単結晶基板１上にＡｌＮ系もしくはＧａＮ系の半導体層２を形成するとともに、該半導体層２上に電極３を被着させた半導体素子において、前記電極３をＸＢ_２（ＸはＴｉもしくはＺｒの少なくとも１種を含む）の化学式で示される二棚化物単結晶により形成する。 - 特許庁

In the ink jet recording sheet comprising at least a single ink receiving layer formed on a water-resistant support, the ink receiving layer has a water-soluble compound containing fine silica particles with 20 nm or less average primary particle diameter and a water-soluble aluminum compound or group 4A element of the periodic table.例文帳に追加

耐水性支持体上に、少なくとも１層のインク受容層を有するインクジェット記録用紙において、該インク受容層が平均一次粒子径が２０ｎｍ以下のシリカ微細粒子及び水溶性アルミニウム化合物または周期表４Ａ族元素を含む水溶性化合物を含有することを特徴とするインクジェット記録用シート。 - 特許庁