「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(310ページ目) - Weblio英語例文検索

This organic EL element 114 includes an anode 144 having transparent conductivity, a cathode 134, and an organic EL layer disposed between the anode 144 and the cathode 134, and the interface between the cathode 134 and the organic EL layer 134 is formed of a black material.例文帳に追加

本発明の一態様における有機ＥＬ素子は、透明導電性を有する陽極１４４と、陰極１３４と、陽極１４４と陰極１３４との間に配置されている有機ＥＬ層１２４と、を備えた有機ＥＬ素子１１４であって、陰極１３４の有機ＥＬ層１２４との界面は黒色材料で形成されているものである。 - 特許庁

In the semiconductor laser element comprises an active layer which comprises a plurality of distorted quantum wells, the active layer comprises six or more distorted quantum well layers of GaInAsP compound semiconductor, and the total thickness of the distorted quantum well layers multiplied by distortion (%) is 20-40 nm, and oscillates up to 140°C as a laser device.例文帳に追加

複数層の歪量子井戸層を含む活性層を有する半導体レーザ素子において、活性層は、６層以上のＧａＩｎＡｓＰ化合物半導体からなる歪量子井戸層を有し、かつ該歪量子井戸層の厚さの総計と、歪み（％）との積が２０ｎｍ以上、４０ｎｍ以下であって、レーザ素子として１４０℃まで発振する。 - 特許庁

To provide an adhesive composition for optical use, which not only reduces distortion by displacement of an adhesive, provided that the distortion specifically results from expansion and contraction of a polarizing plate, but also approximates the birefringence of an adhesive layer to zero, provided that the birefringence results from orientation of a polymer in the adhesive layer induced by the displacement, thus preventing color heterogeneity or white spot phenomenon in a liquid crystal element.例文帳に追加

特に偏光板の伸縮などによる歪みを粘着剤がずれることにより緩和させるだけでなく、ズレにより粘着剤層中のポリマーが配向することにより生じる粘着剤層の複屈折をゼロに近づけ、よって、液晶素子に色むら・白ヌケ現象を発生させない光学用粘着剤組成物を提供すること。 - 特許庁

The thin film electronic part is provided with a support board 1, a thin film element A provided on the support board 1 and having an insulating layer 3 and electrode layers 5, 7, and outside terminals 11a, 11b comprising solder connected to the electrode layers 5, 7 through the solder dispersion prevention layer 21, which laminates two or more same material layers 21a, 21b.例文帳に追加

支持基板１と、該支持基板１上に設けられ、絶縁体層３および電極層５、７を有する薄膜素子Ａと、電極層５、７に半田拡散防止層２１を介して接続される半田からなる外部端子１１ａ、１１ｂとを具備するとともに、半田拡散防止層２１が、同一材料層２１ａ、２１ｂを２層以上積層してなる。 - 特許庁

An optical film comprises: a light-transmissive base film 1 having first and second principal surfaces facing each other; a deflection element layer 2 having a plurality of deflection elements 3 disposed on the first principal surface, adjacent to each other, and extended in one direction; and a projection layer 4 disposed on the second principal surface and having a plurality of projections 5 and a plurality of optical elements 15.例文帳に追加

互いに対向する第１及び第２主面を有する透光性のベースフィルム１と、第１主面に配置され、互いに隣接して一方向に延伸する複数の偏向素子３を有する偏向素子層２と、第２主面に配置され、複数の突起５及び複数の光学要素１５を有する突起層４とを備える。 - 特許庁

This organic electroluminescent element is provided with a first electrode, an organic compound layer, and a second electrode on a substrate, and between the first electrode and the second electrode, as an insulating layer for securing insulation between the first electrode and the second electrode, this is provided with a membrane containing an amorphous carbon-based material or a plasma polymerization membrane.例文帳に追加

基板上に、第１電極と、有機化合物層と、第２電極と、を備える有機電界発光素子であって、第１電極と第２電極との間に、第１電極と第２電極との絶縁を確保するための絶縁層として、アモルファスカーボン系材料を含む膜、またはプラズマ重合膜を備える有機電界発光素子である。 - 特許庁

The diode element 24 comprises a P-type well 21 formed in the semiconductor substrate 1, an N-type diffusion layer 8 formed on a P-type well 21 in the semiconductor substrate 1, an N-type second polysilicon film 9 formed in an upper side of the N-type diffusion layer 8 on the semiconductor substrate 1 and a nickel cilicide 12 formed on the second polysilicon film 9.例文帳に追加

ダイオード素子２４は、半導体基板１に形成されたＰ型ウェル２１と、半導体基板１におけるＰ型ウェル２１の上に形成されたＮ型拡散層８と、半導体基板１上におけるＮ型拡散層８の上側に形成されたＮ型の第２のポリシリコン膜９と、第２のポリシリコン膜９の上に形成されたニッケルシリサイド１２とを含む。 - 特許庁

A wiring pattern 12 composed of a copper wire 12a and a gold plating layer 12b and a cover lay 15 covering the wiring pattern 12 for insulation are provided on a polyimide insulating tape 11, and an outflow restraining member 13 composed of a belt-like copper pattern 13a and a gold plating layer 13b is arranged around an opening 17 used for mounting an semiconductor element 16.例文帳に追加

ポリイミド系絶縁テープ１１の上に銅線１２ａと金メッキ層１２ｂからなる配線パターン１２と、この配線パターン１２を絶縁被覆するカバーレイ１５が設けられ、半導体素子１６を搭載するための開口１７の周囲近傍に、銅帯状パターン１３ａと金メッキ層１３ｂからなる流出抑制部材１３を配置してある。 - 特許庁

For the manufacturing method of an organic LED element interposed between a pair of electrodes formed on a base plate by depositing an organic layer by using a transfer film, the pair of electrodes interposing the organic layers are laminated on the transfer film, and conductive adhesive is applied on the base plate, and the pair of electrodes and the organic layer are transferred from the transfer film to the base plate.例文帳に追加

一対の電極の間に挟まれた有機層を基板上に堆積させた有機ＬＥＤ素子を転写フィルムを用いて製造する方法であって、転写フィルム上に、有機層を挟んだ一対の電極を積層し、基板上に導電性接着剤を塗布し、転写フィルムから基板へ一対の電極と有機層とを転写する方法。 - 特許庁

In a rectifying element 10, a state that a current between a Schottky electrodes 5 and a cathode electrode 4 flows by changing a potential difference between Schottky electrodes 5, 3 and a cathode electrode 4, or a state that a current path is cut off by changing an n^-type semiconductor layer 2 existing between the Schottky electrode 5 and the cathode electrode 4 into a depletion layer is selectable.例文帳に追加

整流素子１０は、ショットキー電極５、３と、カソード電極４との電位差が変化することにより、ショットキー電極５とカソード電極４との間に電流を流す状態と、ショットキー電極５とカソード電極４との間に存在するｎ^-半導体層２を空乏層化することによって電流経路を遮断する状態とを選択可能である。 - 特許庁

The minute capacitance element includes: first and second metal electrodes having respective opposite facets, facing each other, formed on an insulator layer to define a first gap therebetween; and a shield electrode which is formed on the insulator layer, can be connected to an externally applied potential, and defines a slit confining a coupling capacitance within the first gap.例文帳に追加

微小容量素子は、絶縁層上に成膜されかつそれぞれが互いに対向して第１間隙を画定する対向面を有する第１及び第２金属電極と、絶縁層上に成膜されかつ外部電位に接続可能でありかつ第１間隙内において結合容量制限スリットを画定するシールド電極と、からなる。 - 特許庁

The method of manufacturing an electrode for an electrochemical element includes the steps of: forming the active material layer having a clearance on a long current collector; forming a wound body 10 by winding up the current collector to which the active material layer is formed; and forming coatings of resin materials on the side faces 10a and 10b of the wound body 10.例文帳に追加

電気化学素子用電極の製造方法は、長尺の集電体上に空隙を有する活物質層を形成する工程と、活物質層が形成された集電体を巻回して巻回体１０を形成する工程と、巻回体１０の側面１０ａおよび１０ｂに樹脂材料でできた被膜を形成する工程とを有する。 - 特許庁

In an element substrate 10, a conductive film 11 for detecting temperature, in which impurity is doped in a semiconductor layer formed at the same time with a semiconductor layer of field effect transistors 30, is provided, and the data conversion part 113 performs correction corresponding to resistance change of the conductive film 11 for detecting temperature, when the digital driving signal is created.例文帳に追加

素子基板１０には、電界効果型トランジスター３０の半導体層と同時に形成された半導体層に不純物をドープしてなる温度検出用導電膜１１が設けられており、データ変換部１１３は、デジタル駆動信号を生成する際に温度検出用導電膜１１の抵抗変化に対応する補正を行なう。 - 特許庁

The method for manufacturing a display device includes ultraviolet-light irradiation of at least once, and uses the thin-film transistor that includes the oxide semiconductor layer for a switching element, and in the method, heat treatment for repairing damages to the oxide semiconductor layer due to the ultraviolet-light irradiation is performed, after all the steps of ultraviolet-light irradiation are completed.例文帳に追加

少なくとも一回以上の紫外線の照射を行い、且つ酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタをスイッチング素子として用いる、表示装置の作製方法において、全ての紫外線照射工程を終えた後で、紫外線照射による該酸化物半導体層のダメージを回復させる熱処理を行う表示装置の作製方法である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a photosensitive resin composition, a photosensitive element and a print circuit board which can obtain a sufficient geometric followability and strippability when a resist is formed on a surface resin layer with a plating resist to be used in gold plating on a circuit of a circuit formation board and the like having a surface resin layer such as a solder resist.例文帳に追加

ソルダレジスト等の表面樹脂層を備える回路形成基板の回路等に金めっきを行うときに用いるめっきレジストで、表面樹脂層上にレジストを形成させる際、十分な形状追従性やはく離性を得ることが可能な感光性樹脂組成物、感光性エレメント、プリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The surface acoustic wave element is provided at least with: a piezoelectric substrate 2; a support substrate 3 stuck to the piezoelectric substrate 2 via an adhesive layer 4; and an interdigital electrode 5 which excites surface acoustic waves formed on a surface opposite to the bonding surface of the piezoelectric substrate 2, wherein a glass transition point Tg of the adhesive layer 4 is ≤200°C.例文帳に追加

少なくとも、圧電基板２と、該圧電基板２に接着層４を介して貼り合わされた支持基板３と、前記圧電基板２の接着面と反対側の面に形成された弾性表面波を励振する櫛形電極５とを備え、前記接着層４のガラス転移点Ｔｇが２００℃以下である弾性表面波素子１。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical element having a mesa-type buried optical waveguide structure for controlling irregular growth of the buried layer of a curving waveguide region while acquiring thickness of the buried layer of a linear waveguide region by easily controlling growth rate of the curving waveguide region and that of the linear waveguide region.例文帳に追加

メサ状の埋込光導波路構造を有する半導体光素子において、曲線導波路領域の成長速度と直線導波路領域の成長速度とを容易に制御して、直線導波路領域の埋込層の層厚を確保しつつ、曲線導波路領域の埋込層の異常成長を抑制する半導体光素子を提供する。 - 特許庁

An organic electroluminescence element has a structure obtained by laminating an anode, the hole injection layer, a luminescent layer and a cathode in this order.例文帳に追加

陽極、正孔注入層、発光層及び陰極がこの順に積層された構造を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、該有機エレクトロルミネッセンス素子は、正孔注入層と発光層との間に正孔輸送層を有するものであり、かつ、正孔輸送層のバンドギャップエネルギー（Eg_(HTL)）と発光層のバンドギャップエネルギー（Eg_(EML)）とが下記関係式（１）を満たす有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

In this organic electroluminescent element 1 formed by holding at least a luminescent layer 14 between a first electrode 12 and a second electrode 13, the luminescent layer 14 comprises a deposit formed by using a transfer donor made from ink having a host material using a tetracene derivative, a red dopant, and a solvent.例文帳に追加

第１電極１２と第２電極１３の間に少なくとも発光層１４を挟持してなる有機電界発光素子１において、前記発光層１４は、テトラセン誘導体を用いたホスト材料と赤色ドーパントと溶剤を有するインクから湿式法により作製された転写ドナーを用いて成膜したものからなることを特徴としている。 - 特許庁

This cuvette for the atomic absorption spectrometry provided with a graphite tube or a vitreous carbon tube as an atomization furnace is formed with a layer including at least anyone out of a compound of the rare earth element and carbon, a nitride, a carbide, a boride as a coating layer on an inner surface of the atomization furnace.例文帳に追加

黒鉛管またはガラス状炭素管を原子化炉として備えた原子吸光分析用キュベットであって、原子化炉の少なくとも内表面に、被覆層として、希土類元素と炭素との化合物、窒化物、炭化物、ホウ化物の少なくともいずれかを含む層が少なくとも形成されてなる、原子吸光分析用キュベットに関する。 - 特許庁

In the organic photoelectric conversion element having at least a photoelectric conversion layer 14 and charge transport layers 13 and 15 laminated between a first electrode 12 and a second electrode 16, the photoelectric conversion layer contains at least two types of material selected from among porphyrin derivatives or azaporphyrin derivatives.例文帳に追加

第１の電極１２と第２の電極１６との間に少なくとも光電変換層１４と電荷輸送層１３，１５とを積層して成る有機光電変換素子において、光電変換層がポルフィリン誘導体、若しくはアザポルフィリン誘導体から選ばれる少なくとも２種以上の材料を含有することを特徴とする有機光電変換素子。 - 特許庁

In the display element having an electrolyte layer containing a metal salt compound between a pair of electrodes opposite to each other, the electrodes comprising a transparent electrode and a counter electrode, the electrolyte layer contains a polymer which has a repeating unit having a partial structure where two carbonyl groups exist in positions sandwiching one or two carbon atoms.例文帳に追加

透明電極と対向電極からなる一対の対向する電極間に、金属塩化合物を含有した電解質層を有する表示素子において、該電解質層に、炭素原子１個若しくは２個を介した位置に２つのカルボニル基が存在する部分構造を持った繰り返し単位を有するポリマーを含有することを特徴とする表示素子。 - 特許庁

Then, at a position inside the periphery of the semiconductor substrate 7 by a prescribed width, a groove 18 reaching a surface layer section of the semiconductor substrate 7 through the second interlayer film 11 and the first interlayer film 9 from the surface of the uppermost layer wiring coating film 15 is formed while surrounding an element formation region B of the semiconductor substrate 7.例文帳に追加

そして、半導体基板７の周縁から所定幅だけ内側の位置においては、最上層配線被覆膜１５の表面から第２層間膜１１および第１層間膜９を貫通して半導体基板７の表層部に達する溝１８が半導体基板７の素子形成領域Ｂを取り囲んで形成されている。 - 特許庁

A hole blocking layer 3, a photoelectric conversion layer 4 formed by applying and drying coating liquid including polymer materials with a specific structure unit having a hole transport function and an organic pigment with a specific structure having an electron transport function, and an electrode 5 are sequentially formed on a transparent electrode 2 provided in a transparent insulating support 1 to configure a photoelectric conversion element.例文帳に追加

透明絶縁支持体１に設けられた透明電極２上に、ホールブロッキング層３と、ホール輸送機能を持つ特定の構成単位を有する高分子材料及び電子輸送機能を持つ特定構造の有機色素を含有する塗工液を塗布、乾燥して形成した光電変換層４と、電極５を順次設けて光電変換素子とする。 - 特許庁

This micro movable element X1 is provided by processing the wafer, and is furnished with: a structural part 62A molded on a first layer; and a structural part 61 molded on a second layer having a portion to face the structural part 62A through a cavity and free to relatively displace against the structural part 62A.例文帳に追加

本発明のマイクロ可動素子Ｘ１は、例えば前記のウエハに加工を施すことによって得られたものであって、第１層において成形された構造部６２Ａと、構造部６２Ａに空隙を介して対向する部位を有して構造部６２Ａに対して相対変位可能な、第２層において成形された構造部６１とを備える。 - 特許庁

After an element separation area 2 is formed on a silicon board 1, a P well layer 3 is formed, after ion injection for threshold voltage Vth regulation is performed thereon, mixture gas or the like containing disilane is made a raw material, and epitaxial growth of the silicon layer 6 of low impurity concentration of impurity concentration 1E14 [}cm-3] less is selectively performed.例文帳に追加

シリコン基板１上に素子分離領域２を形成した後、Ｐウェル層３を形成し、これにしきい値電圧Ｖｔｈ調整用のイオン注入を行った後、ジシランを含む混合気体等を原料として、アクティブ領域のみに、選択的に不純物濃度１Ｅ１４〔ｃｍ^-3〕以下の低不純物濃度シリコン層６のエピタキシャル成長を行う。 - 特許庁

In the conductive particles composed of a core part 51 with nickel as a main component and a coating layer 52 covering the surroundings of the core part 51, the coating layer 51 is constituted of a metal or an alloy having as a main component at least one kind of element selected from ruthenium (Ru), rhodium (Rh), rhenium (Re), platinum (Pt), iridium (Ir), and osmium (Os).例文帳に追加

ニッケルを主成分とするコア部５１と、コア部５１の周囲を覆っている被覆層５２とを有する導電性粒子であって、被覆層５１が、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、レニウム（Ｒｅ）、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）およびオスミウム（Ｏｓ）から選ばれる少なくとも１種の元素を主成分として有する金属または合金で構成してある。 - 特許庁

To provide an ultrasonic sensor in which a principal surface electrode provided on an acoustic matching layer side and a lead member are conducted appropriately without providing a folded electrode in a piezoelectric element in the ultrasonic sensor with an acoustic matching layer, to provide a detector for ultrasonic flowmeter using the ultrasonic sensor, and to provide an ultrasonic flowmeter for measuring the flow rate of a fluid.例文帳に追加

音響整合層を備えた超音波センサにおいて、圧電素子に折り返し電極を設けることなく、音響整合層側に設けた主面電極とリード部材とを、適切に導通してなる超音波センサ、この超音波センサを用いた超音波流量計用検出器、及び、流体の流量を計測する超音波流量計を提供する。 - 特許庁

This liquid crystal display element is constituted of a lower substrate 2, an upper substrate 1 disposed oppositely to the substrate 2 and a liquid crystal/polymer composite layer 7 disposed between the substrates 1, 2 so that the layer 7 has a region A and a region B different from each other in a impressed voltage versus light transmittance characteristics in one pixel.例文帳に追加

液晶表示素子は、下基板２と、該下基板２に対向して配置される上基板１と、上基板１及び下基板２の間に配置された液晶・高分子複合体層７とを有し、該液晶・高分子複合体層７は１画素内に於いて印加電圧−光透過率特性の相互に異なる領域Ａと領域Ｂとを有して構成されている。 - 特許庁

On one face of the anode 10 having an active material layer 2 containing an element with the high forming ability of a lithium compound, a resist pattern with a number of open holes 12c is formed, and then, portions exposed through the open holes 12c are removed by etching to form a number of through-holes 5 on the active material layer 2 extended in a thickness direction.例文帳に追加

リチウム化合物の形成能の高い元素を含む活物質層２を有する負極１０の一面に、多数の開孔部１２ｃを有するレジストパターンを形成し、次いで開孔部１２ｃを通じて露出している部位をエッチングにより除去して活物質層２にその厚さ方向へ延びる貫通孔５を多数形成する。 - 特許庁

The ultrasonic probe 2 is equipped with: a first substrate 20 having the silicon substrate 21 and a ultrasonic transmitting/receiving element 3; an acoustic lens 11 installed on the upper surface of the first substrate 20; a damping layer 41 installed beneath the first substrate 20; and a second substrate 31 installed between the lower surface of the first substrate 20 and the upper surface of the damping layer 41.例文帳に追加

超音波探触子２は、シリコン基板２１及び超音波送受信素子３を有する第１基板２０と、第１基板２０の上面に設置された音響レンズ１１と、第１基板２０の下方に設置されたダンピング層４１とを備え、さらに、第１基板２０の下面とダンピング層４１の上面との間に第２基板３１が設置されている。 - 特許庁

The aluminum electrolytic capacitor is formed of a capacitor element 1 in which a core material member 7 from which a part of the tin plating layer 8 is removed by a grinding method is formed at the tin plating wire 4 with the tin plating layer 8 formed at a core material 6 and a lead wire 3 joining the core material member 7 and an aluminum tab is connected to an electrode foil 2.例文帳に追加

この目的を達成するために、芯材６に錫めっき層８を形成した錫めっき線４に研削加工によって錫めっき層８の一部を除去した芯材部７を形成し、この芯材部７とアルミニウムタブとを接合したリード線３を電極箔２に接続したコンデンサ素子１からなるアルミ電解コンデンサとしたものである。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory element comprises a tunnel insulating film formed on a semiconductor substrate, an electric charge trap layer which is formed on the tunnel insulating film and includes a dielectric film of which a transition metal is doped, a blocking insulating film formed on the electric charge trap layer, and a gate electrode formed on the blocking insulating film.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたトンネル絶縁膜と、トンネル絶縁膜上に形成され、遷移金属がドーピングされた誘電膜を含む電荷トラップ層と、電荷トラップ層上に形成されたブロッキング絶縁膜と、ブロッキング絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を備えることを特徴とする不揮発性半導体メモリ素子である。 - 特許庁

The upper layer of each side strand is constituted by twisting resin wires constituted so as to have diameters larger than the diameter of the element wire to form spaces between the side strand and the core rope, and among each side strand by the presence of the resin wires having relatively larger diameters, and the resin for coating the outer layer is pressed and filled into the spaces.例文帳に追加

各側ストランドの上層が素線径よりも大きな径に構成された樹脂線を撚りあわせて構成され、相対的に径の大きな前記樹脂線の存在により前記側ストランドと心ロープ間、各側ストランド間にそれぞれ隙間が形成され、それらの隙間を通して外層被覆用の樹脂が圧入充填されている。 - 特許庁

The organic electroluminescent element has at least a light-emitting layer containing a light-emitting material between a positive electrode and a negative electrode, and an average content of the light-emitting material contained in 30 vol.% of the light-emitting layer at a negative electrode side is smaller than that contained in the remaining part of 70 vol.%.例文帳に追加

陰極と陽極との間に発光材料を含有する発光層を少なくとも有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記発光層の陰極側３０体積％の発光材料の平均含有率が残りの７０体積％の発光材料の平均含有率より少ないことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

In the production of the substrate for display panel provided with an insulating substrate and elements fabricated by processing a plurality of conductive layers, insulation layers and semiconductor layers which are formed on the insulation substrate, the lowermost conductive layer out of the conductive layers is processed into a wiring element, the other conductive layers are electrically connected to the lowermost conduct layer.例文帳に追加

絶縁基板と、その上に形成された導電層の複数、絶縁層および半導体層を加工して得られた要素とを備えた表示パネル用基板の製造において、導電層の複数のうち最下層に配された導電層を加工して形成された配線要素に電気的に接続した他の導電層を形成する。 - 特許庁

A method for forming the transducing head 40 having a magnetic recording element includes: a step for forming a pedestal 48 in the vicinity of a recording pole 42 and a gap layer 46; a step for depositing a front shield 56 on the pedestal; a step for etching the front shield; and a step for depositing a backfill layer 50 on the front shield after etching.例文帳に追加

磁気記録素子を有する変換ヘッド４０を形成するための方法は、記録ポール４２およびギャップ層４６の近傍に台座部４８を形成するステップと、前方シールド５６を台座部上に堆積するステップと、前方シールドをエッチングするステップと、エッチングの後、バックフィル層５０を前方シールド上に堆積するステップとを含む。 - 特許庁

The high temperature sensor is equipped with a sensor element body A constituted by integrally joining a front plate 3 comprising a material having heat resistance higher than that of a piezoelectric vibrator 2 to one electrode layer 5b of the piezoelectric vibrator 2 comprising lithium niobate having electrode layers 5a and 5b formed on both surfaces thereof through a joining layer 4 comprising a heat-resistant inorganic ceramic adhesive.例文帳に追加

両面に電極層５ａ，５ｂを形成したニオブ酸リチウムから成る圧電振動子２の一方の電極層５ｂ上に、耐熱無機系セラミックス接着剤から成る接合層４を介して、圧電振動子２よりも耐熱性の高い材料から成る前面板３を接合して一体化したセンサ要素体Ａを備えたことを特徴とする。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting element having a light generation layer for radiating light and a translucent substrate to the light at the side of the substrate, there are a first side that is formed by cleavage and prevents a crystal defect, a second side for injecting one portion of the light from the light generation layer to the outside, and a third side for facilitating mounting.例文帳に追加

光を放射する発光層と、この光に対して透光性を有する基板と、を備える半導体発光素子において、上記基板の側面に、へき開によって得られ結晶欠陥を防止する第１の側面と、上記発光層からの光の一部を外部に射出する第２の側面と、マウントを容易にする第３の側面と、を設ける。 - 特許庁

The surface hardened layer 15 which is subjected to continuous induction hardening over the whole range of the side face which has rolling element rolling contact grooves 1a and 1b of the guide rail 1, and setting bolt hole 4 for securing the guide rail to a member to be set is formed by penetrating a center part where the hardened layer 15 is not formed.例文帳に追加

案内レール１の転動体転動溝１ａ，１ｂを有する側面の全域に渡って連続した高周波焼入れされた表面硬化層１５が形成され、当該硬化層１５が形成されていない中央部分を貫通して前記案内レールを被取付け部材に固定するための取付けボルト孔４が形成されている。 - 特許庁

This organic electroluminescent element has a pair of electrodes comprising an anode 12 and a cathode 16, and a layer comprising an organic material of two or more layers containing at least a luminous layer 14 between the electrodes, and a region 17 added with an organic material having strong electron acceptability or an strong electron donatability is installed in a region coming in contact with the cathode 16 or the anode 12.例文帳に追加

陽極１２と陰極１６からなる一対の電極と、その間に少なくとも発光層１４を含めた２層以上の有機物から構成される層を有した有機電界発光素子において、陰極１６または陽極１２と接する領域に電子受容性または電子供与性が強い有機物を添加した領域１７を設ける。 - 特許庁

To provide a transistor which has a structure having a high flexibility in a design regarding a gate wiring even when an element region where a source diffused layer and a drain diffused layer are alternately formed is increased in an area, and can preferably suppress the reduction of a surge resistance caused by a charge variation (unbalance) of each gate in the same region.例文帳に追加

ソース拡散層とドレイン拡散層とが交互に形成される素子領域を大面積化する場合であれ、ゲート配線にかかる設計に関して自由度の高い構造を有し、同領域内の各ゲートの充電ばらつき（アンバランス）に起因するサージ耐量の低下についてもこれを好適に抑制することのできるトランジスタを提供する。 - 特許庁

The ZnSe light emitting element which emits the light from an emitting surface 16 to an exterior includes an n-type ZnSe substrate 1 having a self-activation luminescent center SA, an active layer 4 formed on the substrate 1, and an Al layer 9a disposed on a surface at an opposite side to the emitting surface 16 to reflect the light to the emitting surface side.例文帳に追加

出射面１６から光を外部に出射するＺｎＳｅ系発光素子であって、自己活性発光中心ＳＡを含むｎ型ＺｎＳｅ基板１と、ｎ型ＺｎＳｅ基板１の上に形成された活性層４と、出射面１６と反対側の面に位置し、光を出射面側に反射するＡｌ層９ａとを備える。 - 特許庁

When the voltage applied across electrodes 11 and 10 becomes higher and a depletion layer reaches a second N-type embedded diffused layer 3, punch- through occurs, and the voltage and current characteristics between the electrodes 10 and 11 become a clamping characteristic such as the reverse breakdown characteristic of a P-N junction diode, and the diode is energized and protects an element to be protected.例文帳に追加

電極１１、１０間の印加電圧が大きくなり、空乏層が第２のＮ型埋め込み拡散層３に到達するとパンチスルーを起こし、電極１０、１１間の電圧電流特性は、ＰＮ接合ダイオードの逆方向降伏特性のようなクランプ特性になり、このダイオードが導通して被保護素子を保護することができる。 - 特許庁

In the optical device provided with an optical stack constituted by sticking an optical element on an optical surface where light is incident or projected with the adhesive, and a coupling optical system, a moisture-proof layer is formed on at least one surface other than the optical surface of the optical stack to cover a part where an adhesion layer of the adhesive is exposed.例文帳に追加

光学素子を光が入射又は出射するその光学面において接着剤で貼り合わせて構成した光学スタック及び結合光学系を備える光デバイスにおいて、前記光学スタックの光学面を除いた少なくとも一つの面には、前記接着剤による接着層が露出する部分を覆うように耐湿層が形成されている。 - 特許庁