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layer elementの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 18197



例文

To provide a heating member with a heat generating member with an insulating layer and an exothermic layer made of a resistance heating element laminated, in which a local peeling between members composing the heat generating member is prevented from occurring and a local degradation in the efficiency of heat conductivity is prevented from occurring and there is no unevenness of surface temperature distributions against an established temperature.例文帳に追加

絶縁層および抵抗発熱体からなる発熱層が積層された発熱部材を有する加熱部材であって、加熱部材を構成する部材間で局部的な剥離が発生するのが防止されて、局部的な伝熱効率の低下が発生するのが防止され、表面の温度分布が設定温度に対してばらつきのない加熱部材を提供する。 - 特許庁

For the organic electroluminescent element having an organic layer 5 with light emitting area between a positive electrode 2 and a negative electrode 3, the organic layer 5 contains a conductive polymer, to the principal chain or side chain of which, compounds having styryl or distyryl structure in its molecular structure, are chemically bonded.例文帳に追加

発光領域を有する有機層5が陽極2と陰極3との間に設けられている有機電界発光素子において、スチリル又はジスチリル構造を分子内に有する化合物が主鎖又は側鎖に化学的に結合してなる導電性高分子化合物が、有機層5に含まれていることを特徴とする、有機電界発光素子。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element capable of preventing generation of a spike and conduction failure by fully covering a sidewall surface and bottom surface of a hole with target material in forming the target material as a barrier layer and an Al layer or the like especially on the hole with a high aspect ratio formed on a semiconductor substrate such as an Si wafer.例文帳に追加

Siウエハ等の半導体基板上に形成された特に高アスペクト比の穴に、バリア層やAl層等となるターゲット材料を成膜した際に、穴の側壁面及び底面をターゲット材料で完全に覆うことを可能にすることにより、スパイクの発生や導通不良の発生を防止することが可能な、半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The NOx reactor 10 is equipped with a solid electrolyte layer 12 comprising, as a principal component, a tin-phosphorous composite oxide or a tin-phosphorous composite oxide wherein a portion of tin is substituted with a group 13 element in the periodic table and a pair of electrodes (an anode 14 and a cathode 16) disposed in such a manner as to envelop the solid electrolyte layer 12.例文帳に追加

NOxリアクタ10は、スズ・リン複酸化物又はスズ・リン複酸化物のうち一部のスズを周期表13族の元素に置換した化合物を主成分とする固体電解質層12と、この固体電解質層12を挟み込むようにして配置された一対の電極(アノード14,カソード16)とを備えたものである。 - 特許庁

例文

A charge storage film 15 is formed on a semiconductor substrate 11, and a plurality of element isolation insulating films which extend in a memory string direction are formed at an upper-layer part of the semiconductor substrate 11 to part the electric charge storage film 15 in an electrode direction and also to section the upper-layer part of the semiconductor substrate 11 into a plurality of semiconductor parts 13.例文帳に追加

半導体基板11上に電荷蓄積膜15を形成し、半導体基板11の上層部分にメモリストリング方向に延びる複数本の素子分離絶縁膜を形成することにより、電荷蓄積膜15を電極方向に分断すると共に、半導体基板11の上層部分を複数本の半導体部分13に区画する。 - 特許庁


例文

This pattern forming method includes a process wherein an electron beam emission element 10 having at least one pyramid part 18 whose surface is made of diamond is prepared; a process wherein an electron beam 19 is emitted from the pyramid part 18 to expose an electron beam sensitive resist layer 22 by applying a voltage; and a process wherein a portion of the resist layer 22 is removed to execute patterning.例文帳に追加

表面がダイヤモンドからなる少なくとも一つの錐体部18を有する電子線放出素子10を用意する工程と、電圧を印加して錐体部18から電子線19を放出させて、電子線感応性のレジスト層22を暴露する工程と、レジスト層22の一部を除去してパターニングする工程と、を含む。 - 特許庁

The device is provided with an n-well layer 2 provided on the top part of a p-type silicon substrate 1, a p-type residual substrate 1a provided on the layer 2 on the top part of the substrate 1 and having an impurity concentration distribution uniform in the depth direction, and an MOS transistor element provided in this residual substrate 1a.例文帳に追加

P型シリコン基板1の上部に設けられたNウェル層2と、P型シリコン基板1の上部においてNウェル層2の上に設けられた、不純物濃度分布が深さ方向に均一であるP型の残存基板1aと、この残存基板1a内に設けられたMOSトランジスタ素子とを具備することを特徴としている。 - 特許庁

A connection part of the wiring 30 of a first electrode 12 and a driving circuit 20 is electrically connected by capacity coupling in a state where an insulation layer 40 for a capacitor used as a capacitor made of same material as a second insulation layer 15 for structuring the inorganic EL element 10 is inserted in series between the wiring 30 and the driving circuit 20.例文帳に追加

第1の電極12の配線30と駆動回路20との接続部は、これら配線30と駆動回路20との間に、無機EL素子10を構成する第2の絶縁層15と同じ材料よりなるコンデンサとしてのコンデンサ用絶縁層40を直列に挿入した状態で容量結合により電気的に接続されている。 - 特許庁

The manufacturing method of the light-emitting element comprises a process of coating solution with a light-emitting material making up a light-emitting layer 8 dissolved in a solvent, and a process of adjusting light emission wavelengths of the light-emitting layer 8 made of the light-emitting material by drying the above solution and adjusting a residual volume of the solvent.例文帳に追加

本発明の発光素子の製造方法は、発光層8を構成する発光材料を溶媒に溶解した溶液を塗布する工程と、前記溶液を乾燥させて前記溶媒の残留量を調整することにより、当該発光材料からなる前記発光層8の発光波長を調整する工程と、を有することを特徴とする。 - 特許庁

例文

To provide a liquid crystal optical element in which an interlayer reflection action and an internal light interference action are minimized by arranging an intermediate layer between a transparent electrode and an alignment layer, and also to provide an optical device of which the reliability is enhanced by suppressing the influence of the interlayer reflection action and the internal light interference action as much as possible.例文帳に追加

透明電極と配向膜との間に中間層を設けることで、上述した層間反射作用と、内部光干渉作用を最小限にした液晶光学素子、および層間反射作用と内部光干渉作用の影響を極力抑えて装置信頼性を向上させた光学装置を提供することである。 - 特許庁

例文

The writing wiring 1 for writing information on an MTJ element 21 is covered with the magnetic layer 2, which has a structure in which a growth direction of columnar particles is 30 degrees or smaller to a normal direction of a side wall or has the structure in which the particles deposit in the form of a layer or has the structure in which the particles deposit amorphously.例文帳に追加

MTJ 素子21に情報を書き込むための書き込み配線1 は磁性層2 で被覆されており、磁性層は、柱状粒子の成長方向が側壁の法線方向に対して30度以下である構造を有する、または、粒子が層状に堆積した構造を有する、または、アモルファス状に堆積した構造を有する。 - 特許庁

The organic electroluminescence element includes an anode as a hole injection electrode, a cathode as an electron injection electrode located so as to face the anode, an organic electroluminescence layer located between the anode and the cathode, and has a molybdenum oxide layer in which a crystal and amorphous are mixed or laminated.例文帳に追加

正孔注入電極である陽極と、陽極に対向するように設けられた電子注入電極である陰極と、陽極と陰極との間に設けられた有機発光層と、を備え、陽極と有機発光層との間に設けられ、結晶とアモルファスとが混合または積層した酸化モリブデン層とを備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

The first switching element 10 has: a semiconductor layer laminate 13 composed of a nitride semiconductor formed on a substrate 11; a gate electrode 18, a first ohmic electrode 16 and a second ohmic electrode 17 formed on the semiconductor layer laminate 13; and a back electrode 20 formed on the back of the substrate 11.例文帳に追加

第1のスイッチング素子10は、基板11の上に形成された窒化物半導体からなる半導体層積層体13と、半導体層積層体13の上に形成されたゲート電極18、第1のオーミック電極16及び第2のオーミック電極17と、基板11の裏面に形成された裏面電極20とを有している。 - 特許庁

The electron emission element comprises a cathode electrode formed on a substrate; a gate electrode positioned on the cathode electrode and other layers with a first insulating layer inbetween; an electron emitting section electrically connected to the cathode electrode; and the focusing electrode formed on the cathode and gate electrodes with a second insulating layer inbetween.例文帳に追加

本発明による電子放出素子は、基板上に形成されるカソード電極と、第1絶縁層を間に置いてカソード電極と他の層に位置するゲート電極と、カソード電極に電気的に連結される電子放出部と、第2絶縁層を間に置いて前記カソード電極及びゲート電極上に形成される集束電極とを含む。 - 特許庁

This photoelectric conversion element is composed by arranging two of the semiconductor electrodes by facing the surfaces of the semiconductor electrodes to each other through an electrolyte layer abutting them, and is characterized in that one of the semiconductor electrodes has a metal oxide semiconductor layer having n-type conductivity and the other semiconductor electrode is the above type electrode.例文帳に追加

また、二つの半導体電極を、それに接した電解質層を介して互いの半導体電極表面を対面させて配置した光電変換素子であって、一方の半導体電極がn型伝導性の金属酸化物半導体層を有し、他方の半導体電極が前記半導体電極であることを特徴とする光電変換素子である。 - 特許庁

In the optically anisotropic element having an optically anisotropic layer consisting of a liquid crystal compound on a transparent supporting body, the optically anisotropic layer is polymerized with a photopolymerization initiator and at least two kinds of sensitizers having the absorption maximum wavelengths different from each other and different from the absorption maximum wavelength of the photopolymerization initiator.例文帳に追加

透明支持体上に、液晶性化合物からなる光学異方性層を有する光学異方性素子において、光学異方性層を、光重合開始剤および互いに異なり光重合開始剤の吸収極大波長とも異なるる吸収極大波長を有する少なくとも二種類の増感剤によって重合させる。 - 特許庁

A scintillator layer in the panel is a layer containing luminescent rare-earth element activating lutetium oxyorthosilicate phosphors expressed by a formula, Lu_2O_5Si:xM (where M is chosen from among a group of rare-earth elements consisting of Eu, Pr and Sm and x is 0.0001 to 0.2).例文帳に追加

X線での露光で赤色光を発光するシンチレータパネルであって、前記パネル中のシンチレータ層が式Lu_2O_5Si:xM(式中、MはEu,Pr及びSmからなる希土類元素の群から選択され、xは0.0001〜0.2である)によるルミネセント希土類活性化ルテチウムオキシオルトシリケート燐光体を含む層であることを特徴とする。 - 特許庁

The storage device has a storage element in which the organic compound layer is formed of an organic compound having a portion which has conductive particles dispersed in the layer and is photoisomerized.例文帳に追加

少なくとも一方が透光性を有する第1の導電層及び第2の導電層と、第1の導電層又は第2の導電層に接する有機化合物層とを有し、有機化合物層は、層内に分散された導電性粒子を有すると共に光異性化しうる部位を有する有機化合物で形成される記憶素子を有する記憶装置である。 - 特許庁

In the organic EL element constituted by the positive electrode 2 and the negative electrode 4 and the monolayer or the plural layers of organic compound layer 3 pinched between these electrodes, phenyl diamine is preferable as an organic amine in order to install an ultraviolet ray absorption layer 6 containing an organic amine between the positive electrode and the transparent support body.例文帳に追加

透明支持体1上に設けた陽極2及び陰極4とこれらの間に挟持された単層または複数層の有機化合物層3とにより構成される有機EL素子において、前記陽極2と前記透明支持体間1に有機アミンを含む紫外線吸収層6を設ける有機アミンとしては、フェニルジアミンが好適である。 - 特許庁

In a slice step of realizing circuit specifications required by a user according to multilayer wirings, one special purpose mask of contact forming an element, one stationary mask pattern of commonly using all via hole dispositions between wiring layers of thereafter multilayer wiring layer, wiring layer special purpose mask of the respective multilayer wirings, and a special purpose mask of the protective film, are prepared.例文帳に追加

ユーザーの要求する回路仕様を多層配線によって実現するスライス工程では、素子のコンタクト形成に関する専用マスク一つ、その後の多層配線層の配線層間における全てのビアホール配置が共通化される固定的なマスクパターン1つ、各多層配線それぞれの配線層専用マスク、及び保護膜の専用マスクが準備される。 - 特許庁

Lower electrodes 2 are formed on a substrate 1, a luminescent function layer 10 is formed on the lower electrodes 2, and the upper electrode 6 is formed on the function layer 10, so that a luminescent element region E is formed on the substrate 1; and the upper electrode extraction line 7 extracted from the upper electrode 6 is formed on the substrate 1.例文帳に追加

基板1上に下部電極2が形成され、下部電極2上に発光機能層10が形成され、発光機能層10上に上部電極6が形成されることによって、基板1上に発光素子領域Eが形成されると共に、基板1上に上部電極6から引き出される上部電極引き出し線7が形成される。 - 特許庁

The liquid ejecting head I includes: a pressure generating chamber 12 communicating with a nozzle opening 21; a first electrode 60 containing platinum; a piezoelectric layer 70 composed of an oxide containing potassium, sodium, niobium, bismuth, and iron, which is formed on the first electrode 60; and the piezoelectric element 300 having a second electrode 80 formed on the piezoelectric layer 70.例文帳に追加

ノズル開口21に連通する圧力発生室12と、白金を含む第1電極60と、第1電極上60に設けられカリウム、ナトリウム、ニオブ、ビスマス及び鉄を含む酸化物からなる圧電体層70と、圧電体層70上に形成された第2電極80とを備えた圧電素子300とを具備する液体噴射ヘッドIとする。 - 特許庁

A heating element layer made of conductive polymeric composition having PTC property is arranged so as not to stride over the conductor of the electrode wires, and those elements are covered by an insulation cover layer.例文帳に追加

ポリマー材料からなるコア上に、絶縁材料の介在によって隔離された2本の導体からなる電極線が螺旋状に配置され、かつ前記電極線の導体を跨がないようにPTC特性を有する導電性ポリマー組成物からなる発熱体層が設けられ、その上には絶縁被覆層が形成された丸型自己温度制御ヒータとすることによって、解決される。 - 特許庁

In the organic electroluminescent element, having an emission layer arranged between a pair of electrodes, the emission layer contains an emission material, and a host polymer having a first unit interacting with the emission material and a second unit having a conjugated and nonconjugated structure so that energy can be transmitted to the emission material.例文帳に追加

一対の電極間に配置された発光層を備える有機エレクトロルミネッセント素子において、発光層が、発光材料と、発光材料にエネルギーを伝達することができるように発光材料と相互作用する第1のユニット及び共役及び非共役構造を有する第2のユニットを有するホストポリマーとを含有することを特徴としている。 - 特許庁

A static electricity countermeasure element 100 comprises: an insulating substrate 11; a pair of electrodes 21 and 22 disposed separately from and oppositely to each other on the insulating substrate 11; a functional layer 31 disposed between the electrodes 21 and 22; and a plurality of intermediate electrodes 41 disposed separately from the pair of the electrodes 21 and 22 via the functional layer 31.例文帳に追加

静電気対策素子100は、絶縁性基板11と、絶縁性基板11上において相互に離間して対向配置された一対の電極21,22と、電極21,22間に配置された機能層31と、機能層31を介して一対の電極21,22と離間して配置された複数の中間電極41と、を有する。 - 特許庁

The manufacturing method of a stacked piezoelectric element includes, at forming a ceramic laminate, an intermediate laminate forming process in which a green sheet 110 which is a piezoelectric layer and an internal electrode layer 20 are alternately stacked to form an intermediate laminate 100, and a baking process in which the intermediate laminate 100 is baked to form a ceramic laminate.例文帳に追加

積層型圧電素子の製造方法において、セラミック積層体を形成するに当たっては、圧電層となるグリーンシート110と内部電極層20とを交互に積層して、中間積層体100を形成する中間積層体形成工程と、中間積層体100を焼成して、セラミック積層体を形成する焼成工程とを含む。 - 特許庁

To provide a transparent conductive layer, and a photovoltaic element employing it, which exhibits superior photoelectric conversion characteristics even under a high temperature, high humidity or long term use or when a process in reducing atmosphere, e.g. annealing or hydrogen processing, is included in the process following to formation of a transparent conductive layer containing zinc oxide.例文帳に追加

高温下、多湿下、あるいは長期間にわたる使用下などにおいても、あるいは酸化亜鉛を含む透明導電層を形成した後の行程において加熱処理、アニール処理、水素処理のような還元雰囲気の行程を含む場合にも優れた光電変換特性をもつ透明導電層、それを用いた光起電力素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

The NiPRe alloy, which has excellent chemical resistance, keeps good non-magnetic state even when heated with high temperature, and can suppress element diffusion on a boundary surface to the magnetic layer, can be formed with plating, by setting a composition ratio of the NiPRe alloy used as the gap layer within a range surrounded by boundary lines A to E on a ternary diagram.例文帳に追加

ギャップ層として使用されるNiPRe合金の組成比を三元図上の境界線AないしEで囲まれた範囲内にすることで、耐薬品性に優れるとともに、高い温度の加熱によっても良好に非磁性状態を保ち、さらに磁極層との界面での元素拡散を抑制することができるNiPRe合金をメッキ形成できる。 - 特許庁

By forming the transparent conductive film 6 whose refractive index increases toward the top face of an optical semiconductor device 3 so as to cover from the top face of the optical semiconductor element over a lead frame 2b extracted outside from near the optical semiconductor device 3, there is not a large difference in refractive index between a semiconductor layer of the optical semiconductor device 3 and the transparent conductive film layer.例文帳に追加

光半導体素子3の上面に向かって高い屈折率を有した透明導電膜6を、光半導体素子3上および光半導体素子3近傍から外側に導出するリードフレーム2bにかけて被覆させることにより、光半導体素子3の半導体層と透明導電膜層間での屈折率に大きな差が生じなくなる。 - 特許庁

This image pickup element has a plurality of light receiving sensors 11 and vertical transfer registers 12 arranged on one side of a light receiving sensor array, and insulation films 21 thicker than the gate insulation films 16 are formed just under ends of transfer electrodes 17A, 17C on first layer, and 17B, 17D on second layer arranged between vertically adjacent light receiving sensors 11.例文帳に追加

複数の受光センサ部11と各受光センサ列の一側に配されて垂直転送レジスタ12を有し、垂直方向に隣り合う受光センサ部11間上に1層目及び2層目の転送電極17A及び17C,17B及び17Dが転送電極17の端部直下にゲート絶縁膜16より厚い絶縁膜21が形成されて成る。 - 特許庁

The organic EL display device of active matrix type has a polarizing plate 119 arranged on a display face side with the opposite side of a substrate 101 as the display face and has a flattening layer for reducing an irregularity shape corresponding to a circuit pattern of a thin film transistor, has a pixel electrode 115 and an organic EL element installed on the flattening layer.例文帳に追加

基板101の反対側を表示面として、表示面側に偏光板119を配置するとともに、薄膜トランジスタの回路パターンに対応した凹凸形状を低減するための平坦化層を有し、平坦化層の表面に画素電極115及び有機EL素子を設けたアクティブマトリクス方式の有機EL表示装置である。 - 特許庁

The antistatic laminated body is to be used in the polarizing plate, is composed of a light transmitting base material 2 and an antistatic layer 3 formed on the light transmitting base material and composed of an antistatic prevention agent (fine particles) 5, wherein the antistatic layer is not positioned upper than a polarizing element of the polarizing plate.例文帳に追加

偏光板に使用される帯電防止積層体であって、光透過性基材2と、該光透過性基材の上に形成され、帯電防止剤(微粒子)5でなる帯電防止層3とにより構成されてなり、かつ、前記帯電防止層が前記偏光板の偏光素子よりも上面に位置しないものである帯電防止積層体により達成される。 - 特許庁

The purpose is attained by this outside surface resin-covered steel pipe having on a steel pipe outside surface a resin covering layer composed of at least two layers composed of a polyolefinic resin and an olefinic polar resin having a functional group composed of an element other than carbon and hydrogen, and having polarity, and is characterized in that the outermost surface is a polyolefinic resin layer.例文帳に追加

上記課題は、鋼管外面にポリオレフィン樹脂および、炭素・水素以外の元素からなる官能基を持ち極性を有するオレフィン系極性樹脂層からなる最低でも2層で構成される樹脂被覆層を有し、最外面がポリオレフィン樹脂層であることを特徴とする外面樹脂被覆鋼管によって解決される。 - 特許庁

Of the conductive particles composed of a core part 51 with nickel as a main component and a coating layer 52 covering the surroundings of the core part 51, the coating layer 51 is constituted of metal or an alloy having as a main component at least one kind of element selected from ruthenium (Ru), rhodium (Rh), rhenium (Re), platinum (Pt), iridium (Ir), and osmium (Os).例文帳に追加

ニッケルを主成分とするコア部51と、コア部51の周囲を覆っている被覆層52とを有する導電性粒子であって、被覆層51が、ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)、レニウム(Re)、白金(Pt)、イリジウム(Ir)およびオスミウム(Os)から選ばれる少なくとも1種の元素を主成分として有する金属または合金で構成してある。 - 特許庁

The laminated polyester film consists of polyester containing 5 to 30 ppm titanium element and 0.1 to 2.5 wt.% diethylene glycol component and is formed by laminating at least one polyester layer B whose surface has 30 to 300 nm ten-point average surface roughness (WRzB) on one surface of a polyester layer A having 70 to 180°C crystallization parameter ΔTcm.例文帳に追加

チタン元素を5〜30ppm含有し、ジエチレングリコール成分を0.1〜2.5重量%含有するポリエステルからなり、更に結晶化パラメータΔTcmが70〜180℃の範囲にあるポリエステル層Aと、該層Aの片面に表面の十点平均粗さ(WRzB)が30〜300nmであるポリエステル層Bを少なくとも一層積層してなる積層ポリエステルフィルム。 - 特許庁

In the method for fabricating a magnetic tunnel junction element, when an alumina film is formed as a tunnel barrier film on a ferromagnetic layer 16 of Ni-Fe alloy, or the like, an aluminum film 18 is formed by sputtering on the ferromagnetic layer 16 and then oxidized while coating it with an alumina film by reactive sputtering.例文帳に追加

例えば磁気トンネル接合素子の製法において、Ni−Fe合金等の強磁性層16の上にトンネルバリア膜としてのアルミナ膜を形成する場合、強磁性層16の上にスパッタ法によりアルミニウム膜18を形成した後反応性スパッタ法によりアルミニウム膜18の上にアルミナ膜を被着しつつアルミニウム膜18を酸化する。 - 特許庁

The liquid crystal display device comprises: a first substrate 10; a second substrate 20 disposed nearer to an observer than the first substrate 10; a liquid crystal layer 30 between the substrates; a light diffusing element 24 disposed nearer to the observer than the liquid crystal layer 30; and a light source 2 disposed in the side of the first substrate 10.例文帳に追加

本発明による液晶表示装置は、第1基板10と、第1基板10よりも観察者側に配置された第2基板20と、これらの間に設けられた液晶層30と、液晶層30よりも観察者側に配置された光拡散素子24と、第1基板10の側方に設けられた光源2とを備えている。 - 特許庁

The electric heating/warming composite fabric article 10 comprises at least a fabric layer 12 having inner and outer surfaces and an electric heating/warming element 16 formed, e.g. of die cut, conductive textile or plastic sheeting or metal foil, and affixed at the inner surface of the fabric layer and adapted to generate heating/warming when connected to the power source.例文帳に追加

電気加熱/加温複合布製品10は、内面および外面を有する布層12と、たとえば打ち抜かれた導電織物またはプラスチックシートまたは金属箔から形成され、上記布層の内面に固着され、電源に接続されると加熱/加温を起こすようになされている電気加熱/加温素子16とを少なくとも備えている。 - 特許庁

This optical recording medium 1 has the phase change type recording layer 3b utilizing a reversible phase change between an amorphous phase and a crystalline phase; a recording layer 5 contains antimony as a principal component and contains at least one kind of element, selected from rare earth metals and other group except group VIb, as an accessory component.例文帳に追加

非晶質相と結晶質相との可逆的な相変化を利用した相変化型の記録層3b有する光記録媒体1であって、記録層5は、Sbを主成分として含有すると共に、VIb族を除く他の族および希土類金属から選択される少なくとも1種の元素を副成分として含有している。 - 特許庁

The semiconductor substrate 101 is electrically connected to a terminal of one polarity of a power source 105, and the first semiconductor layer 102 is electrically connected to a terminal of the other polarity of the power source 105 via a first impedance element 106, thus applying a reverse bias between the semiconductor substrate 101 and the first semiconductor layer 102.例文帳に追加

半導体基板101は電源装置105の一方の極の端子に電気的に接続されると共に、第1半導体層102は第1のインピーダンス素子106を介して電源装置105の他方の極の端子に電気的に接続されることにより、半導体基板101と第1半導体層102との間に逆バイアスが印加される。 - 特許庁

In the organic EL element 101 having a transparent substrate 12 and pinching an organic electroluminescence (EL) layer 16 between a pair of electrodes formed of an anode 14 and a cathode 20 disposed in the transparent substrate 12, a light emitting surface 26 of the transparent substrate 12 is provided with a light scattering layer 30 for backwardly scattering visible light coming from the outside.例文帳に追加

透明基板12を有し、該透明基板12に設けられた陽極14及び陰極20からなる一対の電極間に有機エレクトロルミネッセンス(EL)層16を挟持してなる有機EL素子101において、透明基板12の発光面26に、外部から入射する可視光を後方散乱させる光散乱層30を設ける。 - 特許庁

In the resin encapsulated semiconductor element 1, a ground insulating film 3 which consists of silicon oxide is formed on a semiconductor substrate 2 in which an integrated circuit is formed, thereon a wiring layer 4 is formed which is constituted of aluminum and connected with the integrated circuit, and a cover insulating film 5, constituted of silicon nitride, is formed on the wiring layer 4.例文帳に追加

本発明の樹脂封止型半導体素子1は、集積回路の形成された半導体基板2上に酸化シリコンからなる下地絶縁膜3が形成され、その上に集積回路に接続するアルミニウムからなる配線層4が形成され、さらに配線層4上に窒化シリコンからなるカバー絶縁膜5が形成されている。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic head in which film design of a periphery of a bias magnetic field applying layer in which an optimum bias magnetic field is obtained is performed in accordance with thinning a whole element, reproduction output is large even in a thin bias magnetic field applying layer, dispersion of reproduced waveform symmetry is less, reproduced waveform symmetry is excellent, and an occurrence rate of Barkhousen noise is less.例文帳に追加

素子全体の薄層化に応じて、最適なバイアス磁界が得られるようなバイアス磁界印加層周辺の膜設計を行い、薄いバイアス磁界印加層でも再生出力が大きく、再生波形対象性のバラツキが少なく再生波形対象性に優れ、バルクハウゼンノイズの発生率が少ない薄膜磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

This light emitting element 1 has at least a positive electrode 3, the luminescent layer 5 having the quantum dot 11, and a negative electrode 4 in this order, and the luminescent layer 5 contains a semiconductor particle 12 having a band gap larger than that of the quantum dot 11, and the particle diameter of the semiconductor particle 12 is larger than the particle diameter of the quantum dot 11.例文帳に追加

少なくとも、陽極3と、量子ドット11を有する発光層5と、陰極4とをその順で有する発光素子1であって、その発光層5は、量子ドット11よりもバンドギャップが大きい半導体微粒子12を含み、その半導体微粒子12の粒径が量子ドット11の粒径よりも大きいように構成して、上記課題を解決した。 - 特許庁

The manufacturing installation of the organic EL element comprises a first film forming unit 10 for carrying out applying formation of an organic thin film layer in an inert gas atmosphere and a second film forming unit 20, which is connected to this first film forming unit 10 in an airtight state, for forming a negative electrode on the organic thin film layer in a vacuum atmosphere.例文帳に追加

本発明の有機EL素子製造装置は、不活性ガス雰囲気中において有機薄膜層を塗布形成するための第1の成膜ユニット10と、この第1の成膜ユニット10と気密的に接続され、真空雰囲気中において有機薄膜層上に陰極を形成するための第2の成膜ユニット20とを有する。 - 特許庁

An information writing operation to the storage element 21 of a drive target is performed by applying a voltage V1 equal to or greater than a predetermined threshold value between the electrode 215A and the electrode 215B thereby to form a filament 210 which is a conductive path electrically connecting the semiconductor layer 212N and the semiconductor layer 213N between those semiconductor layers 212N, 213N.例文帳に追加

駆動対象の記憶素子21に対して、電極215Aと電極215Bとの間に所定の閾値以上の電圧V1を印加して、半導体層212Nと半導体層213Nとの間の領域にそれらの半導体層同士を電気的に繋ぐ導電パスであるフィラメント210を形成することにより、情報の書き込み動作を行う。 - 特許庁

The region of the hologram element includes a diffraction grating, transmittance of respective regions making diffraction light is set so that a first region having high transmittance, a second region having low transmittance, and a third region having intermediate transmittance are arranged in order from the outside, and stray light which causes cross talk and which is light from a layer different from the information recording layer is reduced by the photodetector.例文帳に追加

ホログラム素子の領域は回折格子を含み、回折光とする各領域の透過率を設定し、外側から透過率の高い第1の領域、透過率の低い第2の領域、その中間の透過率の第3の領域をとなるようにし、クロストークの原因となる情報記録層と異なる層からの迷光を光検出器で低減させる。 - 特許庁

A thermal conduction layer 5 which overlaps with the joining part 30 when viewed from thickness direction and is extended toward the outside of the joining part 30 is formed at least on one of the element substrate 10 and the sealing member 20, and the joining part 30 is selectively heated and joined with the thermal conduction layer 5 being in contact with a heat radiator 40.例文帳に追加

素子基板10及び封止部材20の少なくとも一方に、厚み方向から見たとき接合部30と重複し、かつ接合部30の外側へ延在するように熱伝導層5を形成するとともに、熱伝導層5に放熱器40を接触させた状態で接合部30を選択的に加熱して接合を行う。 - 特許庁

The piezoelectric element has a piezoelectric film and a pair of electrodes which make contact with the piezoelectric film on a substrate, where the piezoelectric film has a structure in which lead-based piezoelectric films and non-lead piezoelectric films are laminated, and the furthest layer of the piezoelectric film from the substrate and the nearest layer of the piezoelectric film to the substrate are the non-lead piezoelectric films.例文帳に追加

圧電膜と該圧電膜に接する一対の電極とを基板上に有する圧電素子であって、前記圧電膜は、鉛系圧電膜と非鉛系圧電膜とが積層した構造を有し、前記圧電膜の、前記基板から最も遠い層と前記基板に最も近い層とは、非鉛系圧電膜であることを特徴とする圧電素子。 - 特許庁

例文

The electrooptical device provided with a element substrate 1 having a pixel electrode 3, is characterized in that the pixel electrode 3 is made of a highly electrically conductive metal with ruggedness; a transparent electrically conductive layer 5 is arranged on the surface of the highly electrically conductive metal; and the transparent electrically conductive layer has a 100-500 Å thickness.例文帳に追加

画素電極3を有する素子基板1を備えた電気光学装置において、前記画素電極3は凹凸を有する高導電性金属からなり、前記高導電性金属の表面には透明導電体層5が配置されてなり、前記透明導電体層は100〜500オングストロームの膜厚を有することを特徴とする。 - 特許庁




  
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