「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(308ページ目) - Weblio英語例文検索

To make analyzable the behavior of an electromagnetic wave made incident on an optical element having no periodic structure with high accuracy and a small calculation quantity by using RCWA (rigorous coupled-wave analysis) for analyzing the behavior of an electromagnetic wave made incident on an optical element having an infinite periodic structure by using an absorption layer.例文帳に追加

本発明は、吸収層を用いることで、無限の周期構造を持つ光学素子に入射される電磁波の振るまいを解析するＲＣＷＡを使って、周期構造を持たない光学素子に入射される電磁波の振るまいを解析するときに、高精度かつ少ない計算量で電磁波の振るまいを解析できるようにすることを目的とする。 - 特許庁

The developing roller is constituted so that the coating layer having a resin and a conducting agent is directly formed on a periphery of the shaft comprising at least an aluminum alloy, wherein the aluminum alloy contains 0.2 to 0.8% by mass of silicon element and 0.05 to 1.5% by mass of manganese element, based on the total mass of the aluminum alloy.例文帳に追加

少なくともアルミニウム合金からなるシャフトの外周に、樹脂と導電剤とを有する被覆層を直接形成して構成される現像ローラにおいて、該アルミニウム合金がアルミニウム合金総量に対してケイ素元素を０．２〜０．８質量％、マンガン元素を０．０５〜１．５質量％含有していることを特徴とする現像ローラ。 - 特許庁

In order to form the LDD regions which have the concentration grade of the impurity element, a gate electrode 607 having a taper part and a gate insulating film 605 having a taper part are formed and the impurity element, for conductivity-type control, which is ionized is passed through the gate insulating film 605 so as to be added to a semiconductor layer.例文帳に追加

このような不純物元素の濃度勾配を有するＬＤＤ領域を形成するために、本発明ではテーパー部を有するゲート電極６０７とテーパー部を有するゲート絶縁膜６０５とを設け、イオン化した導電型制御用の不純物元素を、ゲート絶縁膜６０５を通過させて半導体層に添加する方法を用いる。 - 特許庁

To provide an optical compensating element having little long term deterioration by preventing light leakage in a wide field angle, and optically compensating a liquid crystal layer of a black display state in higher precision, and to provide its manufacturing method, and a liquid crystal display and a liquid crystal projector having high image quality in high field angle and high contrast by using the optical compensating element.例文帳に追加

黒表示状態の液晶層を、より高い精度で光学的に補償し、幅広い視野角において光漏れを防止し、経年劣化の少ない光学補償素子及びその製造方法、前記光学補償素子を用いることにより、高視野角、高コントラストで高画質な液晶表示装置及び液晶プロジェクタの提供。 - 特許庁

An imaging device 1 is manufactured that includes the steps of placing a support member 3b on a substrate 2; applying an adhesive to an exposed point on the substrate 2; placing an imaging element 4 on the support member 3b and the adhesive; and connecting the substrate 2 and the imaging element 4 via an adhesive layer 3a obtained by curing the adhesive.例文帳に追加

基板２上に支持部材３ｂを載置する工程と、基板２上の露出箇所に接着剤を塗布する工程と、支持部材３ｂ及び接着剤の上に撮像素子４を載置する工程と、接着剤の硬化による接着層３ａで基板２と撮像素子４を連結する工程とによって、撮像装置１の製造を行う。 - 特許庁

The NAND flash memory 100 has a columnar floating gate formed on an element region via a gate insulating film, a diffusion layer formed on regions located on both sides of the floating gate out of the element region, and a control gate formed so as to surround the periphery of the floating gate via an IPD film formed on the side surfaces of the floating gate.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１００のメモリセルは、素子領域上にゲート絶縁膜を介して形成された柱状の浮遊ゲートと、素子領域のうち浮遊ゲートの両側に位置する領域に形成された拡散層と、浮遊ゲートの側面に形成されたＩＰＤ膜を介して前記浮遊ゲートの周囲を囲むように形成された制御ゲートと、を有する。 - 特許庁

To provide a laminated dielectric element that uses an inexpensive base metal material such as Cu as an electrode, can sufficiently join an electrode material such as the Cu to a ceramic material, and can fully show characteristics in a dielectric ceramic layer, to provide a method for manufacturing the laminated dielectric element, and to provide a paste material for electrodes.例文帳に追加

Ｃｕ等の低価格の卑金属材料を電極として使用して，Ｃｕ等の電極材料とセラミック材料とを十分に接合させることができると共に誘電セラミック層の特性を十分に発揮させることができる積層型誘電素子及びその製造方法，並びに電極用ペースト材料を提供すること。 - 特許庁

In carrying out a salicide process, at least in a part of an exposure region of a semiconductor substrate surface other than an element formation region, a salicide block used as a mask preventing a silicide layer from being formed on the semiconductor substrate surface in the exposure region of the semiconductor substrate surface other than the element formation region is formed on the semiconductor substrate surface.例文帳に追加

サリサイド工程を行うに際し、素子形成領域以外の半導体基板表面の露出領域の少なくとも一部に、素子形成領域以外の半導体基板表面の露出領域の半導体基板表面にシリサイド層が形成されることを防止するマスクとなるサリサイドブロックを半導体基板表面上に形成する。 - 特許庁

To provide an orientational single layer ferroelectric oxide thin film which has a smooth surface and is useful for making a high quality switching element, to provide a method for profitably produce the same, and to provide a high quality switching element obtained by laminating a conductive thin film to the ferroelectric oxide thin film having the smooth surface.例文帳に追加

平滑な表面を有し、高品質なスイッチング素子の作製ために有用な配向性単層強誘電体酸化物薄膜及びその工業的に有利な製造方法並びに該平滑な表面を有する強誘電体酸化物薄膜上に導電体薄膜を積層してなる高品質なスイッチング素子を提供すること。 - 特許庁

A semiconductor laser device is provided with an optical fiber 20 for guiding laser beams where an optical fiber grating 30 is formed; and a pump laser module 10 constituted of a semiconductor laser element 11 with an SQW active layer 41 for emitting the laser beam, and a coupling optical system 15 for coupling the laser beam emitted from the semiconductor laser element 11 to the optical fiber 20.例文帳に追加

光ファイバグレーティング３０が形成されるとともに、レーザ光を導波する光ファイバ２０と、ＳＱＷ活性層４１を有してレーザ光を出射する半導体レーザ素子１１と、半導体レーザ素子１１から出射したレーザ光を光ファイバ２０へ結合する結合光学系１５とから構成されるポンプレーザモジュール１０とを備えるようにする。 - 特許庁

The gas sensor element 1 includes an oxygen-ion inductive solid-state electrolyte body 13, the measurement target gas side electrode 14 and a reference gas side electrode 15 respectively installed on one surface and the other surface of the solid-state electrolyte body 13, and a diffused resistor layer 12 for penetrating the formed measurement target gas between the measurement target gas side electrode 14 and the outside of the element.例文帳に追加

酸素イオン伝導性の固体電解質体１３と、固体電解質体１３の一方の面と他方の面とにそれぞれ設けた被測定ガス側電極１４及び基準ガス側電極１５と、被測定ガス側電極１４と素子外部との間に形成され被測定ガスを透過させる拡散抵抗層１２とを有するガスセンサ素子１。 - 特許庁

This magnetic random access memory comprises a substrate (1), a magnetoresistive element (5) which includes a ferromagnetic layer (8) having reversible spontaneous magnetization and whose resistance changes according to the direction of the spontaneous magnetization and which is formed above the substrate (1), and wiring (1) through which a current for generating a magnetic field applied to the magnetoresistive element (5) flows.例文帳に追加

本発明による磁気ランダムアクセスメモリは，基板（１）と、反転可能な自発磁化を有する強磁性層（８）を含み，自発磁化の方向に応じて抵抗が変化し，且つ，前記基板（１）の上方に形成された磁気抵抗素子（５）と，磁気抵抗素子（５）に印加される磁場を発生する電流を流すための配線（１１）とを備えている。 - 特許庁

This is an organic electroluminescent element in which an optical film having a micro concavo-convex structure that has a two-dimensional structure of a specific shape is pasted on the light-emission side surface of a light-emitting element in which a transparent electrode, one or more organic chemical layers including at least a luminous layer, and a backplate are at least laminated.例文帳に追加

基板上に、透明電極、少なくとも発光層を含む１層以上の有機化合物層および背面電極を少なくとも積層した発光素子の発光側表面に、特定形状の２次元周期構造をもつ微細凹凸構造を有する光学フイルムが貼着されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

The method for producing a color filter comprises: a stage where black matrixes are formed on a transparent substrate; a stage where a plurality of colored picture element layers having prescribed retardation are formed between the black matrixes by an ink jet process; and a stage where each phase difference control layer is formed on the plurality of colored picture element layers corresponding to the respective retardation by an ink jet process.例文帳に追加

透明基板上にブラックマトリックスを形成する工程、前記ブラックマトリックス間に、所定のリタデーションを有する複数の着色画素層を、インクジェット法により形成する工程、前記複数の着色画素層上にそれぞれのリタデーションに対応して、インクジェット法により、位相差制御層を形成する工程を具備することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a substrate for power module which can effectively radiate heat generated from a semiconductor element, restrain crack generation in a solder layer placed against the semiconductor element even when loading a cool and heat cycle, and constitute a highly reliable power module, and a power module using this power module substrate.例文帳に追加

半導体素子から発生した熱を効率的に放散させることが可能であるとともに、冷熱サイクルを負荷した場合でも半導体素子との間に介装されたはんだ層におけるクラックの発生を抑制でき、信頼性に優れたパワーモジュールを構成することができるパワーモジュール用基板及びこのパワーモジュール用基板を用いたパワーモジュールを提供する。 - 特許庁

The carbon/silicon carbide system composite material includes a matrix containing a silicon carbide phase; a carbon fiber dispersed in the matrix; and a eutectic alloy phase containing silicon and an element for lowering a melting point of the silicon, wherein the carbon fiber is covered with a cover layer formed of a composite carbide of the silicon and the element.例文帳に追加

シリコンカーバイド相で構成された母相と、この母相に分散された炭素繊維と、ケイ素及びこのケイ素の融点を降下させるための元素を含む共晶金属相とを含み、前記炭素繊維は、ケイ素及び前記元素の複合炭化物で形成されたカバー層で覆われているカーボン／シリコンカーバイド系複合材料である。 - 特許庁

To obtain a new fluorene compound that has electron transport property, excellent luminescence property and is suitably useful as an organic material for constituting a luminescent layer in an organic electroluminescent element and a fluorene polymer, to provide a method for producing them and an organic electroluminescent element having excellent luminescence property and durability.例文帳に追加

電子輸送性を有すると共に、優れた発光特性を有し、有機エレクトロルミネッセンス素子における発光層を構成する有機材料として好適に用いることのできる新規なフルオレン化合物およびフルオレン重合体並びにそれら各々の製造方法、また、優れた発光特性および耐久性を有する有機エレクトロルミネッセンス素子を提供すること。 - 特許庁

In manufacturing the organic electroluminescence element where at least a light emitting layer made of an organic compound is provided between the hole injection electrode 12 and the electron injection electrode 16, alternating voltage is applied between the hole injection electrode and the electron injection electrode to remove a defective part in the organic electroluminescence element.例文帳に追加

ホール注入電極12と電子注入電極16との間に、少なくとも有機化合物からなる発光層15が設けられた有機エレクトロルミネッセンス素子を製造するにあたり、上記のホール注入電極と電子注入電極との間に交番電圧を印加させて、有機エレクトロルミネッセンス素子中における欠陥部分を除去する。 - 特許庁

The light-emitting module is provided with a semiconductor element having 350-420 nm light-emission peak wavelength and a phosphor layer emitting light using light from the semiconductor element as an excitation light source.例文帳に追加

発光ピーク波長が３５０〜４２０ｎｍである半導体素子と、前記半導体素子からの光を励起光源として発光する蛍光体層を備える発光モジュールであって、前記蛍光体層は、少なくとも下記一般式で表されるα型Ｃａピロリン酸塩結晶構造を有する橙色蛍光体を含むことを特徴とする発光モジュール。 - 特許庁

The manufacturing method of a magnetoresistance effect element 20 is a dry etching method of a magnetoresistance effect element composed of a magnetic multilayer film containing at least two layers, wherein a second mask material to be a conductor with a reaction with the other atom is doubly overlapped on the lower layer of a first mask material comprising a non-organic-based material.例文帳に追加

この磁気抵抗効果素子２０の製造方法は、少なくとも２層の磁性層を含む磁性多層膜から成る磁気抵抗効果素子のドライエッチング方法であって、非有機系材料からなる第一のマスク材の下層に他の原子と反応して導電物になり得る第二のマスク材を二重に重ねて積層する方法である。 - 特許庁

Subsequently, the capacitor element is impregnated with a conductive polyaniline solution having a concentration prepared to 5 wt% or below, a solvent is removed after a voltage is applied (or while applying a voltage) to the anode foil, and a conductive polyaniline film is applied on the dielectric oxide film of the anode foil, thus forming an electrolytic layer formed of a conductive polymer in the capacitor element.例文帳に追加

続いて、このコンデンサ素子に、濃度を５ｗｔ％以下に調製した導電性ポリアニリン溶液を含浸し、陽極箔に電圧印加した後（あるいは、電圧印加しながら）、溶媒を除去して、陽極箔の誘電体酸化皮膜上に導電性ポリアニリンフィルムを被着させ、コンデンサ素子内に導電性ポリマーからなる電解質層を形成する。 - 特許庁

The adhesion layer is at least one element selected from the group consisting of Al, Ti, Zr, Hf, Ta, Zn and Si, or a substance containing at least one element selected from the group consisting of Al, Ti, Zr, Hf, Ta, Zn and Si, and oxygen and/or nitrogen, for example, AlO_x film etc.例文帳に追加

密着層としてはＡｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、ＺｎおよびＳｉからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素からなるものや、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、ＺｎおよびＳｉからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素と酸素および／または窒素とを含む物質からなるもの、例えばＡｌＯ_x 膜などを用いる。 - 特許庁

To provide an optical glass element shaping mold which exhibits a good release property between glass and the shaping mold and high adhesion strength between each of various optical glass element shaping mold base materials and a coating layer and excellent durability, in which degradation and discoloration are suppressed in repeated shaping of phosphate glass having strong reactivity and a high softening point.例文帳に追加

反応性が強く軟化温度が高いリン酸塩ガラスの繰り返し成形においても、ガラスと成形型の離型性が良好で、種々の光学ガラス素子成形型基材とコーティング層との密着強度が高く、耐久性に優れ、かつ、コーティング層の劣化及び変色を抑制した光学ガラス素子成形型を提供することを目的とする。 - 特許庁

The semiconductor layer element has the three waveguides 22A to C formed to the first to third ridge stripes 23A to C respectively as an index guide structure and whose oscillation wavelengths are shorter in the order of the first waveguide 22A, the second waveguide 22B, and the third waveguide 22C, and the semiconductor laser element emits laser beams with different wavelengths via each waveguide.例文帳に追加

本半導体レーザ素子は、第１から第３のリッジストライプ２３Ａ〜Ｃに、それぞれ、インデックスガイド構造として形成され、第１導波路２２Ａ、第２導波路２２Ｂ、及び第３導波路２２Ｃの順で、発振波長が短くなる３個の導波路２２Ａ〜Ｃを有し、相互に異なる波長のレーザ光を各導波路を経由して出射する。 - 特許庁

In a semiconductor device, a first wiring layer 20 disposed at a position closest to a semiconductor substrate 10 includes first source wiring 21 electrically connected to a source region 15 of a semiconductor element, first drain wiring 22 electrically connected to a drain region 12 of the semiconductor element, and a relay portion 23 electrically connected to a gate electrode 17.例文帳に追加

もっとも半導体基板１０側に位置する第１配線層２０は、半導体素子のソース領域１５に電気的に接続された第１ソース配線２１と、半導体素子のドレイン領域１２に電気的に接続された第１ドレイン配線２２と、ゲート電極１７に電気的に接続された中継部２３とを備えている。 - 特許庁

A plurality of electric double layer capacitors included in each circuit block are connected to the thermoelectric conversion element in parallel and are connected to the booster circuit in series, so that drive voltage of the RFID tag can be generated even from the faint electromotive force of the thermoelectric conversion element in a short time, and it can be permanently supplied.例文帳に追加

さらに、各回路ブロックに含まれる複数の電気二重層コンデンサを、熱電変換素子に対して並列に接続し、昇圧回路に対して直列に接続することによって、熱電変換素子の微弱な起電力からでも短時間でＲＦＩＤタグの駆動電圧をつくることができ、且つ、これを永続的に供給することができる。 - 特許庁

The resistive memory device includes a first conductive line 11 on a substrate, the vertical selection diode 12 comprising a nanowire or a nanotube and being arranged over the first conductive line 11, a resistive element 13 including a resistive layer 13B arranged over the vertical selection diode 12; and a second conductive line 14 arranged over the resistive element 13.例文帳に追加

本発明の抵抗性メモリ素子は、基板上の第１導電配線１１と、該第１導電配線１１上に位置し、ナノワイヤまたはナノチューブからなる垂直選択ダイオード１２と、該垂直選択ダイオード１２上に位置し、抵抗層１３Ｂを備える抵抗要素１３と、該抵抗要素１３上の第２導電配線１４とを備える。 - 特許庁

To provide a film with an alignment layer for an optical element that can align liquid crystal across the length of a transparent base material and has superior productivity by using a method of transferring an uneven shape formed to align the liquid crystal to the transparent base material, and an optical element using the film.例文帳に追加

本発明は、液晶を配向させるために形成した凹凸形状を透明基材に転写する方法を用いることにより、透明基材の長尺方向に対して交差する方向に液晶を配向させることができ、生産性に優れた光学素子用配向膜付フィルム、およびそれを用いた光学素子を提供することを主目的とするものである。 - 特許庁

The reflective liquid crystal display element is provided with the upper side transparent substrate 13 and the lower side substrate 19 on which transparent electrode patterns 14 with no thin film active element are formed and a liquid crystal layer 15 arranged in a gap formed by placing the transparent electrode pattern sides of the upper transparent substrate and the lower substrate opposite to each other.例文帳に追加

薄膜能動素子を有さない透明電極パターン１４が形成された上側透明基板１３と、薄膜能動素子を有さない透明電極パターン１４が形成された下側基板１９と、上側透明基板及び下側基板の透明電極パターン側を対向させて形成した間隙に設けた液晶層１５とを備える。 - 特許庁

The semiconductor device 10 has a semiconductor element 12 and the substrate 11 joined together with the junction layer 13, wherein the thin film 15 is formed on the external surface of the substrate, and a crack 17 is formed in the thin film at a part not joined to the semiconductor element 12, so the thin film on the substrate is arranged discontinuously by the crack.例文帳に追加

半導体素子１２と基板１１とが接合層１３によって接合された半導体装置１０であって、基板にはその外表面に薄膜１５が形成され、薄膜のうち、半導体素子１２と非接合な部分の薄膜には亀裂１７が形成され、基板上の薄膜は亀裂によって断続的に配置されている。 - 特許庁

This device is provided with the switching element Tr formed on a semiconductor substrate (or a semiconductor layer supported by a substrate) 2, and the sensing pad electrode SP connected to one impurity area 6b of it for inducing electric charges for an amount corresponding to a capacitance value between a detection object (finger) and the electrode or supplying them through the switching element Tr.例文帳に追加

半導体基板（または基板に支持された半導体層）２に形成されたスイッチング素子Ｔｒと、その一方の不純物領域６ｂに接続され、検出対象物（指）との間の静電容量値に応じた量の電荷が誘起、またはスイッチング素子Ｔｒを介して供給されるセンシングパッド電極ＳＰとを有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor light-emitting element capable of preventing foreign matters such as metal materials from adhering while preventing occurrence of cracks in a semiconductor growth layer when the growth substrate on which convexoconcave patterns are formed, is removed by the laser lift-off method, and to provide the semiconductor light-emitting element manufactured by the method.例文帳に追加

凹凸パターンが表面に形成された成長用基板をレーザリフトオフ法によって除去の際に、金属材料等の異物の付着を防止しつつ、半導体成長層におけるクラックの発生を防止することができる半導体発光素子の製造方法及びこれよって製造される半導体発光素子を提供すること。 - 特許庁

In the pyroelectric infrared sensor, a vinylidene fluoride oligomer layer sandwiched between a lower electrode and an upper electrode is used as a light receiving element, a pyroelectric substrate where one or more light receiving elements are arranged on a substrate for the pyroelectric element is mounted on a support substrate, and a heat insulation region is disposed on the support substrate side of the pyroelectric substrate.例文帳に追加

下部電極と上部電極に挟まれたフッ化ビニリデンオリゴマー層を受光素子とし、該受光素子が焦電体用基材上に１個または２個以上配置されてなる焦電体基板が支持基材上に載置されてなり、該焦電体基板の支持基材側に断熱領域が設けられている焦電型赤外線センサー。 - 特許庁

To provide a design method of an organic electroluminescent element to improve the amount of components of light emitted to the outside by setting the thickness of an organic luminescent layer in a wide range, when improving light extraction efficiency by providing a region causing the disturbance of an angle of reflection and an angle of refraction between the substrate of an organic EL element and the atmosphere.例文帳に追加

有機ＥＬ素子の基板と大気との間に反射・屈折角を乱れさせる領域を設けることで光取り出し効率を向上するにあたり、広い範囲のなかで有機発光層の厚みを設定して、外部に出射する光の成分の量を向上するための有機エレクトロルミネッセンス素子の設計方法を提供する。 - 特許庁

Thus, the materials with high heat conductivity are used as materials of the electrodes 11 and 12 in contact with the material of the refractive index variation layer 17 which has electrooptic effect to efficiently conduct heat generated by the material with the electrooptic effect to outside the element, thereby suppressing a temperature rise of the element itself and keeping modulation characteristics constant.例文帳に追加

このように屈折率変化層１７の電気光学効果を有する材料に接している電極１１，１２の材料として、熱伝導率の高い材料を用いることにより、電気光学効果を有する材料から発生する熱を効率よく素子外へ伝えることができ、素子自体の温度上昇を抑え、変調特性を一定に保つことができる。 - 特許庁

The process for manufacturing a solid electrolytic capacitor comprising a step for forming a conductive polymer layer by impregnating a capacitor element 1, obtained by winding an anode foil 2 having an oxide coating formed on the surface and a cathode foil 3 through a separator 4, sequentially with oxidizing agent and monomer and then cleaning the capacitor element with solvent which can dissolve the monomer.例文帳に追加

表面に酸化皮膜が形成された陽極箔２と、陰極箔３とをセパレータ４を介して巻回したコンデンサ素子１に、酸化剤およびモノマーを順次含浸させて導電性高分子層を形成した後、当該コンデンサ素子を、上記モノマーを溶解し得る溶媒によって洗浄する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

Then, when an organic layer is formed on an element forming substrate using a vacuum vapor deposition device, the organic EL element material 11 is input into a deposition source and then, in the process of reducing pressure of the vacuum chamber, the ampul 13 is ruptured by pressure difference of inside and outside, thereby the exposed organic EL material 12 is heated and evaporated.例文帳に追加

そして、真空蒸着装置を用いて素子形成用基板上に有機層を形成する場合は、その有機ＥＬ素子用材料１１を蒸着源に投入した後、真空チャンバ内を減圧する過程で、アンプル１３を内外圧力差により開裂させ、これによって露出した有機ＥＬ材料１２を加熱して蒸発させる。 - 特許庁

A curable adhesive resin, having a thermal coefficient of expansion and modulus of elasticity substantially matching that of sensing element 12, such as polyurethane, is cast between the sensing element 12 and the metal diaphragm 18 forming, when cured, a layer bonded to both members resulting in a sensor that is effective in monitoring negative as well as positive fluid pressures.例文帳に追加

ポリウレタンなど、感知部材１２の熱膨張率及び弾性率にほぼ一致する熱膨張率及び弾性率を有する硬化性接着樹脂が、感知部材１２と金属隔膜１８の間に注がれて、それが硬化したとき、その両方の部材に接着した層が形成され、流体の負圧並びに正圧のモニタに有効なセンサがもたらされる。 - 特許庁

The optical head apparatus includes a laser driving circuit (9) supplying, to a laser element (20), a driving current regulated so that light output from the laser element includes continuous two or more peaks and each interval between two peaks is 200 ps (picosecond) or less, wherein the temperature of an information recording layer of an optical disk is increased in a short time to form a recording mark.例文帳に追加

この発明は、レーザ素子（２０）に、レーザ素子から出力される光が連続した２以上のピークを含み、そのピーク相互間の間隔が２００ｐｓ（ピコ秒）以下となるよう規定された駆動電流を供給するレーザ駆動回路（９）を含み、短期間で光ディスクの情報記録層の温度を昇温して記録マークを形成することを特徴とする。 - 特許庁

The optical MEMS element 50 which is an optical MEMS element having a center beam structure is provided with an insulating substrate 52, a lower electrode 54 formed on the substrate 52, a bridge-like ribbon 56 formed by an insulating film, an upper electrode 58 laminated on the ribbon 56, and a mirror layer 60 formed on the upper electrode 58.例文帳に追加

本光学ＭＥＭＳ素子５０は、両持ち梁構造の光学ＭＥＭＳ素子であって、絶縁性基板５２と、絶縁性基板５２上に形成されている下部電極５４と、絶縁膜で形成されたブリッジ状のリボン５６と、リボン５６上に積層されている上部電極５８と、上部電極５８上に形成されたミラー層６０と備えている。 - 特許庁

An Ni or Ti barrier metal layer 2 in the range of 50-150 nm thickness which is not directly reactive with Cu is formed by vapor deposition or sputtering film forming method on regions 4 times as wide as the area of a surface for laminating a semiconductor light emitting element 5 at the surface for laminating the light emitting element 5 and a light emitting surface.例文帳に追加

その後、半導体発光素子５を接着する面および光出射される側の面に、半導体発光素子５の接着面の面積の４倍に値する領域に、蒸着およびスパッタ成膜法により、銅と直接反応しないNiまたはTiからなるバリア金属層２を50ｎｍ以上150ｎｍ以下の膜厚で形成する。 - 特許庁

In an organic electroluminescence element, having a cathode and an anode on a substrate and having a plurality of organic layers between them, the organic electroluminescence element is a layer, obtained by coating and polymerizing a compound in which at least one of the organic layers has at least one polymerizable group, and containing organic molecules having repeating units of 10 or smaller.例文帳に追加

基板上に陰極と陽極を有し、その間に複数の有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機層の少なくとも１つが重合性基を少なくとも一つ有する化合物の塗布、重合により得られる、繰り返し単位１０個以下である有機分子を含有する層であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

Components such as a lid, a wall, a cap and a stiffener for constituting this package for the semiconductor element are formed of the electromagnetic wave suppression material in which a magnetic material is contained for 60-99 volume % in synthetic resin and the magnetic material is non-oriented, a conductive layer is provided on the surface or in the inside and this package component for the semiconductor element is constituted.例文帳に追加

半導体素子を収納するためのパッケージを構成するリッド、ウォール、キャップ、スティフナーなどの部品において、合成樹脂に磁性材料を６０〜９９体積％含有し、且つ前記磁性材料が無配向である電磁波抑制体で形成し、その表面あるいは内部に導電層を設けて半導体素子収納用パッケージ部品を構成する。 - 特許庁

The dielectric thin film 16 has the elaborate structure composed of ABO_3-structured first particles 22 each consisting of a core 18 whose surface is coated with a coating layer 20 of an acceptor element, where the open space is filled with donor element-containing ABO_3-structured second particles 24 each having a smaller particle diameter than that the first particle 22 has.例文帳に追加

前記誘電体薄膜１６では、アクセプタ元素のコーティング層２０によってコア１８の表面が被覆されたＡＢＯ_３構造の第１の粒子２２間の空隙に、ドナー元素を含有するＡＢＯ_３構造であって、前記第１の粒子２２よりも粒径が小さい第２の粒子２４が充填された緻密な構造となっている。 - 特許庁

On the upper layer side of the pixel transistor 30, a light converging optical element part 4a is formed on a position overlapped to the gap area 9s, wherein the light converging optical element part 4a converges light made incident from the counter substrate 20 side and passed through the gap area 9s on the inside of the aperture 5b of the light absorbing film 5a.例文帳に追加

また、画素トランジスター３０より上層側には、隙間領域９ｓと重なる位置に集光用光学素子部４ａが形成されており、かかる集光用光学素子部４ａは、対向基板２０側から入射して隙間領域９ｓを通過した光を光吸収膜５ａの開口部５ｂの内側に集光させる。 - 特許庁