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layer elementの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 18197件
To provide a nitride semiconductor element having an electrode to come in excellent ohmic contact with a p-type group-III nitride semiconductor layer including a nonpolar or semipolar surface as a principal surface, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
非極性面または半極性を主面とするp型のIII族窒化物半導体層に対して、良好なオーミックコンタクトをとることができる電極を有する窒化物半導体素子およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁
The polarizing reflection element 8 has a plurality of laminated cholesteric liquid crystal layers 3 to 6 and each cholesteric liquid crystal layer consists of arrangement of polymerized and helical liquid crystal molecules having the axis of the helix in an almost normal direction.例文帳に追加
偏光反射素子8は、積層された複数のコレステリック液晶層3ないし6を有し、各コレステリック液晶層は、ポリマー化されているとともに、螺旋状の液晶分子配列からなり、略法線方向に螺旋軸を有している。 - 特許庁
A second semiconductor stacked layer etching step S7-3 in the ridge waveguide part forming step S7 and a first semiconductor part etching step S9-3 in the semiconductor diffracting grating element forming step S9 are performed together at a time.例文帳に追加
リッジ導波路部形成工程S7における第2半導体積層エッチング工程S7−3と、半導体回折格子要素形成工程S9における第1半導体部エッチング工程S9−3とは、一括して行われる。 - 特許庁
The nonvolatile memory element includes a lower electrode 12, an upper electrode 15, a recording layer 14 provided between the lower electrode 12 and the upper electrode 15 and including a phase change material, and bit lines 16 provided directly on the upper electrode 15.例文帳に追加
下部電極12と、上部電極15と、下部電極12と上部電極15との間に設けられ、相変化材料を含む記録層14と、上部電極15上に直接設けられたビット線16とを備える。 - 特許庁
To provide a semiconductor element which has a p-type group III nitride-based compound semiconductor layer of low resistance with an improved activation rate of p-type dopant and is superior in stability and durability of operation, and to provide its manufacturing method at a low cost.例文帳に追加
p型ドーパントの活性化率が向上した低抵抗のp型III族窒化物半導体層を有する、動作の安定性と耐久性とに優れた、半導体素子及びその製造方法を低コストで提供する。 - 特許庁
An organic electroluminescent element comprises a light-emitting layer including an Ir or Pt complex as at least one guest compound and at least one host compound represented by the General Formula (1).例文帳に追加
有機エレクトロルミネッセンス素子であって、該発光層が、少なくとも一つのゲスト化合物としてIrまたはPt錯体、及び、少なくとも一つの一般式(1)で表されるホスト化合物を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子が使用される。 - 特許庁
The liquid crystal display device is provided with an illuminator 115 which emits light toward the liquid crystal element and a semi-transmissive reflection film 114, which is provided with line-shaped opening parts, is located between a liquid crystal layer 103 and the illuminator 115.例文帳に追加
液晶素子に向けて光を出射する照明装置115とを備えており、液晶層103と照明装置115との間にはライン形状の開口部を設けた半透過反射膜114が配置されている。 - 特許庁
The two voltage signals are compared, and when there is a big difference between them, it is determined that a primary insulating layer is broken and is brought into a short-circuited state, and a current supply to the heating element (1) is stopped by actuating a temperature fuse (12) to guarantee the safety.例文帳に追加
(ハ)この2個の電圧信号を比較して、大きな差があるときは、一次絶縁層(5)が破壊され短絡状態にあると判断し、温度ヒューズ(12)を動作させ発熱体(1)への通電を停止し、安全性を保障する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a thin film magnetic head in which it can be prevented that a direction of a switched connection magnetic field is disturbed even when a material having low blocking temperature is used for an anti-ferromagnetic layer included in a MR element.例文帳に追加
MR素子に含まれる反強磁性層にブロッキング温度が低い材料を用いた場合でも、交換結合磁界の方向が乱されるのを防ぐことが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供すること。 - 特許庁
In the semiconductor light-emitting element, a substrate 1 has a semiconductor structure 10 having at least a light-emitting layer 3 and a conical columnar structure 7 having the semiconductor structure 10 side as a bottom on a region of a part of the semiconductor structure 10.例文帳に追加
基板1上に、少なくとも発光層3を有する半導体構造10を有し、半導体構造10の一部の領域に半導体構造10側を底面とする円錐状の柱状構造7を有する構成とした。 - 特許庁
The gas sensor element 1 comprises a porous protective layer 4 formed so as to cover a region exposed to the measured gas on its surface, of a gas inlet 11 for introducing the measured gas into the electrode 21 on the measured gas side.例文帳に追加
ガスセンサ素子1は、被測定ガス側電極21に被測定ガスを導入するガス導入口11のうち被測定ガスに暴露される領域を少なくとも覆うように形成された多孔質保護層4を表面に有している。 - 特許庁
To manufacture a CCD sensor, an insulating film 251 is deposited on a wafer W where a photoelectric converting element 210 is formed in a matrix, a conductive film is deposited and a transfer electrode 221 is formed by etching using a photoresist layer.例文帳に追加
CCDセンサを製造すべく、光電変換素子210がマトリックス状に形成されたウエハW上に絶縁膜251を成膜し、導電性膜を成膜してフォトレジスト層を用いてエッチングにより転送電極221を形成する。 - 特許庁
To provide an electrochemical element of high-energy density which has superior output and cycle characteristics and shows a large capacity, due to electric double layer, even at a high current density, as a hybrid cell system comprising both redox capacity and electrostatic capacity.例文帳に追加
レドックス容量と電気二重層による静電容量を併せ持つハイブリッド型のセルシステムとして、出力やサイクル特性にすぐれ、高電流密度下でも高い容量を示すエネルギー密度の高い電気化学素子を提供する。 - 特許庁
A laser element 100 is provided with a columnar part formed of the laminated structure of compound semiconductor layers including an active layer 16, and laser beams are emitted from the opposite side of the columnar part to an InP substrate 10 to an orthogonal direction.例文帳に追加
本レーザ素子100は、活性層16を含む化合物半導体層の積層構造で形成された柱状部を備え、柱状部の反対側からInP基板10に対して直交方向にレーザ光を放出する。 - 特許庁
To provide an apparatus of manufacturing an optical element by which a plurality of optical alignment layers subjected to alignment treatment can be formed highly precisely in one sheet of base material by face bonding and each optical alignment layer subjected to alignment treatment can have the same alignment direction.例文帳に追加
一枚の基材内に配向処理済光配向膜を面付けで精度良く形成することができ、かつ各配向処理済光配向膜が同一の配向方向をもつことができる光学素子の製造装置を提供する。 - 特許庁
The medium for the ink jet recording element includes a film- forming latex, the ink accepting layer of a polymer containing a repeating unit derived from a specified monomer type, in addition to a pigment and a binder used when necessary.例文帳に追加
該インキジェット記録要素のための媒体は、顔料と場合により用いられる結合剤の外に、インキ受容層が特定のモノマータイプから誘導される繰り返し単位を含有するポリマーであるフイルム形成性ラテックスを含有する。 - 特許庁
The surface light emitting element 10 is provided with a transparent substrate 11; and a first electrode 12, a light emitting layer 13 which emits a light by implanting holes and electrons, and a second electrode 14 that are formed in order on the transparent substrate 11.例文帳に追加
面発光素子10は、透明基板11と、透明基板11上に順に形成された、第1の電極12、正孔および電子を注入することにより発光する発光層13および第2の電極14とを備える。 - 特許庁
In the sheet-like structure 10 having the plurality of linear structures 12 of carbon element and a filling layer 14 for holding the plurality of linear structures, the plurality of linear structures 12 are oriented in a direction parallel to a surface.例文帳に追加
複数の炭素元素の線状構造体12と、複数の線状構造体を保持する充填層14とを有するシート状構造体10において、複数の線状構造体12を、表面に平行な方向に配向させる。 - 特許庁
The viewing angle controlling element is constituted by integrating: a louver layer 1 in which a light transmitting band 11 and a light shielding band 12 are alternately arranged; and a polarizing plate 5 which absorbs other polarization components.例文帳に追加
光透過帯11と遮光帯12とが交互に配されているルーバー層1と、所定の偏光成分を選択的に透過し、かつ他の偏光成分を吸収する偏光板5とが一体化されている視野角制御体。 - 特許庁
In the display apparatus, at least a thin-film transistor, a planarization film and a plurality of light-emitting elements are formed on a substrate, wherein each light-emitting element has at least a light-emitting layer, a first electrode and a second electrode.例文帳に追加
表示装置において、基板上に少なくとも薄膜トランジスタ、平坦化膜及び複数の発光素子が形成されており、発光素子には、少なくとも発光層と、第1の電極及び第2の電極を有している。 - 特許庁
A field emission display element 1 has an outer enclosure 4, in which a cathode base 2 with a field emission cathode 5 formed on its inner surface faces an anode base 2 with a phosphor layer 15 on its surface with an designated interval.例文帳に追加
電界放出形表示素子1は、内面に電界放出形陰極5が形成された陰極基板2と、内面に蛍光体層15が形成された陽極基板3とが所定間隔をおいて対面する外囲器4を有する。 - 特許庁
In the laser diode element having a structure wherein a plurality of nitride-based Group III compound semiconductor layers are laminated on a substrate, a light shielding layer having a light reflecting property and/or a light absorbing property is formed on the rear surface of the substrate.例文帳に追加
基板上に複数のIII族窒化物系化合物半導体層が積層された構造を有するレーザダイオード素子において、前記基板の裏面上に、光反射性及び/又は光吸収性の光遮断層を形成する。 - 特許庁
The final band width of the resonator expands in the case that a low density material such as aerogel and silicon dioxide deposited by sputtering method and/or CVD method is formed on the most upper layer of the sound-reflecting mirror of the acoustic element.例文帳に追加
最終的な共振器の帯域幅は、特にエーロゲルやスパッタ法及び/又はCVD堆積された二酸化ケイ素などの低密度物質が素子の音響反射鏡の最上層となっている場合には、大きくなる。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a solid electrolytic capacitor having a high capacitance achievement rate with excellent high frequency property by forming relatively easily a conductive polymer solid electrolyte layer in a winding type capacitor element.例文帳に追加
巻回形のコンデンサ素子に導電性高分子の固体電解質層を比較的容易に形成させて容量達成率が高く、高周波特性に優れた固体電解コンデンサの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
An ultraviolet-ray curing resin is put into a gap between the light-receiving element 1 and the substrate 2 along the periphery of the opening hole 21 so that at least the connected portion (bump 12) is covered, thereby forming a sealing resin layer 3.例文帳に追加
そして、少なくともその接続部(バンプ12の部分)が被覆されるように、紫外線硬化樹脂が、開口孔21の周縁に沿って受光素子1と基板2との間隙部に充填されて封止樹脂層3が形成されている。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor element, which can make a recovery from the damages to the crystal of a polycrystalline semiconductor layer, which is generated by a collision of ions in an impurity doping process, and also can make compensation for uncombined species.例文帳に追加
不純物のドーピング工程でのイオンの衝突によって発生した結晶のダメージ回復が行えると同時に、未結合手の補償を行うことの可能な半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
The semiconductor device 14 comprises a semiconductor substrate 1, a switch element 2 provided on the substrate 1, a first wiring layer 5 formed above the substrate 1, phase-change memory chips 6, first heating elements 7, second heating elements 9, and the like.例文帳に追加
半導体装置14は、半導体基板1、基板1上に設けられたスイッチ素子2、基板1の上方に設けられた第1の配線層5、相変位メモリ素子6、第1の加熱素子7、第2の加熱素子9等を具備する。 - 特許庁
To obtain a connector for communication in which connection with a plurality of stations is made possible and reflection is suppressed and waveform distortion is restrained without changing the constant of the element, even in the case where the impedance of the physical layer is changed, and which can be applied to a wide variety of communication uses.例文帳に追加
複数の局の接続を可能にし、物理層インピーダンスの変化した場合でも素子の定数を変えることなく反射を抑制し波形歪みを抑え幅広い通信用途に対応できる通信用コネクタを得る。 - 特許庁
Concerning the electrode for the electro-deposition type display element having an electrolyte layer 5 between opposite electrodes and performing drive operation of the opposite electrodes, at least one of the opposite electrodes contains a carbon material having an oxidation reduction reactive group.例文帳に追加
対向電極間に電解質層5を有し、該対向電極の駆動操作を行うエレクトロデポジション方式表示素子用電極であって、該対向電極の少なくとも一つが、酸化還元反応基を有する炭素素材を含む。 - 特許庁
To improve the characteristics of reflective electrochromic elements by providing a means for preventing the oxidization of magnesium in a reflective electrochromic element having a reflective photochromic layer made of alloy containing magnetism and nickel.例文帳に追加
マグネシウムおよびニッケルを含む合金からなる反射調光層を有する反射調光エレクトロクロミック素子におけるマグネシウムの酸化を防止する手段を提供し、もって反射調光エレクトロクロミック素子の特性を向上させる。 - 特許庁
In the organic electroluminescence element, the halogen atom of an organic compound has a concentration of 1 ppm or smaller relative to the organic compound contained in an organic compound layer disposed between electrodes.例文帳に追加
電極間に配置される有機化合物層が有する有機化合物に対して、この有機化合物のハロゲン原子の濃度が、燃焼イオンクロマトグラフィー法で1ppm以下であることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子を提供する。 - 特許庁
A surface layer of the active material particle containing a nickel oxide having a NaCl type crystal structure or second lithium nickel compound oxide and an element M not constituting a crystal structure of the first lithium nickel compound oxide.例文帳に追加
活物質粒子の表層部は、NaCl型結晶構造を有するニッケル酸化物もしくは第2リチウムニッケル複合酸化物を含み、更に、第1リチウムニッケル複合酸化物の結晶構造を構成しない元素Mを含む。 - 特許庁
The nonvolatile element A of the Bi4-xAxTi3O12 having a laminated perovskite structure, improves the fatigue characteristic and value of polarization of the thin film, by effectively suppressing the occurrence of oxygen deficiency in the perovskite layer.例文帳に追加
積層型ペロブスカイト構造を有するBi_4-XA_XTi_3O_12のA元素は、ペロブスカイト層内における酸素空乏(oxygen vacancy)の発生を効果的に抑制して、優れた疲労特性と高い分極値を可能とする。 - 特許庁
To provide a laminated piezoelectric element which can prevent generation of crack at an area between an adjacent individual electrode and relaying common electrode in a piezoelectric material layer on which individual electrodes are formed, due to polarization process or the like.例文帳に追加
分極処理等を原因として、個別電極が形成された圧電体層において隣り合う個別電極と中継コモン電極との間の部分にクッラクが発生するのを防止し得る積層型圧電素子を提供する。 - 特許庁
Next, an SiON film 7 is made at the sidewall of the SOI layer 3 by nitriding oxidation treatment, and then element isolation is performed by STI method, and lastly an oxide film 10 and an electrode 10 are made to complete a MOSFET.例文帳に追加
つぎに、窒化酸化処理によりSOI層3の側壁面にSiON膜7を形成し、その後、STI法で素子分離を行って、最後に酸化膜9及び電極10を形成してMOSFETが完成する。 - 特許庁
When forming an embedded contact in the semiconductor device composed by fabricating one or more semiconductor elements on a silicon substrate 101, an interlayer insulation film 109 is formed on the entire surface of a semiconductor element layer (first process).例文帳に追加
シリコン基板101上に1又は複数の半導体素子が作り込まれてなる半導体装置に埋め込みコンタクトを形成するにあたり、半導体素子層の全面に層間絶縁膜109を形成する(第1工程)。 - 特許庁
A method is provided for manufacturing the element for controlling static electricity in forming an organic film by a laser transfer method because a donor substrate with a conductive layer formed thereon is electrically connected to a grounded stage.例文帳に追加
導電層が形成されているドナー基板と接地されたステージと電気的に連結しているため、レーザー転写法により有機膜形成の際、静電気を制御できる有機電界発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
At that time, a capacitance value of a capacity element constituted with the electrodes E11, E12 and the conductive layer beneath the elastically deforming body 20 opposing to the electrodes is measured by utilizing the electrode E22 to detect operation input.例文帳に追加
このとき、電極E11,E12と、これに対向する弾性変形体20下面側の導電層とによって構成される容量素子の静電容量値を、電極E22を利用して測定して操作入力を検出する。 - 特許庁
This electroluminescent element has a pair of electrodes comprising a positive electrode and a negative electrode of which at least one is transparent, and an organic compound layer sandwiched by the pair of electrodes and constituted of one or more of layers.例文帳に追加
本発明の有機電界発光素子は、少なくとも一方が透明である陽極及び陰極よりなる一対の電極と、前記一対の電極間に挟まれ且つ1つ以上の層で構成される有機化合物層と、を有する。 - 特許庁
To provide a novel fluorescent body capable of being light-emitted to blue or green by an excitation light even when an excitation light source is a semiconductor light-emitting layer element and being manufactured without requiring calcination under a reduction atmosphere.例文帳に追加
励起光源が半導体発光層素子である場合であっても励起光により青色又は緑色に発光し、還元雰囲気下での焼成を必要とすることなく製造することが可能な新規な蛍光体を提供すること。 - 特許庁
The photopolymerizable element for a flexographic printing plate has a support and a photopolymerizable layer containing an elastomeric binder, at least one monomer, a photoinitiator, an onium salt and a leuco dye on the support.例文帳に追加
フレキソ印刷版用の光重合性エレメントとしては、支持体とその支持体上に、エラストマー結合剤、少なくとも1つのモノマー、光開始剤、オニウム塩、およびロイコ染料を含む光重合性層を備えたものを提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a nitride system semiconductor optical element, capable of suppressing generation of crystal defects at growing of another III-V nitride compound semiconductor on a III-V nitride compound semiconductor layer.例文帳に追加
窒化物系III −V族化合物半導体層上に別の窒化物系III −V族化合物半導体を成長させる際、結晶欠陥の発生を抑制できるようにした窒化物系半導体光素子の作製方法を提供する。 - 特許庁
A sensing element 10 or detector activated by radiation comprises a first scintillator 12 excited by gamma radiation, and a neutron detecting layer 16, comprising a second scintillator 14 excited by neutron radiation.例文帳に追加
ガンマ放射線によって励起される第1のシンチレータ(12)と、中性子放射線によって励起される第2のシンチレータ(14)を含む中性子検出層(16)とを含む、放射線によって励起される検出素子(10)または検出器。 - 特許庁
A dye 14 is carried in the metal oxide semiconductor layer 12 of an action electrode 10 in a dye-sensitive photoelectric conversion element comprising an action electrode 10, a counter electrode 20 and an electrolyte-containing member 30.例文帳に追加
作用電極10および対向電極20と共に電解質含有体30を備えた色素増感型の光電変換素子において、作用電極10の金属酸化物半導体層12に色素14が担持されている。 - 特許庁
To provide a gallium nitride base LED element with vertical structure capable of stably ensuring contact resistance of an n-type electrode by preventing an n-type GaN layer contacted by the n-type electrode from being damaged, and its manufacture method.例文帳に追加
n型電極とコンタクトされるn型GaN層が損傷されるのを防止して、n型電極のコンタクト抵抗を安定に確保できる垂直構造の窒化ガリウム系LED素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
The method for manufacturing the organic electroluninescence element includes a stage in which a predetermined area of a donor substrate is irradiated with a laser beam by using a laser irradiation apparatus equipped with a space light modulator to form an organic film layer pattern on a substrate.例文帳に追加
前記製造方法は、空間光変調器を備えるレーザーの照射装置を用いて前記ドナー基板の所定領域にレーザービームを照射して、前記基板上に有機膜層パターンを形成する段階を含む。 - 特許庁
This conversion element is provided with a layer 3 containing an organic polymer semiconductor and a pair of electrodes 4 in which at least one of them is a deposition film of mainly metal particulates of 20 nm or less in the average particle size.例文帳に追加
請求項1記載の発明は、有機高分子半導体を含む層3と;少なくとも一方が平均粒径20nm以下の金属微粒子主体の堆積膜である一対の電極4と;を具備していることを特徴とする。 - 特許庁
The laminate is formed by laminating a ceramic green sheet having a conductor pattern formed on it to fabricate a ceramic capacitor 10 wherein an external electrode 18 is formed on element assembly 12 having a ceramic layer 14 and an internal electrode 16.例文帳に追加
セラミック層14と内部電極16とを有する素体12に外部電極18が形成された積層セラミックコンデンサ10を作製するために、導体パターンを形成したセラミックグリーンシートを積層して積層体を形成する。 - 特許庁
To reduce etching residue of a metal layer which constitutes the electrode of a capacitance element by eliminating depression caused by step coverage of etching in a process for fabricating a semiconductor integrated circuit device which performs thickness adjustment of an LOCOS film.例文帳に追加
LOCOS膜の膜厚調整を行う半導体集積回路装置の製造方法において、エッチングの回り込みによる窪みの無い、その結果容量素子の電極を構成する金属層のエッチング残りの発生を少なくする。 - 特許庁
The method for manufacturing the liquid crystal display element is characterized by forming the liquid crystal layer by spreading the cholesteric liquid crystal, containing the gelling agent and exhibiting flowability at room temperature, at least on the one substrate in the unheated state.例文帳に追加
ゲル化剤を含有し室温で流動性を有するコレステリック液晶を非加熱の状態で少なくとも一方の基板上に広げて液晶層を形成することを特徴とする液晶表示素子の製造方法。 - 特許庁
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