「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(306ページ目) - Weblio英語例文検索

In the photoelectric conversion element of dye-sensitizing type having an action electrode 10 and a counter electrode 20 as well as an electrolyte contained body 30, dye 14 are carried in a metal oxide semiconductor layer 12 of the action electrode 10.例文帳に追加

作用電極１０および対向電極２０と共に、電解質含有体３０を備えた色素増感型の光電変換素子において、作用電極１０の金属酸化物半導体層１２に色素１４が担持されている。 - 特許庁

The photoconductive element includes a photoconductive layer having semiconductor layers 101, 102 which can generate and detect electromagnetic waves by changing the resistivity when irradiated with light, and a plurality of electrodes 103, 104 arranged in contact with the semiconductor layers.例文帳に追加

光が照射された際に抵抗率が変化することにより電磁波を発生・検出し得る半導体層１０１、１０２を有する光伝導層と、半導体層と接して配された複数の電極１０３、１０４を備える。 - 特許庁

The organic electroluminescence element contains a polymer (A) containing a structure unit derived from an iridium complex expressed by one of general formulas 1-6 and specific organic silicon compound in one layer of the organic polymer layers.例文帳に追加

有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機高分子層の１層に（Ａ）下記一般式（１）〜（６）のいずれかで表されるイリジウム錯体から導かれる構造単位を含む重合体、及び特定の有機ケイ素化合物を含む。 - 特許庁

To provide a field electron emission element having a diamond-like carbon multilayer structure that can complement disadvantages in a DLC single layer film, and has a stable field electron emission characteristic by forming an emitter of a DLC multilayer.例文帳に追加

エミッターをＤＬＣ多層膜とすることにより、ＤＬＣ単層膜の場合の欠点での欠点を補い、安定した電界電子放出特性を有するダイヤモンド様炭素多層構造を有する電界電子放出素子を提供する。 - 特許庁

The piezoelectric element is obtained by forming a titanium seed layer with a thickness of 5 nm on a platinum lower electrode and forming a precursor film of the piezoelectric material thereon to crystallize the same in an alkali solution at constant temperature under constant pressure.例文帳に追加

この圧電体素子は、白金下電極上に、厚さ５ｎｍのチタンの種層を形成し、その上に圧電体の前駆体膜を形成し、アルカリ溶液中で一定温度及び一定圧力下で結晶化させることによって得られる。 - 特許庁

The ultraviolet detection device includes a photoelectric conversion element having a semiconductor photoelectric conversion layer which has substantially no photosensitivity to a light wavelength range exceeding 400 nm and has photosensitivity to a light wavelength range below 400 nm.例文帳に追加

紫外検出装置は、４００ｎｍを超える光波長域では受光感度が略０であり、４００ｎｍ以下の光波長域で受光感度を有する半導体光電変換層を有する光電変換素子を備えている。 - 特許庁

The semiconductor element changes an electronic resistance between the first electrode and the second electrode by forming a conductivity bridge reversibly between the upper end of the first electrode and the second electrode in the resistance change layer.例文帳に追加

半導体素子は、抵抗変化層内において、第１電極の上端と第２電極の間に導電性架橋を可逆的に形成することにより第１電極と前記第２電極の間の電子抵抗を変化させる。 - 特許庁

A semiconductor element including an electrode on the front side or rear side of a semiconductor substrate is structured to insert an amorphous silicon layer 106 with no hydrogen added thereto between the electrode 107 and the semiconductor substrate 101.例文帳に追加

半導体基板の表面または裏面に電極を有する半導体素子であって、電極１０７と半導体基板１０１との間に水素が添加されていないアモルファスシリコン層１０６が挿入された構造である。 - 特許庁

The semiconductor lens 3 comprises an infrared block layer 3c which blocks incidence of infrared rays onto the light receiving surface of the infrared detection element 1 through the base part 3b located inside the translucent window 23 by absorption.例文帳に追加

また、半導体レンズ３は、透光窓２３の内側に位置するベース部３ｂを通して赤外線検出素子１の受光面へ入射しようとする赤外線を吸収することで阻止する赤外線阻止層３ｃを備えている。 - 特許庁

To provide a transparent polymer electrolyte gel component having excellent ion conductivity and heat resistant property, useful as a material for electrochemical devices such as a gel polymer lithium ion secondary cell, an electric double layer capacitor, an electrochromic display element and the like.例文帳に追加

ゲルポリマー型リチウムイオン二次電池、電気二重層キャパシタ、エレクトロクロミック表示素子等の電気化学デバイスの材料として有用なイオン伝導性や耐熱性に優れ、かつ透明性のあるポリマーゲル電解質組成物を提供する。 - 特許庁

Therefore, complete matching of the coefficients of thermal expansion between the glass and a silicon substrate is unnecessary and the concentration of a dopant (such as boron atoms) in a clad layer 4 to obtain a non-birefringent optical structural element can be decreased.例文帳に追加

したがって、ガラスとシリコン基板の熱膨張係数を完全に適合させる必要がなくなり、無複屈折の光学構成要素を得るための、クラッド層４のドーパント（例えばホウ素原子）濃度を低減することができる。 - 特許庁

To provide a photovoltaic element having high characteristics in which adsorption of dopant gas, or the like, does not cause deterioration of the characteristics even when a transparent conductive layer exhibiting a high reflectivity but having increased adsorption sites is employed.例文帳に追加

高い反射率を有するが吸着サイトが増加している透明導電層を使用した場合においても、ドーパントガス等の吸着による特性の低下を引き起こすことなく、高い特性を持つ光起電力素子を提供する。 - 特許庁

In this organic electroluminescent element having a light emission layer containing the host compound and the phosphor compound, the host compound contains olefine as an a partial structure inside a molecule.例文帳に追加

ホスト化合物および燐光性化合物を含有する発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、ホスト化合物が分子内の部分構造としてオレフィンを含有する化合物であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

To provide a method for effectively doping a dopant by controlling reaction of a dopant element in a method for forming a group III nitride semiconductor layer using a nitrogen source in a state of radicals, plasmas, or atoms such as MBE and sputtering process.例文帳に追加

ＭＢＥやスパッタなどのラジカル化、プラズマ化または原子化された窒素源を用いたＩＩＩ族窒化物半導体層の成膜法において、ドーパント元素の反応を抑制し、効率良くドーパントをドーピングする方法を提供すること。 - 特許庁

To bury trenches formed in a semiconductor layer in manufacturing a semiconductor element having a repetitive p-n junction structure with epitaxial layers having no void nor crystal defect, but having uniform impurity concentration profiles in the depthwise direction.例文帳に追加

繰り返しｐｎ接合構造を有する半導体素子を製造する際に、半導体層に形成したトレンチを、空隙や結晶欠陥がなく、深さ方向に均一な不純物濃度プロファイルを有するエピタキシャル層で埋めること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a large remanent polarization indispensable to nonvolatile memory operation by forming a specific buffer dielectric layer between an electrode constituting the capacitor element of a semiconductor device and a capacitor insulation film.例文帳に追加

半導体装置の容量素子を構成する電極と容量絶縁膜の間に、特定のバッファー誘電体層を形成することにより、不揮発メモリ動作に不可欠な大きな残留分極を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

Inserted floating electrodes 8 formed of a transparent conductive material and maintaining insulating property, abutting on neither transparent electrodes 3 nor metal electrodes 12 are provided in a first insulating layer 5 of this inorganic thin film electroluminescent element 1.例文帳に追加

無機薄膜エレクトロルミネッセンス素子１の第一絶縁層５の中に、透明な導電性材料から成り、透明電極３および金属電極１２に接することがなく、絶縁性が保たれている内挿フローティング電極８を設ける。 - 特許庁

The organic electroluminescent element comprises an anode 110, a cathode 180 made of magnesium-calcium membrane, and an organic functioning membrane A at least provided with an organic light emitting layer 140, interposed between the anode 110 and the cathode 180.例文帳に追加

本発明の有機電界発光素子は，アノード１１０と，マグネシウム−カルシウム膜のカソード１８０と，アノード１１０と上記カソード１８０との間に介在し，少なくとも有機発光層１４０を備える有機機能膜Ａとを含む。 - 特許庁

The hologram micro optical element array is manufactured by forming a plurality of minute holograms which constitute optical elements in a hologram layer 3 of a hologram medium 1, while changing the irradiation position of the object light and referential light on the hologram medium 1.例文帳に追加

ホログラム用媒体１に対する物体光および参照光の照射位置を変更しながら、ホログラム用媒体１のホログラム層３に光学素子となる微小なホログラムを複数形成して、ホログラムマイクロ光学素子アレイを製造する。 - 特許庁

The organic electroluminescent element has at least one luminous layer between the positive electrode and the negative electrode, and contains a hexadendate ortho metal iridium complex represented by a general formula (I).例文帳に追加

陽極と陰極との間に、少なくとも１つの発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、一般式（Ｉ）で表わされる６座配位型オルトメタルイリジウム錯体を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an organic semiconductor element in which an organic semiconductor layer can be formed uniformly by an ejection method only between a source electrode and a drain electrode of porous material.例文帳に追加

本発明は、多孔質体であるソース電極とドレイン電極との間のみに、吐出法によって均質な有機半導体層を形成すること可能な、有機半導体素子の製造方法を提供することを主目的とする。 - 特許庁

A photoelectric conversion element comprises an electrolyte layer 7 composed of an iodine redox-based electrolytic solution which contains an additive composed of a compound exhibiting a stronger interaction with iodine molecules than with iodide ions between a porous electrode 3 and a counter electrode 6.例文帳に追加

光電変換素子は、多孔質電極３と対極６との間に、ヨウ化物イオンよりもヨウ素分子と強い相互作用を示す化合物からなる添加剤を含むヨウ素レドックス系電解液からなる電解質層７を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of measuring electrical characteristics of TEG (Test Element Group) provided to a semiconductor substrate even when the surface of a measuring pad is damaged by etching a UBM (Under Bumping Metal) layer, and also a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

測定用パッドの表面がＵＢＭ層エッチングによって損傷を受けても、半導体基板に設けられたＴＥＧの電気的特性の測定が可能な半導体装置及びその半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The complex board 50 with the light emitting unit growth sections 13 formed thereon is segmented at least at the locations of the growth inhibiting gaps 11 for obtaining individual element chips 100 based on the light emitting layer growth sections 13.例文帳に追加

そして、発光層単位成長部１３の形成された複合基板５０を、少なくとも成長抑制用空隙１１の位置において分割することにより、発光層単位成長部１３に基づく個別の素子チップ１００を得る。 - 特許庁

Since the perimeter and bottom surface of the transistor 10, 20 formation region are surrounded with the STI2 and the barrier layer 7, effects to adjacent elements voltage fluctuation of the transistor 10, 20 formation region on an adjoining element when α ray enters are suppressed.例文帳に追加

トランジスタ１０、２０形成領域の周囲及び底面がＳＴＩ２及びバリア層７により囲まれるから、α線入射時のトランジスタ１０、２０形成領域の電圧変動が、隣接する素子へ及ぼす影響が抑制される。 - 特許庁

A protection film 7 is arranged on a substrate 2 for crystal growth for covering the light emission surface from which the light of a light emitting layer 3 is emitted before a process for forming the scribe groove ST for dividing each light emitting element 1 through the use of the laser.例文帳に追加

個々の発光素子１を分離するためのスクライブ溝ＳＴをレーザを用いて形成する工程の前に、結晶成長用基板２において発光層３の光が出射する出射面を覆う保護膜７を設ける。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device with a pn junction diode incorporated thereinto so as to be capable of detecting the temperature of a transistor element provided in an SOI (silicon on insulator) layer surrounded by trench separation on an SOI substrate upon operation with excellent sensitivity and response.例文帳に追加

ＳＯＩ基板におけるトレンチ分離で囲まれた１つのＳＯＩ層に設けるトランジスタ素子の動作時温度を感度良くかつ応答性良く検出できるようにＰＮ接合ダイオードを組み込んだ半導体装置を得ること。 - 特許庁

This optical element 10 has a function which out of the light generated in the luminous layer 3, the light, of which the incident angle θ to a light extraction surface is the critical angle θc or more, is scattered, and the light of critical angle θc or less is made to penetrate as it is.例文帳に追加

この光学素子１０は、発光層３で発生した光のうち、光取り出し面への入射角θが臨界角θc以上の光は散乱させ、臨界角θc未満の光はそのまま透過させる機能を有する。 - 特許庁

A resistance element is constituted, by using the two-layer gate structure, the first conductor is used as a resistor, and the second conductor and the insulation film are removed, with respect to a region of a part of the first conductor.例文帳に追加

抵抗素子は、二層ゲート構造を用いて構成され、第１の導電体が抵抗体として用いられ、この第１の導電体上の一部の領域に関し第２の導電体及び絶縁膜が除去されている。 - 特許庁

An artificial lattice film 5 which is formed by alternately laminating the transition metal layers 51 consisting essentially of any element of Pt, Pd and Au and the Co magnetic layers 52 consisting essentially of Co in a plurality of layers is formed on the non-magnetic substrate layer 4.例文帳に追加

非磁性下地層４上に、Ｐｔ，Ｐｄ，Ａｕのいずれかを主成分とする遷移金属層５１およびＣｏを主成分とするＣｏ磁性層５２がそれぞれ複数層交互に積層された人工格子膜５を成膜する。 - 特許庁

To attain an improvement in the reliability of an electro-mechanical apparatus in such a way as to operate stably for a long time, an electro-mechanical element air-tightly sealed with a supporting substrate and a sealing substrate via a junction layer.例文帳に追加

支持基板と封止基板とで接合層を介して気密封止された電気機械素子を、長期間にわたって安定して動作させることができるように、電気機械装置の信頼性の向上を図ることを可能とする。 - 特許庁

The surface finishing agent is applied to the liquid crystal display element using the vertical alignment layer consisting of the obliquely deposited film of the inorganic oxide is characterized in that hydroxyl groups of the surface of the obliquely deposited film are subjected to chemical reaction treatment by using a fluoroalcohol.例文帳に追加

無機酸化物の斜方蒸着膜からなる垂直配向膜を用いた液晶表示素子に適用され、前記斜方蒸着膜の表面水酸基が、フルオロアルコールで化学反応処理されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element, a magnetoresistance effect head, a magnetoresistance conversion system and a magnetic recording system wherein sense current is prevented from flowing in a vertical bias layer, noises in a regenerating wave is little and S/N ratio and bit error rate are superior.例文帳に追加

センス電流が縦バイアス層に流れることを防止し、再生波形のノイズが少なく、（Ｓ／Ｎ）比及びビットエラーレートが良好な磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気抵抗変換システム及び磁気記録システムを提供する。 - 特許庁

The second intermediate layer contains at least one element selected from Co and Fe, contains Cu as a principal component is constituted of an alloy whose total rate of Co and Fe is 10 to 30 at.%, and has a film thickness between 5 nm and 100 nm.例文帳に追加

第二中間層は、ＣｏとＦｅから選ばれる少なくとも一元素を含みＣｕを主成分とし、ＣｏとＦｅの合計割合が１０〜３０at.%となる合金で構成し、膜厚を５ｎｍ以上１００ｎｍ以下とする。 - 特許庁

In the first element A, a cathode electrode layer comprising a dielectric oxide coating film 4, a solid electrolyte 5, and a conductive member 6 is provided on a connection surface of a valve action metal substrate 1 to a mounting substrate, and cathode parts b1 to bn are formed.例文帳に追加

第１の素子Ａは、弁作用金属基体１の実装基板への接続面に誘電体酸化被膜４と、固体電解質５および導電性部材６からなる陰極電極層を設けて、陰極部ｂ１〜ｂｎを形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming a via hole, in which thermal resistance of a metal layer formed inside the via hole is reduced and in which the heat dissipating efficiency of an element formed on a compound semiconductor substrate is enhanced.例文帳に追加

バイアホール内に形成される金属層の熱抵抗を低減でき、化合物半導体基板上に形成された素子の放熱効率を向上できるバイアホール形成方法および化合物半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an easy-to-fabricate light receiving element having a small dark current in which middle infrared light in the range of 1.65-3.0 μm can be received by forming a light receiving layer of good crystallinity with little defect on an InP substrate.例文帳に追加

ＩｎＰ基板の上に結晶性の良い欠陥の少ない受光層を形成することによって１．６５μｍ〜３．０μｍの中赤外光を受光できる製造容易で暗電流の小さい受光素子を与えること。 - 特許庁

A soft-magnetic layer 23 is formed of a high permeability ferrite having the composition of Fe-O or M-Fe-O (where, the element M is at least one or more of Mn, Co, Ni, Ba, Sr, Y, Gd, Cu and Zn).例文帳に追加

軟磁性層２３を、組成がＦｅ−ＯあるいはＭ−Ｆｅ−Ｏ（ただし元素Ｍは、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｙ、Ｇｄ、Ｃｕ、Ｚｎのうち少なくとも１種類以上）で構成される高透磁率フェライトで形成する。 - 特許庁

The outermost surface of a permanent magnet material of R-Fe-B (R denotes a rare earth element) is coated with a plated alloy layer of Ni-B or Ni-P-W or Ni-BW.例文帳に追加

Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系組成（Ｒは希土類元素）からなる磁石材料の最表面がＮｉ−ＢあるいはＮｉ−Ｐ−ＷあるいはＮｉ−Ｂ−Ｗのいずれかからなる合金メッキ層で被覆されていることを特徴とする。 - 特許庁

This organic thin film transistor element is configured by providing an organic semiconductor layer connecting a source electrode to a drain electrode with a conductive region which is turned into an insulated status with at least either the source electrode or the drain electrode when any electric field is not applied.例文帳に追加

ソース電極及びドレイン電極を連結する有機半導体層中に、電界が付与されない時には前記電極の少なくとも一方と絶縁状態にある導電性領域を有する有機薄膜トランジスタ素子。 - 特許庁

In the second element, a cathode electrode layer comprising a dielectric oxide coating film 14, a solid electrolyte 15, and a conductive member 16 is provided on both surfaces of a valve action metal substrate 1 to form a cathode part 20 for transmission line formation.例文帳に追加

第２の素子は、弁作用金属基体１の両面に誘電体酸化被膜１４、固体電解質１５および導電性部材１６からなる陰極電極層を設けて、伝送線路形成用の陰極部２０とする。 - 特許庁

This liquid crystal display element is characterized in that an insulating layer having a specified range of surface resistivity is provided between a substrate and electrodes or between the substrate and the electrodes, on the backside of the face on which the electrodes are formed of the substrate and on the side face of the substrate.例文帳に追加

特定範囲の表面抵抗率を有する絶縁層が基板と電極間、または基板と電極間、かつ該基板の電極形成面の裏面、かつ該基板の側面に設けたことを特徴とする液晶表示素子。 - 特許庁

The thin film magnetic head includes a writing magnetic head element having two magnetic pole layers, a plurality of coil layers, and an insulator layer covering the plurality of coil layers and insulating the plurality of layers from two magnetic pole layers.例文帳に追加

この薄膜磁気ヘッドは、２つの磁極層と、複数のコイル層と、これら複数のコイル層を覆っておりこれら複数のコイル層を２つの磁極層から絶縁させている絶縁体層とを有する書き込み磁気ヘッド素子を備えている。 - 特許庁

The organic photoelectric conversion element has a bulk heterojunction layer 14 between a transparent electrode 12 and a counter electrode 13, and contains at least one kind of low molecular compound that is expressed by one of general formulas 1-4 and has a molecular weight of 300-3,000.例文帳に追加

透明電極１２と対電極１３の間に、バルクヘテロジャンクション層１４を有し、かつ、下記一般式（１）から（４）のいずれかで表される、分子量３００〜３０００の低分子化合物を少なくとも１種含有する。 - 特許庁

To provide an oxygen sensor with a heater and a method for manufacturing the same in which stress hardly remains between the heater and an oxygen concentration cell element at the time of manufacturing and which is capable of preventing the occurrence of cambers, exfoliation, and cracks, etc., in a zirconia solid electrolyte layer.例文帳に追加

製造時にヒータと酸素濃淡電池素子との間に応力が残留しにくく、反りや剥離、さらにはジルコニア固体電解質層への亀裂等の発生が防止されるヒータ付き酸素センサと、その製造方法を提供する。 - 特許庁