「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(292ページ目) - Weblio英語例文検索

With this constitution, the semiconductor laser element 1 speedily conducts heat generated through light absorption of an active layer 12 etc., to the outside via the thermally conductive film 22 to improve the heat dissipation.例文帳に追加

このような構成により、半導体レーザ素子１では、活性層１２での光吸収などによって発生した熱が熱伝導性膜２２を介して速やかに外部に伝導し、放熱性の向上が図られる。 - 特許庁

The SED has a front substrate 10 having a phosphor layer, a back substrate 12 having an electron emitting element, and a side wall 14 for sealing the periphery of the substrate, and a vacuum housing with the interior vacuum.例文帳に追加

ＳＥＤは、蛍光体層を有する前面基板１０、電子放出素子を有する背面基板１２、および基板の周縁部を封着する側壁１４を有し、内部を真空にした真空外囲器を有する。 - 特許庁

This organic electroluminescent element is provided with a luminescent layer between a pair of electrodes.例文帳に追加

一対の電極間に発光層が設けられた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、発光層が、発光層材料と、以下の関係を満たす第一のドーパント及び第二のドーパントを含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子である。 - 特許庁

The photo-alignment material, containing an aromatic ester compound made of a bisphenol compound and an aromatic dicarboxylic acid compound, the photo-alignment layer using the same, the method for manufacturing the same and the liquid crystal display element using the same are provided.例文帳に追加

ビフェノール化合物と、芳香族ジカルボン酸化合物とからなる芳香族エステル化合物を含有する光配向材料、それを用いた光配向膜、その製造方法、及びそれを用いた液晶表示素子。 - 特許庁

The organic power generation element is formed by providing a power generation layer 1 formed by mixing an electron-releasing material and a hole-releasing material between two electrodes of a positive electrode 2 and a negative electrode 3, at least one of which is transparent.例文帳に追加

電子供与性材料とホール供与性材料を混合した発電層１を、少なくとも一方は透明な正極２と負極３の二つの電極の間に設けて形成される有機発電素子に関する。 - 特許庁

The capacitor 10 (multilayer ceramic capacitor) comprises a capacitor element 11 where an internal electrode 12 (electrode) and a dielectric layer 14 are laid in layers alternately, and an external electrode 15 provided on the end face thereof.例文帳に追加

本発明のコンデンサ１０（積層セラミックコンデンサ）は、内部電極１２（電極）と誘電体層１４とが交互に積層されたコンデンサ素体１１と、その端面に設けられた外部電極１５とを備えている。 - 特許庁

The organic electroluminescent display includes: a substrate; and a plurality of organic electroluminescent element OLEDs which each contain a pixel electrode PE, a reflecting film RE, a counter electrode CE and an organic layer and are disposed on the substrate.例文帳に追加

有機ＥＬ表示装置は、基板と、それぞれ画素電極ＰＥ、反射膜ＲＥ、対向電極ＣＥ、並びに有機層を含み、基板上に配置された複数の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと、を備えている。 - 特許庁

In the organic EL element A, an oxide transparent conductive film is formed which is formed on a support substrate 1 as the cathode 2, and heat treatment is applied before the organic layer 3 is formed on the oxide transparent conductive film.例文帳に追加

陰極２として支持基板１上に形成される酸化物透明導電膜を有し、前記酸化物透明導電膜上に有機層３を形成する前に熱処理を施してなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a transfer substrate for obtaining an organic electroluminescent element with stable emitting characteristics and a method for manufacturing a display, even if a light-emitting layer is formed by applying a thermal transfer method.例文帳に追加

熱転写法を適用して発光層を形成した場合であっても、安定した発光特性の有機電界発光素子を得ることが可能な転写用基板、および表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Preferably, Pd is used as the noble metal and at least one element selected from the group comprising Ba, Ca, Cs, K, Mg and La is further added in the form of sulfate, nitrate or acetate into the coated layer.例文帳に追加

好ましくは、貴金属としてＰｄを用い、被覆層にＢａ、Ｃａ、Ｃｓ、Ｋ、Ｍｇ、およびＬａからなる群より選ばれる少なくとも１つの元素を、硫酸塩、硝酸塩、あるいは酢酸塩としてさらに添加する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emission device for compatibly improving light emission efficiency and reducing element resistance by totally eliminating the resistance of a buffer layer formed between a substrate and a formed film and contriving the shape.例文帳に追加

基板と成膜した膜との間に形成されるバッファ層の抵抗を皆無とし、その形状を工夫することにより、発光効率の向上と素子抵抗の低減を両立した半導体発光装置を提供する。 - 特許庁

The liquid crystal display device is provided with a liquid crystal display element consisting of a liquid crystal layer having a plurality of pixels disposed in a matrix shape and a driving means performing interlace scanning by dividing one frame into four or more fields.例文帳に追加

マトリクス状に配置された複数の画素を有する液晶層からなる液晶表示素子と、１フレームを４フィールド以上に分割してインターレース走査を行う駆動手段とを備えた液晶表示装置。 - 特許庁

The insulating film 41 is formed to be able to secure the withstand voltage to the voltage applied to the resistor element 34 even when there occurs a defect in the second STI separating layer 33 in a manufacturing process.例文帳に追加

絶縁膜４１は、製造過程において第２ＳＴＩ分離層３３に欠陥が生じた場合であっても、抵抗素子３４に印加された電圧に対して耐圧を確保することが可能に形成されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for ink for an organic EL positive hole injection layer enabling the manufacture of an organic EL display element having excellent positive hole injection property and a long service life and having excellent application property by an ink jet method.例文帳に追加

正孔注入性に優れ、長寿命の有機ＥＬ表示素子を作製できるとともに、インクジェット方式での塗布性に優れた有機ＥＬ正孔注入層用インクの製造方法を提供する。 - 特許庁

The direction of magnetization of a pinned layer of each GMR element is fixed by a magnetic field formed in the vicinity of a rectangular part 61b of the yoke of a magnet array by a permanent bar magnet 80 inserted into the square part 61a of the yoke.例文帳に追加

各ＧＭＲ素子のピンド層の磁化の向きは、マグネットアレイのヨークの正方形部６１ａに挿入された永久棒磁石８０が同ヨークの長方形部６１ｂの近傍に形成する磁界により固定される。 - 特許庁

By containing a ring compound in a specific structure in at least one type of organic compound layer, the durable organic electroluminescence element having high luminous efficiency (for example, external quantum efficiency) is obtained.例文帳に追加

少なくとも一種有機化合物層に特定構造の環状化合物を含有させることにより、高い発光効率（例えば外部量子効率）を有し、かつ耐久性に優れる有機電界発光素子が得られる。 - 特許庁

An electrostatic capacitance element E which becomes high impedance for a DC current and low impedance for a high frequency current and has an electrically insulated magnetic body as a capacitance layer is inserted into the case magnetic path M1.例文帳に追加

ケース磁路Ｍ１には、直流電流に対して高インピーダンスとなり、高周波電流に対して低インピーダンスとなり、電気絶縁性の磁性体を容量層とする静電容量要素Ｅが挿入されている。 - 特許庁

To obtain a film-forming material capable of forming a film having a uniform thickness suitable as a layer insulation film in a semiconductor element, or the like, and excellent in heat resistance and further excellent in dielectric properties.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜として、適当な均一な厚さを有する塗膜が形成可能な、しかも耐熱性に優れ、更に誘電率特性に優れた膜形成用材料を提供する。 - 特許庁

The electroluminescent element, when employing poly-di-n-hexylpolysilylene (PDHS) for the light-emitting layer, emits light with an EL spectrum having a sharp peak at about 370 nm, when direct voltage is placed between both of the electrodes 12 and 14.例文帳に追加

発光層としてポリ−ジ−ｎ−ヘキシルポリシリレン（ＰＤＨＳ）を用いた場合、両電極１２，１４間に直流電圧を印加することで約３７０ｎｍに鋭いピークを有するＥＬスペクトルが得られる。 - 特許庁

To provide a spiral type membrane element in which minute leak via a porous layer at sealing parts is prevented while effective membrane area is maintained without increasing a coating width of an adhesive, and a production method therefor.例文帳に追加

接着剤の塗布幅を広げずに有効膜面積を維持しながら、封止部における多孔質層を介した微小リークを効果的に防止することができるスパイラル型膜エレメント及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The light-emitting element has a laminated structure, made by laminating an electrode 12, a light-emitting layer 13, an electrode 14, and a refractive index distribution lens 17.例文帳に追加

電極１２と、発光層１３と、電極１４と、屈折率分布レンズ１７とが積層されてなる積層構造を有し、屈折率分布レンズ１７は、同心円状の輪帯部３１，３２をそれぞれ複数備えている。 - 特許庁

A driving current from the driving circuit part 13 is supplied to a cathode electrode 16 and an anode electrode 18 of the organic EL element 14 via the embedded plugs 11A, 11B, thereby an organic EL layer emits light.例文帳に追加

駆動回路部１３からの駆動電流が埋込プラグ１１Ａ，１１Ｂを介して有機ＥＬ素子１４のカソード電極１６およびアノード電極１８に供給されることにより、有機ＥＬ層１７が発光する。 - 特許庁

Moreover, a single or a plurality of via-holes around the electronic element layer 313 permit electrical signal connection between the upper and lower surfaces of the packaging structure and enable more functionality of the packaging unit 300.例文帳に追加

また、電子素子層３１３の周囲の単一または複数のビアホールは、パッケージ構造の上部および下部表面の間の電気信号接続を可能にし、パッケージユニット３００のさらなる機能性を可能にする。 - 特許庁

To provide a light emitting element emitting light of a plurality of wavelengths from a single emission layer and emitting light of multiple colors, especially white color, by simply injecting a current into a set of p-type and n-type electrodes.例文帳に追加

単一の発光層から複数の波長の光を発し、しかも一組のｐ型及びｎ型電極に電流を注入するだけで多色発光する、特に白色発光する発光素子を提供すること。 - 特許庁

Thin film elements are formed on various substrates by fixing an element forming layer of ≤50 μm film thickness, temporarily peeled off from a substrate by the peeling technique, on the substrate.例文帳に追加

本発明では、剥離技術を用いて一旦基板から剥離させた膜厚５０μｍ以下の素子形成層を基板上に固着することにより、様々な基板上に薄膜素子を形成することを特徴とする。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent element that has a protective layer capable of ensuring a high barrier property without a film peeling, by continuously changing the stress in silicon nitride oxide, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

シリコン窒化酸化物の応力を連続的に変化させることにより、膜剥れを起こすこと無く、高いバリヤ性を持たせることができる保護層を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The element has a single layer composed of a main component metal and at least one kind of subordinate compounds and has the positive electrode to be a reflecting electrode with a reflectance of ≥70%.例文帳に追加

主成分金属と少なくとも一種類の副成分化合物とからなる単一の層であり、かつ反射率が７０％以上である反射電極である陽極を有する有機発光素子を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device in this invention is characterized in that a variable potential insulating electrode 5 and a gate region 9 are held at the same potential through an Al layer 16, and they are used as a voltage drive type semiconductor element.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、可変電位絶縁電極５とゲート領域９とをＡｌ層１６を介して同電位に保ち、主に、電圧駆動型の半導体素子として用いることに特徴を有する。 - 特許庁

To provide an optical switching element with which symmetry of a response voltage waveform is ensured in AC driving even when an upper charge generation layer is formed by applying a dispersion, and an optically writable medium for display.例文帳に追加

上部電荷発生層を分散液塗布により形成した場合でも、交流駆動時に応答電圧波形の対称性を確保できる光スイッチング素子および光書き込み型表示媒体を提供することである。 - 特許庁

To provide a semiconductor element in which high heat dissipating characteristics and high product yield are maintained by forming a metal layer having a sufficient film thickness as an upper electrode close to a light emitting end surface (cleaved end surface).例文帳に追加

上部電極として十分な膜厚の金属層を発光端面（劈開端面）近傍まで形成し、高い放熱性を維持できると共に、製品歩留まりを高く維持することができる半導体素子を提供する。 - 特許庁

The hydrogen selective gas separation material of this invention is provided with a porous substrate and the membrane arranged on the surface of the porous substrate and the membrane is constituted with at least two layers or more and the element distribution in each layer is different.例文帳に追加

本発明の水素選択性ガス分離材は、多孔質基材と、この多孔質基材の表面に配設された膜とを備え、この膜は、少なくとも２層以上から構成され、各層の元素分布が異なる。 - 特許庁

An anode foil and a cathode foil having an oxide film layer formed on the surface are wound through a separator employing a compound having a vinyl group as binder to form a capacitor element which is then subjected to restoration formation.例文帳に追加

表面に酸化皮膜層が形成された陽極箔と陰極箔を、ビニル基を有する化合物をバインダーとして用いたセパレータを介して巻回してコンデンサ素子を形成し、このコンデンサ素子に修復化成を施す。 - 特許庁

The method for manufacturing the nitride semiconductor element comprises the step of forming a semiconductor layer containing at least one or more of elements selected from the group consisting of Al, Ga and In on the surface of a substrate by using a mask.例文帳に追加

基板表面に、少なくともＡｌ、Ｇａ、Ｉｎの内の１以上の元素及び窒素を含む半導体層を、マスクを用いて形成することを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法である。 - 特許庁

The barrier film 13 is a film for generating a tensile stress in the semiconductor substrate 1 and the metal silicide layer, consisting of a mono silicide MSi of a metal element M constituting the metal film 12 is formed upon the first heat treatment.例文帳に追加

バリア膜１３は半導体基板１に引張応力を生じさせる膜であり、第１の熱処理では、金属膜１２を構成する金属元素ＭのモノシリサイドＭＳｉからなる金属シリサイド層が形成される。 - 特許庁

The semiconductor element comprises an under layer 2 made of a nitride semiconductor containing at least Al and formed on a substrate 1 made of a conductive SiC having a resistivity of 1×10^5 Ω cm or less in thickness of preferably 2 μm or more.例文帳に追加

抵抗率が１×１０^５Ωｃｍ以下の導電性ＳｉＣからなる基材１上に、少なくともＡｌを含む窒化物半導体からなる下地層２を、好ましくは２μｍ以上の厚さに形成する。 - 特許庁

The multi-color cholesteric layer 12 of the multi-color optical element 10 is formed by aligning and hardening liquid crystal having cholesteric regularity on the surface of a supporting base material 11 having alignment control.例文帳に追加

多色光学素子１０の多色コレステリック層１２は、支持基材１１の配向規制力を有する表面上にてコレステリック規則性を有する液晶を配向及び硬化させることにより形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device in this invention is characterized in that a variable potential insulating electrode 5 and a gate region 9 are held at the same potential through an Al layer 15, and they are used as a voltage drive type semiconductor element.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、可変電位絶縁電極５とゲート領域９とをＡｌ層１５を介して同電位に保ち、主に、電圧駆動型の半導体素子として用いることに特徴を有する。 - 特許庁

Since the photoresists R1 to R5 contain many unexposed parts toward the lower layer, a photoresist pattern after the development forms a cross-sectional tapered shape that spreads outwardly toward the surface of the crystal element chip 1a.例文帳に追加

フォトレジストＲ１〜Ｒ５は、下層にいくに従って未露光部分が多くなるため、現像後のフォトレジストパターンは、水晶素子片１ａの表面側にいくほど外側に広がる断面テーパー形状が形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a magnetoresistive element which can minimize malfunction due to application of a component of a magnetic field, in the direction opposite from a desired magnetization direction, to a free layer.例文帳に追加

磁気抵抗素子を有する半導体装置であって、フリー層に所望の磁化方向と反対方向の磁界の成分が印加されることによる誤動作を抑制することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide: a semiconductor wafer allowing a compound semiconductor layer to be thickly formed on a substrate, and capable of reducing parasitic capacitance generated in a buffer region; a semiconductor element; and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

基板上に化合物半導体層を厚く形成することができ、バッファ領域内に生じる寄生容量を低減することができる半導体ウェーハ、半導体素子、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

As to the grating coefficient between the GaAs and GaP, GaInP can be used as the window layer for the red color laser element because the GaInP becomes a shorter wave than a luminescent wavelength of 650 nm as the grating coefficient decreases.例文帳に追加

ＧａＡｓとＧａＰの間の格子定数では、ＧａＩｎＰは格子定数の減少に伴って発光波長６５０ｎｍよりも短波となるので、赤色レーザ素子の窓層として用いることができる。 - 特許庁

The semiconductor lens 3 is provided with an infrared block layer 3c which blocks incidence of infrared rays onto the light receiving surface of the infrared detection element 1 through the base part 3b located inside the translucent window 23.例文帳に追加

また、半導体レンズ３は、透光窓２３の内側に位置するベース部３ｂを通して赤外線検出素子１の受光面へ入射しようとする赤外線を阻止する赤外線阻止部３ｃが設けられている。 - 特許庁

In the image reading element having a photoconductive layer and a transparent electrode, the transparent electrode is formed of a transparent conduction film consisting of zinc oxide containing aluminum oxide.例文帳に追加

本発明の画像読み取り素子は 光導電層と透明電極とを有する画像読み取り素子において、透明電極は、酸化アルミニウムを含有する酸化亜鉛よりなる透明導電膜によって形成されている。 - 特許庁

The conductive impurity region 3 for transferring the electric signal from the light receiving element 14 to the signal processing circuit 15 is formed from the bottom of the trench as far as the upper surface of the semiconductor growth layer 2.例文帳に追加

受光素子１４からの電気信号を信号処理回路１５へ伝送するための導電性不純物領域３は、トレンチの底部から半導体成長層２の上面まで至るように形成されている。 - 特許庁

In the thermoelectric conversion element 1, buffer layers 13a and 13b each formed of a mixture body of magnesium silicide and a metal material are formed between the thermoelectric conversion layer 11 and the electrode layers 12a and 12b.例文帳に追加

本発明に係る熱電変換素子１は、熱電変換層１１と電極層１２ａ，１２ｂとの間にマグネシウムシリサイドと金属材料との混合体からなるバッファ層１３ａ，１３ｂが形成されている。 - 特許庁