「layer- thickness」に関連した英語例文の一覧と使い方(58ページ目) - Weblio英語例文検索

MS films 3 each having thickness of 30 to 300 nm are sequentially formed, comprising an HC layer 41 mainly composed of an ultraviolet-curing resin provided on one principal plane of a base film 40, a first refraction layer (middle refraction layer) 42 on the HC layer 41, a second refraction layer (lower refraction layer) 43, and a transparent conductive layer 13.例文帳に追加

ベースフィルム４０の一方の主面に紫外線硬化樹脂を主成分とするＨＣ層４１を配設し、その上に第一屈折層（中屈折層）４２、第二屈折層（低屈折層）４３、透明導電膜１３からなる、厚さ３０ｎｍ以上３００ｎｍ以下のＭＳ膜３を順次形成する。 - 特許庁

A method is provided for manufacturing the inner surface coated steel pipe for water piping having a chemical conversion treated coating layer formed by applying phosphate chemical conversion treatment to the inside of the steel pipe, having a primer layer with an average thickness of 10-40 μm in an upper layer of the chemical conversion treated coating layer, and having a modified polyethylene resin layer in an upper layer of the primer layer.例文帳に追加

鋼管の内側にリン酸塩化成処理を施してなる化成処理皮膜層を有し、該化成処理皮膜層の上層には、平均厚さが１０〜４０μｍであるプライマー層を有し、該プライマー層の上層には、変性ポリエチレン系樹脂層を有している水配管用内面被覆鋼管の製造方法である。 - 特許庁

One storage unit has a mixed layer of an inorganic insulator and an organic compound on a first conductive layer, an insulating layer on the mixed layer of the inorganic insulator and the organic compound, and a second conductive layer on the insulating layer, and the film thickness of the mixed layer of the inorganic insulator and the organic compound is 4 nm or less.例文帳に追加

本発明の記憶装置の一は、第１の導電層上に無機絶縁物と有機化合物との混合層と、無機絶縁物と有機化合物との混合層上に絶縁層と、絶縁層上に第２の導電層とを有し、無機絶縁物と有機化合物との混合層の膜厚は４ｎｍ以下である。 - 特許庁

The metal covering 30 of a ceramic 10 includes a base layer 12 having a metal, an adhesive layer 14 containing palladium and having a layer thickness between 0.1 to 5 μm, a solderable layer 16 of a non-magnetic material, and an oxidation protective layer 20, wherein the material of the adhesive layer 14 is different from that of the solderable layer 16.例文帳に追加

セラミック１０用の金属被覆３０は、金属を有する基底層１２と、パラジウムを含み、層厚さが０．１〜５μｍの間にある接着層１４と、非強磁性材質のはんだづけ可能層１６と酸化保護層２０とを含み、接着層１４の材質がはんだづけ可能層１６の材質と異なる。 - 特許庁

Since the GaN layer is grown by lateral growth method only from the exposed side face not covered with the insulation layer of the nuclide crystal layer, the GaN layer is grown asymmetrically in the lateral direction, and an association part 32 is formed in the thickness direction of the GaN layer from the vicinity of boundary of the nuclide crystal layer and the insulation layer.例文帳に追加

横方向成長法によるＧａＮ層が種結晶層の絶縁層で覆われていない露出した側面からのみ成長するために、ＧａＮ層の横方向成長が非対称性になるので、会合部３２は、種結晶層と絶縁層の境界付近からＧａＮ層の厚さ方向に形成される。 - 特許庁

The semiconductive belt includes: a base layer constituted of an elastic body, and a protective layer laminated on the base layer, wherein the layer thickness ratio of the protective layer to the base layer is ≤0.04, and also, a permanent tensile strain difference between the semiconductive belt body and the base layer is ≤0.6%.例文帳に追加

本発明の半導電性ベルトは、弾性体で構成される基材層と、該基材層上に積層された保護層とを有し、基材層の層厚に対する保護層の層厚の比が０．０４以下であると共に、半導電性ベルト本体の引張り永久歪みと、基材層の引張り永久歪みとの差が０．６％以下である。 - 特許庁

The reflective screen is formed by laminating a surface diffusion layer 1, a transparent tacky adhesive layer 2, and the aluminum foil reflection layer 5, wherein a diffusion material is added to the transparent tacky adhesive layer 2 and the transparent layer 3 of a prescribed thickness is disposed between the transparent tacky adhesive layer 2 and the aluminum foil reflection layer 5.例文帳に追加

表面拡散層１、透明粘着剤層２及びアルミ箔反射層５を積層してなる反射型スクリーンであって、前記透明粘着剤層２には拡散材が添加され、この透明粘着剤層２とアルミ箔反射層５との間には所定厚の透明層３が設けられているものである。 - 特許庁

A third layer part 36 inclining from a first layer part 34 toward a second layer part 35 is provided between the first layer part 34 and the second layer part 35 of a color filter layer 33, which are different in layer thickness and are formed in a color filter substrate 30 of a transflective liquid crystal display panel 1 having a transmitting area 26 and a reflection area 27.例文帳に追加

透過領域２６と反射領域２７を有する半透過型液晶パネル１のカラーフィルタ基板３０に形成された層厚の異なるカラーフィルタ層３３の第１層部３４と第２層部３５の間に、第１層部３４から第２層部３５へ向かって傾斜する第３層部３６を設ける。 - 特許庁

Alternatively, the zeolite membrane has a first layer containing a zeolite crystal and a second layer containing another zeolite crystal of a different kind from that of the first layer and is characterized in that the first layer and the second layer form a layer structure and the thickness of the layer structure is 20 μm or thinner.例文帳に追加

または、ゼオライト結晶を含む第一の層と前記第一の層とは種類が異なるゼオライト結晶を含む第二の層を有するゼオライト膜であって、前記第一の層と前記第二の層は積層構造を形成し、前記積層構造の厚みは２０μｍ以下であることを特徴とするゼオライト膜。 - 特許庁

In a method for manufacturing an organic EL display device, an organic compound layer is formed by vapor deposition after a layer used for patterning the organic compound layer has been formed, and thereby, the organic compound layer such as a luminous layer is formed at a uniform film thickness without being affected by the surface tension at a side face of the layer used for patterning the organic compound layer.例文帳に追加

有機化合物層をパターニングするための層を設けた後は、有機化合物層を蒸着法により形成することで、有機化合物層をパターニングするための層の側面部の表面張力の影響を受けずに、均一な膜厚で発光層などの有機化合物層を形成する。 - 特許庁

The silicon wafer defines the center, the edge and the region close to the edge, and has a wafer epitaxial layer wherein the wafer has the first thickness of the epitaxial layer close to the center and the second thickness of the epitaxial layer of the region close to the edge, and in this case, the second thickness varies by at least about 2% compared to the first thickness.例文帳に追加

シリコンウェハは、中央部、エッジ及び前記エッジに近接する領域を規定し、前記ウェハエピタキシャル層を有し、前記ウェハは、中央部に近接する前記エピタキシャル層の第１の厚さ、及び前記エッジに近接する領域のエピタキシャル層の第２の厚さを有し、その際、前記の第２の厚さは、前記の第１の厚さと比べて少なくとも約２％変化している、シリコンウェハ。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting apparatus includes a semiconductor layer having a light-emitting layer, a supporting substrate for supporting the semiconductor layer, and a phosphor-containing layer formed on the front surface of the semiconductor layer, wherein the light-emitting surface of the semiconductor layer has at least one corner portion and the phosphor-containing layer has a thickness thinned from the center of the semiconductor layer to the outer edge portion.例文帳に追加

発光層を含む半導体層と、半導体層を支持する支持基板と、半導体層の表面に形成された蛍光体含有層と、を含む半導体発光装において、半導体層の発光面は少なくとも１つのコーナ部を有し、蛍光体含有層は、半導体層の中央部から外縁部に向けてその膜厚が薄くなっている。 - 特許庁

The coil conductor of a first coil layer 9 positioned at a lower core layer 6 side rather than at a joined surface between an upper core layer 6 and an upper magnetic layer 23 is formed to be thinner than the thickness of the coil conductor of a second coil layer 10 positioned at the upper core layer 6 side rather than at the joined surface between the upper core layer 6 and the upper magnetic layer 23.例文帳に追加

上部コア層６と上部磁極層２３の接合面よりも下部コア層６側に位置する第１のコイル層９のコイル導体厚さ寸法を、上部コア層６と上部磁極層２３の接合面よりも上部コア層６側に位置する第２のコイル層１０のコイル導体厚さ寸法よりも薄く形成した。 - 特許庁

At least a reflecting layer, recording layer, lower dielectric layer, upper dielectric layer and solid lubricative layer are stacked in this order on a substrate, the thermal conductivity of the upper dielectric layer is made higher than that of the lower dielectric layer and the total thickness of the lower and upper dielectric layers and the solid lubricative layer is adjusted to be 90 nm or larger.例文帳に追加

基板上に少なくとも反射層、記録層、下部誘電体層、上部誘電体層および固体潤滑層をこの順に積層し、上部誘電体層の熱伝導率が下部誘電体層の熱伝導率より大きくかつ下部誘電体層と上部誘電体層と固体潤滑層の合計の膜厚を９０ｎｍ以上とした。 - 特許庁

In this organic EL element 200 formed by laminating an anode layer 20, a hole transport layer 30, a luminescent layer 40, an electron transport layer 50, and a cathode layer 60 on a substrate 10 in this order, the film thickness of the hole transport layer 30 is thickened in order to practically cover foreign materials 70 adhering onto the anode layer 20 with the hole transport layer 30.例文帳に追加

基板１０上に、陽極層２０、正孔輸送層３０、発光層４０、電子輸送層５０、および陰極層６０をこの順に積層形成した有機ＥＬ素子２００において、陽極層２０上に付着した異物７０を正孔輸送層３０で実質的に覆うために、正孔輸送層３０の膜厚を厚くする。 - 特許庁

Namely, when the layer construction makes the highly precise control of the film thickness difficult with the photoelectric controlling for the film thickness, the controlling with the crystal resonator for the film thickness is carried out or the photoelectric controlling and the controlling with the crystal resonator for the film thickness are alternately carried out.例文帳に追加

すなわち、光電式膜厚制御では高精度な膜厚制御が困難となる層の構成の場合に、水晶振動子による膜厚制御を行い、あるいは光電式膜厚制御と水晶振動子による膜厚制御とを交互に行うものである。 - 特許庁

A layer thickness regulating member 46 to regulate the layer thickness of developer T fed on a feeding means 41 whose surface is covered with a belt member 101 is provided so as to abut on the belt member 101.例文帳に追加

ベルト部材１０１によって表面が覆われた搬送手段４１上を搬送される現像剤Ｔの層厚を規制する層厚規制部材４６を、上記ベルト部材１０１に当接するように設ける。 - 特許庁

Preferably the ratio Rth_2/Rthp of absolute value Rth_2 of retardation in the thickness direction of the second birefringent layer to absolute value Rthp of retardation in the thickness direction of the protective layer falls into the range of 1.1 to 4.例文帳に追加

好ましくは、上記保護層の厚み方向の位相差の絶対値Ｒｔｈｐと該第２の複屈折層の厚み方向の位相差の絶対値Ｒｔｈ_２との比Ｒｔｈ_２／Ｒｔｈｐが、１．１〜４の範囲である。 - 特許庁

Grindability of the grinding surface Na and a reinforcing effect of a grinding surface edge by the electrodeposited layer 16 are favourably secured by setting thickness T3 of the electrodeposited layer 16 at less than 1/3 of thickness T1 of the grindstone main body 12a.例文帳に追加

砥石本体１２ａの厚さＴ１の１／３以下に電着層１６の厚さＴ３を設定することで、研削面Ｎａの研削性と電着層１６による研削面エッジの補強効果を良好に確保する。 - 特許庁

To obtain excellent display quality without any display irregularity by lessening liquid crystal layer thickness, accelerating a response speed, and eliminating irregularity of the liquid crystal layer thickness due to influence of a foreign matter coming in between a pair of substrates.例文帳に追加

液晶層厚を小さくして応答速度を速くするとともに、一対の基板間に入り込んだ異物の影響による液晶層厚のばらつきを無くし、表示むらの無い良好な表示品質を得る。 - 特許庁

This thickness measurement instrument for the lining layer has a sensor means 66 for measuring the film thickness of the lining layer, a sensor holder 26 for holding the sensor means 66, and cylinder mechanisms 42, 70 for moving the sensor holder 26.例文帳に追加

ライニング層の膜厚を測定するためのセンサ手段６６と、センサ手段６６を保持するためのセンサホルダ２６と、センサホルダ２６を移動させるためのシリンダ機構４２，７０と、を備えたライニング層の厚さ測定装置。 - 特許庁

Namely, the resolution during exposure is lowered and the area of the portion where the toner layer thickness is smaller than in the case ordinary control is executed is decreased only in the low-density image portion where the toner layer thickness is liable to be made smaller.例文帳に追加

すなわち、トナー層厚が薄くなりやすい低濃度画像部分に限り、露光時の解像度を下げて、通常の制御を行なった場合に比べてトナー層厚が薄くなる部分の面積を減らすようにしている。 - 特許庁

To accurately and stably correct the layer jump of an optical disk, having a plurality of recording layers without being affected by the variations in the thickness of an optical disk or in the thickness of a space layer between the recording layers.例文帳に追加

複数の記録レイヤを有する光ディスクのレイヤジャンプの補正が、光ディスクの厚み及び記録レイヤ間のスペースレイヤの厚みのばらつきの影響を受けることなく正確かつ安定に行なえるようにする。 - 特許庁

The abrasion resistant segment tip 3 has slots 6 formed therein from the abrasive layer 4 toward the base portion 5, and the depth of each slot 6 is set to a value larger than the thickness of the abrasive layer 4 and smaller than four times the thickness of the blade.例文帳に追加

耐摩耗セグメントチップ３の砥粒層４から基材部５に向かって溝６が設けられ、この溝６の深さが砥粒層４の深さ以上であって、ブレード厚みの４倍以下となるように形成されている。 - 特許庁

A release treatment layer comprising an aminoalkyd type cured resin is formed on a biaxially stretched substrate film with a thickness of 38 μm by gravure printing and an outermost surface layer with a thickness of 5 μm is formed thereon by gravure printing.例文帳に追加

膜厚３８μｍの二軸延伸の基体フィルム上にアミノアルキッド系硬化樹脂からなる離型処理層をグラビア印刷で形成し、その上に膜厚５μｍの最表層をグラビア印刷で形成した。 - 特許庁

To provide an apparatus for coating a functional membrane that makes a total thickness of an active material layer and the functional membrane uniform after coating the functional membrane without depending on the thickness deviation of the active material layer before being coated with the functional membrane.例文帳に追加

機能性膜をコーティングする前の活物質層厚さの偏差に依存せず、機能性膜をコーティングした後、活物質層と機能性膜との合計厚さを均一にする機能性膜コーティング装置を提供する。 - 特許庁

The condition of electrostatic latent image formation is changed by a control means 21 based on the layer thickness of the photoreceptor drum 1 detected by a layer thickness detecting means 19 and the humidity detected by the temp. humidity sensor 20.例文帳に追加

膜厚検知手段１９が検知する感光ドラム１の膜厚と、温湿度センサ２０が検知する湿度との検知結果に基づいて制御手段２１によって静電潜像の形成条件を変更する。 - 特許庁

To provide a display panel capable of effectively preventing generation of display unevenness caused by thickness of a display medium layer, by keeping the thickness of the display medium layer uniform over a whole display area.例文帳に追加

表示領域の全域にわたって表示媒体層の厚みを均一に保持して、表示媒体層の厚みに起因する表示ムラの発生を効果的に防止することができる表示パネルを提供することを目的とする。 - 特許庁

The release film is composed of one layer of a resin having a product of the Olsen rigidity and the thickness of ≤50,000 Pam or is obtained by laminating the resin having a product of the Olsen rigidity and the thickness of ≤50,000 Pam on the outermost layer.例文帳に追加

本発明は、オルゼン剛性と厚みの積が５００００Pa・ｍ以下の樹脂の単層またはオルゼン剛性と厚みの積が５００００Pa・ｍ以下の樹脂が最外層に積層された離型フィルムである。 - 特許庁

Formation of a semiconductor layer, measurement of the film thickness of the semiconductor layer, and crystallization thereof by light irradiation are carried out continuously, without being exposed to atmosphere, and the crystallization is carried out with an optimum light irradiation energy density found from the film thickness.例文帳に追加

半導体層形成、半導体層の膜厚測定および光照射による結晶化を大気に曝すことなく連続で行い、膜厚より求めた最適な光照射エネルギー密度によって結晶化を行う。 - 特許庁

Thickness of the alumite layer 12 is suitable within a range of 0.2 μm or more and 50 μm or less, and thickness of the boehmite layer 13 is suitable within a range of 0.2 μm or more and 5 μm or less.例文帳に追加

アルマイト層１２の厚さとしては０．２μｍ以上５０μｍ以下の範囲内の厚さが好適であり、ベーマイト層１３の厚さとしては０．２μｍ以上５μｍ以下の範囲内の厚さが好適である。 - 特許庁

A nitride semiconductor crystal layer having a thickness of 1 μm or more is formed on a silicon crystal layer having a thickness of 20 μm or less provided on a substrate of which a silicon oxide film is formed on the surface.例文帳に追加

実施形態によれば、表面にシリコン酸化膜が形成された基体の上に設けられた２０μｍ以下の厚さのシリコン結晶層の上に、１μｍ以上の厚さの窒化物半導体結晶層を形成する。 - 特許庁

In this way, the heatsink layer 113 is larger in thickness than the Au layers 111a and 111b (0.4 μm in thickness) to secure the installation position of the semiconductor layer element 10.例文帳に追加

このようにヒートシンク層１１３の厚みがＡｕ層１１１ａ、１１１ｂ（膜厚０．４μｍ）よりも厚いのは、これによって基板厚み方向における半導体レーザ素子１０の取り付け位置を確保するためのものである。 - 特許庁

The film thickness of the intrinsic semiconductor layer 103 formed on a TFT part and a signal wiring part for reading out a signal from the TFT part is formed smaller than the film thickness of the intrinsic semiconductor layer 103 formed on a photoelectric conversion element part.例文帳に追加

ＴＦＴ部と、ＴＦＴ部の信号を読み出す信号配線部との真性半導体層１０３の膜厚を、光電変換素子部の真性半導体層１０３の膜厚より薄く形成する。 - 特許庁

In the light-diffusing member, the vicinity of the interface opposite to the monomer absorption layer is, preferably, an area within 50% relative to the total thickness, in the thickness direction from the interface opposite to the monomer absorption layer.例文帳に追加

前記光拡散部材では、モノマー吸収層とは反対側の界面近傍は、モノマー吸収層とは反対側の界面から厚み方向の全厚みに対して５０％以内の領域であることが好ましい。 - 特許庁

The pitch of the recessed parts 12a is 200-500 nm, the thickness of the reflection layer 13 is 5-30 nm, and the reflectance is controlled by the thickness of the reflection layer 13.例文帳に追加

そして、凹部１２ａのピッチが２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、反射層１３の膜厚が５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であり、反射層１３の厚みにより反射率を制御することを特徴とする。 - 特許庁

A carbonized layer of resin is formed on the surface of a carbon fiber cloth or carbon fiber bundle composed of 1,000 to 12,000 filaments and the total thickness is made 0.1 to 0.5 mm and the thickness of the carbonized layer is made 5 to 70 μm.例文帳に追加

フィラメント数が１０００本〜１２０００本の炭素繊維織物または炭素繊維束の表面に樹脂の炭化層を形成し、全体の厚みを０．１〜０．５ｍｍとし、また、炭化層の厚みを、５〜７０μｍとする。 - 特許庁

To achieve a developing device restraining the developer, which has become redundant as a result of the regulation of the layer thickness by a layer thickness regulating member, from staying instead of circulating, with a simple structure, and also to provide an image forming apparatus.例文帳に追加

層厚規制部材によって層厚が規制されることで余剰となった現像剤が循環しないで滞留するのを、簡易な構成で抑制することができる現像装置、画像形成装置を得る。 - 特許庁

The relation 1.015*t1≤t2≤1.17*t1 is satisfied, where t1 is thickness of the first dielectric layer 101 and t2 is thickness of the second dielectric layer 102, with the first contact surface S1 as a reference.例文帳に追加

そして、第１の接触面Ｓ１を基準にして、第１の誘電体層１０１の厚みをｔ１とし、第２の誘電体層１０２の厚みをｔ２としたとき、 １．０１５＊ｔ１≦ｔ２≦１．１７＊ｔ１を満たす。 - 特許庁

The value of x represents a plurality of maximums and a plurality of minimums in the thickness direction of the buffer layer 2, and variation of the value of x is 0.5 or less in any region where the thickness in the buffer layer 2 is 1 nm.例文帳に追加

ｘの値は、バッファ層２の厚さ方向で複数の極大及び複数の極小を示し、バッファ層２中の厚さが１ｎｍの任意の領域内では、ｘの値の変化量が０．５以下となっている。 - 特許庁

To provide a liquid crystal device which prevents dispersion of the thickness of alignment film due to different formation state of a layer-thickness adjusting layer and causes less display faults, to provide a manufacturing method of the liquid crystal device, and to provide electronic equipment provided with the liquid crystal device.例文帳に追加

層厚調整層の形成状態が異なることによる配向膜の膜厚のバラつきを防ぎ、表示不良の発生が少ない液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器を提供する。 - 特許庁

The polycarbonate resin laminate is constituted by forming a cured film layer with a thickness of 1-10 μm comprising a coating composition of (a)-(e) on a primer coating film layer with a thickness of 1-10 μm comprising an acrylic resin.例文帳に追加

アクリル樹脂からなる塗膜厚み１〜１０μｍのプライマー塗膜層（２）上に下記（イ）〜（ホ）のコーティング組成物からなる塗膜厚み１〜１０μｍの硬化皮膜層（３）が形成されてなることを特徴とする。 - 特許庁

The average thickness tf of the conductive layer on the base film formed in the flexible region and the average thickness tR of the conductive layer on the base film formed in the rigid region satisfies the relation of tf<tR.例文帳に追加

フレキシブル領域に形成されたベースフィルム上の導体層の平均厚みｔｆと該リジッド領域に形成されたベースフィルム上の導体層の平均厚みｔＲとは、ｔｆ＜ｔＲの関係を満たす。 - 特許庁

With respect to the surface area of the phosphor layer 13A to the lens 14a and a thickness t1 of the phosphor layer 13A, at least the thickness t1 is changed to obtain a desired light distribution.例文帳に追加

レンズ部１４ａに対する蛍光体層１３Ａの表面積及び蛍光体層１３Ａの厚さｔ１の内で少なくとも厚さｔ１を変えて所望の配光分布を得たことを特徴としている。 - 特許庁

To obtain a dielectric-isolated semiconductor device which realizes high breakdown voltage while preventing the breakdown voltage of a semiconductor device from being limited depending on the thickness of a dielectric layer and the thickness of a first semiconductor layer.例文帳に追加

この発明は、誘電体層の厚さと第１半導体層の厚さとに依存して半導体装置の耐圧が制限されることを防ぎつつ、高耐圧を実現した誘電体分離型半導体装置を得る。 - 特許庁