「layer- thickness」に関連した英語例文の一覧と使い方(56ページ目) - Weblio英語例文検索

The thickness of a parallel pn layer 12 at an active section 10 is set thinner than that of a pn layer 22 of a breakdown voltage structure section 20, and an n+ intermediate drain layer 21, having concentration higher than that of an n-drift region 12a, is inserted between the parallel pn layer 12 and an n+ drain layer 11.例文帳に追加

活性部１０の並列ｐｎ層１２の厚さを、耐圧構造部２０のｐｎ層２２より薄くし、並列ｐｎ層１２とｎ^+ ドレイン層１１との間に、ｎドリフト領域１２ａより高濃度のｎ^+ 中間ドレイン層２１を挿入する。 - 特許庁

A reflecting layer 2 and a recording layer 3 are successively laminated on a substrate 1 and a light transmissive layer 4 having ≤0.3 mm thickness is formed on the recording layer 3 to obtain the objective optical recording medium which is irradiated with recording and reproduction light from the light transmissive layer 4 side.例文帳に追加

基板上に反射層、記録層がこの順に積層形成されるとともに、記録層上に厚さ０．３ｍｍ以下の光透過層が形成され、上記光透過層側から記録再生光が照射される光記録媒体である。 - 特許庁

This laminated foil comprises the intermediate layer formed of the aluminum or the aluminum alloy, arranged in such a manner that the intermediate layer is sandwiched between the metallic foils, and has an oxide layer with 0.1 μm or less thickness, formed on the intermediate layer side of an interface between the intermediate layer and the metallic foil.例文帳に追加

AlまたはAl合金でなる中間層を金属箔で挟持するように配置した積層箔において、前記中間層と前記金属箔との界面の中間層側に形成される酸化物層の厚さが0.1μｍ以下である積層箔。 - 特許庁

In the conductive film including a base material film 1, an intermediate layer 2, a transparent conductive coating film layer 3 and a protective layer 4, which are laminated in this order, the surface roughness of the intermediate layer 2 is set within a predetermined range, and the thickness of the protective layer 4 is set within a predetermined range.例文帳に追加

基材フィルム１、中間層２、透明導電塗膜層３、保護層４がこの順で積層された導電性フィルムにおいて、中間層２の表面粗さを特定範囲にすると同時に、保護層４の厚みを特定範囲にする。 - 特許庁

A semiconductor device of an embodiment includes: a p-type nitride semiconductor layer; a polycrystalline nickel oxide layer formed on the p-type nitride semiconductor layer and having a thickness of 3 nm or less; and a metal layer formed on the nickel oxide layer.例文帳に追加

実施の形態によれば、ｐ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層上に形成され、膜厚が３ｎｍ以下で多結晶質のニッケル酸化物層と、ニッケル酸化物層上に形成される金属層と、を有する半導体素子である。 - 特許庁

The metal plate used for electric contact is produced by forming a nickel-plating layer 3 on the surface of a sheet-like substrate 2 made of stainless steel, forming a ≤0.5 μm thickness copper-plating layer 4 on the nickel-plating layer 3 through flash plating, and forming a silver-plating layer 5 on the copper-plating layer 4.例文帳に追加

ステンレス鋼からなる薄板状の基板２表面に、ニッケルメッキ層３を形成し、ニッケルメッキ層３上にフラッシュメッキによって０．５μｍ厚以下の銅メッキ層４を形成し、銅メッキ層４上には銀メッキ層５を形成する。 - 特許庁

An optical switch module is provided with a first core layer 514 having a first thickness, a second core layer 511 which is thinner than the layer 514 and a core layer 507 which is provided between the first and the second layers and has a taper.例文帳に追加

第１の厚さを有する第１コア層と５１４と、第１コア層より薄い第２コア層５１１と、第１コア層及び第２コア層の間に設けられたテーパの付されたコア層５０７とを有する光スイッチモジュール。 - 特許庁

An air layer 4 is formed by providing a jacket film material 15 outside an outer skin 5, and layer thickness T4 of the air layer 4 is changed by supplying and discharging air to and from the air layer 4 by a air supply and discharge means 10.例文帳に追加

外皮５の外側に外套膜材１５を設けて、空気層４を形成し、空気層４の層厚Ｔ４を、給排気手段１０による空気層４に対して空気を供給および排出して変更する。 - 特許庁

Since Zn doped in the heavily doped p-type first clad layer 8 can be diffused to the first undoped layer 7 and the second undoped layer 9, thickness of the first undoped layer 7 can be reduced.例文帳に追加

このため、高濃度ｐ型第１クラッド層８にドープされたＺｎの拡散を第１アンドープ層７と第２アンドープ層９とに分散させることができるので、第１アンドープ層７の厚みを小さくすることができる。 - 特許庁

A distance W_1 between the drain end of the gate electrode and the drain end P_1 of the strain applying layer 3 parallel to a first interface 21 between the carrier travelling layer 1 and the barrier layer 2 falls within 5 times the film thickness d_1 of the barrier layer 2.例文帳に追加

ゲート電極のドレイン端と歪み印加層３のドレイン端Ｐ_1との、キャリア走行層１と障壁層２との第１界面２１と平行な距離Ｗ_1が、障壁層２の膜厚ｄ_1の５倍以内である。 - 特許庁

The photoelectric conversion element includes at least a metal oxide semiconductor layer and a buffer layer made of In_2S_3, wherein the buffer layer is formed on the metal oxide semiconductor layer by the spray method and its thickness is 0.2 to 1.0 μm.例文帳に追加

少なくとも、金属酸化物半導体層、及びＩｎ_２Ｓ_３からなるバッファー層を備え、該バッファー層は、金属酸化物半導体層上にスプレー法により形成され、厚みが０．２〜１．０μｍである、光電変換素子。 - 特許庁

While the first electrode catalytic layer 2a and the second electrode catalytic layer 2b are stacked in a membrane thickness direction, the water-retaining properties of the first electrode catalytic layer 2a and the second electrode catalytic layer 2b are different.例文帳に追加

第１の電極触媒層２ａと第２の電極触媒層２ｂとが、膜厚方向に積層されているとともに、第１の電極触媒層２ａと第２の電極触媒層２ｂとの含水性が異なる。 - 特許庁

In the semiconductor layer 22, an impurity layer 23 of the second conductivity type is provided adjacently to the base region 9 from a surface of the semiconductor layer 22 to a predetermined depth smaller than the thickness of the semiconductor layer 22.例文帳に追加

半導体層２２にはベース領域９に隣接して半導体層２２の表面から半導体層２２の厚さより小さい所定深さにわたって第２導電型の不純物層２３が設けられる。 - 特許庁

An upper insulation layer 9 is provided on the MR element layer 5, the electrodes 7 and the soft magnetic film via a non-magnetic upper gap layer 8, and an upper shielding layer 10 having 3 μm thickness is formed thereon.例文帳に追加

そしてこれらのＭＲ素子層５及び電極７、軟磁性膜の上に、非磁性の上部ギャップ層８を介して上部絶縁層９が設けられ、さらにその上に上部シールド層１０が厚み３μｍで形成される。 - 特許庁

The high resistance layer 3A includes an oxygen concentration gradient in the thickness direction, and the oxygen concentration at a part of the high resistance layer 3A touching the ion source layer 3B is below the oxygen concentration in the center of the high resistance layer 3A.例文帳に追加

高抵抗層３Ａには、厚さ方向に酸素濃度勾配が設けられ、高抵抗層３Ａのイオン源層３Ｂに接する部分の酸素濃度が高抵抗層３Ａの中心部分の酸素濃度以下となっている。 - 特許庁

In the protection tool, high hardness stainless steel SUS301H having HV450-470 or more of average hardness and 0.6 mm or more of plate thickness is used for an outer layer (A layer), and 5 mm or more of foam is used for an inner layer (B layer).例文帳に追加

外層（Ａ層）に高硬度ステンレスＳＵＳ３０１Ｈ、平均硬度ＨＶ４５０−４７０以上、板厚０．６ｍｍ以上を使用し、内層（Ｂ層）に５ｍｍ以上のフォームを使用した防護具である。 - 特許庁

Here, the buffer layer 31 is formed of amorphous silicon carbide, and thickness of the low-concentration amorphous silicon carbide layer 30a is made larger than that of the high-concentration amorphous silicon carbide layer 30b and buffer layer 31.例文帳に追加

ここで、バッファ層３１をアモルファス炭化シリコンで形成するとともに、低濃度アモルファス炭化シリコン層３０ａの膜厚は、高濃度アモルファス炭化シリコン層３０ｂ及びバッファ層３１の膜厚よりも厚くする。 - 特許庁

A buffer layer 43, a non-doped InGaAs channel layer 44, a barrier layer 45 composed of a plurality of layers, and an n^+-type contact layer 46 of thickness 50 nm are formed on a semi-insulating GaAs substrate 42.例文帳に追加

半絶縁性ＧａＡｓ基板４２上にバッファ層４３、ノンドープＩｎＧａＡｓのチャネル層４４、複数層からなる障壁層４５、ｎ＋型ＧａＡｓからなる膜厚５０ｎｍのコンタクト層４６が形成される。 - 特許庁

An air layer 4 is formed of an outer jacket film material 15 of the installing body 32, and the layer thickness T4 of the air layer 4 is changed by supplying and discharging air to and from the air layer 4 by an air supply and discharge means 10.例文帳に追加

装着体３２の外套膜材１５によって空気層４を形成し、空気層４の層厚Ｔ４を、給排気手段１０による空気層４に対して空気を供給および排出して変更する。 - 特許庁

Since the thickness of the thermistor layer 3 in the layer direction is different from that of the thermistor layer 4 in the layer direction, regulation of the output voltage characteristics to the temperature can be facilitated.例文帳に追加

しかも、積層方向におけるサーミスタ層３の厚さと、積層方向におけるサーミスタ層４の厚さとが互いに異なっているため、温度に対する出力電圧特性の調整の容易化が可能になる。 - 特許庁

This manufacturing method of an organic EL device 1 includes: a process (a) for forming an organic layer 12 including a luminescent layer; and a process (b) for forming an adjustment layer for adjusting optical film thickness of a plurality of layers including the luminescent layer.例文帳に追加

有機ＥＬ装置の製造方法は、ａ）発光層を含む有機層を形成する工程と、ｂ）前記発光層を含む複数の層の光学膜厚を調整する調整層を形成する工程とを備える。 - 特許庁

Thus polishing film is formed with a polishing layer 2 on the surface of a supporting body 1 and a slippage prevention layer 3 on the back of the supporting body 1, while the slippage prevention layer is composed of a minute sticking thin layer of 2 to 4 μm thickness.例文帳に追加

支持体１の表面に研磨層２が形成され、支持体の裏面にすべり防止層３が形成された研磨フィルムであり、すべり防止層３は、厚さ２〜４μmの微粘着性の薄い層からなる。 - 特許庁

(3) The functional filter is the one in which a synthetic fiber unwoven cloth having a permeability larger than that of the inner layer, an average fiber diameter of 10-100 μm and a thickness of 0.05-1 mm is disposed between the inner layer and the outer layer as an intermediate layer.例文帳に追加

(3) 前記内層と外層の間に、該内層よりも通気性が大きく、平均繊維径が１０〜１００μｍ、厚みが０．０５〜１ｍｍである合成繊維不織布を中間層として配置した機能性フィルター。 - 特許庁

In this absorption type semiconductor quantum well optical modulator, thickness of semiconductor well layers 27p to 27n are made to become successively thinner from the semiconductor well layer 27p being the closest to a p-InP clad layer 25 toward the semiconductor well layer 27n being the closest to n-InP clad layer 21.例文帳に追加

ｐ−ＩｎＰクラッド層２５に最も近接する半導体井戸層２７_p から、ｎ−ＩｎＰクラッド層２１に最も近接する半導体井戸層２７_n に向かって、それら層厚を順次薄くなるようにした。 - 特許庁

The layer of the sandwich structure is formed of a lower Al_xGa_1-xN barrier layer 23, an intermediate AlN barrier layer 24 having ≥2 nm thickness and an upper Al_xGa_1-xN cap layer 25.例文帳に追加

サンドイッチ構造の層は、下層のＡｌ_ｘＧａ_１ーｘＮバリア層２３と、厚さ２ｎｍ以上の中間のＡｌＮバリア層２４と、上層側のＡｌ_ｘＧａ_１ーｘＮキャップ層２５とにより形成されている。 - 特許庁

A part of an insulating layer 25 defining a contact region between the second conductive layer 24 and the piezoelectric material layer 23 is interposed between the second pad 24c and the piezoelectric material layer 23 in the thickness direction of the device substrate 10.例文帳に追加

第２導電層２４と圧電材料層２３との接触領域を規定する絶縁層２５の一部が、デバイス基板１０の厚み方向において第２パッド２４ｃと圧電材料層２３との間に介在している。 - 特許庁

At least one of an n-type nitride semiconductor layer or a p-type nitride semiconductor layer further has a clad layer made of a nitride semiconductor containing Al, and the thickness of the clad layer is 10 nm or less.例文帳に追加

ｎ型窒化物半導体層またはｐ型窒化物半導体層の少なくとも一方が、Ａｌを含む窒化物半導体からなるクラッド層をさらに有し、前記クラッド層の膜厚を５０ｎｍ以下とする。 - 特許庁

When an underlying layer is not provided on the rear end face, the optical film thickness of the low refractive index layer, the high refractive index layer and the intermediate refractive index layer is λ_3/4, where λ_3 is a wavelength between λ_1 and λ_2.例文帳に追加

低屈折率層、高屈折率層および中間屈折率層の光学膜厚は、後端面に下地層が設けられていない場合には、λ_1とλ_2の間の波長をλ_3としたときに、λ_3／４となっている。 - 特許庁

The mangetoresistance element comprises a free layer 2, a spacer layer 3 formed on the free layer 2, and a pinned layer 4 formed on the spacer layer 3, wherein the mangetoresistance element has a width of 7 to 8 μm, and the spacer layer has a thickness of 28 to 34 Å.例文帳に追加

この磁気抵抗効果素子は、フリー層２と、このフリー層２の上に形成されたスペーサ層３と、このスペーサ層３の上に形成されたピンド層４とを有し、磁気抵抗効果素子の幅が７乃至８μｍであり、スペーサ層の厚さが２８乃至３４Åである。 - 特許庁

In the light reflecting layer 32 comprising three layers of a foundation layer 322, a reflecting layer 321, and a cap layer 323, an ICO-based film, which is an oxide film containing In and Ce, having a thickness of 80 to 110 nm is used for the cap layer 323 and the foundation layer 322.例文帳に追加

下地層３２２，反射層３２１およびキャップ層３２３の３層からなる光反射層３２において、キャップ層３２３に厚み８０〜１１０ｎｍのＩＣＯ系膜（ＩｎとＣｅを含有した酸化物膜）を用いるとともに、下地層３２２にもＩＣＯ系膜を用いる。 - 特許庁

The method for manufacturing the resin film laminate plating steel sheet comprises the steps of forming a prescribed amount of an Sn-plating layer or a prescribed amount of an Ni-plating layer and an Sn-plating layer on the surface of the steel sheet, forming an organically treated coating layer having a prescribed thickness on its upper layer, and further laminating a non- stretched resin film on its upper layer.例文帳に追加

鋼板表面に一定量のＳｎめっき層、または一定量のＮｉめっき層、Ｓｎめっき層を形成し、その上層に一定の厚さで有機処理被膜層を形成し、さらにその上層に無配向の樹脂フィルムを積層した樹脂被覆めっき鋼板とする。 - 特許庁

The method for treating a metal surface comprises the steps of forming a copper-plating layer 2 having a thickness of 50 to 2,000 μm on the surface, subjecting the layer 2 to predetermined machining, and forming a predetermined metal-plated layer 4 such as a nickel-plated layer, a chromium- plated layer or the like on the surface 21 of the cut layer 2.例文帳に追加

金属表面１に５０μｍ〜２０００μｍの厚膜の銅メッキ層２を形成し、この銅メッキ層２に所定の切削加工を施し、切削加工を施した銅メッキ層２の表面２１にニッケルメッキ層、クロムメッキ層等の所定の金属メッキ層４を形成する。 - 特許庁

As a recording layer with a thickness of 2-4 nm, a first reaction layer the main component of which is Si, a second reaction layer the main component of which is Cu, and a barrier layer the constitutent of which comprises an element which does not form an alloy with Si and Cu and are provided between the first reaction layer and the second reaction layer.例文帳に追加

記録層として、主成分がＳｉである第１反応層、主成分がＣｕである第２反応層および第１反応層と第２反応層の間に構成元素がＳｉ及びＣｕと合金を形成しない元素からなる厚み２ｎｍ以上４ｎｍ以下のバリア層を設ける。 - 特許庁

(1) The optical recording medium has at least a recording layer and a heat radiation layer formed on its base substrate and at least one of the film thickness of the heat radiation layer, the distance between the heat radiation layer and recording layer, and the heat radiation layer composition cyclically varies in the medium surface.例文帳に追加

（１）支持基板上に少なくとも記録層と放熱層が積層され、放熱層の膜厚、放熱層と記録層間の距離、放熱層組成の少なくとも一つの形態が、媒体面内において周期的に変化していることを特徴とする光記録媒体。 - 特許庁

The embedding resin layer 12 has a structure layer 12a (first layer) filling the concave portions 111 and having a first volume and a flat layer 12b (second layer) formed on the structure layer 12a with such a thickness as to have a second volume being ≥5% of the first volume.例文帳に追加

包埋樹脂層１２は、凹部１１１を充填し第１の体積を有する構造層１２ａ（第１の層）と、上記第１の体積の５％以上である第２の体積を有する厚みで構造層１２ａの上に形成された平坦層１２ｂ（第２の層）とを含む。 - 特許庁

To provide an overprint card in which whiteness and brightness are both improved without increasing a layer thickness of a white layer, by having an overprint layer such as a concealing layer and a white layer for the purpose of preventing viewing of an internally existing magnetic layer, an IC chip or the like from the outside.例文帳に追加

内部に存在する磁気層やＩＣチップ等を外部から目視できないようにするための隠蔽層と白色層等のオーバープリント層を有し、白色層の層厚を厚くすることなく、白色度と輝度を共に向上できるようにしたオーバープリントカードの提供を課題とする。 - 特許庁

In the laminate 100 of the ceramic insulation layer 30 and the metal layer 10, a protective layer 20 composed of a silicon compound whose layer thickness is 5-100 nm is provided on a side where the ceramic insulation layer 30 is provided, in the metal layer 10.例文帳に追加

上記目的を達成するため、セラミック系絶縁層３０と金属層１０との積層体１００において、当該金属層１０には、セラミック系絶縁層３０が設けられる側の面に、層厚が５ｎｍ〜１００ｎｍのケイ素化合物から成る保護層２０を設ける構成とする。 - 特許庁

A magnetoresistive effect element having a high magnetoresistive effect is obtained by forming a high-polarizability layer having a thickness of ≤10 nm in contact with the interface between a nonmagnetic layer and an intermediate layer as an Fe-rich Fe-O layer and heat-treating the Fe-O layer into a ferromagnetic Fe-O layer.例文帳に追加

非磁性層中間層界面に接して１０ｎｍ以下の厚さの高分極率層を、ＦｅリッチなＦｅ—Ｏ層として形成し、熱処理によって強磁性Ｆｅ−Ｏ層の積層膜とし、これによって高い磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効果素子を得る。 - 特許庁

In the printed material 5, the thickness of the light shielding layer 532 is unequal according to the unevenness of first image layer 52, whereby the plane of the intermediate layer 53 which comes into contact with the second image layer 54 is flat and the unevenness of the first image layer 52 is prevented in the second image layer 54.例文帳に追加

印刷物５では、遮光層５３２の厚さが第１画像層５２の凹凸に合わせて不均一であることにより、中間層５３の第２画像層５４に接する面が平らであり、第１画像層５２の凹凸が第２画像層５４に現れることが防止または抑制される。 - 特許庁

The magnetic recording layer has an easily adhesive layer and a smoothing layer containing at least a water soluble resin and having 0.3 to 3.0 μm thickness in this order between the non-magnetic base and the magnetic layer or the non-magnetic layer and protrusions existing on the surface of the smoothing layer have ≤100 nm maximum height.例文帳に追加

前記非磁性支持体と前記磁性層又は非磁性層との間に、易接着層及び水溶性樹脂を少なくとも含む厚さ０．３〜３．０μｍの平滑化層をこの順に有し、かつ前記平滑化層表面に存在する突起の最大高さが１００ｎｍ以下である。 - 特許庁

Regarding the multi-layer steel material in which a soft layer 6 is formed on the surface 1, the thickness of the soft layer 6 is controlled to 0.1 to <1.0 mm, and also, the Vickers hardness Hvs of the soft layer 6 and the Vickers hardness Hvi of an internal layer 7 other than the soft layer 6 are allowed to satisfy equation.例文帳に追加

表面１に軟質層６が形成された複層鋼材において、この軟質層６の厚さを０．１ｍｍ以上１．０ｍｍ未満とし、かつ軟質層６のビッカース硬さＨｖｓと軟質層６を除く内層７のビッカース硬さＨｖｉとが、下記数式を満足するようにする。 - 特許庁

Since a diffraction grating is arranged on the lower part of an active layer, the film thickness of a 1st upper clad layer can be thinned, a leak current leaked from the 1st upper clad layer to a contact layer can be suppressed, and the efficiency of current injection into the active layer and a variable wavelength layer can be improved.例文帳に追加

回折格子を活性層の下部に配設したことにより、第１上部クラッド層の膜厚を薄くすることでき、第１上部クラッド層からコンタクト層へ漏れるリーク電流を抑制し、活性層及び波長可変層への電流注入効率を高める。 - 特許庁

The Ag thin-film layer 15 contributes to improvement of connection strength between the Cu wiring layer 11 and the Ag connection layer 14 in forming the Cu wiring layer 11 by non-electrolytic plating, and formation of the Cu wiring layer 11 having a sufficient thickness on the ceramic layer 12.例文帳に追加

こうしたＡｇ薄膜層１５は、無電解メッキによるＣｕ配線層１１形成時において、Ｃｕ配線層１１とＡｇ接続層１４との接続強度を高め、またセラミック層１２上に十分な厚みのＣｕ配線層１１を形成することに寄与する。 - 特許庁

The fixing layers 41 and 42 are provided with: the pinned layer 42 magnetized along an x-axis direction vertical to a thickness direction; and the antiferromagnetic layer 41 connected to the pinned layer 42.例文帳に追加

なお、固定層４１，４２は、厚み方向に垂直なｘ軸方向に沿って磁化されたピンド層４２と、ピンド層４２に結合する反強磁性層４１とから構成されている。 - 特許庁

In particular, the thicknesses in layered constitution of the foamed layer (A), the intermediate layer (B) and the sealing layer (C) are preferably 20-70%, 10-70% and 5-30%, respectively, of the total thickness of the film.例文帳に追加

特に発泡層（Ａ）、中間層（Ｂ）及びシール層（Ｃ）のそれぞれの層構成がフィルム全体厚みの２０〜７０％、１０〜７０％、５〜３０％であることが好適である。 - 特許庁