「memory method」に関連した英語例文の一覧と使い方(145ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an information processor capable of improving the using efficiency of a memory while reducing overheads caused at the time of memory access, and a memory management method.例文帳に追加

メモリアクセスの際に発生するオーバーヘッドを軽減しつつメモリの使用効率を向上させることが可能な情報処理装置及びメモリ管理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a magnetic memory comprising a plurality of small magnetic memory elements of low power consumption wherein a magnetized state recorded in a memory layer is stable even if a pattern is micronized.例文帳に追加

パターンが微細化しても、メモリ層に記録された磁化状態が安定に存在し、かつ消費電力が小さい複数の磁気メモリ素子からなる磁気メモリの製造方法を提供する。 - 特許庁

A memory image (such as in a bitmap form) of the plotting result is further transmitted to a printer together with an internal command and the printer performs output by a method for pasting the transmitted memory image to a frame memory.例文帳に追加

さらにその描画結果のメモリイメージ（ビットマップ形式等）を、内部コマンドと共にプリンタに送出し、プリンタは、送られたメモリイメージをフレームメモリに貼り付ける方法で出力を行う。 - 特許庁

To provide a memory managing device, which is suitable for a data processing method for a dynamically managed memory and easily detects and avoids a memory leak, for a packet exchanger, a router device or the like.例文帳に追加

パケット交換装置やルータ装置などにおいて、動的に管理されるメモリのデータ処理方法に適した、簡易なメモリリークの検出と回避を行うメモリ管理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a resistance change memory capable of exhibiting hysteresis characteristics and memory characteristics of resistance securely with higher reproducibility than conventional techniques, and to provide a method of manufacturing the memory.例文帳に追加

従来技術に比較して高い再現性で確実に抵抗のヒステリシス特性及びメモリ特性を発現させることができる抵抗変化型メモリとその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a resistance change memory element that utilizes a metal oxide single nanoparticle for a resistance change memory, and achieves a larger capacity and lower power consumption of the memory.例文帳に追加

金属酸化物単一ナノ粒子を抵抗変化メモリに利用するもので、メモリの大容量化や低消費電力化を実現する抵抗変化メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device for avoiding the generation of a leakage by miniaturizing contacts concerning an SRAM having six transistors in one memory cell, and also to provide a manufacturing method of the semiconductor memory device.例文帳に追加

１メモリセルが６トランジスタを有するＳＲＡＭにおいて、コンタクトの微細化をするとリークの発生を回避できる半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a data erasing method for a nonvolatile semiconductor memory in which reliability of a memory cell can be improved by reducing stress applied to each memory cell before erasure.例文帳に追加

各メモリセルに対して消去前書き込みによるストレス印加を低減して、メモリセルの信頼性を改善できる不揮発性半導体メモリ装置のデータ消去方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a system controller improving the efficiency of access processing to a flash memory, a flash memory system having the system controller, and a method for controlling a flash memory module.例文帳に追加

フラッシュメモリに対するアクセス処理の効率も向上させることができるシステムコントローラ、システムコントローラを有するフラッシュメモリシステム、およびフラッシュメモリモジュールの制御方法を提供する。 - 特許庁

One embodiment provides a method for predicting out of memory events includes monitoring an amount of memory available from a memory pool during a plurality of garbage collection cycles.例文帳に追加

本発明の一実施形態によると、メモリ不足イベントを予測する方法は、複数のガベージ・コレクション・サイクルにわたり、メモリ・プールから使用することのできるメモリのサイズを監視するステップを含む。 - 特許庁

To provide a method of simulation for a memory transistor by which a simulation value acquired when circuit simulation for the memory transistor is performed is surely approximated to a characteristic actual measurement of the memory transistor.例文帳に追加

メモリトランジスタの回路シミュレーションを実行した際のシミュレーション値を、メモリトランジスタの特性の実測値に確実に近づけることができる、メモリトランジスタのシミュレーション方法を提供する。 - 特許庁

The memory device wherein a plurality of memory material layers are laminated between a pair of electrodes and the memory material layers are broken in sequence by applying a voltage, and its operating method are provided.例文帳に追加

一対の電極間に、複数のメモリ材料層を積層させ、電圧印加によって順にメモリ材料層を破壊することを特徴とするメモリ装置及びその動作方法である。 - 特許庁

This method comprises: detection of a memory access transaction; seeking a hold value based on the kind of the memory access transaction; and storing the hold value in an entry related to the memory access transaction.例文帳に追加

この方法は、メモリ・アクセス・トランザクションを検出し、メモリ・アクセス・トランザクションの種類に基づいて保持値を求め、メモリ・アクセス・トランザクションに関連するエントリ内に保持値を格納することを含む。 - 特許庁

To provide a multi-port semiconductor memory device having reduced bit line voltage offsets and a memory cell arranging method for reducing the bit line voltage offsets in the multi-port semiconductor memory device.例文帳に追加

減少したビットライン電圧オフセットを有するマルチポート半導体メモリ装置、及びマルチポート半導体メモリ装置にてビットライン電圧オフセットを減少させるためのメモリセル配置法を提供する。 - 特許庁

To provide a synchronous memory controller for suppressing an access operation from being delayed while securing compatibility with a synchronous memory (SDRAM), and to provide a synchronous memory and its control method.例文帳に追加

ＳＤＲＡＭとの互換性を確保しつつ、アクセス動作に遅れが生じることを抑制することができる同期型メモリコントローラ、同期型メモリ及びその制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device and a nonvolatile memory system which have a means for reducing writing errors in a nonvolatile semiconductor memory device of a multi-value storage method.例文帳に追加

多値記憶方式の不揮発性半導体記憶装置の誤書き込みを低減する手段を備える不揮発性半導体記憶装置及び不揮発性メモリシステムを提供すること。 - 特許庁

To provide an electronic imaging apparatus and an imaging method capable of effectively utilizing a storage capacity of a buffer memory without the need for a cost increase resulting from extension of the memory or the like by properly setting areas of the buffer memory without the need for complicated operations.例文帳に追加

複雑な操作を要することなくバッファメモリの適切な領域設定を行って、メモリ増設等のコストアップを伴わないでバッファメモリの記憶容量を有効に利用する。 - 特許庁

To provide an image management terminal and an image management method for indicating or copying and moving image data in a personal digital assistant using an internal memory or an external memory card as a memory medium.例文帳に追加

内蔵メモリや外部メモリカードを記憶媒体とする携帯情報端末において、画像データの表示やコピー、移動を行うための画像管理端末および画像管理方法に関する。 - 特許庁

To provide a data storage control method and a device for allowing rewriting of the memory 1 bit error correction content to a memory by a CPU even in a DMA using memory area.例文帳に追加

ＤＭＡ使用メモリ領域においても、ＣＰＵによるメモリ１ビットエラー訂正内容のメモリへの書き戻しが可能なデータ記憶制御方法および装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide a memory controller and a control method which do not stop the operation of a CPU even in the time when writing back to a flash memory is being processed in a device which has a single flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリを１個有する装置においてフラッシュメモリへの書き戻し処理中であっても、ＣＰＵの動作をストップさせることがないメモリ制御装置及び制御方法の提供。 - 特許庁

To provide a drive method of a nonvolatile ferroelectric memory device, being capable of write and read operation uniformly over an overall memory cell array, and suitable for obtaining a compact memory cell with a reduced sensing voltage.例文帳に追加

メモリセルアレイ全体で均一に書込・読出動作が可能で、センシング電圧を低下させてメモリセルの小形化に適した不揮発性強誘電体メモリ装置の駆動方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory device capable of reducing a threshold voltage distribution of a selection transistor having a charge storage layer, especially a NAND flash memory device and its programming method, and a memory system using the same.例文帳に追加

電荷格納層を有する選択トランジスタのしきい電圧分布を減らすメモリ装置、特にＮＡＮＤフラッシュメモリ装置及びそのプログラム方法とこれを用いたメモリシステムを提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device and a manufacturing method of the nonvolatile semiconductor memory device, easily improving an allocation density of the nonvolatile memory cells containing a resistance change element.例文帳に追加

抵抗変化素子を含む不揮発性メモリセルの配置密度を容易に向上できる不揮発性半導体記憶装置、及び不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A method for controlling the memory has a plurality of memory locations each having memory depths which are divided into data depths for holding data and excessive depths for holding repeat numbers.例文帳に追加

データを保持するためのデータ深度とリピート数を保持するための超過深度とに分かれるメモリ深度を各々有する複数のメモリロケーションを有するメモリを制御するための方法。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a dynamic memory cell as well as a semiconductor memory comprising the memory cell, related to a semiconductor substrate comprising a trench capacitor 1 and a switching transistor 2.例文帳に追加

トレンチキャパシタ１とスイッチング用トランジスタ２とを備える半導体基板における、ダイナミックメモリーセルの製造方法、および、このようなメモリーセルを備える半導体メモリーを提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor memory in which noise interference between signal lines transmitting data to a memory cell can be examined by an I/O degeneration test mode and a test method for a semiconductor memory.例文帳に追加

メモリセルにデータを伝送する信号線間のノイズ干渉をＩ／Ｏ縮退テストモードで調べることができる半導体記憶装置及び半導体記憶装置のテスト方法を得る。 - 特許庁

To provide a memory management method of a mobile terminal which can actively organize a memory and minimize an adverse effect on main functions of the mobile terminal in the memory organization.例文帳に追加

能動的にメモリ整理を実行でき、さらに、メモリ整理を行うとき、携帯端末機の主要機能に及ぼす影響が最小化できる携帯端末機のメモリ管理方法を提供する。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus capable of improving the using efficiency of a memory while reducing overhead caused at the time of memory access, and a memory management method.例文帳に追加

メモリアクセスの際に発生するオーバーヘッドを軽減しつつメモリの使用効率を向上させることが可能な画像形成装置及びメモリ管理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a system controller in which a system controller program does not have to be rewritten when executing a command peculiar to a memory controller, and to provide a flash memory system and the control method of a flash memory module.例文帳に追加

メモリコントローラ独自のコマンドを実行させる際に、システムコントローラのプログラムを書き換える必要のないシステムコントローラ、フラッシュメモリシステムおよびフラッシュメモリモジュールの制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a serial access memory having a function possessed by an access memory of the conventional FIFO type and a function possessed by possessed by a serial access memory of a line access type in combination and a data write/read method.例文帳に追加

従来のＦＩＦＯタイプのシリアルアクセスメモリが有する機能と，ラインアクセスタイプのシリアルアクセスメモリが有する機能を兼ね備えたシリアルアクセスメモリおよびデータライト／リード方法を提供する。 - 特許庁

To provide picture conversion processing method/conversion processor by which the memory capacity of an error buffer is reduced, the memory capacity of a memory device is miniaturized and a picture conversion processing speed is speeded up.例文帳に追加

誤差バッファのメモリ容量を減らし、メモリデバイスのメモリ容量を小型化するとともに画像変換処理速度を高速化した画像変換処理方法と装置とを提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory transistor capable of reducing damage that may be inflicted on a drain-side gate oxide film; a nonvolatile memory device; and a data erasing method of a nonvolatile memory transistor.例文帳に追加

ドレイン側のゲート酸化膜に与え得るダメージを軽減し得る不揮発性メモリトランジスタ、不揮発性メモリ装置および不揮発性メモリトランジスタのデータ消去方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory management program and method for realizing high speed memory allocation by reducing an occurrence frequency of compaction, and shortening the retrieval time of an empty memory region, and for preventing application error due to the shortage of the memory region.例文帳に追加

コンパクションの発生頻度を減少させ、空きメモリ領域の探索時間を短縮して高速なメモリアロケーションを実現し、更にはメモリ領域不足によるアプリケーションエラーを回避するメモリマネジメントプログラムおよび方法を提供する。 - 特許庁

To provide a rewritable non-volatile memory cell that is a type having a chance of inducing dielectric breakdown, which requires less space in the lateral direction, to provide a method of manufacturing the memory cell, and to provide a memory cell array having a plurality of such memory cells.例文帳に追加

絶縁破壊を誘発するタイプの書換え可能な不揮発性メモリセルにおいてラテラルな方向に場所を取らないもの、そして、そのようなメモリセルの製造方法、ならびに、そのようなメモリセルを多数有するメモリセルアレイを提供する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory device where the deterioration of a memory holding characteristic caused by a depolarizing field is suppressed, the size of a memory cell is reduced and the memory cell is integrated at high density and to provide a manufacturing method of the device.例文帳に追加

減分極電界によるメモリ保持特性の劣化を抑制するとともに、メモリセルのセルサイズを狭小化して、前記メモリセルを高密度に集積させた強誘電体メモリデバイス、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Disclosed is a method for achieving power saving by shutting off the power of a memory in no use by a memory hot plug function, and for improving the efficiency of memory use by borrowing and lending a memory between blades by a management module.例文帳に追加

本発明は、使用していないメモリをメモリホットプラグ機能により電源を落とすことにより省電力化を、管理モジュールによりブレード間でのメモリ貸借をすることでメモリ使用の効率化を実現し、本課題の解決手段とする。 - 特許庁

To provide a flash memory cell in which a peripheral circuit is designed easily, a plane area occupied by a memory cell is reduced and memory density can be improved effectively in the flash memory cell in which double bit data are conserved and its operating method.例文帳に追加

ダブルビットデータを保存するフラッシュメモリセルであって、周辺回路の設計が容易で、記憶セルの占める平面面積を縮小して記憶密度を効果的に高めることができるフラッシュメモリセルとその操作方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory system and its control method in which load operation for a buffer memory is executed simply and quickly in a memory system performing load operation of data from a nonvolatile memory with a smaller unit than a normal read-out unit.例文帳に追加

通常の読み出し単位より小さな単位で不揮発性メモリからデータのロード動作行うメモリシステムであって、バッファメモリへのロード動作を簡易且つ迅速に実行するメモリシステムおよびその制御方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a controller with a flash memory and a method of writing data to the flash memory which can enhance the writing efficiency of a CPU built-in type flash memory without using a memory region for writing management.例文帳に追加

メモリ領域を書込管理のために使用することなく、ＣＰＵ内蔵型のフラッシュメモリの書込みの効率化を図ることができる、フラッシュメモリを備えた制御装置及びフラッシュメモリへのデータ書込み方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory and a method of manufacturing the semiconductor memory which reduces a write/erase operating voltage for stack type memory cells to obtain a highly integrated memory cell structure and the reduction of power consumption.例文帳に追加

スタック型メモリセルの書き込み／消去動作電圧を低減し、これによりメモリセルの高集積化や消費電力低減を実現することが可能な半導体記憶装置及び半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The data storage method includes the steps of: mapping a memory to record data of a plurality of continuous lines in a video frame in one memory bank alternately at intervals of a specified number of bytes; and recording in a memory the data of the lines according to memory mapping.例文帳に追加

ビデオフレーム内の連続した複数のラインのデータが所定のバイトずつ交互に一つのメモリバンクに記録されるようにメモリをマッピングするステップと、メモリマッピングによってラインのデータをメモリに記録するステップと、を含むデータ保存方法。 - 特許庁

To provide a structure and a manufacturing method for preventing an uneven structure between memory cells, and entire performance reduction of the memory cells, due to overetching of a phase change layer in the memory cells during the formation of the memory cells.例文帳に追加

メモリセルの形成中にメモリセル内の相変化層がオーバーエッチングされることによって、メモリセル間における構造が不均一になり、メモリセルの全体的な性能に影響を及ぼすことを防ぐ構造及び製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory controller that prevents the memory from outputting erroneous data and enhances the operation performance of a system having a complicated data read operation, and to provide a smart card equipped with the memory controller, and a method of the operation of reading data in a memory.例文帳に追加

メモリからの誤ったデータの出力を防止し、データ読出し動作が煩雑なシステムの動作性能を向上させるメモリコントローラとそれを備えるスマートカード、およびメモリのデータ読出し動作制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a non-voltage semiconductor memory unit, which can read data of a spare memory cell array with priority to a main memory array in which a physical address of a memory cell array comprising NAND structure, is precedent and to provide data reading method used for the unit.例文帳に追加

ＮＡＮＤ構造からなるメモリセルアレイの物理的アドレスが先にあるメインメモリアレイより先にスペアメモリアレイのデータを優先的にリードできる不揮発性半導体メモリ装置及びこれに用いるデータリード方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory cell which shows a high-speed response despite a high resistance ratio and is equipped with resistive layers of a multilayer structure, and to provide a method of manufacturing the nonvolatile memory cell, as well as, a resistance variable nonvolatile memory device that uses the nonvolatile memory cell.例文帳に追加

本発明は、高い抵抗比でありながら高速応答性を示す、多層構造の抵抗層を備える不揮発性メモリセルおよびその製造方法、並びにそれを用いた抵抗可変型不揮発性メモリ装置を提供する。 - 特許庁