「memory process」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

A quantizing section 17 reads the data of the filter bank memory 19 through the filter bank process, conducts a quantizing process and writes the encoded bit stream type data into an output data memory 20.例文帳に追加

量子化部１７はフィルタバンク処理により、フィルタバンクデータメモリ１９のデータを読み出して量子化処理を行い、符号化ビットストリーム形式のデータを出力データメモリ２０に書き込む。 - 特許庁

A memory rewriting part 23 performs a function updating process by rewriting the data stored in memory 22 into function update data in units of the sectors.例文帳に追加

メモリ書き替え部２３は、メモリ２２に格納されているデータを、セクタ単位に機能更新データに書き替えて機能更新処理を行う。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a variable resistance semiconductor memory for reducing a forming process load and dispersion of a memory bit.例文帳に追加

形成プロセス負荷を低減し、メモリビットのバラツキを低減するための抵抗変化型の半導体メモリの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a technology of reducing the area of a memory unit regarding a nonvolatile semiconductor memory device manufactured by a standard CMOS process.例文帳に追加

標準ＣＭＯＳプロセスで製造可能な不揮発性半導体記憶装置に関し、メモリユニットの省面積化技術を提供する。 - 特許庁

To reduce the area of a memory cell and to simplify manufacturing process by fine patterning in a semiconductor memory device, having an erasing gate electrode.例文帳に追加

消去ゲート電極を備えた半導体記憶装置において、微細化によるメモリセル面積の縮小と工程の簡略化とを図る。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of increasing a memory capacity with no complex manufacturing process as compared with conventional one.例文帳に追加

従来と比べて製造プロセスを複雑にすることなく、メモリ容量を増大させることがきる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory in which microfabrication of memory cells can be achieved, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

メモリセルの微細化を実現することが可能な不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供することができる。 - 特許庁

To provide a flash memory device in which accurate data can be read by load due to a position of a memory cell and process variation also.例文帳に追加

メモリセルの位置による負荷及び工程変化によっても正確なデータを読み出すことが可能なフラッシュメモリ装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for nondestructively reading memory cell of MRAM memory which does not take up a large space or time for each read process.例文帳に追加

所要スペースが小さく、読み取りプロセスごとに時間を費やさない、ＭＲＡＭメモリーのメモリーセルの非破壊読み取り方法を提供する。 - 特許庁

To obtain full memory performance when a memory cell is constituted to supply a folded current, and to simplify the manufacturing process.例文帳に追加

メモリセルに折り返し電流を流す構成とした場合に、充分なメモリ性能を得るとともに、作製プロセスを簡便なものとする。 - 特許庁

To provide a register forming method of a flash memory element for forming a register by the flash memory element applying SAFG process.例文帳に追加

ＳＡＦＧ工程を適用したフラッシュメモリ素子でレジスタを形成するためのフラッシュメモリ素子のレジスタ形成方法を提供すること。 - 特許庁

Consequently, the page-in/page-out process is performed by using the virtual memory 22 of the server computer 20 without extending the memory of the client computer 10.例文帳に追加

これにより、クライアント計算機のメモリを増設せずに、サーバ計算機の仮想メモリを使用してページイン／ページアウトの処理を行う。 - 特許庁

To make efficient a process that prepares for determination on the interruption of the process of writing data to a flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリに対するデータ書き込み処理についての中断判定のための準備となる処理が効率的なものとなるようにする。 - 特許庁

To provide a new process for designing a semiconductor memory component, especially a DRAM component, and a new process for manufacturing the component.例文帳に追加

半導体メモリ部品、特にＤＲＡＭ部品の設計のための新しいプロセスと、当該部品の製造のための新しいプロセスとを提供する。 - 特許庁

Thereafter, an interrupt processing request at a level higher than a predetermined interrupt level is received in process of the erasing process or the writing process of the nonvolatile memory, the central processor accesses the vector address stored in the volatile memory.例文帳に追加

この後、前記不揮発性メモリの消去処理又は書き込み処理の途中に所定の割り込みレベルより高い割り込み処理要求があったとき、中央処理装置は前記揮発性メモリに格納されたベクタアドレスへアクセスする。 - 特許庁

In the nonvolatile semiconductor memory device and the program driving method, during a memory cell program process and a verify read process, a discharge process of the block gating signal applied to a gate terminal of a transmission transistor is omitted.例文帳に追加

本発明に係る不揮発性半導体メモリ装置のプログラム駆動方法によれば、メモリセルプログラム過程と確認読み出し過程との間では、伝送トランジスタのゲート端子に印加されるブロックゲーティング信号のディスチャージ過程が省略される。 - 特許庁

The process is made so that the information of a defective memory cell under previous testing condition is transcribed or transferred to the buffer memory from the fail memory while being in parallel with a write-in to a memory to be tested of a back pattern under the next test condition.例文帳に追加

先の試験条件における不良メモリセル情報を次の試験条件における背面パターンの被試験メモリへの書き込みと並行してフェイルメモリからバッファメモリに転写あるいは転送する。 - 特許庁

Since the normal memory cell MC and the redundant memory cell RMC belong to the different memory mats, the normal memory cell MC can be accessed in parallel along with a deciding process by the recovery deciding circuit 300.例文帳に追加

本発明によれば、通常メモリセルＭＣと冗長メモリセルＲＭＣとが互いに異なるメモリマットに属していることから、救済判定回路３００による判定動作と並行して、通常メモリセルＭＣにアクセスできる。 - 特許庁

In a memory leak determination device (a resource release failure determination device) 1, a memory usage obtaining unit (a resource usage obtaining unit) 21 obtains memory usage (resource usage) for each process, and a maximum value update counter 22 counts the number of updating the maximum value of the memory usage for every process.例文帳に追加

メモリリーク判定装置（資源解放漏れ判定装置）１において、メモリ使用量取得部（資源使用量取得部）２１が、各プロセスのメモリ使用量（資源使用量）を取得し、最大値更新回数計数部２２が、メモリ使用量の最大値更新回数をプロセス毎に計数する。 - 特許庁

In a hardware assembly process, a digital camera 10 is provided with a non-contact IC memory 31.例文帳に追加

デジタルカメラ１０には、ハード組み立て工程において、非接触型ＩＣメモリ３１が設けられる。 - 特許庁

To eliminate a gate array device and a physical memory accompanying the gate array device by carrying out a shaping process by a CPU.例文帳に追加

シェーピング処理をＣＰＵで行い、ゲートアレイデバイスとそれに付随する物理メモリを不要にする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a phase-change memory element that includes a surface preparation process for the phase-change layer.例文帳に追加

相変化層の表面処理工程を含む相変化メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

MANUFACTURING PROCESS OF SHAPE-MEMORY POLYBUTYLENE TEREPHTHALATE FILM LAMINATE, THE PERTINENT LAMINATE, AND ITS APPLICATION例文帳に追加

形状記憶ポリブチレンテレフタレートフィルム積層体の製造方法及び係る積層体とその用途 - 特許庁

To provide an organic ferroelectric memory in which a fabrication process is facilitated, and to provide its fabrication method.例文帳に追加

製造プロセスが容易な有機強誘電体メモリ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The process control block 1 stores the generated new road information into a new information memory block 4.例文帳に追加

処理制御部１は、生成した新規道路情報を新規情報記憶部４に記憶する。 - 特許庁

SYSTEM AND METHOD FOR SHARED MEMORY-BASED INTER-PROCESS COMMUNICATION QUEUE TEMPLATE HAVING EVENT-BASED NOTIFICATION例文帳に追加

イベントベースの通知を有する共有メモリベースのプロセス間通信キューテンプレートのシステムおよび方法 - 特許庁

To form a semiconductor memory having a highly precise ferroelectric capacitor in a simplified process.例文帳に追加

簡素化した工程で、精度の良い強電体キャパシタを有する半導体メモリを形成する。 - 特許庁

To properly control memory usage of plural application programs running on the same process.例文帳に追加

同一プロセス上で動作する複数のアプリケーションプログラムのメモリ使用量を適切に制御すること。 - 特許庁

To reduce process cost and shorten a chip generation schedule, with no increase in memory cell area.例文帳に追加

メモリセル面積を増大することなく、プロセスコストの低減とチップ作成工期の短縮を図る。 - 特許庁

To improve the use efficiency of a memory by making plural applications work in a single process.例文帳に追加

複数のアプリケーションを単一プロセス内で動作させ、メモリの使用効率を高めることにある。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR CONTROLLING INPUT AND OUTPUT PROCESS OF MEMORY UNIT VIA JTAG PORT例文帳に追加

ＪＴＡＧポートを介したメモリユニットの入出力処理の制御のための方法及び装置 - 特許庁

Then, the memory unit 44 is assembled in the process cartridge B just before an information input stage.例文帳に追加

又、メモリユニット４４のプロセスカートリッジＢへの組立は情報入力工程の直前に行なう。 - 特許庁

In a user process, such short-term memory would be allocated on the run-time stack. 例文帳に追加

ユーザプロセスではおそらく、そのような短期間使われるメモリはランタイムスタックに割り当てられるでしょう。 - FreeBSD

retrieves the NUMA policy of the calling process or of a memory address, depending on the setting of flags . 例文帳に追加

は、呼び出し元プロセスもしくは指定されたメモリアドレスのNUMA ポリシーをflagsの設定に従って取得する。 - JM

The implementation has no specific limits for the per-process maximum number of shared memory segments ( SHMSEG ). 例文帳に追加

プロセス当りの共有メモリ・セグメントの個数の最大値( SHMSEG ) に関する実装上の制限はない。 - JM

system call, that did not fully copy the address space of the parent process, but borrowed the parent's memory and thread of control until a call to execve (2) 例文帳に追加

システムコールを導入して親プロセスのアドレス空間を完全にコピーするかわりに、execve (2) - JM

LAMINATE STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR CHIP, MEMORY CARD, AND PROCESS FOR MANUFACTURING LAMINATE STRUCTURE OF THE SEMICONDUCTOR CHIP例文帳に追加

半導体チップの積層構造、メモリーカード、及び半導体チップの積層構造の製造方法 - 特許庁

characterized by or causing or resulting from the process of bringing ideas or events together in memory or imagination 例文帳に追加

想像力、思考、事象をまとめる過程に特徴付けられる、引き起こす、に起因するさま - 日本語WordNet

This tag tells the installer to take this process when validating the dependency: Is the extension "PDO" present in memory? 例文帳に追加

このタグにより、依存性の検証時に以下の処理を行うようインストーラに指示します。 - PEAR

When the recording of all the binary signals stored in the memory is completed, the process is finished (YES in S6).例文帳に追加

メモリ内に記憶された２値化信号が全て記録されれば、終了する（Ｓ６でＹＥＳ）。 - 特許庁

To keep data rate constant after magnification changing process without providing a frame memory for changing the data rate.例文帳に追加

データレート変更用のフレームメモリを設けることなく、変倍処理後のデータレートを一定に保つ。 - 特許庁

To provide a phase change non-volatile memory capable of reducing Ireset, exceeding the process limit.例文帳に追加

プロセス限界を超えてIresetの低減を図ることができる相変化型不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁

If no same test process existed in the past, the test conditions are stored in the test condition memory section 13 from a test condition set section 14, the test process is implemented, and the process history of the test conditions is stored in the implementation state memory section 15 after the completion of the test process.例文帳に追加

過去に同一の試験処理がなければ、その試験条件を試験条件設定部１４から試験条件記憶部１３に記憶させて試験処理を実行し、この試験処理終了後、実行状況記憶部１５にその試験条件の処理履歴を記憶する。 - 特許庁

Therefore, the integration degree of a memory element can be increased, a manufacturing process can be simplified due to a simple structure of a memory cell, and current consumption in the memory element can be reduced by extending a refresh period.例文帳に追加

よって、メモリ素子の集積度を高くし、メモリセルの構造が単純なために製造工程を単純化でき、リフレッシュ周期を延ばしてメモリ素子の電流消費を減らせる。 - 特許庁

To provide a memory device and its manufacturing method, in which a conventional complex memory device manufacturing process is simplified, the yield of the memory device is improved and its performance is improved.例文帳に追加

従来の複雑なメモリ素子の製造工程を簡素化し、メモリ素子の歩留まりの向上及びその性能を向上させたメモリ素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁