「memory-effect」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

METHOD FOR FABRICATING TUNNEL MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM MAGNETIC HEAD AND METHOD FOR FABRICATING MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子の製造方法、薄膜磁気ヘッドの製造方法及び磁気メモリの製造方法 - 特許庁

To obtain a high-integration, high-speed optical input memory, and a field effect transistor which realizes a high-sensitivity optical sensor.例文帳に追加

高集積・高速の光入力メモリおよび高感度光センサを実現する電界効果トランジスタを得る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flash memory element capable of reducing an interference effect between floating gates.例文帳に追加

フローティングゲート間のインターフェアレンス効果を減少させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

When the height of the barrier wall 110 is decreased, the area of the barrier electrode is decreased and a memory effect can not be maintained.例文帳に追加

隔壁１１０の高さを小さくすると、隔壁電極の面積が小さくなり、メモリ効果を維持出来ない。 - 特許庁

Life information of the functional member or characteristic value information having effect on image forming is stored in the memory.例文帳に追加

メモリには、その機能部材の寿命情報、あるいは、画像形成に影響する特性値情報を記憶させる。 - 特許庁

Further, the magnetic memory device, equipped with the magnetoresistive effect element 1 of this configuration, a word line and a bit line, is configured.例文帳に追加

また、この構成の磁気抵抗効果素子１と、ワード線及びビット線とを備えた磁気メモリ装置を構成する。 - 特許庁

To maintain a constant lighting time at all times through prevention of decrease of charging capacity due to memory effect of a storage battery.例文帳に追加

蓄電池のメモリ効果による充電容量の減少を防止し、常に一定の点灯時間を維持する。 - 特許庁

The magnetic memory device includes a magneto-resistance effect element which is arranged above a semiconductor device and stores information.例文帳に追加

磁気記憶装置は、半導体基板の上方に配設された、情報を記憶する磁気抵抗効果素子を含む。 - 特許庁

To provide a technique for and the structure of a field-effect transistor memory element capable of stably maintaining a sufficient memory window width for a long period of time under high temperature to solve a problem which a conventional technique faces and to apply the field-effect transistor memory element having a ferroelectric to a device.例文帳に追加

本発明は、従来技術の問題点を解消し、強誘電体を有する電界効果トランジスタ型の記憶素子をデバイス応用するために、十分なメモリーウィンドウ幅が長期間かつ高温で安定に保持される当該記憶素子の技術と構造を提供することを課題とする。 - 特許庁

Additional information (the effect image, the effect sound) to the video data is stored in a memory part 8 via an input/output circuit 7 to transmit/receive the video data of the recording medium 4 to external equipment.例文帳に追加

記録媒体４の映像データを外部機器へ送受する入出力回路７を介し、映像データへの付加情報（効果画像、効果音）はメモリ部８に格納する。 - 特許庁

METHOD FOR GROWING OXIDE CRYSTAL, CERIUM OXIDE, PROMETHIUM OXIDE, OXIDE LAMINATED STRUCTURE, PRODUCTION OF FIELD EFFECT TRANSISTOR, FIELD EFFECT TRANSISTOR, PRODUCTION OF FERROELECTRIC NON-VOLATILE MEMORY AND FERROELECTRIC NON-VOLATILE MEMORY例文帳に追加

酸化物の結晶成長方法、セリウム酸化物、プロメチウム酸化物、酸化物積層構造、電界効果トランジスタの製造方法、電界効果トランジスタ、強誘電体不揮発性メモリの製造方法および強誘電体不揮発性メモリ - 特許庁

To provide PtTi and PtTiIr high temperature shape memory alloys exhibiting shape memory effect and pseudoelastic effect at high temperature and applicable to high temperature apparatuses such as a chemical plant and an engine in the temperature range of 1,000 to 1,200°C.例文帳に追加

高温で形状記憶効果および擬弾性効果を発現し、１０００℃〜１２００℃の温度域で化学プラント、エンジン等の高温機器への適用を可能とするＰｔＴｉおよびＰｔＴｉＩｒ高温形状記憶合金の提供。 - 特許庁

To provide a memory in which a chip size reducing effect not only by sharing a reading/writing circuit but also by reducing a memory size is obtained.例文帳に追加

読出／書込回路の共有化によるチップサイズの低減効果のみならず、メモリセルサイズの小型化によるチップサイズの低減効果をも得ることが可能なメモリを提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device in which influence of threshold value variation (approximation effect) caused by parasitic capacitance between adjacent memory cells can be removed.例文帳に追加

隣接するメモリセル間の寄生容量によって生じるしきい値変動（近接効果）の影響を排除することができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit such as a memory having an electrode and interconnection decreasing parasitic capacitance between source/drain of a MISFET(metal insulator semiconductor field-effect transistor) and a logic circuit embedded with the memory.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴのソース／ドレイン間の寄生容量を減少させる電極および配線を有したメモリや、メモリ混載のロジック等の半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

To provide a production method by which two way memory effect can simply be obtained by utilizing an ordinary production process for TiNi shape memory alloy wire without performing other complicated treatment.例文帳に追加

ＴｉＮｉ形状記憶合金ワイヤの通常の製造過程を利用し、ほかの複雑な処理がなく、簡単に二方向記憶効果が得られる製造方法を提供する。 - 特許庁

In this non-volatile semiconductor memory, a memory cell M0 consisting of floating gate field effect transistors has a negative threshold in which a threshold state is low.例文帳に追加

この不揮発性半導体メモリ装置では、浮遊ゲート電界効果トランジスタからなるメモリセルＭ０が、しきい値状態の低い状態が負のしきい値をもっている。 - 特許庁

A magnetic memory device based on easy domain wall propagation and the extraordinary Hall effect includes a perpendicular-to-plane magnetic and electrically conductive element (2) that includes a memory node (3).例文帳に追加

容易な磁区壁の拡張と異常ホール効果とに基づく磁気メモリデバイスが面に垂直な磁性かつ導電性の要素（２）を含み、その要素がメモリノード（３）を含んでいる。 - 特許庁

The magnetic random access memory uses a magnetoresistive effect film composed of a multilayered magnetic film as a memory element or the mechanism for inverting the magnetization as an information writing means.例文帳に追加

本発明の磁気ランダムアクセスメモリは、上記多層磁性膜からなる磁気抵抗効果膜をメモリ素子とし、或いは、上記磁化反転機構を情報の書き込み手段とする。 - 特許庁

To enable a memory to be driven without increasing power consumption, even if an external magnetic field required for magnetically inverting a memory cell becomes large, and to stably drive the memory, even if the magnetoresistance ratio of a magnetoresistance effect cell is small.例文帳に追加

メモリ素子の磁化反転に要する外部磁界が大きくなっても、消費電力を大きくすることなくメモリの駆動を可能とし、また磁気抵抗効果素子の磁気抵抗比が小さくても安定して駆動させる。 - 特許庁

To eliminate the effect of a clock signal, being fed to an empty memory slot mounting no memory module, on the radiation noise level in a main memory comprising an SDRAM module.例文帳に追加

ＳＤＲＡＭのモジュールにより構成されるメインメモリにおいて、メモリモジュールが搭載されていない空きメモリスロットに供給されているクロック信号に起因した、放射ノイズレベルに及ぼす影響をなくすることを課題とする。 - 特許庁

When the OSD compression/extension processing having the high compression effect is performed, the capacity of OSD display data stored in the memory can be reduced and the consumption of memory band width for reading out the OSD display data from the memory can be reduced.例文帳に追加

圧縮効果の高いＯＳＤの圧縮伸張処理を行うことによって、メモリ上に蓄えられるＯＳＤの表示データの容量を削減し、メモリから読み出すためのメモリバンド幅の消費を低減する。 - 特許庁

The memories MM1 and MM2 are divided into a memory which stores sounding information on a musical sound such as a termination melody etc., and a memory which stores sounding information on the operation sound, effect sound, etc., and the priority of the latter memory is set higher than that of the former memory.例文帳に追加

メモリＭＭ１，ＭＭ２は、着信メロディ等の音楽の発音情報を記憶するメモリと、操作音や効果音等の発音情報を記憶するメモリとに分けておき、後者のメモリの優先度を前者のメモリの優先度よりも高く設定しておく。 - 特許庁

In the semiconductor storage device, a plurality of memory elements which are composed of field effect transistors are formed in an active region and disposed in a matrix-like state.例文帳に追加

複数の電界効果トランジスタであるメモリ素子は活性領域に形成されてマトリクス状に配置されている。 - 特許庁

To minimize the number of times of refreshing, and to effectively prevent the drop of the charge capacity caused by the memory effect of a secondary battery.例文帳に追加

リフレッシュ回数を最小にして、しかも二次電池のメモリ効果による充電容量の低下を有効に防止する。 - 特許庁

When the notification status is detected, notification information showing the effect that the memory card falls short of free capacity as symbol information is displayed (state ST2).例文帳に追加

通知状態が検出されると、その旨を記号情報にて示す通知情報が表示される（ステートＳＴ２）。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which reduces an effect of capacitive coupling and prevents the reduction of a read margin.例文帳に追加

容量結合の効果を緩和でき、読み出しマージンが低減することを防止できる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of trimming threshold voltage applied to an over-programmed field effect transistor (FET) nonvolatile memory (NVM) cell.例文帳に追加

過剰にプログラムされた電界効果トランジスタ（FET）不揮発性メモリ（NVM）セルに応用する閾値電圧降下方法を提供する。 - 特許庁

When the memory module 17 is not mounted, the ID information is transmitted to the base station with adding the information about the effect (S4).例文帳に追加

一方、メモリモジュール１７が装着されていない場合、その旨の情報を付加して基地局に送信する（Ｓ４）。 - 特許庁

To provide static random access memory cells which have a faster driving current and smaller short channel effect.例文帳に追加

より速い駆動電流およびより小さな短チャネル効果を備え、微細化されたスタティック・ランダム・アクセス・メモリ・セルを提供する。 - 特許庁

To reduce the power consumption and read error of a nonvolatile memory using a field effect transistor with variable gate capacitance.例文帳に追加

ゲート容量可変の電界効果トランジスタを用いた不揮発性メモリの消費電力と読み出しエラーとを低減する。 - 特許庁

To suppress self-discharge and the occurrence of memory effect when an alkali storage battery stands by in a charged state.例文帳に追加

アルカリ蓄電池を充電状態で待機させる場合に、自己放電を抑制し、かつメモリ効果の発生を抑制する。 - 特許庁

A driving current is reduced based on a memory effect such that a laser beam remains within a ring resonator for a certain period of time.例文帳に追加

リング共振器内部においてレーザー光がある時間とどまるメモリー効果に注目し、駆動電流を低減する。 - 特許庁

In addition, a high-density magnetic head and a large-capacity high-speed magnetic memory (MRAM) can be realized by using the magnetoresistive effect element.例文帳に追加

さらにこのMR素子を用いることにより高密度磁気ヘッドおよび大容量・高速磁気メモリ（MRAM）の実現が可能となる。 - 特許庁

A memory comprises a first tunneling field effect transistor 108a including a first drain 124 and a first source 122a.例文帳に追加

メモリは、第１ドレイン１２４と第１ソース１２２ａとを含む第１トンネル電界効果トランジスタ１０８ａを含んでいる。 - 特許庁

To obtain a high cache effect while effectively utilizing a limited memory source without performing cache processes more than necessary.例文帳に追加

必要以上にキャッシュ処理を行うことなく、限られたメモリ資源を有効に活用しつつ高いキャッシュ効果を得る。 - 特許庁

To obtain a magnetoresistive effect memory element in which good characteristics can be attained even in a multilayer film structure.例文帳に追加

磁気抵抗効果型の記憶素子において、多層膜構造中においても良好な特性が得られるようにする。 - 特許庁

To provide a battery charge/discharge controller capable of avoiding the influence of memory effect while preventing overdischarge of a battery.例文帳に追加

バッテリの過放電を防止しつつ、メモリ効果の影響を避けることができるバッテリ充放電制御装置の提供。 - 特許庁

To provide an apparatus with a secondary battery discharge function preventing the memory effect of a secondary battery, alternatively, reactivating the secondary battery causing the memory effect by arranging a discharge mode for satisfactorily discharging the secondary battery in a digital camera etc.例文帳に追加

デジタルカメラ等において二次電池の放電を十分に行う放電モードを設け、二次電池のメモリ効果を防止し、又は、メモリ効果が生じてしまった二次電池の再活性化を行うことができる二次電池放電機能付き機器を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device solving the problem by memory effect, the problem by delay effect and the problem by switching noise and to provide a driving method of the solid-state imaging device.例文帳に追加

メモリ効果による課題、遅延効果による課題、およびスイッチングノイズによる課題を解決することができる固体撮像装置、および固体撮像装置の駆動方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect element having a point contact to obtain a high magnetoresistive effect, and to provide its manufacturing method, a magnetic memory, a magnetic head, and a magnetic recorder.例文帳に追加

高い磁気抵抗効果が得られるポイントコンタクトを有する磁気抵抗効果素子及びその製造方法、磁気メモリ、磁気ヘッド並びに磁気記録装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a magneto-resistance effect element of which the magnetization direction is stable in the film surface perpendicular direction, and the magnetic resistance change rate is controlled, and also to provide a magnetic memory using the magneto-resistance effect element.例文帳に追加

磁化方向が膜面垂直方向に安定であり、磁気抵抗変化率が制御された磁気抵抗効果素子及びその磁気抵抗効果素子を用いた磁気メモリを提供する。 - 特許庁

The proximity effect correction (% value) in each small region r in proximity effect correction memory 32 is supplied to a comparison circuit 34 while being supplied to an FIFO 33 one by one.例文帳に追加

近接効果補正メモリー３２内の各小領域ｒにおける近接効果補正値（％値）は、順々にＦＩＦＯ３３に供給されると共に、比較回路３４に供給される。 - 特許庁

When deciding presence of an adverse effect, the memory 107 is not updated, and when deciding no presence of adverse effect, the setting information is changed in accordance with the setting change request.例文帳に追加

悪影響があると判断した場合はメモリ１０７の更新を行わず、悪影響がないと判断した場合は設定変更要求にしたがって設定情報の変更を行う。 - 特許庁

A control effect estimating device 10 is equipped with the first communication part 11, the second communication part 12, a memory 13, the first operation part 14, the second operation part 15, and an effect estimator 16.例文帳に追加

制御効果推定装置１０は、第１通信部１１と、第２通信部１２と、記憶部１３と、第１演算部１４と、第２演算部１５と、効果推定部１６とを備えている。 - 特許庁