「memory-effect」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a field effect transistor of a novel complex which is excellent in moldability and processability, is stable at high temperatures in an air, and has a memory effect in a current-voltage characteristic (V-I characteristic) at a low applied voltage.例文帳に追加

本発明は、新規錯体およびそれを用いた成型性、加工性に優れ、かつ空気中高温で安定であり、さらに低印加電圧にて電流−電圧特性（Ｖ−Ｉ特性）におけるメモリ効果を有する電界効果型トランジスタの提供を目的とする。 - 特許庁

In addition, along a changing display of a special image pattern after all the stored ball images of the special manner are displayed on the stock area 63, the game effect stored in the stock memory section 164 is carried out according to the control of a game effect control section 138.例文帳に追加

そして、特別な態様の保留球画像の全てがストック領域６３に表示された後の特別図柄の変動表示に伴って、遊技演出制御部１３８の制御に基づいてストック記憶部１６４に記憶されている遊技演出が行われる。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect element having proper magnetic characteristics and a magnetic memory device, provided with the magnetoresistive effect element and securing a while margin for a selective recording, by suppressing repeated variations of turnover magnetic field of a free of magnetizing layer.例文帳に追加

磁化自由層の反転磁界の繰り返しばらつきを抑制することにより、良好な磁気特性を有する磁気抵抗効果素子、並びにこの磁気抵抗効果素子を備えて選択記録のマージンを広く確保することができる磁気メモリ装置を提供する。 - 特許庁

This magnetic random access memory is provided with a magneto resistance effect element MTJ and current source circuits I1, I2, I3 for giving bias current/voltage to the magneto resistance effect element MTJ when data of the magneto resistance effect element MTJ is read out, a value of the bias current/voltage does not depend on a power source potential, and is varied depending on temperature.例文帳に追加

本発明の例に関わる磁気ランダムアクセスメモリは、磁気抵抗効果素子ＭＴＪと、磁気抵抗効果素子ＭＴＪのデータを読み出すときに、磁気抵抗効果素子ＭＴＪにバイアス電流／電圧を与えるための電流源回路Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３とを備え、バイアス電流／電圧の値は、電源電位に依存せず、温度に依存して変化する。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory that prevents a write current from decreasing owing to back bias effect of a selection transistor when a relative magnetization direction between a free layer and a pinned layer is inverted from parallel to anti-parallel, and also prevents the area of a memory cell from increasing.例文帳に追加

自由層と固定層の相対的な磁化方向を平行から反平行に反転する際、選択トランジスタのバックバイアス効果による書き込み電流の減少を防止でき、かつメモリセルの面積増大を防ぐことができる磁気ランダムアクセスメモリを提供できる。 - 特許庁

A memory controller and a sprite state machine access the table of the graphics memory in the predetermined order in order to build up and display each graphics and corresponding special effect at a predetermined position in the horizontal scanning line on the screen of the television receiver.例文帳に追加

メモリ制御装置およびスプライト状態マシンは、テレビジョン受像機の画面上の水平走査線内の予め定めた位置に、各グラフィックスおよびそれに対する特殊効果を組立、表示するために、予め定めた順序で、グラフィックス・メモリのテーブルにアクセスする。 - 特許庁

SRAM ARRAY, SRAM CELL, MICROPROCESSOR, METHOD, AND SRAM MEMORY (SRAM MEMORY AND MICROPROCESSOR COMPRISING LOGIC PORTION REALIZED ON HIGH-PERFORMANCE SILICON SUBSTRATE AND SRAM ARRAY PORTION, INCLUDING FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING LINKED BODY AND METHOD FOR MANUFACTURING THEM)例文帳に追加

ＳＲＡＭアレイ、ＳＲＡＭセル、マイクロプロセッサ、方法、ＳＲＡＭメモリ（高性能シリコン基板に実現された論理部分と、連結されたボディを有する電界効果トランジスタを含むＳＲＡＭアレイ部分とを備えるＳＲＡＭメモリおよびマイクロプロセッサ、およびそれらの製造方法） - 特許庁

The nonvolatile magnetic thin film memory uses a magnetoresistive effect element 41 having a vertical magnetization film as a memory element, employs a ferrimagnetic body where rare earth element magnetization is dominant in the vertical magnetization film and has a compensation temperature between a room temperature and a Curie point.例文帳に追加

メモリ素子として垂直磁化膜を有する磁気抵抗効果素子４１を用い、垂直磁化膜に希土類元素磁化が優勢なフェリ磁性体を用い、室温とキュリー温度の間に補償温度を有する不揮発磁気薄膜メモリ装置によって解決される。 - 特許庁

When receiving the signal to the effect that the pupil portion in the eye becomes smaller from the circuit 50, the circuit 2 informs the photographer that the image in which pupil portions are smaller is stored in the memory 4 after the digital image of the object is stored in the memory 4.例文帳に追加

前記制御回路2は、まばたき検出回路50から瞳部分が小さくなった旨の信号を受けた際には、被写体のデジタル画像を画像メモリ4に格納した後に、瞳部分が小さくなった画像を画像メモリ4に格納した旨を撮影者に知らせる。 - 特許庁

As a result, since it is not required to acquire instructions and data to execute the program from the external memory 40 during ratio reception, number of times of accesses from the CPU 10 to the memory 40 external to the CPU is reduced, thereby reducing occurrence of noises giving effect on the radio section 30.例文帳に追加

この結果、無線受信中はプログラムを実行する為の命令、データを外部メモリ４０より入手する必要がなくなり、CPU１０からのCPU外部のメモリ４０へのアクセスは削減され、無線部３０に影響を及ぼすノイズを削減させる事が可能となる。 - 特許庁

The magnetic semiconductor memory device 1 is an MRAM that uses tunnel magnetoresistance effect (TMR) to read recorded information, and it is provided with adjacent two magnetoresistive elements 4 and 5 which comprise one memory cell.例文帳に追加

本発明に係る磁気半導体メモリ装置１は、トンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ）を用いて、記録された情報を読み出すＭＲＡＭであって、隣接する２つの磁気抵抗素子４・５を備えており、これら磁気抵抗素子４・５によって１つのメモリセルが形成されている。 - 特許庁

To offer an electric therapeutic apparatus which can heighten a therapeutic effect by giving an appropriate pressure stimulation to the body without spoiling a light weight of an electrode pad and a compact nature using a shape memory member.例文帳に追加

形状記憶部材を用いて電極パッドの軽量・コンパクト性を損わずに身体へ適切な圧力刺激を与えて治療効果を高められる電気治療器を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory in which reliability can be enhanced by suppressing the effect of AGL noise significantly thereby ensuring the margin of data retaining characteristics easily.例文帳に追加

ＡＧＬノイズの影響を大幅に低減し、データ保持特性のマージンを容易に確保できるようにして信頼性の向上を図ることができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

In addition, if an electrophoretic image display is employed, the image can be continuously displayed on the display even when no power is supplied because of the image memory effect.例文帳に追加

更に電気泳動式ディスプレイを採用した場合には画像のメモリー効果があるので、電力の供給がなくなってもディスプレイ６に継続して画像を表示させることができる。 - 特許庁

To make it possible to decide whether or not a communication error whose effect tends to be prominent by every frame occurs and to eliminate the need for a large capacity of memory for the decision.例文帳に追加

フレームごとに影響が目立ちやすい通信エラーが発生したか否かを判定可能として、しかも、かかる判定のために多くのメモリ容量を必要としないようにする。 - 特許庁

A 1st processing block 1 connected with an information input block 97 including the keyboard 201 is arranged, and is connected with a 2nd processing block 98 connected with a display part 2 having a memory effect.例文帳に追加

キーボード２０１を含む情報入力ブロック９７に接続された第１処理ブロック１を設け、メモリー効果のある表示部２が接続された第２処理ブロック９８に接続する。 - 特許庁

A CPU 152 checks a dither pattern that may incur interference of dither being a side-effect of a calibration result and stores it in a memory such as a ROM 154 or an NVRAM 155 beforehand.例文帳に追加

ＣＰＵ１５２は、キャリブレーション結果の副作用であるディザの干渉を発生させるディザパターンを調べて、予めＲＯＭ１５４やＮＶＲＡＭ１５５などのメモリに格納させておく。 - 特許庁

A signal processor 12 checks an output of a detecting switch 21 (S1), when a memory module 17 is mounted, an ID information is transmitted to a base station with adding the information about the effect (S3).例文帳に追加

信号処理部１２は、検知スイッチ２１の出力をチェックし（Ｓ１）、メモリモジュール１７が装着されている場合、ＩＤ情報にその旨の情報を付加して基地局に送信する（Ｓ３）。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element having a high output and a good sensitivity to an external magnetic field, and to provide a magnetic head, magnetic storage device, and magnetic memory device using the same.例文帳に追加

本発明の目的は、高出力でかつ外部磁界に対する感度が良好な磁気抵抗効果素子、これを用いた磁気ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリ装置を提供する。 - 特許庁

A first processing block 1 connected to an information input block 97 including a keyboard 201 is arranged and it is connected to a second processing block 98 to which a display part 2 having memory effect is connected.例文帳に追加

キーボード２０１を含む情報入力ブロック９７に接続された第１処理ブロック１を設け、メモリー効果のある表示部２が接続された第２処理ブロック９８に接続する。 - 特許庁

A 1st processing block connected to an information input block 97 including the keyboard 201 is provided and connected to a 2nd processing block 98 to which a display part 2 with memory effect is connected.例文帳に追加

キーボード２０１を含む情報入力ブロック９７に接続された第１処理ブロック１を設け、メモリー効果のある表示部２が接続された第２処理ブロック９８に接続する。 - 特許庁

To provide an electrophotographic photoreceptor, an image forming apparatus, etc., that can suppress the generation of a leak and memory effect during image formation and form images of high quality.例文帳に追加

画像形成時にリークやメモリの発生を抑制することができ、かつ高い品質の画像を形成することができる電子写真感光体及び画像形成装置等を提供する。 - 特許庁

This eddy current displacement gauge 10 comprises a memory 16 for storing a primary measurement quantity in the state where the coil of a sensor head 11 does not have the effect of metal as a correction parameter.例文帳に追加

渦電流式変位計１０は、センサヘッド１１のコイルが金属の影響を受けない状態にあるときの一次測定量を補正パラメータとして記憶するメモリ１６を備えている。 - 特許庁

The flux reversal of magnetization of a reconfigurable micromagnetic logic element with a high impedance micromagnetic memory element, the magnetic logic element, and the spin field effect transistor connected in multiple-stage manner is obtained.例文帳に追加

高インピーダンスの微小磁気メモリ素子及び磁気論理素子やスピン電界効果トランジスタを多段に接続した再構成可能微小磁気論理素子の磁化反転が可能となる。 - 特許庁

Insulative side walls are formed on both sides of a gate structure of a field effect transistor for peripheral circuits, while the mask 43 blocks the etching gas from contacting with the memory cells.例文帳に追加

こうして、前記エッチング・ガスがメモリセル部に接触するのをマスク４３で防止しながら、周辺回路用電界効果トランジスタのゲート構造の両側に絶縁性サイドウォールを形成する。 - 特許庁

On the other hand, when the successive performance operation time flag is on, the decision to the effect that the data are stored into the second special pattern reservation memory part is made at a higher rate when it is off.例文帳に追加

これに対して、連続演出タイム中フラグがオンとなっているときには、オフのときよりも高い割合で第２特図保留記憶部に記憶させる旨の決定が行われる。 - 特許庁

To provide a battery charging device, reducing power loss in charging a battery, preventing deterioration of the battery, and capable of surely restoring a memory effect generated in the battery.例文帳に追加

バッテリ充電時における電力の損失を低減するとともに、バッテリの劣化を防止し、且つ、前記バッテリに生じたメモリ効果を確実に回復させることが可能なバッテリ充電装置を得る。 - 特許庁

A work memory 112B is always interposed between the processing at a stage and the processing at the succeeding step, and a plurality of sets of processing, is conducted in parallel at one effect processing stage.例文帳に追加

ある段階の処理と次の段階の処理との間には常にワークメモリ１１２Ｂが介在し、また、１つのエフェクト処理段階においては、複数の処理を並列的に行う。 - 特許庁

When the element is applied to a magnetic memory cell which uses the magnetization array of the electrodes as recording information, reading-out output may be taken larger than in the prior art using a ferromagnetic tunnel effect.例文帳に追加

電極の磁化配列を記録情報とする磁気メモリセルに応用した場合、強磁性トンネル効果を用いた従来例に比べ、読み出し出力を大きく取ることが可能となる。 - 特許庁

To provide a digital camera capable of always suppressing the effect of smear and transferring data to a frame memory at a low speed even when photographing is carried out without using a mechanical shutter.例文帳に追加

メカニカルシャッタを使用せずに撮影を行った場合でも、常にスメアの影響を抑えることができ且つフレームメモリへのデータ転送を低速で行うことができるデジタルカメラを提供する。 - 特許庁

To scale down a semiconductor device while enhancing the performance by increasing the capacitive coupling ratio in the memory circuit without having effect on the performance of the gate electrode in the logic circuit.例文帳に追加

論理回路部におけるゲート電極の性能に影響を与えることなく、記憶回路部における容量結合比の値を大きくして、半導体装置の微細化及び高性能化を図る。 - 特許庁

A high-output tunnel magnetoresistance effect element with a free layer having high-temperature stability applied thereto is equipped to a nonvolatile magnetic memory so as to apply a write system by spin transfer torque.例文帳に追加

不揮発性磁気メモリに、高い熱安定性をもつ自由層を適用した高出力なトンネル磁気抵抗効果素子を装備し、スピントランスファートルクによる書込み方式を適用する。 - 特許庁

To provide a functional composite material using a shape memory alloy, which always shows an adequate shrinkage effect around room temperature, needing no heating, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

わざわざ加熱することが必要なく、室温付近でも、常に十分な収縮効果がえられる形状記憶合金を用いた機能性複合材料及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In response to the detection of the flip opening action, the CPU 1 reads a data leading address corresponding to sound effect data designated by a user beforehand from a predetermined region of a nonvolatile memory 3b.例文帳に追加

ＣＰＵ１は、フリップ開動作の検知に応答して、予めユーザが指定した効果音データに対応するデータ先頭アドレスを不揮発メモリ３ｂの所定領域から読出す。 - 特許庁

The manufacturing cost is reduced by weaving open ended strands into a nearly cylindrical stent shape with a Shape Memory Effect (SME) imparted so as to deform into a hollow rivet (ring) shape.例文帳に追加

中空リベット（リング）形状に変形するように形状記憶効果（ＳＭＥ）が付与された概ね円筒状のステント形状にストランドを編み、製造コストの低減を果たしている。 - 特許庁

To provide a method for controlling charging of a secondary battery which prevents a valve operation in charging the battery mounted in an unmanned conveying vehicle and which suppresses a memory effect of a charging side.例文帳に追加

無人搬送車に搭載された二次電池の充電時における弁作動を防止するとともに、充電側のメモリー効果を抑制する充電制御方法を提供する。 - 特許庁

The memory device has a structure of a field effect transistor wherein a semiconductor layer 1, first charge barrier layer 2, charge accumulation layer 3, second charge barrier layer 4, and gate electrode 4 are stacked in this order.例文帳に追加

半導体層１、第１の電荷障壁層２、電荷蓄積層３、第２の電荷障壁層４、および、ゲート電極４を順次積層した電界効果トランジスタ構造とする。 - 特許庁

When a print instruction has a kind having a ROP instruction or an α blend instruction, a PDL kind distinction part communicates the effect to a memory management part, and changes a display list into a little larger one.例文帳に追加

印刷命令がＲＯＰ命令やαブレンド命令を有する種類のものだった場合はＰＤＬ種別判別部がメモリ管理部にその旨ディスプレイリストを大きめに変更する。 - 特許庁

To provide a game machine which enables a player to easily recognize the number of starting memory information by special effect sounds if game balls continuously pass a starting area, and a simulation program.例文帳に追加

遊技球が始動領域に連続して通過した場合であっても、始動記憶情報の数が演出音によって容易に認識できる遊技機及びシミュレーションプログラムを提供する。 - 特許庁

A first processing block 1, connected to an information input block 97 including a keyboard 201, is connected to a second processing block 98 to which a display part 2 having memory effect is connected.例文帳に追加

キーボード２０１を含む情報入力ブロック９７に接続された第１処理ブロック１を設け、メモリー効果のある表示部２が接続された第２処理ブロック９８に接続する。 - 特許庁

To improve the effect of power saving by precisely controlling power consumption by managing the arrangement of data in a memory from the viewpoint of power consumption.例文帳に追加

メモリー内のデータ配置を消費電力の観点から管理することにより、木目細かく消費電力を制御することを可能とし、節電の効果を向上させることを目的とする。 - 特許庁

To provide a plotting outputting apparatus and a plotting processing system which can dynamically assign a cache memory while securing a cache effect of pattern data even in the case of unidirectional communication.例文帳に追加

単方向通信であっても、パターンデータのキャッシュ効果を確保しつつ、キャッシュメモリの動的割り当てを行うことが可能な描画出力装置及び描画処理システムを提供する。 - 特許庁

A magnetic thin film memory comprises means for controlling the level of a current required for writing information stepwise, and a temperature sensor sensing the temperature of the magnetoresistive effect element.例文帳に追加

また、情報の書き込みに要する電流値を段階的に制御する手段と、磁気抵抗効果素子の温度を感知する温度センサを備えた磁気薄膜メモリ装置によって解決される。 - 特許庁

Antimony is contained in an InP layer 23 grown on the light receiving layer 21 as an impurity by memory effect of antimony supplied when a GaAsSb layer of the light receiving layer grows.例文帳に追加

受光層２１のＧａＡｓＳｂ層の成長の際に供給されたアンチモンのメモリ効果により、受光層２３上に成長されるＩｎＰ層２３に、不純物としてアンチモンが含まれる。 - 特許庁

The memory is provided with a stopper layer flat part that contacts the magnetoresistance effect element and a side face of the upper electrode, and whose upper face is at a height substantially identical to an upper face of the upper electrode.例文帳に追加

前記磁気抵抗効果素子、前記上部電極の側面に接し、上面が前記上部電極の上面と実質的に同一の高さであるストッパ層平坦部が設けられる。 - 特許庁