「memory-effect」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

The Pachinko game machine (10) gradually changes a pitch and/or volume of special effect sounds for passing the starting for notifying that the game ball passes through a starting slot (44) depending on the counted number of starting memory information if the game ball passes the starting slot (44).例文帳に追加

パチンコ遊技機（１０）は、始動口（４４）を遊技球が通過した場合に、計数された始動記憶情報の数に応じて、その始動口（４４）を遊技球が通過した旨の始動通過演出音の音程及び／又は音量を段階的に変更する。 - 特許庁

Since it can be employed as a channel region of a semiconductor element or a TFT, a highly reliable semiconductor element and a TFT exhibiting a high field effect mobility can be fabricated while suppressing variation in characteristics resulting in a highly reliable semiconductor memory capable of high speed operation.例文帳に追加

その結果、信頼性の高い半導体素子、および電界効果移動度高く、かつ特性ばらつきの小さい半導体素子及びＴＦＴを作製することが可能となり、高信頼性、かつ高速動作可能な半導体記憶装置を実現することができる。 - 特許庁

To provide a method for producing "memory-retaining water" having a function that a pharmacological effect is retained even when the application concentration of a medicine or agrochemical is largely lowered in comparison with a usual application concentration.例文帳に追加

医薬や農薬を通常の使用濃度よりもはるかに薄くしてもその薬理効果を維持させる機能を有する水「記憶水」により医薬や農薬を通常の使用濃度よりもはるかに薄くして使用することのできる「記憶水」を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The memory removing member 30 on the shaft of which are mounted a cylindrical brush or a roller-like sponge, rubs the surface of the photoreceptor drum 22, weakens and diffuses attractive forces of toner or the like so as to enhance an electrostatic charge effect by an electrostatic charge roller 24.例文帳に追加

前記メモリ除去部材３０は、軸に円筒状のブラシまたはスポンジローラ状のものを取付けて、感光体ドラム２２の表面を摺擦し、トナー等の付着力を弱めて拡散させ、帯電ローラ２４による帯電効果をも向上させ得るようにする。 - 特許庁

To provide a memory device that can suppress a leak of electrons in a charge trap layer due to tunneling effect, make a holding time for data longer, and make a tunnel oxide film thin to improve a data writing speed.例文帳に追加

電荷トラップ層からのトンネル効果による電子の漏れを抑制することができ、データの保持時間の長期化を図ることができるとともに、トンネル酸化膜の薄膜化を可能として、データの書き込み速度の向上を図ることのできるメモリ装置を提供する。 - 特許庁

The control processing part 110 issues a control instruction of the effect that power of the memory card storage unit 120 should to be turned off to a power supply part 130 when deciding that the light from the light emission part is not detected based on a detection result from the light reception part 140.例文帳に追加

制御処理部１１０は、受光部１４０からの検出結果に基づいて、発光部からの光を検出していないと判定した場合には、メモリカード収納ユニット１２０の電源をオフにすべき旨の制御指令を、電源部１３０へ向けて発行する。 - 特許庁

When normally receiving any one of the first registration request signal, the second registration request signal and a registration completion signal in a registration mode, the communication control part 21 records a reception history, to that effect as a communication history, in a memory 21M.例文帳に追加

また、登録モードにおいて通信制御部２１は、第１登録要求信号、第２登録要求信号及び登録完了信号のうちの何れかを正常に受信した際にはその旨を示す受信履歴を通信履歴としてメモリ２１Ｍに記録する。 - 特許庁

When the apparatus including the function in which effect of patent is finished in near future is sold, software for realizing the function is stored in a memory, while the prescribed condition is not satisfied, a lock is set to the function not so as to be able to use the function.例文帳に追加

近い将来に特許の効力が切れる機能を含む装置を販売する場合、前記機能を実現するためのソフトウェアをメモリに記憶させておき、所定条件を満たさないうちは、前記機能を使用できないように前記機能にロックを設定しておく。 - 特許庁

To provide an electrophoretic display device, in which even when an area of a planar electrode is increased to increase brightness of pixels, a memory effect is maintained and contrast of an image is maintained by increasing an area of a partition electrode to the same degree as the area of the planar electrode.例文帳に追加

電気泳動方式表示装置において、平面電極の面積を大きくして画素の明るさを向上した場合でも、隔壁電極の面積を平面電極の面積と同等程度に大きくして、メモリ効果を維持し、画像のコントラストを維持する。 - 特許庁

The magnetic memory includes a magnetoresistive effect element 1 having a magnetic layer 11 variable in magnetization, a magnetic layer 13 fixed in magnetization, an intermediate layer 12, and a magnetic layer 15 variable in magnetization in a direction parallel with a film surface, and a magnetic layer 16 disposed on a side surface of the magnetoresistive effect element 1 via an insulating film to converge magnetic fields generated from an end part of the magnetic layer 15.例文帳に追加

本発明の例に関わる磁気メモリは、磁化が可変な磁性層１１と、磁化が固定された磁性層１３と、中間層１２と、膜面に対して平行方向の磁化が可変な磁性層１５とを有する磁気抵抗効果素子１と、絶縁膜を介して磁気抵抗効果素子１の側面上に設けられ、磁性層１５の端部から発生する磁場を収束する磁性層１６と、を有する。 - 特許庁

To improve a performance effect by giving a great change to a background picture without enhancing a processing capacity of a memory for a picture processing, and to sustain a player's taste on the progress of a game by allowing the minimum necessary involvement of the player in the progress of the game.例文帳に追加

背景画像を対象として、画像処理のためのメモリは処理能力を高めることなく多大な変化を持たせることで演出効果を向上すると共に、必要最小限に遊技の進行に関与させることで、遊技の進行上の遊技者の趣向性を維持する。 - 特許庁

In the memorizable liquid crystal panel continuing to display data by a memory effect, a display sensor 11 identifying display data is provided on the panel and a controlling signal is outputted from a controlling circuit 15 to driver ICs 16 and 17 and a power source part 18 based on the information of the display sensor.例文帳に追加

メモリ効果によってデータを表示し続けるメモリ性液晶パネルにおいて、パネル上に表示データを識別する表示センサ１１を設け、その情報を基に制御回路１５から各ドライバＩＣ１６、１７および電源部１８へと制御信号を出力するようにする。 - 特許庁

In a performance device for producing musical sound and special effect sound according to the input of a plurality of kinds of performance data, the performance data is inputted with a plurality of performance forms such as keyboard performance data, automatic performance data from a memory device, and external performance data from an external musical apparatus.例文帳に追加

複数の演奏データの入力に応じて楽音及び特殊効果音を生成する演奏装置において、演奏データは、鍵盤演奏データ、記憶装置からの自動演奏データ、外部楽音機器からの外部演奏データ等、複数種類の演奏形態を介して入力される。 - 特許庁

A single programmable signal processing means (for example, a DSP) is commonly used for both a sound recording waveform processing (for example, a sampling and resampling) and a reproducing waveform processing (for example, a processing in which waveform data are read from a waveform memory, an effect adding process is conducted and the data are outputted).例文帳に追加

１つのプログラマブル信号処理手段（例えばＤＳＰ）を、録音用波形処理（例えばサンプリングやリサンプリング）と再生用波形処理（例えば波形メモリから波形データを読み出してエフェクト付与などの処理を施して出力する処理）との両方に共用する。 - 特許庁

A CCD 116 is driven at a high speed at an ordinary photographing, white balance adjustment and gamma correction are applied to obtained image data to reduce the data amount and a frame memory 140 stores the resulting data so as to suppress the effect of smear even when photographing is carried out without using a mechanical shutter.例文帳に追加

通常撮影時には、ＣＣＤ１１６を高速駆動し、得られた画像データに対してホワイトバランス調整処理、γ補正処理を施してデータ量を減らしてからフレームメモリ１４０に格納することにより、メカニカルシャッタを使用せずに撮影を行った場合でも、スメアの影響を抑える。 - 特許庁

This power supply unit for motor vehicle, formed so as to perform refreshing discharge of conducting discharging, until battery voltage drops to a prescribed refreshing final voltage, when the service condition a charging battery reaches a prescribed condition, changes the refreshing discharge final voltage according to the extent of the memory effect.例文帳に追加

充電式電池の使用状態が所定条件に達したとき電池電圧が所定のリフレッシュ終止電圧に低下するまで放電するリフレッシュ放電を行うようにした電動車両用電源装置において、メモリ効果の度合に応じて上記リフレッシュ放電終止電圧を変化させる。 - 特許庁

To provide a drive unit and movable module, capable of correcting effect of hysteresis, and moving a driven unit to a target position accurately and simply, in the drive unit and movable module for moving the driven unit using a shape-memory alloy as a driving source.例文帳に追加

形状記憶合金を駆動源として被駆動部を移動させる駆動ユニットおよび可動モジュールにおいて、ヒステリシスの影響を補正し、被駆動部を目標位置に正確且つ簡単に移動させることのできる駆動ユニットおよび可動モジュールを提供することを目的とする。 - 特許庁

In the magnetoresistive effect memory element of multilayer film structure comprising two ferromagnetic layers 14c and 16 and a nonmagnetic layer 15 sandwiched between, at least one of the ferromagnetic layers 14c and 16 is composed of a material containing an element exhibiting ferromagnetism and boron.例文帳に追加

二つの強磁性体層１４ｃ，１６とこれらの間に挟まれる非磁性体層１５とを含む多層膜構造の磁気抵抗効果素子において、強磁性体層１４ｃ，１６のうちの少なくとも一方を、強磁性を示す元素とホウ素とを含む材料からなる構成とする。 - 特許庁

A ceiling hanging type flat television mounting device can automatically change the angles of the flat television by 360 degrees in the horizontal direction by using a motor, and also can automatically change vertical positions by using a spring having shape memory effect for a hanging member.例文帳に追加

本考案の天井吊るしタイプの平面テレビ取り付け装置は、モータを使用して平面テレビの角度を水平方向で３６０度、自動で変えることができ、且つ吊し部材に形状記憶効果を有するバネを使用し、垂直方向位置も自動で変えることができる構成を有する。 - 特許庁

To provide an image forming device and an image forming method by which the influence of an optical memory effect is eliminated without installing the light source of destaticizing light and an excellent image quality is obtained by suppressing the occurrence of a ghost in an image forming device using an a-Si photoreceptor as a light receptive member.例文帳に追加

光受容部材としてａ−Ｓｉ感光体を用いた画像形成装置において、除電光光源を設置することなく、光メモリー効果の影響を排除でき、ゴーストの発生を抑えられ、優れた画質が得られる画像形成装置ならびに画像形成方法の提供。 - 特許庁

In the magnetoresistive effect memory element of multilayer film structure comprising two ferromagnetic layers 24 and 26 and a nonmagnetic layer sandwiched between, at least one of the ferromagnetic layers 24 and 26 is composed of an aggregate of crystal grains 31 and grain boundaries 32.例文帳に追加

二つの強磁性体層２４，２６とこれらの間に挟まれる非磁性体層とを含む多層膜構造の磁気抵抗効果素子において、強磁性体層２４，２６のうちの少なくとも一方を、結晶粒３１および結晶粒界３２の集合体からなるものとする。 - 特許庁

The charge/discharge control method for the alkali storage battery that can avoid the memory effect while fully bringing out the characteristics of the battery during travel as well as attaining simplification of the system without needing the detecting device includes automatically carrying out predetermined charge or discharge by signals from the outside.例文帳に追加

本発明は、検出装置を必要とせず、システムを簡易化できるだけでなく、走行時に電池の特性を十分に引き出しながらメモリー効果を回避できる、アルカリ蓄電池の充放電制御方法は、外部からの信号によって所定の充電、あるいは放電を自動的に実施する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor storage device which reduces the height of a floating gate electrode, facilitating the formation of a control gate electrode, makes the coupling ratio of the floating gate electrode increased, and the control gate electrode and reducing interference effect between memory cell transistors.例文帳に追加

浮遊ゲート電極の高さを低くして制御ゲート電極の形成を容易にしつつ、浮遊ゲート電極と制御ゲート電極とのカップリング比を増加させるとともにメモリセルトランジスタ間の干渉効果を低減することが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device maintaining a current-driving capability and preventing the short channel effect by activating the impurities of a gate electrode in a FET for logic element without spoiling the quality of a gate insulator film in a FET for memory element and a method of manufacturing it.例文帳に追加

メモリ素子用ＦＥＴにおけるゲート絶縁膜の膜質を損なうことなく、ロジック素子用ＦＥＴにおけるゲート電極の不純物が活性化されることにより電流駆動能力が維持され、かつ短チャネル効果が防止された半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The negative ion generating air cleaner is configured so that the user can enjoy imagewise an refreshing feeling and a relaxation effect by giving a feeling as if the user stays near a waterfall or is in the forest through the reproduction of visual and auditory contents obtained from an external memory input unit 4, in addition to negative ion generating and air cleaning functions.例文帳に追加

マイナスイオン発生機能及び空気清浄機能に加えて、外部メモリー入力部４から得られる視覚的及び聴覚的なコンテンツ再生も加えてイメージ的に滝の側や森林の中にいるような爽快感とリラクゼーション効果をも発揮できるように構成する。 - 特許庁

If the time elapsed before the processed image data is transferred to the display means and displayed is longer than the interval of an image data sync signal when the image data held in the image memory is subjected to specific image processing, the system control section informs the user to this effect.例文帳に追加

また、システム制御手段は、保持された画像データに所定の画像処理を行う場合、画像処理された画像データを表示手段に転送して表示するまでの時間が生成された画像データ同期信号の間隔よりも大きいときは、その旨をユーザーに通知する。 - 特許庁

The memory cell blocks 11-14 have tip data storage areas 11b-14b for storing tip data including operation parameters and path flag storage areas 11c to 14c which are provided to every tip data storage area and indicate the effect of the stored tip data.例文帳に追加

各メモリセルブロック１１〜１４は、半導体記憶装置の動作パラメータを含むチップデータを格納するチップデータ格納領域１１ｂ〜１４ｂと、該チップデータ格納領域ごとに設けられ、格納されたチップデータの有効性を示すパスフラグ格納領域１１ｃ〜１４ｃとを有している。 - 特許庁

Then, if the temperature sensor has detected the overheat state of the step-down transformer, this judges that the temperature sensor is faulty, and memorizes the effect in a memory (S180), and displays an error message which expresses the fault of the temperature sensor in a display consisting of a liquid crystal display instrument (S190).例文帳に追加

そして、温度センサにより、降圧トランスの過熱状態が検出されていれば、温度センサが故障していると判断して、その旨をメモりに記憶し（Ｓ１８０）、液晶表示器からなる表示部に温度センサの故障を表すエラーメッセージを表示する（Ｓ１９０）。 - 特許庁

The charging amount evaluation element is provided on a substrate 1, wherein the element comprises a pair of electrodes 3, 4, an electric conductor 5 connecting the pair of electrodes 3, 4, and a shape changing member 6 which is provided on the electric conductor 5 and at least of which is made of a material having the shape-memory effect.例文帳に追加

基板１上に一対の電極３，４と、一対の電極３，４間を接続する導電体５と、導電体５上に設けた少なくとも一部が形状記憶効果を持つ材料からなる形状変化部材６とを備えた帯電量評価要素を設ける。 - 特許庁

When a battery ECU detects the occurrence of charging memory effect based on the voltage, current and temperature, etc., a HVECU changes the center of control range of the state of charge (SOC) of the battery from the normally set 50% to an upper limited neighborhood value within a proper state of charge.例文帳に追加

電池ＥＣＵが電池の電圧、電流、温度等に基づいて充電メモリ効果の発生を検知すると、ＨＶＥＣＵは電池の蓄電量（ＳＯＣ）の制御中心を通常時に設定される５０％から適正蓄電量範囲の上限近傍値へ変更する。 - 特許庁

The picture communication equipment capable of receiving the sub-address signal has a means for registering the sub-address signal, days on leave, leave hours, an effect that the today is a leave day and destinations to which the day when facsimile-received information can be seen has to be reported, in accordance with each memory box.例文帳に追加

サブアドレス信号を受信可能な画像通信装置において、各メモリボックスに対応し、サブアドレス信号と、休暇日と、休暇時と、今日が休暇日である旨と、ファクシミリ受信情報を見ることが可能な日を通知すべき宛先とを登録する手段を有する画像通信装置である。 - 特許庁

Here, when there are still chargeable steps until the accumulation amount reaches the one at which reliability required without power interruption can be secured after the accumulator battery is discharged to the accumulation amount that is in the vicinity of a discharge depth at which the memory effect can be canceled, the generation suppression amount per time zone is transmitted to a control part 11.例文帳に追加

ここで、蓄電量がメモリー効果の解消が可能な放電深度付近となる蓄電量まで放電した後、停電無く要求される信頼性の確保が可能な蓄電量まで充電可能である段階がある場合、時間帯別発電抑制量を制御部１１に送信する。 - 特許庁

The device is let displaying in a message display part on an operation panel to the effect that 'fixation high temp. error: please inform to service man' (S4), and controlling means is not to perform the power feed to the fixing unit, unless the information of the fixation high temp. error is cleared from the non-volatile memory through the operation panel.例文帳に追加

操作パネルのメッセージ表示部に「定着高温エラー：サービスマンに連絡してください」という旨を表示し、操作パネルを介して不揮発性メモリから定着高温エラーの情報がクリアされない限り、制御手段は定着ユニットへの電源供給を行わない。 - 特許庁

In the image forming apparatus having an operating section equipped with a flat panel display for displaying information to a user, a device having a display memory effect for holding the display content even if the driving power supply is interrupted after transferring display data is applied as the flat panel display.例文帳に追加

利用者に対する情報表示用のフラットパネルディスプレイを備えた操作部を有する画像形成装置であって、前記フラットパネルディスプレイとして、表示データを転送した後、駆動電源を遮断しても表示内容を保持する表示メモリ効果を有するデバイスを適用したことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a timing signal generating circuit and an image processing apparatus provided with the same for suppressing or interrupting the effect of noise or voltage variations of a power supply due to memory refresh on image data and a timing signal for synchronizing image data processing in the case of processing the image data.例文帳に追加

画像データを処理する際、当該画像データ処理を同期させるタイミング信号および画像データが受ける、メモリリフレッシュによる電源の電圧変動やノイズの影響を抑制または遮断するタイミング信号生成回路およびそれを備えた画像処理装置を提供する。 - 特許庁

A slit 28 is formed on the arm 26 of the stylus holder 14 and a fixing means 18 which presses and fixes the stylus 16 to the stylus holder 14 through shape memory effect of deforming the slit 28 is provided to fix and hold the stylus 16 on the arm 26 in a pressed state without welding or adhering the stylus 16.例文帳に追加

スタイラスホルダ１４のアーム２６にスリット２８を形成し、このスリット２８を変形させる形状記憶効果によりスタイラス１６をスタイラスホルダ１４に圧着固定させる固定手段１８を備え、スタイラス１６を溶接や接着をすることなく圧着状態でアーム２６に固定保持する。 - 特許庁

To obtain a method of vapor depositing a compound semiconductor which can reduce the change of electrical characteristics before or after the epitaxial wafer such as a HEMT (high electron mobility transistor) , etc. with a non-alloy layer using an H_2Se is grown, that is, which can reduce the memory effect of the H_2Se in a reaction furnace.例文帳に追加

Ｈ_２Ｓｅを用いたノンアロイ層付ＨＥＭＴ等のエピウェハを成長する前後での電気的特性の変動を低減すること、すなわち反応炉内のＨ_２Ｓｅのメモリー効果を低減することが可能な化合物半導体の気相成長方法を得ること。 - 特許庁

To provide a memory circuit which constitutes a storage circuit including storages on a semiconductor substrate, that can adjust the capability of a suppressor circuit depending on a power supply voltage and a frequency to operate the memory circuit, reduce the adverse effect of the suppressor circuit on power and speed, and reduce areas and design man-hours by devising the mounting method of the circuit to control the capability of the suppressor circuit.例文帳に追加

半導体基板上に記憶保持部を含む記憶保持回路を構成したメモリ回路に関し、メモリ回路を動作させる電源電圧、周波数等に応じて、抑制回路の能力を調整でき、抑制回路による電力、速度に対する悪影響を低減することができ、かつ抑制回路の能力を制御する回路の搭載方法を工夫することにより、面積、設計工数の削減を図ることができる。 - 特許庁

The shape memory alloy material comprises 49.5 to 50.25 mol% Ni, 8 to 20 mol% Zr, and below 0.1 mol% Hf, with the balance being Ti and unavoidable impurities and is characterized in that the perfect shape recovery elongation in shape memory effect or superelasticity is 2% or greater and the reverse martensitic transformation finish temperature is 100°C or higher.例文帳に追加

Ｎｉを４９．５〜５０．２５ｍｏｌ％、Ｚｒを８〜２０ｍｏｌ％含み、Ｈｆを０．１ｍｏｌ％未満含み、残部Ｔｉと不可避不純物とからなる形状記憶合金であって、形状記憶効果または超弾性における完全に回復する形状回復伸び量が２％以上、且つマルテンサイト逆変態終了温度が１００℃以上の高形状回復性および高変態温度を有する形状記憶合金材とその製造法。 - 特許庁

In this synchronous type semiconductor memory element, the memory element is set by the last data strobe trailing pulse DSFP corresponding to a write-in command, and an alignment hold signal reset by a data input clock DINCLK corresponding to the write-in command is added and generated, the alignment hold signal masks an effect that the data strobe trailing pulse DSFP is applied to a data alignment part in a period in which a glitch occurs.例文帳に追加

本発明の実施形態に係る同期式半導体メモリ素子は、該当書き込みコマンドに対応する最後のデータストローブ立ち下がりパルスＤＳＦＰによってセットされ、該当書き込みコマンドに対応するデータ入力クロックＤＩＮＣＬＫによってリセットされる整列保持信号を追加生成し、前記整列保持信号は、グリッチが発生する期間において、データストローブ立ち下がりパルスＤＳＦＰがデータ整列部に印加されることをマスキングする。 - 特許庁

To provide an agent usable for the treatment of peripheral sensory neuropathies (e.g. associated with diabetes or as a possible side effect in AIDS therapy) or central neuropathies (e.g. Alzheimer's disease; however, in this case, the loss of memory is the result of a loss of cholinergic neurons).例文帳に追加

末梢知覚神経障害（例えば、糖尿病に関連したもの又はＡＩＤＳ療法において起こりうる副作用としてのものが挙げられる。）や、中枢神経障害（例えば、アルツハイマー病が挙げられる。この場合においては、記憶の喪失は、コリン作動性ニューロンの損失の結果である。）の治療に用い得る。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer for compound semiconductor element provided with a nearly ideal n-type InGaAs non-alloy layer not resulting in any influence on the characteristics of transistors, by solving the problems of surface flatness, diffusion into the lower layers and memory effect resulting from an n-type dopant on the InGaAs non-alloy layer of the uppermost layer.例文帳に追加

最上層のＩｎＧａＡｓノンアロイ層へのｎ型ドーパントが及ぼす表面の平坦性、下層への拡散、及びメモリー効果といった課題を解決して、トランジスタの特性に影響が無い、理想に近いｎ型のＩｎＧａＡｓノンアロイ層を具備する化合物半導体素子用エピタキシャルウェハを提供すること。 - 特許庁

To provide a printer for which the price of a printer body can be reduced by performing advertising in an extent of obtaining an effect of advertisement by automatically indicating, on a display device, advertisement information such as a character or an image relating to an object to be advertised stored in a memory device in the printer.例文帳に追加

印刷装置内の記憶素子に保存されている宣伝対象に関する文字や画像などの広告情報をディスプレイ装置へ自動的に表示し、広告効果が得られる程度の宣伝を行うことで、本体価格を安くおさえることができる印刷装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a wireless base station device and wireless communication method which can effectively obtain a diversity effect and an encoding gain, can reduce a buffer memory amount for a primary storage required, and simplifies a support for QoS, when a wireless communication is performed from a plurality of wireless terminal devices to a wireless base station device in an SDMA system.例文帳に追加

複数の無線端末装置から無線基地局装置にＳＤＭＡ方式で無線通信を行う場合、ダイバーシチ効果及び符号化利得を有効に得ることができ、必要となる一次保管用のバッファメモリ量を低減し、ＱｏＳへの対応を容易にした無線基地局装置及び無線通信方法を提供する。 - 特許庁

The phase change memory device includes a phase change layer, an electrode whose one end contacts the phase change layer, a contact plug connected to the other end of the electrode, and a field-effect transistor in which a source or drain is electrically connected to the contact plug, wherein the electrode is formed of zirconium boron nitride.例文帳に追加

相変化層と、この相変化層に一端が接触する電極と、この電極の他端に接続するコンタクトプラグと、このコンタクトプラグにソースまたはドレインが電気的に接続された電界効果型トランジスタとを備えた相変化メモリ装置であって、前記電極がジルコニウムボロンナイトライドにより形成されている。 - 特許庁